JPH07142662A - 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム - Google Patents
樹脂封止型半導体装置用リードフレームInfo
- Publication number
- JPH07142662A JPH07142662A JP5285426A JP28542693A JPH07142662A JP H07142662 A JPH07142662 A JP H07142662A JP 5285426 A JP5285426 A JP 5285426A JP 28542693 A JP28542693 A JP 28542693A JP H07142662 A JPH07142662 A JP H07142662A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- depressed
- die
- conductive metal
- metal thin
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】樹脂封止型半導体装置用デプレス型リードフレ
ームにおけるデプレス加工部の加工精度を向上する点。 【構成】 リードフレーム用材料である導電性金属薄板
にプレス金型による押圧工程を行って凹部を設け、これ
と加工しない導電性金属薄板部分であるタイバー間を連
続する側面即ちデプレス加工部にはスポットメッキを行
わず、導電性金属薄板部分が露出する状態とする。これ
により凹部までの深さ０．２μｍの公差を±２０μｍに
形成でき、メッキ有りの場合の公差±４０μｍが大幅に
改善され、ひいてはデプレス加工部３の加工精度も向上
する。
ームにおけるデプレス加工部の加工精度を向上する点。 【構成】 リードフレーム用材料である導電性金属薄板
にプレス金型による押圧工程を行って凹部を設け、これ
と加工しない導電性金属薄板部分であるタイバー間を連
続する側面即ちデプレス加工部にはスポットメッキを行
わず、導電性金属薄板部分が露出する状態とする。これ
により凹部までの深さ０．２μｍの公差を±２０μｍに
形成でき、メッキ有りの場合の公差±４０μｍが大幅に
改善され、ひいてはデプレス加工部３の加工精度も向上
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置用
リードフレームに係り、特にデプレス型に好適する。
リードフレームに係り、特にデプレス型に好適する。
【０００２】
【従来の技術】集積度の高い半導体素子の実装形式に
は、いわゆるＴＡＢ方式の外にリードフレームを利用す
る品種も多い。この品種の半導体素子も当然集積度が高
く、しかも最近のようにコンパクト化が求められる半導
体製品に対応して厚さが薄いリードフレームと、封止樹
脂層の厚さも薄く形成する傾向にある。これに対して封
止樹脂層外に導出するアウターリードピッチの縮小と封
止樹脂層の薄型化が顕著である。
は、いわゆるＴＡＢ方式の外にリードフレームを利用す
る品種も多い。この品種の半導体素子も当然集積度が高
く、しかも最近のようにコンパクト化が求められる半導
体製品に対応して厚さが薄いリードフレームと、封止樹
脂層の厚さも薄く形成する傾向にある。これに対して封
止樹脂層外に導出するアウターリードピッチの縮小と封
止樹脂層の薄型化が顕著である。
【０００３】このような薄型化に際しての外囲器技術と
しては、いわゆるデプレス型のリードフレームが脚光を
浴びている。従来から知られているデプレス型のリード
フレームは、マウントした半導体素子に不可欠ないわゆ
るワイヤーボンディングにより半導体素子とリードフレ
ームのインナーリード間を架橋した金属細線の短絡事故
を防止するのが主目的であった。
しては、いわゆるデプレス型のリードフレームが脚光を
浴びている。従来から知られているデプレス型のリード
フレームは、マウントした半導体素子に不可欠ないわゆ
るワイヤーボンディングにより半導体素子とリードフレ
ームのインナーリード間を架橋した金属細線の短絡事故
を防止するのが主目的であった。
【０００４】しかし、最近の樹脂封止型半導体装置にあ
っては、外囲器を構成する封止樹脂層の厚さがいままで
の２．５ｍｍや３．６ｍｍから１．０ｍｍや１．４ｍｍ
の品種も実用化されており、極く最近では０．８ｍｍの
品種が知られている。
っては、外囲器を構成する封止樹脂層の厚さがいままで
の２．５ｍｍや３．６ｍｍから１．０ｍｍや１．４ｍｍ
の品種も実用化されており、極く最近では０．８ｍｍの
品種が知られている。
【０００５】したがってこのような外囲器に対応したデ
プレス型のリードフレームが多用される傾向にある。
プレス型のリードフレームが多用される傾向にある。
【０００６】図１によりデプレス型のリードフレームに
ついて説明すると、鉄ニッケル合金や銅系材料から成る
薄板をプレス金型を利用して形成するが、その厚さは１
５０μｍで公差±１０μｍ、実際の厚さのバラツキは±
２μｍ〜３μｍである。
ついて説明すると、鉄ニッケル合金や銅系材料から成る
薄板をプレス金型を利用して形成するが、その厚さは１
５０μｍで公差±１０μｍ、実際の厚さのバラツキは±
２μｍ〜３μｍである。
【０００７】プレス工程により導電性金属の薄板製のリ
ードフレームのタイバー１と平行なダイパッド２更に両
者に連続するデプレス加工部３が形成されてデプレス型
の導電性金属の薄板の原形が造られる。プレス金型によ
る押圧工程によりタイバー１の端からダイパッド２の橋
にかけて凹み部分ａが生じる。またダイパッド２にマウ
ントする半導体素子のために厚さ５μｍ〜１０μｍの銀
メッキ層４を、凹み部分ａからダイパッド２にかけて被
覆してデプレス型のリードフレームを完成する。
ードフレームのタイバー１と平行なダイパッド２更に両
者に連続するデプレス加工部３が形成されてデプレス型
の導電性金属の薄板の原形が造られる。プレス金型によ
る押圧工程によりタイバー１の端からダイパッド２の橋
にかけて凹み部分ａが生じる。またダイパッド２にマウ
ントする半導体素子のために厚さ５μｍ〜１０μｍの銀
メッキ層４を、凹み部分ａからダイパッド２にかけて被
覆してデプレス型のリードフレームを完成する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】デプレス加工部３への
スポットメッキ工程にあっては、メッキ工程時における
外力によりダイパッド２の上下方向への位置精度が不安
定になる欠点があり、更にプレス金型による多連の導電
性金属の薄板へのプレス加工を単体単位の加工に切替え
ても、難易度が高い。
スポットメッキ工程にあっては、メッキ工程時における
外力によりダイパッド２の上下方向への位置精度が不安
定になる欠点があり、更にプレス金型による多連の導電
性金属の薄板へのプレス加工を単体単位の加工に切替え
ても、難易度が高い。
【０００９】本発明はこのような事情により成されたも
ので、特にデプレス加工部の加工精度の向上を目指す。
ので、特にデプレス加工部の加工精度の向上を目指す。
【００１０】
【課題を解決するための手段】導電性金属薄板に形成す
る凹部と，この凹部底部と導電性金属薄板間を加工する
加工部と，前記凹部底部を被覆するメッキ層とに本発明
に係る樹脂封止型半導体装置用リードフレームの特徴が
ある。
る凹部と，この凹部底部と導電性金属薄板間を加工する
加工部と，前記凹部底部を被覆するメッキ層とに本発明
に係る樹脂封止型半導体装置用リードフレームの特徴が
ある。
【００１１】
【作用】本発明においては、リードフレームの材料とし
て導電性金属薄板を採用し、これにプレス金型による押
圧工程を行ってダイパッド即ち凹部を設け、加工しない
導電性金属薄板製リードフレームの一部であるタイバー
と凹部間に連続しかつ側面により構成するデプレス加工
部にはスポットメッキを施さず、露出状態にする。
て導電性金属薄板を採用し、これにプレス金型による押
圧工程を行ってダイパッド即ち凹部を設け、加工しない
導電性金属薄板製リードフレームの一部であるタイバー
と凹部間に連続しかつ側面により構成するデプレス加工
部にはスポットメッキを施さず、露出状態にする。
【００１２】これにより凹部までの深さを約０．２ｍｍ
の公差は±３０μｍが得られ、従来のスポットメッキ有
りの±５０μｍより大幅に改善された。
の公差は±３０μｍが得られ、従来のスポットメッキ有
りの±５０μｍより大幅に改善された。
【００１３】
【実施例】本発明に係る実施例を図２を参照して説明す
る．本発明の樹脂封止型半導体装置用リードフレームを
利用する樹脂封止型半導体装置の外囲器である封止樹脂
層の厚さは１．０ｍｍや１．４ｍｍ更に０．８ｍｍと極
めて薄く、リードフレームの材質も鉄ニッケル合金例え
ば４２アロイや銅または銅合金更にこれらの材料のクラ
ッド材を使用する。
る．本発明の樹脂封止型半導体装置用リードフレームを
利用する樹脂封止型半導体装置の外囲器である封止樹脂
層の厚さは１．０ｍｍや１．４ｍｍ更に０．８ｍｍと極
めて薄く、リードフレームの材質も鉄ニッケル合金例え
ば４２アロイや銅または銅合金更にこれらの材料のクラ
ッド材を使用する。
【００１４】このような材料から成る樹脂封止型半導体
装置用リードフレームは厚さが１５０μｍ、公差±１０
μｍ乃至±２μｍ〜３μｍである。
装置用リードフレームは厚さが１５０μｍ、公差±１０
μｍ乃至±２μｍ〜３μｍである。
【００１５】プレス金型を利用するプレス工程により導
電性金属薄板製のタイバー１と平行なダイパッド即ち凹
部２更に両者に連続するデプレス加工部３を形成してデ
プレス型樹脂封止型半導体装置用リードフレームの原形
を得る。プレス金型による押圧工程によりタイバー１の
端から凹み部分ａが生じる。
電性金属薄板製のタイバー１と平行なダイパッド即ち凹
部２更に両者に連続するデプレス加工部３を形成してデ
プレス型樹脂封止型半導体装置用リードフレームの原形
を得る。プレス金型による押圧工程によりタイバー１の
端から凹み部分ａが生じる。
【００１６】また凹部２にマウントする半導体素子のた
めに厚さ５μｍ〜１０μｍの銀メッキ層４を被覆し、だ
だしデプレス加工部３には設置せず、導電性金属薄板部
分を露出してデプレス型のリードフレームを完成する。
めに厚さ５μｍ〜１０μｍの銀メッキ層４を被覆し、だ
だしデプレス加工部３には設置せず、導電性金属薄板部
分を露出してデプレス型のリードフレームを完成する。
【００１７】凹部２までの深さは０．２μｍであり、デ
プレス加工部３と凹部２により形成する角度は６０°〜
７０°である。
プレス加工部３と凹部２により形成する角度は６０°〜
７０°である。
【００１８】また厚さ１２５μｍの導電性金属薄板製の
タイバー１に深さ０．２μｍの凹部２の公差を±２０μ
ｍに形成でき、メッキ有りの場合の公差±４０μｍを大
幅に向上することが可能になり、ひいてはデプレス加工
部３の加工精度も向上する。
タイバー１に深さ０．２μｍの凹部２の公差を±２０μ
ｍに形成でき、メッキ有りの場合の公差±４０μｍを大
幅に向上することが可能になり、ひいてはデプレス加工
部３の加工精度も向上する。
【００１９】
【発明の効果】以上のように本発明に係る樹脂封止型半
導体装置用リードフレームにあっては、デプレス加工部
３のメッキ層を除外することによりその加工精度と凹部
の深さを所定の値に維持することができ、その上下方向
の位置精度を確実にすることができる。
導体装置用リードフレームにあっては、デプレス加工部
３のメッキ層を除外することによりその加工精度と凹部
の深さを所定の値に維持することができ、その上下方向
の位置精度を確実にすることができる。
【図１】従来のデプレス型リードフレームの断面図であ
る。
る。
【図２】本発明のデプレス型リードフレームの断面図で
ある。
ある。
１：タイバ−、 ２：凹部（ダイパッド）、 ３：デプレス加工部、 ４：メッキ層。
Claims (1)
- 【請求項１】 導電性金属薄板に形成する凹部と，この
凹部底部と導電性金属薄板間を加工する加工部と，前記
凹部底部を被覆するメッキ層とを具備することを特徴と
する樹脂封止型半導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5285426A JP2818369B2 (ja) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5285426A JP2818369B2 (ja) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07142662A true JPH07142662A (ja) | 1995-06-02 |
| JP2818369B2 JP2818369B2 (ja) | 1998-10-30 |
Family
ID=17691375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5285426A Expired - Fee Related JP2818369B2 (ja) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2818369B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6831352B1 (en) * | 1998-10-22 | 2004-12-14 | Azimuth Industrial Company, Inc. | Semiconductor package for high frequency performance |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03149865A (ja) * | 1989-11-07 | 1991-06-26 | Matsushita Electron Corp | リードフレーム |
-
1993
- 1993-11-16 JP JP5285426A patent/JP2818369B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03149865A (ja) * | 1989-11-07 | 1991-06-26 | Matsushita Electron Corp | リードフレーム |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6831352B1 (en) * | 1998-10-22 | 2004-12-14 | Azimuth Industrial Company, Inc. | Semiconductor package for high frequency performance |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2818369B2 (ja) | 1998-10-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |