JP2818369B2 - 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム - Google Patents
樹脂封止型半導体装置用リードフレームInfo
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- JP2818369B2 JP2818369B2 JP5285426A JP28542693A JP2818369B2 JP 2818369 B2 JP2818369 B2 JP 2818369B2 JP 5285426 A JP5285426 A JP 5285426A JP 28542693 A JP28542693 A JP 28542693A JP 2818369 B2 JP2818369 B2 JP 2818369B2
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- Japan
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- lead frame
- resin
- semiconductor device
- depressed
- die pad
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置用
リードフレームに係り、特にデプレス型に好適する。
リードフレームに係り、特にデプレス型に好適する。
【０００２】
【従来の技術】集積度の高い半導体素子の実装形式に
は、いわゆるＴＡＢ方式の外にリードフレームを利用す
る品種も多い。この品種の半導体素子も当然集積度が高
く、しかも最近のようにコンパクト化が求められる半導
体製品に対応して厚さが薄いリードフレームと、封止樹
脂層の厚さも薄く形成する傾向にある。これに対して封
止樹脂層外に導出するアウターリードピッチの縮小と封
止樹脂層の薄型化が顕著である。
は、いわゆるＴＡＢ方式の外にリードフレームを利用す
る品種も多い。この品種の半導体素子も当然集積度が高
く、しかも最近のようにコンパクト化が求められる半導
体製品に対応して厚さが薄いリードフレームと、封止樹
脂層の厚さも薄く形成する傾向にある。これに対して封
止樹脂層外に導出するアウターリードピッチの縮小と封
止樹脂層の薄型化が顕著である。
【０００３】このような薄型化に際しての外囲器技術と
しては、いわゆるデプレス型のリードフレームが脚光を
浴びている。従来から知られているデプレス型のリード
フレームは、マウントした半導体素子に不可欠ないわゆ
るワイヤーボンディングにより半導体素子とリードフレ
ームのインナーリード間を架橋した金属細線の短絡事故
を防止するのが主目的であった。
しては、いわゆるデプレス型のリードフレームが脚光を
浴びている。従来から知られているデプレス型のリード
フレームは、マウントした半導体素子に不可欠ないわゆ
るワイヤーボンディングにより半導体素子とリードフレ
ームのインナーリード間を架橋した金属細線の短絡事故
を防止するのが主目的であった。
【０００４】しかし、最近の樹脂封止型半導体装置にあ
っては、外囲器を構成する封止樹脂層の厚さがいままで
の２．７ｍｍや３．６ｍｍから１．０ｍｍや１．４ｍｍ
の品種も実用化されており、極く最近では０．８ｍｍの
品種が知られている。
っては、外囲器を構成する封止樹脂層の厚さがいままで
の２．７ｍｍや３．６ｍｍから１．０ｍｍや１．４ｍｍ
の品種も実用化されており、極く最近では０．８ｍｍの
品種が知られている。
【０００５】したがってこのような外囲器に対応したデ
プレス型のリードフレームが多用される傾向にある。
プレス型のリードフレームが多用される傾向にある。
【０００６】図１によりデプレス型のリードフレームに
ついて説明すると、鉄ニッケル合金や銅系材料から成る
薄板をプレス金型を利用して形成するが、その厚さは１
５０μｍで公差±１０μｍ、実際の厚さのバラツキは±
２μｍ〜３μｍである。
ついて説明すると、鉄ニッケル合金や銅系材料から成る
薄板をプレス金型を利用して形成するが、その厚さは１
５０μｍで公差±１０μｍ、実際の厚さのバラツキは±
２μｍ〜３μｍである。
【０００７】プレス工程により導電性金属の薄板製のリ
ードフレームのタイバ−１と平行なダイパッド２更に両
者に連続するデプレス加工部３が形成されてデプレス型
の導電性金属の薄板の原形が造られる。プレス金型によ
る押圧工程によりタイバ−１の端からダイパッド２にか
けて凹み部分ａが生じる。またダイパッド２にマウント
する半導体素子のために厚さ５μｍ〜１０μｍの銀メッ
キ層４を、凹み部分ａからダイパッド２にかけて被覆し
てデプレス型のリードフレームを完成する。
ードフレームのタイバ−１と平行なダイパッド２更に両
者に連続するデプレス加工部３が形成されてデプレス型
の導電性金属の薄板の原形が造られる。プレス金型によ
る押圧工程によりタイバ−１の端からダイパッド２にか
けて凹み部分ａが生じる。またダイパッド２にマウント
する半導体素子のために厚さ５μｍ〜１０μｍの銀メッ
キ層４を、凹み部分ａからダイパッド２にかけて被覆し
てデプレス型のリードフレームを完成する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】デプレス加工部３への
スポットメッキ工程にあっては、メッキ工程後に外力を
加えると、ダイパット２の上下方向への位置精度が不安
定になる欠点があり、更にプレス金型による多連の導電
性金属の薄板へのプレス加工を単体単位の加工に切り替
えても、難易度が高い。
スポットメッキ工程にあっては、メッキ工程後に外力を
加えると、ダイパット２の上下方向への位置精度が不安
定になる欠点があり、更にプレス金型による多連の導電
性金属の薄板へのプレス加工を単体単位の加工に切り替
えても、難易度が高い。
【０００９】本発明はこのような事情により成されたも
ので、特にデプレス加工部の加工精度の向上を目指す。
ので、特にデプレス加工部の加工精度の向上を目指す。
【００１０】
【課題を解決するための手段】タイバ−部、凹み部のあ
るデプレス加工部及びダイパッド部から成るデプレス型
の導電性金属薄板と、前記ダイパッド部上を覆うメッキ
層とに本発明に係る樹脂封止型半導体装置用リードフレ
ームの特徴がある。
るデプレス加工部及びダイパッド部から成るデプレス型
の導電性金属薄板と、前記ダイパッド部上を覆うメッキ
層とに本発明に係る樹脂封止型半導体装置用リードフレ
ームの特徴がある。
【００１１】
【作用】本発明においては、リードフレームの材料とし
て導電性金属薄板を採用し、これにプレス金型による押
圧工程を行ってダイパッド即ち凹部を設け、加工しない
導電性金属薄板製リードフレームの一部であるタイバー
と凹部間に連続しかつ側面により構成するデプレス加工
部にはスポットメッキを施さず、露出状態にする。
て導電性金属薄板を採用し、これにプレス金型による押
圧工程を行ってダイパッド即ち凹部を設け、加工しない
導電性金属薄板製リードフレームの一部であるタイバー
と凹部間に連続しかつ側面により構成するデプレス加工
部にはスポットメッキを施さず、露出状態にする。
【００１２】これにより凹部までの深さを約０．２ｍｍ
の公差は±３０μｍが得られ、従来のスポットメッキ有
りの±５０μｍより大幅に改善された。
の公差は±３０μｍが得られ、従来のスポットメッキ有
りの±５０μｍより大幅に改善された。
【００１３】
【実施例】本発明に係る実施例を図２を参照して説明す
る．本発明の樹脂封止型半導体装置用リードフレームを
利用する樹脂封止型半導体装置の外囲器である封止樹脂
層の厚さは１．０ｍｍや１．４ｍｍ更に０．８ｍｍと極
めて薄く、リードフレームの材質も鉄ニッケル合金例え
ば４２アロイや銅または銅合金更にこれらの材料のクラ
ッド材を使用する。
る．本発明の樹脂封止型半導体装置用リードフレームを
利用する樹脂封止型半導体装置の外囲器である封止樹脂
層の厚さは１．０ｍｍや１．４ｍｍ更に０．８ｍｍと極
めて薄く、リードフレームの材質も鉄ニッケル合金例え
ば４２アロイや銅または銅合金更にこれらの材料のクラ
ッド材を使用する。
【００１４】このような材料から成る樹脂封止型半導体
装置用リードフレームは厚さが１５０μｍ、公差±１０
μｍ乃至±２μｍ〜３μｍである。
装置用リードフレームは厚さが１５０μｍ、公差±１０
μｍ乃至±２μｍ〜３μｍである。
【００１５】プレス金型を利用するプレス工程により導
電性金属薄板製のタイバー１と平行なダイパッド即ち凹
部２更に両者に連続するデプレス加工部３を形成してデ
プレス型樹脂封止型半導体装置用リードフレームの原形
を得る。プレス金型による押圧工程によりタイバー１の
端から凹み部分ａが生じる。
電性金属薄板製のタイバー１と平行なダイパッド即ち凹
部２更に両者に連続するデプレス加工部３を形成してデ
プレス型樹脂封止型半導体装置用リードフレームの原形
を得る。プレス金型による押圧工程によりタイバー１の
端から凹み部分ａが生じる。
【００１６】また凹部２にマウントする半導体素子のた
めに厚さ５μｍ〜１０μｍの銀メッキ層４を被覆し、だ
だしデプレス加工部３には設置せず、導電性金属薄板部
分を露出してデプレス型のリードフレームを完成する。
めに厚さ５μｍ〜１０μｍの銀メッキ層４を被覆し、だ
だしデプレス加工部３には設置せず、導電性金属薄板部
分を露出してデプレス型のリードフレームを完成する。
【００１７】凹部２までの深さは０．２ｍｍであり、デ
プレス加工部３と凹部２により形成する角度は６０°〜
７０°である。
プレス加工部３と凹部２により形成する角度は６０°〜
７０°である。
【００１８】また厚さ１２５μｍの導電性金属薄板製の
タイバ−１に深さ０．２ｍｍの凹部２の公差を±２０μ
ｍに形成でき、メッキ有りの場合の公差±４０μｍを大
幅に向上することが可能になり、ひいてはデプレス加工
部３の加工精度も向上する。
タイバ−１に深さ０．２ｍｍの凹部２の公差を±２０μ
ｍに形成でき、メッキ有りの場合の公差±４０μｍを大
幅に向上することが可能になり、ひいてはデプレス加工
部３の加工精度も向上する。
【００１９】
【発明の効果】以上のように本発明に係る樹脂封止型半
導体装置用リードフレームにあっては、デプレス加工部
３のメッキ層を除外することによりその加工精度と凹部
の深さを所定の値に維持することができ、その上下方向
の位置精度を確実にすることができる。
導体装置用リードフレームにあっては、デプレス加工部
３のメッキ層を除外することによりその加工精度と凹部
の深さを所定の値に維持することができ、その上下方向
の位置精度を確実にすることができる。
【図１】従来のデプレス型リードフレームの断面図であ
る。
る。
【図２】本発明のデプレス型リードフレームの断面図で
ある。
ある。
１：タイバ−、 ２：凹部（ダイパッド）、 ３：デプレス加工部、 ４：メッキ層。
Claims (1)
- 【請求項１】 タイバ−部、凹み部のあるデプレス加工
部及びダイパッド部から成るデプレス型の導電性金属薄
板と、前記ダイパッド部上を覆うメッキ層とを具備する
ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置用リードフレー
ム
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5285426A JP2818369B2 (ja) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5285426A JP2818369B2 (ja) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07142662A JPH07142662A (ja) | 1995-06-02 |
| JP2818369B2 true JP2818369B2 (ja) | 1998-10-30 |
Family
ID=17691375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5285426A Expired - Fee Related JP2818369B2 (ja) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2818369B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6831352B1 (en) * | 1998-10-22 | 2004-12-14 | Azimuth Industrial Company, Inc. | Semiconductor package for high frequency performance |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03149865A (ja) * | 1989-11-07 | 1991-06-26 | Matsushita Electron Corp | リードフレーム |
-
1993
- 1993-11-16 JP JP5285426A patent/JP2818369B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07142662A (ja) | 1995-06-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |