JPH07183442A - リ−ドフレ−ムの製造方法 - Google Patents

リ−ドフレ−ムの製造方法

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JPH07183442A
JPH07183442A JP5346466A JP34646693A JPH07183442A JP H07183442 A JPH07183442 A JP H07183442A JP 5346466 A JP5346466 A JP 5346466A JP 34646693 A JP34646693 A JP 34646693A JP H07183442 A JPH07183442 A JP H07183442A
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JP
Japan
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die pad
lead frame
die
warp
pad
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JP5346466A
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English (en)
Inventor
Kazuhiko Umeda
和彦 梅田
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Mitsui High Tec Inc
Original Assignee
Mitsui High Tec Inc
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/2612Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 ダイパッドのディンプル加工も含めたリード
フレームの製造をスタンピング法で行い高生産性化する
とともに、ダイパッドに生じた反りを矯正し、薄パッケ
ージにも支障なく適用できるリードフレームを得る。 【構成】 半導体チップを搭載するダイパッド1と、該
周辺近傍から放射状に延びる複数のインナーリードと、
該インナーリードから延在するアウターリードを具備し
てなるリードフレームをスタンピング法で製造する方法
において、ダイパッド1を形成し、又はさらにダイパッ
ドの一面側に複数のディンプルを加工する工程と、上型
9と下型10に非対向して複数設けた凸部11,11a
でダイパッドを押圧する反り矯正工程を介在させるリー
ドフレームの製造方法である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置用リードフ
レームの製造方法に係り、詳しくは半導体チップ搭載用
ダイパッドの裏面側にスタンピング法によりディンプル
を形成した、又はダイパッドの高平坦度化を要請される
リードフレームの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】IC、LSI等の半導体装置の実装に際
して用いられるリードフレームは、鉄系あるいは銅系等
の金属板をスタンピング法またはエッチング法により所
望のパターンに成形することによって製造される。
【0003】通常、リードフレームは、半導体チップを
搭載するダイパッドと、ダイパッドを取り囲むように配
設せしめられた複数のインナーリードと、インナーリー
ドを一体的に連結するタイバーと、各インナーリードに
連結せしめられタイバーの外側に延在するアウターリー
ドと、タイバーを両サイドから支持するサイドレール
と、ダイパッドを支持するサポ−トバーとから構成され
ている。
【0004】リードフレームを用いて実装される半導体
装置は図5のように、リードフレームのダイパッド1上
に半導体チップ13を搭載し、該半導体チップ13のボ
ンディングパッドとインナーリード2を金線あるいはア
ルミ線等のボンディングワイヤ14によって結線し、更
にこれらを樹脂やセラミック等の封止材料でパッケージ
15した後、タイバーやサイドレールを切断し、アウタ
ーリード4を所望の形状に成形して完成される。
【0005】近年、半導体チップの大型化に伴いこれを
搭載するリードフレームのダイパッドも大型化し、また
パッケージサイズの小型化によって、パッケージに対す
るダイパッドの専有面積比が大きくなり、ダイパッドと
封止樹脂との密着性が劣化することから、熱履歴による
パッケージクラックの発生や、水分の侵入により信頼性
の低下を生じている。
【0006】そこで、ダイパッドの裏面に微少な複数の
凹部(以下、ディンプルという)を設け、該ディンプル
内にも封止樹脂を入り込ませて密着性を向上させる方法
が例えば特開昭62−200751号公報等で提案され
ている。
【0007】
【この発明が解決しようとする課題】ディンプル加工は
エッチング法で行われているのが一般的である。ところ
で、生産性の向上、形状の高均一化あるいは低コスト化
のためにリードパターンの加工をスタンピング法によっ
て行うリードフレームについては、ディンプル加工をも
スタンピング法で行うとその効果が更に奏されるが、ダ
イパッド裏面側の中央部分が膨出するような反りを生じ
るため、ディンプル加工のためだけにエッチング法を行
う必要があり、生産工程の複雑化、生産性の足かせ等と
なっている。
【0008】リードフレームの反りを矯正をするものと
して、例えば特公平4−30186号公報に開示されて
いるような、ダイまたはポンチの何れかの押圧面に多数
の凸型突起を設け、これと凸型を設けない平坦な方でリ
ードフレームを押圧するものがある。これでは平坦な
方、例えばポンチの押圧面が平坦でリードフレームの矯
正面となることから押圧力を強めても逆変形を生じるこ
となく矯正できる効果がある。しかし、ダイパッドの如
く小面積で、反り自体がそれほど大きくないもの例えば
10数ミクロンの反りには、押圧を解くと反りが復元し
矯正できない。
【0009】ダイパッドに反りがあると、これに搭載さ
れる半導体チップとの接触面積が減少して、充分な密着
強度が得られず、半導体装置組立工程における熱履歴
や、半導体装置動作時の発熱等によってチップ剥離やク
ラックあるいはボンディングワイヤの切断等という事態
を引き起こす原因となる。
【0010】さらに、近年ではパッケージの薄型化に対
する要求が厳しくなり、ダイパッドに生じた反りによっ
て、パッケージ裏面からダイパッドの中央部分が露出す
るという不良が発生することもある。またダイパッドは
前述のように大型化し製造時に反りを生じやすい。
【0011】本発明はダイパッドのディンプル加工も含
めたリードフレームの製造をスタンピング法で行い高生
産性を維持するとともに、ダイパッドに生じた反りを矯
正し薄パッケージにも支障なく適用できるリードフレー
ムを得ることを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、半導体
チップを搭載するダイパッドと、該ダイパッド近傍から
放射状に延びる複数のインナーリードと、該インナーリ
ードから延在するアウターリードを具備してなるリード
フレームをスタンピング法で製造する方法において、ダ
イパッドを形成し、又はさらに形成したダイパッドの一
面側に複数のディンプルを加工する工程と、上型と下型
に非対向にて複数設けた凸部によりダイパッドを押圧す
る反り矯正工程を介在させるリードフレームの製造方法
にある。
【0013】
【作用】本発明は、スタンピング法でリードパターンを
形成するとともに、ダイパッドを形成し、又はさらにデ
ィンプルを形成した後、該ディンプル加工等で不可避的
に生じた反りを、凸部を非対向して互いに複数設けた上
型と下型でダイパッドを押圧し矯正するので、当該凸部
は互いに相手型の非凸部に対面して押圧力を及ぼし合
い、その矯正力が強く作用し小面積のダイパッドの反り
が矯正される。
【0014】また、製造されたリードフレームはダイパ
ッドに反りがなく、該上面に搭載される半導体チップと
の接触面積が充分に確保され、密着性がすぐれる。さら
に、パッケージの薄型化に対応できる。
【0015】
【実施例】本発明について1実施例に基づき図面を参照
し詳細に説明する。先ず、図4の(A)(B)を参照し
リードフレームのリードパターン形成について述べる。
1はダイパッドで、その周辺から小間隔をおいて放射状
にインナーリード2が形成されている。3はタイバ−、
4はアウターリード、5はダイパッド1を支持するサポ
−トバ−である。6はサイドレ−ル、7はガイドホ−ル
である。これらのリードパターンは順送り金型(図示し
ない)でスタンピングにより形成される。
【0016】ダイパッド1には図4(B)に示すように
ディンプル8がスタンピングで形成される。ディンプル
8が形成されたダイパッド1は反りを例えば高さで10
数ミクロン生じるので、これを矯正すべく次のようにす
る。
【0017】図1に示すように矯正用の上型9と下型1
0には、凸部11、11aを小間隔で複数形成してい
る。上型9の凸部11と下型10の凸部11aは、図2
に拡大して示すように互いに非凸部16に対向してい
て、非凸部16の間隔より幅狭で凸部11と凸部11a
の間にギャップ12ができる。また、該凸部11、11
aは一方例えば下型10の凸部11aを、上型9の凸部
11より幅狭で且つピッチを長くし、上型9と下型10
を当接した場合に、前記ギャップ12を確保するように
しておくのが好ましい。
【0018】リードフレームを搬送し前記上型9と下型
10間にダイパッド1を位置させ押圧すると、凸部1
1、11aがダイパッド1に当接し矯正力を及ぼす。こ
の際、複数設けた凸部11、11a間にギャップ12が
存在するので矯正力はダイパッド1にモ−メントとして
作用し、ダイパッド1の反りを矯正し、例えば10数ミ
クロンの反り高さがあったものが2ミクロン未満に平坦
化される。
【0019】前記上型9と下型10によるダイパッド1
の反り矯正は、リードフレームを形成するスタンピング
ライン内に設けて行ってもよいし、またライン外に設け
て矯正するようにしてもよい。
【0020】また上型9と下型10がダイパッド1に当
接し及ぼす矯正力は、駆動装置(図示しない)により調
整自在で、ダイパッド1の反り程度、リードフレーム素
材の種類等により調整される。
【0021】前記実施例ではダイパッドにディンプルを
形成したリードフレームの製造について述べたが、ディ
ンプルを形成せずともダイパッドサイズの大型化等で反
りが生じたものの矯正が同様にできる。
【0022】
【発明の効果】本発明は、スタンピングによりリードパ
ターンを形成するとともに、ダイパッドにディンプルを
形成した後、又はディンプルを形成せずとも生じた反り
を、上型と下型に凸部を非対向で複数設けた矯正工程で
ダイパッドを押圧するので、当該凸部は互い対向側の非
凸部に対面して矯正力を及ぼし合い矯正する。また生産
性高くリードフレームが製造できる。
【0023】本発明で製造されるリードフレームはスタ
ンピングでダイパッドにディンプルまで形成され、さら
に前記ダイパッドは矯正されて反りがないので、半導体
チップの接着面積が全面的に確保され搭載が密に行われ
る。また剥離やクラックを生ぜず、パッケージの薄手化
が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の1実施例におけるダイパッドの反り矯
正を示す斜視図。
【図2】本発明の1実施例における矯正用の上型と下型
を示す図。
【図3】本発明の1実施例におけるダイパッドの反り矯
正作用を示す図。
【図4】本発明の1実施例においてリードフレームの製
造を示す図。
【図5】半導体装置を示す図
【符号の説明】
1 ダイパッド 2 インナーリード 3 タイバ− 4 アウターリード 5 サポ−トバ− 6 サイドレ−ル 7 ガイドレ−ル 8 ディンプル 9 上型 10 下型 11 凸部 12 ギャップ 13 半導体チップ 14 ボンディングワイヤ 15 パッケージ 16 非凸部

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体チップを搭載するダイパッドと、
    該ダイパッド近傍から放射状に延びる複数のインナーリ
    ードと、該インナーリードから延在するアウターリード
    を具備してなるリードフレームをスタンピング法で製造
    する方法において、ダイパッドを形成し、又はさらに形
    成したダイパッドの一面側に複数のディンプルを加工す
    る工程と、上型と下型に非対向して複数設けた凸部によ
    りダイパッドを押圧する反り矯正工程を介在させるリー
    ドフレームの製造方法。
  2. 【請求項2】 ダイパッドの反り矯正工程は上型と下型
    で幅と間隔を変えて複数設けた凸部でダイパッドを押圧
    することを特徴とする請求項1記載のリードフレームの
    製造方法。
JP5346466A 1993-12-22 1993-12-22 リ−ドフレ−ムの製造方法 Pending JPH07183442A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006272378A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Jfe Steel Kk 金属板のプレス成形品、金属板のプレス加工方法及びプレス金型
JP2015095561A (ja) * 2013-11-12 2015-05-18 株式会社デンソー 半導体装置及びその製造方法
JP2021077718A (ja) * 2019-11-07 2021-05-20 Shプレシジョン株式会社 リードフレームおよびリードフレームの製造方法

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JP2006272378A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Jfe Steel Kk 金属板のプレス成形品、金属板のプレス加工方法及びプレス金型
JP2015095561A (ja) * 2013-11-12 2015-05-18 株式会社デンソー 半導体装置及びその製造方法
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