JP3082518B2 - 半導体用リードフレーム及び半導体装置 - Google Patents
半導体用リードフレーム及び半導体装置Info
- Publication number
- JP3082518B2 JP3082518B2 JP05173235A JP17323593A JP3082518B2 JP 3082518 B2 JP3082518 B2 JP 3082518B2 JP 05173235 A JP05173235 A JP 05173235A JP 17323593 A JP17323593 A JP 17323593A JP 3082518 B2 JP3082518 B2 JP 3082518B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silver
- lead frame
- silver plating
- semiconductor
- dam bar
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体用リードフレー
ムとその製造方法に係わり、更に詳しくはリードフレー
ムインナーリード部インナーリードに銀メッキを施す際
の銀漏れ防止を行い半導体装置の信頼性向上に関するも
のである。
ムとその製造方法に係わり、更に詳しくはリードフレー
ムインナーリード部インナーリードに銀メッキを施す際
の銀漏れ防止を行い半導体装置の信頼性向上に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】図６においてフレーム枠１の略中央に集
積回路チップを搭載固着するダイパッド２を有してい
る。更にダイパッド２はタイバー３によってフレーム枠
１に支持されている。又フレーム枠１の内壁からは多数
の細いインナーリード４が前記ダイパッド２に向かって
延在しており、各インナーリード４はモールド工程でモ
ールドエリア６内の樹脂封止時に樹脂の流出を防止する
為のダムバー５で支持されている。このダムバー５はダ
イパッド２に搭載固着された集積回路チップとインナー
リード４のダイパッド側先端部をワイヤで配線する際の
補強部材となっており樹脂封止後各リード間のダムバー
５を切断する。フレーム枠１の内壁からダイパッド２に
向かって延在しているインナーリード４のダイパッド２
側の先端には銀メッキ７が施してありダイパッド２に搭
載固着された集積回路チップとインナーリード４の先端
部をワイヤで配線した時のインナーリードとワイヤの合
金を促進しワイヤボンディングの熱圧着の強度を上げる
ためである。
積回路チップを搭載固着するダイパッド２を有してい
る。更にダイパッド２はタイバー３によってフレーム枠
１に支持されている。又フレーム枠１の内壁からは多数
の細いインナーリード４が前記ダイパッド２に向かって
延在しており、各インナーリード４はモールド工程でモ
ールドエリア６内の樹脂封止時に樹脂の流出を防止する
為のダムバー５で支持されている。このダムバー５はダ
イパッド２に搭載固着された集積回路チップとインナー
リード４のダイパッド側先端部をワイヤで配線する際の
補強部材となっており樹脂封止後各リード間のダムバー
５を切断する。フレーム枠１の内壁からダイパッド２に
向かって延在しているインナーリード４のダイパッド２
側の先端には銀メッキ７が施してありダイパッド２に搭
載固着された集積回路チップとインナーリード４の先端
部をワイヤで配線した時のインナーリードとワイヤの合
金を促進しワイヤボンディングの熱圧着の強度を上げる
ためである。
【０００３】銀メッキの種類は、メッキを施す部分の違
いによって主に次の２つがある。
いによって主に次の２つがある。
【０００４】１）ダイパッド２の全体及びリード４の先
端部にメッキを施す部分銀メッキ。
端部にメッキを施す部分銀メッキ。
【０００５】２）リード４の先端部のみにメッキを施す
リング銀メッキ。
リング銀メッキ。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のように半導体用
リードフレームは図６インナーリード４のダイパッド側
先端に銀メッキ７を施してあり半導体装置の組立時に集
積回路チップとインナーリード４とを結ぶワイヤ熱圧着
力を高める為にはどうしても銀メッキ７の部分必要であ
る。しかし銀メッキ７を施す際に銀メッキを必要としな
い部分を完全にマスキングする事は難しく特にインナー
リード側面への漏れはおさえられない。漏れ出した銀メ
ッキが図６モールドライン６を通過しダムバー５に至っ
てしまう。モールドライン６からダムバー５間に漏れだ
した銀メッキはモールドライン６の内側を樹脂封止後に
脱銀剤を使用し脱銀を行っているが漏れ銀を完全に除去
するのは困難である。銀漏れが極小なりとも含まれてい
る半導体装置は後工程である半田メッキでの半田メッキ
フクレ或いは銀漏れ残りによるアウターリード８間のリ
ーク等が発生し長期間安定的に半導体装置が稼働しなか
った。
リードフレームは図６インナーリード４のダイパッド側
先端に銀メッキ７を施してあり半導体装置の組立時に集
積回路チップとインナーリード４とを結ぶワイヤ熱圧着
力を高める為にはどうしても銀メッキ７の部分必要であ
る。しかし銀メッキ７を施す際に銀メッキを必要としな
い部分を完全にマスキングする事は難しく特にインナー
リード側面への漏れはおさえられない。漏れ出した銀メ
ッキが図６モールドライン６を通過しダムバー５に至っ
てしまう。モールドライン６からダムバー５間に漏れだ
した銀メッキはモールドライン６の内側を樹脂封止後に
脱銀剤を使用し脱銀を行っているが漏れ銀を完全に除去
するのは困難である。銀漏れが極小なりとも含まれてい
る半導体装置は後工程である半田メッキでの半田メッキ
フクレ或いは銀漏れ残りによるアウターリード８間のリ
ーク等が発生し長期間安定的に半導体装置が稼働しなか
った。
【０００７】本発明は上記の課題を解決する為になされ
たものであり、インナーリードのダイパッド側先端への
銀メッキを施す際に銀メッキが漏れてもモールドエリア
内に止め樹脂封止してしまいアウターリードの露出する
部分へは銀漏れ防止ができ安定した半導体の稼働と安価
な半導体用リードフレームの製造方法を得ることを目的
とするものである。
たものであり、インナーリードのダイパッド側先端への
銀メッキを施す際に銀メッキが漏れてもモールドエリア
内に止め樹脂封止してしまいアウターリードの露出する
部分へは銀漏れ防止ができ安定した半導体の稼働と安価
な半導体用リードフレームの製造方法を得ることを目的
とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体用リ
ードフレームは、一方から他方に向かって延出される複
数のリードを有する半導体用リードフレームであって、
前記リードの前記一方における先端部に施された銀メッ
キ部と、前記リードの銀メッキ部の施された位置よりも
前記他方側に設けられ且つ前記リードフレームと同じ材
料で一体成形された第１のダムバーと、各々の前記リー
ドにおいて前記銀メッキ部と前記第１のダムバーとの間
に位置し、更に前記リードの延出方向に対して略垂直方
向に所定幅をもって突出し且つ突出した部位の前記一方
側において該一方の方向に傾斜角を有する返しが形成さ
れた第２のダムバーと、を有することを特徴とする。そ
して、本発明における半導体装置は、上記の半導体用リ
ードフレームが用いられ、所定の位置に設けられた集積
回路チップと、前記第2のダムバーよりも他方側で且つ
前記第１のダムバーよりも一方側に界面が位置する樹脂
部と、前記第１のダムバーのリード間に跨る部分の一部
が切断されており、且つ半導体用リードフレームの枠か
ら切り離されてなることを特徴とする。また、本発明に
係る他の半導体用リードフレームは、一方から他方に向
かって延出される複数のリードを有する半導体用リード
フレームであって、前記リードの前記一方における先端
部に施された銀メッキ部と、前記リードの銀メッキ部の
施された位置よりも前記他方側に設けられ且つ前記リー
ドフレームと同じ材料で一体成形された第１のダムバー
と、各々の前記リードにおいて前記銀メッキ部と前記第
１のダムバーとの間に位置し、前記他方の方向側に先端
角部が位置するとともに傾斜角を有する切り欠き溝と、
を有することを特徴とする。そして、本発明における半
導体装置は、上記の半導体用リードフレームが用いら
れ、所定の位置に設けられた集積回路チップと、前記切
り欠き溝よりも他方側で且前記第１のダムバーよりも一
方側に界面が位置する樹脂部と、前記第１のダムバーの
リード間に跨る部分の一部が切断されており、且つ半導
体用リードフレームの枠から切り離されてなることを特
徴とする。
ードフレームは、一方から他方に向かって延出される複
数のリードを有する半導体用リードフレームであって、
前記リードの前記一方における先端部に施された銀メッ
キ部と、前記リードの銀メッキ部の施された位置よりも
前記他方側に設けられ且つ前記リードフレームと同じ材
料で一体成形された第１のダムバーと、各々の前記リー
ドにおいて前記銀メッキ部と前記第１のダムバーとの間
に位置し、更に前記リードの延出方向に対して略垂直方
向に所定幅をもって突出し且つ突出した部位の前記一方
側において該一方の方向に傾斜角を有する返しが形成さ
れた第２のダムバーと、を有することを特徴とする。そ
して、本発明における半導体装置は、上記の半導体用リ
ードフレームが用いられ、所定の位置に設けられた集積
回路チップと、前記第2のダムバーよりも他方側で且つ
前記第１のダムバーよりも一方側に界面が位置する樹脂
部と、前記第１のダムバーのリード間に跨る部分の一部
が切断されており、且つ半導体用リードフレームの枠か
ら切り離されてなることを特徴とする。また、本発明に
係る他の半導体用リードフレームは、一方から他方に向
かって延出される複数のリードを有する半導体用リード
フレームであって、前記リードの前記一方における先端
部に施された銀メッキ部と、前記リードの銀メッキ部の
施された位置よりも前記他方側に設けられ且つ前記リー
ドフレームと同じ材料で一体成形された第１のダムバー
と、各々の前記リードにおいて前記銀メッキ部と前記第
１のダムバーとの間に位置し、前記他方の方向側に先端
角部が位置するとともに傾斜角を有する切り欠き溝と、
を有することを特徴とする。そして、本発明における半
導体装置は、上記の半導体用リードフレームが用いら
れ、所定の位置に設けられた集積回路チップと、前記切
り欠き溝よりも他方側で且前記第１のダムバーよりも一
方側に界面が位置する樹脂部と、前記第１のダムバーの
リード間に跨る部分の一部が切断されており、且つ半導
体用リードフレームの枠から切り離されてなることを特
徴とする。
【０００９】銀メッキをモールド樹脂封止エリア内に止
める手段としてインナーリード先端からモールドエリア
間に銀メッキ漏れ止め用突起を設け漏れ出した銀メッキ
の流れをこの突起で止め樹脂封止し漏れ銀メッキを樹脂
で封じ込めてしまう。又インナーリード先端からモール
ドエリア間に銀メッキ漏れ止め用返しの有る突起を設け
突起の付け根部分に銀溜まりを設定し漏れ出した銀メッ
キをこの銀溜まりに止め樹脂封止し漏れ銀メッキを樹脂
で封じ込めてしまう。又インナーリード先端からモール
ドエリア間に銀メッキ漏れ止め用銀溜まり溝を設け漏れ
出した銀メッキをこの銀溜まりに止め樹脂封止し漏れ銀
メッキを樹脂で封じ込めてしまう事ができる為に半導体
装置が組立完成後に銀メッキ漏れ残りによる半田メッキ
ふくれ、銀メッキ漏れ残りによるアウターリード間のリ
ークがなくなり長期間安定した半導体装置の稼働が可能
となる。
める手段としてインナーリード先端からモールドエリア
間に銀メッキ漏れ止め用突起を設け漏れ出した銀メッキ
の流れをこの突起で止め樹脂封止し漏れ銀メッキを樹脂
で封じ込めてしまう。又インナーリード先端からモール
ドエリア間に銀メッキ漏れ止め用返しの有る突起を設け
突起の付け根部分に銀溜まりを設定し漏れ出した銀メッ
キをこの銀溜まりに止め樹脂封止し漏れ銀メッキを樹脂
で封じ込めてしまう。又インナーリード先端からモール
ドエリア間に銀メッキ漏れ止め用銀溜まり溝を設け漏れ
出した銀メッキをこの銀溜まりに止め樹脂封止し漏れ銀
メッキを樹脂で封じ込めてしまう事ができる為に半導体
装置が組立完成後に銀メッキ漏れ残りによる半田メッキ
ふくれ、銀メッキ漏れ残りによるアウターリード間のリ
ークがなくなり長期間安定した半導体装置の稼働が可能
となる。
【００１０】
【実施例】図１は本発明の第１の実施例を示す半導体装
置用リードフレームの平面図である。図１においてフレ
ーム枠１の略中央に集積回路チップを搭載固着するダイ
パッド２を有している。更にダイパッド２はタイバー３
によってフレーム枠１に支持されている。又フレーム枠
１の内壁からは多数の細いインナーリード４が前記ダイ
パッド２に向かって延在しておりダイパッド側先端には
銀メッキ７が施してある。この銀メッキ７を施す際に銀
メッキ７の部分のインナーリード４の側面から銀メッキ
が漏れ出す、漏れ出した銀メッキはインナーリード４の
先端からモールドエリア６間に設けられた銀メッキ漏れ
止め用突起９により止められる。モールド工程でモール
ドエリア６内を樹脂封止して漏れ銀メッキを樹脂で封じ
込めてしまう。ダムバー５に至る漏れ出る銀メッキは皆
無となり樹脂封止後の脱銀工程が不要となるばかりでな
くアウターリード８の銀メッキ漏れ残りによる半田メッ
キふくれ、又銀メッキ漏れ残りによるアウターリード間
のリークが押さえられ安価でしかも長期間安定した半導
体装置の稼働が可能となる。
置用リードフレームの平面図である。図１においてフレ
ーム枠１の略中央に集積回路チップを搭載固着するダイ
パッド２を有している。更にダイパッド２はタイバー３
によってフレーム枠１に支持されている。又フレーム枠
１の内壁からは多数の細いインナーリード４が前記ダイ
パッド２に向かって延在しておりダイパッド側先端には
銀メッキ７が施してある。この銀メッキ７を施す際に銀
メッキ７の部分のインナーリード４の側面から銀メッキ
が漏れ出す、漏れ出した銀メッキはインナーリード４の
先端からモールドエリア６間に設けられた銀メッキ漏れ
止め用突起９により止められる。モールド工程でモール
ドエリア６内を樹脂封止して漏れ銀メッキを樹脂で封じ
込めてしまう。ダムバー５に至る漏れ出る銀メッキは皆
無となり樹脂封止後の脱銀工程が不要となるばかりでな
くアウターリード８の銀メッキ漏れ残りによる半田メッ
キふくれ、又銀メッキ漏れ残りによるアウターリード間
のリークが押さえられ安価でしかも長期間安定した半導
体装置の稼働が可能となる。
【００１１】図２は本発明の第２の実施例を示す半導体
装置用リードフレームの部分平面図であり、図３は第２
の実施例を示す半導体装置用リードフレームのインナー
リードの部分拡大平面図である。図２、３においてフレ
ーム枠の略中央に集積回路チップを搭載固着するダイパ
ッド２を有している。フレーム枠の内壁からは多数の細
いインナーリード４が前記ダイパッド２に向かって延在
しておりダイパッド側先端には銀メッキ７が施してあ
る。この銀メッキ７を施す際に銀メッキ７の部分のイン
ナーリード４の側面に銀メッキが漏れ出す、漏れ出した
銀メッキはインナーリード４の先端からモールドエリア
６間に設けられた銀メッキ漏れ止め用返しのある突起１
０、更にはこの突起の付け根部分に設けてある漏れ銀溜
まり溝１１に溜まる溝に溜まった銀メッキをモールド工
程でモールドエリア６内を樹脂封止して漏れ銀メッキを
樹脂で封じ込めてしまう。ダムバーにまで至る漏れ出す
銀メッキは皆無となり樹脂封止後の脱銀工程が不要とな
るばかりでなくアウターリードの銀メッキ漏れ残りによ
る半田メッキふくれ、又銀メッキ漏れ残りによるアウタ
ーリード間のリークが押さえられ安価でしかも長期間安
定した半導体装置の稼働が可能となる。
装置用リードフレームの部分平面図であり、図３は第２
の実施例を示す半導体装置用リードフレームのインナー
リードの部分拡大平面図である。図２、３においてフレ
ーム枠の略中央に集積回路チップを搭載固着するダイパ
ッド２を有している。フレーム枠の内壁からは多数の細
いインナーリード４が前記ダイパッド２に向かって延在
しておりダイパッド側先端には銀メッキ７が施してあ
る。この銀メッキ７を施す際に銀メッキ７の部分のイン
ナーリード４の側面に銀メッキが漏れ出す、漏れ出した
銀メッキはインナーリード４の先端からモールドエリア
６間に設けられた銀メッキ漏れ止め用返しのある突起１
０、更にはこの突起の付け根部分に設けてある漏れ銀溜
まり溝１１に溜まる溝に溜まった銀メッキをモールド工
程でモールドエリア６内を樹脂封止して漏れ銀メッキを
樹脂で封じ込めてしまう。ダムバーにまで至る漏れ出す
銀メッキは皆無となり樹脂封止後の脱銀工程が不要とな
るばかりでなくアウターリードの銀メッキ漏れ残りによ
る半田メッキふくれ、又銀メッキ漏れ残りによるアウタ
ーリード間のリークが押さえられ安価でしかも長期間安
定した半導体装置の稼働が可能となる。
【００１２】図４は本発明の第３の実施例を示す半導体
装置用リードフレームの部分平面図であり、図５は第３
の実施例を示す半導体装置用リードフレームのインナー
リードの部分拡大平面図である。図４、５においてフレ
ーム枠の略中央に集積回路チップを搭載固着するダイパ
ッド２を有している。フレーム枠の内壁からは多数の細
いインナーリード４が前記ダイパッド２に向かって延在
しておりダイパッド側先端には銀メッキ７が施してあ
る。この銀メッキ７を施す際に銀メッキ７の部分のイン
ナーリード４の側面に銀メッキが漏れ出す、漏れ出した
銀メッキはインナーリード４の先端からモールドエリア
６間に設けられた銀メッキ漏れ止め用溝１２更にはこの
溝の底に設けてある漏れ銀溜まり溝１１に溜まる溝に溜
まった銀メッキをモールド工程でモールドエリア６内を
樹脂封止して漏れ銀メッキを樹脂で封じ込めてしまう事
によってダムバーにまで至る漏れ出す銀メッキは皆無と
なり樹脂封止後の脱銀工程が不要となるばかりでなくア
ウターリードの銀メッキ漏れ残りによる半田メッキふく
れ、又銀メッキ漏れ残りによるアウターリード間のリー
クが押さえられ安価でしかも長期間安定した半導体装置
の稼働が可能となる。
装置用リードフレームの部分平面図であり、図５は第３
の実施例を示す半導体装置用リードフレームのインナー
リードの部分拡大平面図である。図４、５においてフレ
ーム枠の略中央に集積回路チップを搭載固着するダイパ
ッド２を有している。フレーム枠の内壁からは多数の細
いインナーリード４が前記ダイパッド２に向かって延在
しておりダイパッド側先端には銀メッキ７が施してあ
る。この銀メッキ７を施す際に銀メッキ７の部分のイン
ナーリード４の側面に銀メッキが漏れ出す、漏れ出した
銀メッキはインナーリード４の先端からモールドエリア
６間に設けられた銀メッキ漏れ止め用溝１２更にはこの
溝の底に設けてある漏れ銀溜まり溝１１に溜まる溝に溜
まった銀メッキをモールド工程でモールドエリア６内を
樹脂封止して漏れ銀メッキを樹脂で封じ込めてしまう事
によってダムバーにまで至る漏れ出す銀メッキは皆無と
なり樹脂封止後の脱銀工程が不要となるばかりでなくア
ウターリードの銀メッキ漏れ残りによる半田メッキふく
れ、又銀メッキ漏れ残りによるアウターリード間のリー
クが押さえられ安価でしかも長期間安定した半導体装置
の稼働が可能となる。
【００１３】銀メッキ漏れ止め用突起或いは銀メッキ漏
れ止め用返しのある突起或いは銀メッキ漏れ止め用溝付
きの半導体用リードフレームの製造方法の例としてエッ
チング加工或いはプレス加工で充分満足できるリードフ
レームの供給が可能である。
れ止め用返しのある突起或いは銀メッキ漏れ止め用溝付
きの半導体用リードフレームの製造方法の例としてエッ
チング加工或いはプレス加工で充分満足できるリードフ
レームの供給が可能である。
【００１４】
【発明の効果】以上述べたとおり本発明によれば半導体
用リードフレームのインナーリード、ダイパッド側先端
にワイヤを熱圧着した時のインナーリードとワイヤの結
線力を高める為に銀メッキを施す。この銀メッキを施す
際に平面的なマスクを使用してマスキングを行うがリー
ドの側面はマスキングできない為に銀メッキがリード側
面を伝い漏れ出す。漏れ出した銀メッキをモールドエリ
ア内に止まったままモールド工程で樹脂封止し漏れ銀メ
ッキを樹脂で封じこめてしまう。モールドエリア内に漏
れ銀メッキを止める手段としてインナーリードに漏れ銀
止め用突起或いは漏れ銀止め用銀溜まり溝を設け漏れ銀
をモールドエリア内に止めモールド工程で樹脂封止をす
るものである。アウターリードまで漏れ出る銀メッキが
ない為にモールド工程での樹脂封止後の脱銀工程を省く
事が可能となる。又アウターリードの漏れ銀による半田
メッキふくれ、漏れ銀によるアウターリード間のリーク
が完全に防止できる。又漏れ銀メッキ対策用リードフレ
ームはエッチング加工或いはプレス加工で安価に製作で
き本発明によって長期間安定した稼働のできる半導体装
置の供給を可能とする。
用リードフレームのインナーリード、ダイパッド側先端
にワイヤを熱圧着した時のインナーリードとワイヤの結
線力を高める為に銀メッキを施す。この銀メッキを施す
際に平面的なマスクを使用してマスキングを行うがリー
ドの側面はマスキングできない為に銀メッキがリード側
面を伝い漏れ出す。漏れ出した銀メッキをモールドエリ
ア内に止まったままモールド工程で樹脂封止し漏れ銀メ
ッキを樹脂で封じこめてしまう。モールドエリア内に漏
れ銀メッキを止める手段としてインナーリードに漏れ銀
止め用突起或いは漏れ銀止め用銀溜まり溝を設け漏れ銀
をモールドエリア内に止めモールド工程で樹脂封止をす
るものである。アウターリードまで漏れ出る銀メッキが
ない為にモールド工程での樹脂封止後の脱銀工程を省く
事が可能となる。又アウターリードの漏れ銀による半田
メッキふくれ、漏れ銀によるアウターリード間のリーク
が完全に防止できる。又漏れ銀メッキ対策用リードフレ
ームはエッチング加工或いはプレス加工で安価に製作で
き本発明によって長期間安定した稼働のできる半導体装
置の供給を可能とする。
【図１】 本発明の第１の実施例を示す平面図。
【図２】 本発明の第２の実施例を示す部分平面図。
【図３】 本発明の第２の実施例を示す部分拡大平面
図。
図。
【図４】 本発明の第３の実施例を示す部分平面図。
【図５】 本発明の第３の実施例を示す部分拡大平面
図。
図。
【図６】 従来の方法を示す平面図。
１…フレーム枠 ２…ダイパッド ３…タイバー ４…インナーリード ５…ダムバー ６…モールドエリア ７…銀メッキ ８…アウターリード ９…銀メッキ漏れ止め用突起 １０…銀メッキ漏れ止め用返しのある突起 １１…漏れ銀溜まり溝 １２…銀メッキ漏れ止め用溝
Claims (4)
- 【請求項１】 一方から他方に向かって延出される複数
のリードを有する半導体用リードフレームであって、 前記リードの前記一方における先端部に施された銀メッ
キ部と、 前記リードの銀メッキ部の施された位置よりも前記他方
側に設けられ且つ前記リードフレームと同じ材料で一体
成形された第１のダムバーと、 各々の前記リードにおいて前記銀メッキ部と前記第１の
ダムバーとの間に位置し、更に前記リードの延出方向に
対して略垂直方向に所定幅をもって突出し且つ突出した
部位の前記一方側において該一方の方向に傾斜角を有す
る返しが形成された第２のダムバーと、を有することを
特徴とする半導体用リードフレーム。 - 【請求項２】 一方から他方に向かって延出される複数
のリードを有する半導体用リードフレームであって、 前記リードの前記一方における先端部に施された銀メッ
キ部と、 前記リードの銀メッキ部の施された位置よりも前記他方
側に設けられ且つ前記リードフレームと同じ材料で一体
成形された第１のダムバーと、 各々の前記リードにおいて前記銀メッキ部と前記第１の
ダムバーとの間に位置し、前記他方の方向側に先端角部
が位置するとともに傾斜角を有する切り欠き溝と、を有
することを特徴とする半導体用リードフレーム。 - 【請求項３】 請求項1記載の半導体用リードフレーム
が用いられ、 所定の位置に設けられた集積回路チップと、 前記第2のダムバーよりも他方側で且つ前記第１のダム
バーよりも一方側に界面が位置する樹脂部と、 前記第１のダムバーのリード間に跨る部分の一部が切断
されており、且つ半導体用リードフレームの枠から切り
離されてなることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】 請求項２記載の半導体用リードフレー
ムが用いられ、 所定の位置に設けられた集積回路チップと、 前記切り欠き溝よりも他方側で且前記第１のダムバーよ
りも一方側に界面が位置する樹脂部と、 前記第１のダムバーのリード間に跨る部分の一部が切断
されており、且つ半導体用リードフレームの枠から切り
離されてなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05173235A JP3082518B2 (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | 半導体用リードフレーム及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05173235A JP3082518B2 (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | 半導体用リードフレーム及び半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0730034A JPH0730034A (ja) | 1995-01-31 |
| JP3082518B2 true JP3082518B2 (ja) | 2000-08-28 |
Family
ID=15956663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05173235A Expired - Fee Related JP3082518B2 (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | 半導体用リードフレーム及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3082518B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8334467B2 (en) | 2009-06-17 | 2012-12-18 | Lsi Corporation | Lead frame design to improve reliability |
-
1993
- 1993-07-13 JP JP05173235A patent/JP3082518B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0730034A (ja) | 1995-01-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101054602B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
| US6410979B2 (en) | Ball-grid-array semiconductor device with protruding terminals | |
| JPH0783036B2 (ja) | キヤリアテープ | |
| JPH1070217A (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその金型構造 | |
| JP3082518B2 (ja) | 半導体用リードフレーム及び半導体装置 | |
| US6147398A (en) | Semiconductor device package | |
| JP3111759B2 (ja) | リードフレームおよびリードフレームの製造方法 | |
| JPH0697349A (ja) | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 | |
| KR100237912B1 (ko) | 패키지 반도체, 그것을 이용한 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| JP3246769B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0982848A (ja) | ハイブリッドｉｃ半導体装置 | |
| JPH11317484A (ja) | リードフレーム及びそれを用いたパッケージ方法 | |
| JPH0555431A (ja) | リードフレーム及び半導体装置 | |
| JPH022293B2 (ja) | ||
| JP2001024131A (ja) | リードフレーム、リードフレームの製造方法および半導体装置 | |
| JP4225312B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0810207Y2 (ja) | 樹脂封止形半導体装置 | |
| JPH08250531A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| KR100244509B1 (ko) | 반도체 패키지의 제조방법 | |
| JP4535513B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2771475B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2006135100A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH012329A (ja) | 樹脂封止用金型 | |
| JPH0738035A (ja) | 樹脂封止電子回路装置の製造方法 | |
| JPH0669395A (ja) | 樹脂封止型半導体装置とリードフレーム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090630 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100630 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110630 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |