JPH10286845A - 樹脂封止用金型及び樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止用金型及び樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPH10286845A JPH10286845A JP9775197A JP9775197A JPH10286845A JP H10286845 A JPH10286845 A JP H10286845A JP 9775197 A JP9775197 A JP 9775197A JP 9775197 A JP9775197 A JP 9775197A JP H10286845 A JPH10286845 A JP H10286845A
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- mold
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体素子の樹脂封止方法に関し、成形後の樹
脂と金型との離型性を向上させる。 【解決手段】下金型２１にＩＣチツプ１が搭載されたリ
ードフレーム１０を置き、キヤビテイを設けた上金型２
０をかぶせる。次に熱硬化型エポキシ樹脂を矢印の方向
に流入し硬化させる。ここでキャビティーなどを含む上
金型、下金型には、イオンプレーテイング法により膜厚
２ミクロンから１０ミクロン程度の範囲で、ボロン、リ
ン、タングステンの化合物の皮膜を施しておく。被膜
は、ニッケル、リン、タングステンの化合物でもよい。 【効果】成形後の半導体封止樹脂との離型性が良いた
め、離型性を回復させるためのダミーシヨツトを頻繁に
行う必要がない。また、ＩＣチツプのヒビ割れを防止で
きるので半導体装置の信頼性を高めることができる。
脂と金型との離型性を向上させる。 【解決手段】下金型２１にＩＣチツプ１が搭載されたリ
ードフレーム１０を置き、キヤビテイを設けた上金型２
０をかぶせる。次に熱硬化型エポキシ樹脂を矢印の方向
に流入し硬化させる。ここでキャビティーなどを含む上
金型、下金型には、イオンプレーテイング法により膜厚
２ミクロンから１０ミクロン程度の範囲で、ボロン、リ
ン、タングステンの化合物の皮膜を施しておく。被膜
は、ニッケル、リン、タングステンの化合物でもよい。 【効果】成形後の半導体封止樹脂との離型性が良いた
め、離型性を回復させるためのダミーシヨツトを頻繁に
行う必要がない。また、ＩＣチツプのヒビ割れを防止で
きるので半導体装置の信頼性を高めることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は樹脂にて封止される
樹脂封止型半導体装置の製造方法とその製造時に用いる
樹脂封止用金型に関するものである。
樹脂封止型半導体装置の製造方法とその製造時に用いる
樹脂封止用金型に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】リードフレームにＩＣチツプを実装しト
ランスフアーモールド法により樹脂にて封止した樹脂封
止型半導体装置として、ＤＩＰ（デュアルインラインパ
ッケージ）、ＳＯＰ（スモールアウトラインパッケー
ジ）、ＱＦＰ（クワッドフラットパッケージ）などがよ
く知られている。これらをはじめとする樹脂封止型の半
導体装置が今日では、産業用機器など大型のものから携
帯用パソコン、携帯用電話などの小型のものまで多くの
用途に使われている。近年の半導体装置の高機能化、多
ピン化、薄型化の傾向に合致しており市場が拡大してき
ている。
ランスフアーモールド法により樹脂にて封止した樹脂封
止型半導体装置として、ＤＩＰ（デュアルインラインパ
ッケージ）、ＳＯＰ（スモールアウトラインパッケー
ジ）、ＱＦＰ（クワッドフラットパッケージ）などがよ
く知られている。これらをはじめとする樹脂封止型の半
導体装置が今日では、産業用機器など大型のものから携
帯用パソコン、携帯用電話などの小型のものまで多くの
用途に使われている。近年の半導体装置の高機能化、多
ピン化、薄型化の傾向に合致しており市場が拡大してき
ている。
【０００３】従来から行われている樹脂型半導体装置の
製造方法を図１を用いて説明する。
製造方法を図１を用いて説明する。
【０００４】図１において１はＩＣチツプである。２は
接着剤であり、ＩＣチップ１をダイパッドに固定するた
めのものである。３は金属細線（ワイヤ）であり、ＩＣ
チップの各電極（パッド）とインナリードとを電気的に
接続するものである。１０はリードフレームであり、外
部との電気的接続を行う複数のリード及び、ＩＣチップ
を載置するダイパッドが一体形成されているものであ
る。２０は上金型、２１は下金型であり、図１に示すよ
うに樹脂成形用の型（空間）が設けられており、その空
間内部にＩＣチップや金属細線等が配置される。金型の
母体は合金工具綱ＳＫＤ１１、ＳＫＤ１２、ＳＵＳ４０
０からできている。図示されているように金型の半導体
封止材と接する面にはメッキによる硬質クロム等の被覆
２２が施されている。被覆の目的は防錆と耐摩耗性およ
び離型性の向上である。ただし、母体の材質によっては
被覆を施さないこともある。封止樹脂には熱硬化性樹脂
がよく用いられる。矢印は樹脂の流入方向を示してい
る。
接着剤であり、ＩＣチップ１をダイパッドに固定するた
めのものである。３は金属細線（ワイヤ）であり、ＩＣ
チップの各電極（パッド）とインナリードとを電気的に
接続するものである。１０はリードフレームであり、外
部との電気的接続を行う複数のリード及び、ＩＣチップ
を載置するダイパッドが一体形成されているものであ
る。２０は上金型、２１は下金型であり、図１に示すよ
うに樹脂成形用の型（空間）が設けられており、その空
間内部にＩＣチップや金属細線等が配置される。金型の
母体は合金工具綱ＳＫＤ１１、ＳＫＤ１２、ＳＵＳ４０
０からできている。図示されているように金型の半導体
封止材と接する面にはメッキによる硬質クロム等の被覆
２２が施されている。被覆の目的は防錆と耐摩耗性およ
び離型性の向上である。ただし、母体の材質によっては
被覆を施さないこともある。封止樹脂には熱硬化性樹脂
がよく用いられる。矢印は樹脂の流入方向を示してい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ここで図１において、
リードフレーム上に設けられた半導体素子を樹脂封止す
る場合には、リードフレームとの密着性を高めるため接
着力の強い樹脂を使うこと一般的である。しかしながら
このことが成形後の樹脂と金型との離型性を悪くするこ
とにつながっていた。また、硬質クロムメッキ等の被覆
されていない金型を製造に用いた場合には封止樹脂との
離型性が非常に悪く、一方、硬質クロムメツキの被覆を
した金型を製造に用いた場合であっても、成形作業を繰
り返し行うにしたがって、封止樹脂成分が金型に付着し
離型性が悪くなってくる。離型性が悪化すると、特に、
薄型または大型パッケージを成形する場合など、パッケ
ージに反りの生じる場合がある。このため、離型性を回
復させるための樹脂を使ったダミーシヨツトあるいは、
金型のクリーニングを頻繁に行う必要があった。一般的
にダミーシヨツトは半導体装置を製造する工程内にて行
う作業ではなく、半導体装置の製造とは別作業にて特別
行わなければならず、作業が繁雑になり、生産効率を低
下させるという問題があった。また、離型性が悪くなっ
た状態で無理に樹脂を金型から引き剥がすと金型内に納
められたＩＣチツプにヒビがはいるという問題があっ
た。
リードフレーム上に設けられた半導体素子を樹脂封止す
る場合には、リードフレームとの密着性を高めるため接
着力の強い樹脂を使うこと一般的である。しかしながら
このことが成形後の樹脂と金型との離型性を悪くするこ
とにつながっていた。また、硬質クロムメッキ等の被覆
されていない金型を製造に用いた場合には封止樹脂との
離型性が非常に悪く、一方、硬質クロムメツキの被覆を
した金型を製造に用いた場合であっても、成形作業を繰
り返し行うにしたがって、封止樹脂成分が金型に付着し
離型性が悪くなってくる。離型性が悪化すると、特に、
薄型または大型パッケージを成形する場合など、パッケ
ージに反りの生じる場合がある。このため、離型性を回
復させるための樹脂を使ったダミーシヨツトあるいは、
金型のクリーニングを頻繁に行う必要があった。一般的
にダミーシヨツトは半導体装置を製造する工程内にて行
う作業ではなく、半導体装置の製造とは別作業にて特別
行わなければならず、作業が繁雑になり、生産効率を低
下させるという問題があった。また、離型性が悪くなっ
た状態で無理に樹脂を金型から引き剥がすと金型内に納
められたＩＣチツプにヒビがはいるという問題があっ
た。
【０００６】離型性向上を目的とした硬質クロムメツキ
以外の金型被覆材料の提案としては、特開昭５６−０９
０５３１号に示すように弗素樹脂を用いた例があるが、
弗素樹脂は金型から剥がれ易く、しかも硬度が低く耐摩
耗性が劣るので実用的でない。また、別の提案として特
開平０１−１８６３０９号のニツケルーリンめっきがあ
るが、硬度が不十分で摩耗し易くやはり実用的でない。
本発明は上記の課題を解決するためのものであり、封止
用の樹脂との離型性を向上させる金型の提供及びその金
型を用いて生産効率が高められるとともに信頼性の高い
半導体装置を製造する方法を提供することを目的とす
る。
以外の金型被覆材料の提案としては、特開昭５６−０９
０５３１号に示すように弗素樹脂を用いた例があるが、
弗素樹脂は金型から剥がれ易く、しかも硬度が低く耐摩
耗性が劣るので実用的でない。また、別の提案として特
開平０１−１８６３０９号のニツケルーリンめっきがあ
るが、硬度が不十分で摩耗し易くやはり実用的でない。
本発明は上記の課題を解決するためのものであり、封止
用の樹脂との離型性を向上させる金型の提供及びその金
型を用いて生産効率が高められるとともに信頼性の高い
半導体装置を製造する方法を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止用金型
は、熱硬化型エポキシ樹脂を接するべく面をニッケル、
リン、タングステンの化合物にて被覆されてなることを
特徴とする。ニッケル、リン、タングステン化合物の被
覆された金型は半導体封止樹脂との離型性が良い。した
がって簡単に金型と樹脂とが離型することにより効率良
く半導体装置を製造できる。
は、熱硬化型エポキシ樹脂を接するべく面をニッケル、
リン、タングステンの化合物にて被覆されてなることを
特徴とする。ニッケル、リン、タングステン化合物の被
覆された金型は半導体封止樹脂との離型性が良い。した
がって簡単に金型と樹脂とが離型することにより効率良
く半導体装置を製造できる。
【０００８】また、キャビティ内面、ゲート、ランナー
部は樹脂の最も接する箇所であり、その箇所に前記化合
物を設ければ比較的有効な離型性を維持できる。
部は樹脂の最も接する箇所であり、その箇所に前記化合
物を設ければ比較的有効な離型性を維持できる。
【０００９】本発明の他の樹脂封止用金型としては、熱
硬化型エポキシ樹脂と接するべく面をボロン、リン、タ
ングステンの化合物にて被覆されてなることを特徴とす
る。ボロン、リン、タングステン化合物の被覆された金
型は樹脂成形後の半導体封止樹脂との離型性が良い。し
たがって簡単に金型と樹脂とが離型することにより効率
良く半導体装置を製造できる。
硬化型エポキシ樹脂と接するべく面をボロン、リン、タ
ングステンの化合物にて被覆されてなることを特徴とす
る。ボロン、リン、タングステン化合物の被覆された金
型は樹脂成形後の半導体封止樹脂との離型性が良い。し
たがって簡単に金型と樹脂とが離型することにより効率
良く半導体装置を製造できる。
【００１０】また、前記化合物は、２〜１０マイクロメ
ーター程度被覆されていることが好ましい。また、前記
化合物は、少なくともキャビティ内面、ゲート、ランナ
ー部に設けられていることが好ましい。
ーター程度被覆されていることが好ましい。また、前記
化合物は、少なくともキャビティ内面、ゲート、ランナ
ー部に設けられていることが好ましい。
【００１１】一方、ＩＣチップを熱硬化型エポキシ樹脂
にて封止する樹脂封止型半導体装置の製造方法であっ
て、前記樹脂の封止に合金工具綱（ＪＩＳ ＳＫＤ１２
等）からなる金型を用いて、前記樹脂と接する面をニッ
ケル、リン、タングステンの化合物で被覆した金型を用
いて樹脂封止する工程を含んでなることを特徴とする。
もしくは、ニッケル、リン、タングステンの化合物のか
わりに前記樹脂と接する面をボロン、リン、タングステ
ンの化合物で被覆した金型を用いて樹脂封止する工程を
含んでなることを特徴とする。離型性が向上するため、
別段離型性を回復させるためのダミーショットを行う必
要がないので効率よく半導体装置を製造できる。また、
ＩＣチップのヒビ割れを防止できるので半導体装置の信
頼性を高めることができる。
にて封止する樹脂封止型半導体装置の製造方法であっ
て、前記樹脂の封止に合金工具綱（ＪＩＳ ＳＫＤ１２
等）からなる金型を用いて、前記樹脂と接する面をニッ
ケル、リン、タングステンの化合物で被覆した金型を用
いて樹脂封止する工程を含んでなることを特徴とする。
もしくは、ニッケル、リン、タングステンの化合物のか
わりに前記樹脂と接する面をボロン、リン、タングステ
ンの化合物で被覆した金型を用いて樹脂封止する工程を
含んでなることを特徴とする。離型性が向上するため、
別段離型性を回復させるためのダミーショットを行う必
要がないので効率よく半導体装置を製造できる。また、
ＩＣチップのヒビ割れを防止できるので半導体装置の信
頼性を高めることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面を参照
しながら説明する。図２（ａ）に示すようにリードフレ
ーム１０にＩＣチップ１を搭載し固定する。図２におい
て、２は接着剤であり、ＩＣチップ１をリードフレーム
のダイパッドに固定するためのものである。リードフレ
ームとしては、熱伝導率のすぐれた銅材を用いている。
ＩＣチップ１を載置固定するダイパッドは段差がつけら
れており、他の部分例えばリード部分から見て高さ方向
に低くなるように設けられている。リードフレームのか
わりとして、セラミックの配線基板でも良い。接着剤は
エポキシ樹脂を主成分とした銀ペーストを用いている。
ＩＣチップを搭載するダイパッドにディスペンサーで銀
ペーストを塗布し、銀ペーストの上にＩＣチップを載せ
たのち、約１７５℃で１時間乾燥させて硬化させること
により、ＩＣチップはダイパッドに固定される。
しながら説明する。図２（ａ）に示すようにリードフレ
ーム１０にＩＣチップ１を搭載し固定する。図２におい
て、２は接着剤であり、ＩＣチップ１をリードフレーム
のダイパッドに固定するためのものである。リードフレ
ームとしては、熱伝導率のすぐれた銅材を用いている。
ＩＣチップ１を載置固定するダイパッドは段差がつけら
れており、他の部分例えばリード部分から見て高さ方向
に低くなるように設けられている。リードフレームのか
わりとして、セラミックの配線基板でも良い。接着剤は
エポキシ樹脂を主成分とした銀ペーストを用いている。
ＩＣチップを搭載するダイパッドにディスペンサーで銀
ペーストを塗布し、銀ペーストの上にＩＣチップを載せ
たのち、約１７５℃で１時間乾燥させて硬化させること
により、ＩＣチップはダイパッドに固定される。
【００１３】つぎに、ＩＣチップ１表面上の電極（図示
せず）とインナーリード１１とを金属細線３で接続す
る。金属細線としては金線を用いた。
せず）とインナーリード１１とを金属細線３で接続す
る。金属細線としては金線を用いた。
【００１４】つぎに、ＩＣチップや金属細線等を樹脂封
止する。図１と同様、下金型にＩＣチップが搭載された
金属細線が施されたリードフレームを置き、キャビティ
を設けた上金型をかぶせたのち、熱硬化型エポキシ樹脂
を矢印の方向に流入させ硬化させる。キャビティなどを
含む上金型、下金型とも膜厚３マイクロメーターのボロ
ン、リン、タングステンの化合物の被膜が施されたもの
を用いている。特に被膜の施された位置は、キャビティ
内面、ゲートそして、ランナー部などの封止樹脂と接す
る面に行っている。ボロン、リン、タングステンの化合
物はイオンプレーティング法により３マイクロメーター
の厚みのものを用いたが、２〜１０マイクロメーター程
度の範囲であれば良い。
止する。図１と同様、下金型にＩＣチップが搭載された
金属細線が施されたリードフレームを置き、キャビティ
を設けた上金型をかぶせたのち、熱硬化型エポキシ樹脂
を矢印の方向に流入させ硬化させる。キャビティなどを
含む上金型、下金型とも膜厚３マイクロメーターのボロ
ン、リン、タングステンの化合物の被膜が施されたもの
を用いている。特に被膜の施された位置は、キャビティ
内面、ゲートそして、ランナー部などの封止樹脂と接す
る面に行っている。ボロン、リン、タングステンの化合
物はイオンプレーティング法により３マイクロメーター
の厚みのものを用いたが、２〜１０マイクロメーター程
度の範囲であれば良い。
【００１５】ボロン、リン、タングステンの化合物を被
膜した金型に比べ、モールド成形品の金型離型性が向上
していることが確認できた。半導体装置の封止樹脂表面
を微小な凹凸がある状態、いわゆる梨地状態にするため
に、金型内面には微小な凹凸が付けられているが、硬質
クロムメッキを被覆した時にはクロムが凸部に付着し、
メッキ被膜前に比べて面がより粗くなってしまうのに対
して、ボロン、リン、タングステンの化合物をイオンプ
レーティング法により被覆したときには凹凸面に均一に
付着する。このことがボロン、リン、タングステンの化
合物被膜金型が硬質クロム被膜金型より離形性が良い一
つの原因と考えられる。
膜した金型に比べ、モールド成形品の金型離型性が向上
していることが確認できた。半導体装置の封止樹脂表面
を微小な凹凸がある状態、いわゆる梨地状態にするため
に、金型内面には微小な凹凸が付けられているが、硬質
クロムメッキを被覆した時にはクロムが凸部に付着し、
メッキ被膜前に比べて面がより粗くなってしまうのに対
して、ボロン、リン、タングステンの化合物をイオンプ
レーティング法により被覆したときには凹凸面に均一に
付着する。このことがボロン、リン、タングステンの化
合物被膜金型が硬質クロム被膜金型より離形性が良い一
つの原因と考えられる。
【００１６】また、被膜物としては、ボロン、リン、タ
ングステン化合物以外にもニッケル、リン、タングステ
ン化合物を用いても同様に有効である。
ングステン化合物以外にもニッケル、リン、タングステ
ン化合物を用いても同様に有効である。
【００１７】半導体素子とリードフレームとの接続方法
としてワイヤーボンディングによるものを示したが、フ
リップチップ実装やＴＡＢ実装のものでも良い。半導体
装置の例として銅アロイのリードフレームにＩＣチップ
を搭載した形態のものを示したが、４２アロイのリード
フレームに搭載し、ＩＣチップの両面を樹脂封止したＱ
ＦＰ、ＳＯＰでも同様の効果がある。特に、厚みの薄い
ＴＱＦＰ、ＴＳＯＰではＩＣチップのヒビ割れが起こり
易いので効果が顕著である。
としてワイヤーボンディングによるものを示したが、フ
リップチップ実装やＴＡＢ実装のものでも良い。半導体
装置の例として銅アロイのリードフレームにＩＣチップ
を搭載した形態のものを示したが、４２アロイのリード
フレームに搭載し、ＩＣチップの両面を樹脂封止したＱ
ＦＰ、ＳＯＰでも同様の効果がある。特に、厚みの薄い
ＴＱＦＰ、ＴＳＯＰではＩＣチップのヒビ割れが起こり
易いので効果が顕著である。
【００１８】
【発明の効果】ニッケル、リン、タングステン化合物及
び、ボロン、リン、タングステン化合物被覆金型は成形
後の半導体封止樹脂との離型性が良い。したがって離型
性を回復させるためのダミーシヨツトを頻繁に行う必要
がないので効率好く半導体装置を製造できる。また、Ｉ
Ｃチツプのヒビ割れを防止できるので半導体装置の信頼
性を高めることができる。
び、ボロン、リン、タングステン化合物被覆金型は成形
後の半導体封止樹脂との離型性が良い。したがって離型
性を回復させるためのダミーシヨツトを頻繁に行う必要
がないので効率好く半導体装置を製造できる。また、Ｉ
Ｃチツプのヒビ割れを防止できるので半導体装置の信頼
性を高めることができる。
【図１】樹脂封止方法を示す断面図。
【図２】半導体装置の製造工程のうち、樹脂封止前の工
程を示す断面図。 （ａ）ＩＣチツプ搭載後。 （ｂ）ワイヤボンデイング後。
程を示す断面図。 （ａ）ＩＣチツプ搭載後。 （ｂ）ワイヤボンデイング後。
１ ＩＣチツプ ２ 接着剤 ３ 金属細線 １０ リードフレーム １１ インナーリード ２０ 上金型 ２１ 下金型 ２２ 被覆 ２３ キヤビテイ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｂ２９Ｌ 31:34
Claims (8)
- 【請求項１】熱硬化型エポキシ樹脂と接するべく面をニ
ッケル、リン、タングステンの化合物にて被覆されてな
ることを特徴とする樹脂封止用金型。 - 【請求項２】前記化合物は、２〜１０マイクロメーター
程度被覆されてなることを特徴とする請求項１記載の樹
脂封止用金型。 - 【請求項３】前記化合物は、少なくともキャビティ内
面、ゲート、ランナー部に設けられてなることを特徴と
する請求項１または請求項２に記載の樹脂封止用金型。 - 【請求項４】熱硬化型エポキシ樹脂と接するべく面をボ
ロン、リン、タングステンの化合物にて被覆されてなる
ことを特徴とする樹脂封止用金型。 - 【請求項５】前記化合物は、２〜１０マイクロメーター
程度被覆されてなることを特徴とする請求項４記載の樹
脂封止用金型。 - 【請求項６】前記化合物は、少なくともキャビティ内
面、ゲート、ランナー部に設けられてなることを特徴と
する請求項４または請求項５に記載の樹脂封止用金型。 - 【請求項７】ＩＣチップを熱硬化型エポキシ樹脂にて封
止する樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、前記
樹脂の封止に合金工具綱（ＪＩＳ ＳＫＤ１２）などか
らなる金型を用いて、前記樹脂と接する面をニッケル、
リン、タングステンの化合物で被覆した金型を用いて樹
脂封止する工程を含んでなることを特徴とする樹脂封止
型半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】ＩＣチップを熱硬化型エポキシ樹脂にて封
止する樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、前記
樹脂の封止に合金工具綱（ＪＩＳ ＳＫＤ１２）などか
らなる金型を用いて、前記樹脂と接する面をボロン、リ
ン、タングステンの化合物で被覆した金型を用いて樹脂
封止する工程を含んでなることを特徴とする樹脂封止型
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9775197A JPH10286845A (ja) | 1997-04-15 | 1997-04-15 | 樹脂封止用金型及び樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9775197A JPH10286845A (ja) | 1997-04-15 | 1997-04-15 | 樹脂封止用金型及び樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10286845A true JPH10286845A (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=14200595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9775197A Withdrawn JPH10286845A (ja) | 1997-04-15 | 1997-04-15 | 樹脂封止用金型及び樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10286845A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1100122A2 (en) * | 1999-11-09 | 2001-05-16 | Towa Corporation | Die used for resin-sealing and molding an electronic component |
| US6309916B1 (en) | 1999-11-17 | 2001-10-30 | Amkor Technology, Inc | Method of molding plastic semiconductor packages |
| WO2011028042A2 (ko) * | 2009-09-03 | 2011-03-10 | Park Young-Woong | 텅스텐을 함유하는 봉지재 및 일체형 패키지 |
-
1997
- 1997-04-15 JP JP9775197A patent/JPH10286845A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1100122A2 (en) * | 1999-11-09 | 2001-05-16 | Towa Corporation | Die used for resin-sealing and molding an electronic component |
| EP1100122A3 (en) * | 1999-11-09 | 2004-01-21 | Towa Corporation | Die used for resin-sealing and molding an electronic component |
| US6773247B1 (en) | 1999-11-09 | 2004-08-10 | Towa Corporation | Die used for resin-sealing and molding an electronic component |
| US6309916B1 (en) | 1999-11-17 | 2001-10-30 | Amkor Technology, Inc | Method of molding plastic semiconductor packages |
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| WO2011028042A3 (ko) * | 2009-09-03 | 2011-07-14 | Park Young-Woong | 텅스텐을 함유하는 봉지재 및 일체형 패키지 |
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