JPH0783086B2 - リードフレームの製造方法 - Google Patents
リードフレームの製造方法Info
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- JPH0783086B2 JPH0783086B2 JP1103670A JP10367089A JPH0783086B2 JP H0783086 B2 JPH0783086 B2 JP H0783086B2 JP 1103670 A JP1103670 A JP 1103670A JP 10367089 A JP10367089 A JP 10367089A JP H0783086 B2 JPH0783086 B2 JP H0783086B2
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- JP
- Japan
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- lead frame
- leads
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- element mounting
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はリードフレームの製造方法に係り、特にリード
本数の多い高密度集積回路用のリードフレームの製造方
法に関する。
本数の多い高密度集積回路用のリードフレームの製造方
法に関する。
（従来の技術） 例えば通常のICは、第２図に示すように、リードフレー
ム１のダイパッド２に、半導体素子３を固着し、この半
導体素子３のボンディングパッドとリードフレームのイ
ンナーリード４とを金線あるいはアルミ線のボンディン
グワイヤ５によって結線し、更にこれらを樹脂６で封止
することにより製造されている。
ム１のダイパッド２に、半導体素子３を固着し、この半
導体素子３のボンディングパッドとリードフレームのイ
ンナーリード４とを金線あるいはアルミ線のボンディン
グワイヤ５によって結線し、更にこれらを樹脂６で封止
することにより製造されている。
ここで用いられるリードフレームは、第３図に１例を示
す如く、半導体素子を搭載するためのダイパッド２と、
先端が該ダイパッドをとり囲むように延在せしめられた
多数のインナーリード４と、該インナーリードとほぼ直
交する方向に延びこれらインナーリードを一体的に支持
するタイバー７と、該タイバーの外側に前記各インナー
リードに接続するように配設せしめられたアウターリー
ド８とダイパッド２を支持するサポートバー９とから構
成されている。
す如く、半導体素子を搭載するためのダイパッド２と、
先端が該ダイパッドをとり囲むように延在せしめられた
多数のインナーリード４と、該インナーリードとほぼ直
交する方向に延びこれらインナーリードを一体的に支持
するタイバー７と、該タイバーの外側に前記各インナー
リードに接続するように配設せしめられたアウターリー
ド８とダイパッド２を支持するサポートバー９とから構
成されている。
ところで、半導体装置の高密度化および高集積化に伴
い、リードピン数は増加するものの、パッケージは従来
通りかもしくは大型化の傾向にある。
い、リードピン数は増加するものの、パッケージは従来
通りかもしくは大型化の傾向にある。
同一面積内においてインナーリードの本数が増加すれ
ば、当然ながらインナーリードの幅および隣接するイン
ナーリードとの間隔は狭くなる。このため、強度の低下
によるインナーリードの変形およびその変形によるイン
ナーリード間の短絡を生じることがある。
ば、当然ながらインナーリードの幅および隣接するイン
ナーリードとの間隔は狭くなる。このため、強度の低下
によるインナーリードの変形およびその変形によるイン
ナーリード間の短絡を生じることがある。
更に、半導体素子のボンディングパッドとインナーリー
ドとをボンディングワイヤによって接続するワイヤボン
ディングに際しては、リード幅が小さいことに起因して
ボンディングエリアが狭くなり、ボンディングミスが発
生し易くなる。また、リード数が多いため、リード先端
をダイパッドのすぐ近くまで伸ばすことができず、ボン
ディングワイヤを長くする必要がある。これはボンディ
ングワイヤの無駄であるのみならず、ワイヤボンディン
グが順調に行なわれた後においてもワイヤ同志またはワ
イヤとリードとの短絡事故を生じるおそれがある等、多
くの問題があった。
ドとをボンディングワイヤによって接続するワイヤボン
ディングに際しては、リード幅が小さいことに起因して
ボンディングエリアが狭くなり、ボンディングミスが発
生し易くなる。また、リード数が多いため、リード先端
をダイパッドのすぐ近くまで伸ばすことができず、ボン
ディングワイヤを長くする必要がある。これはボンディ
ングワイヤの無駄であるのみならず、ワイヤボンディン
グが順調に行なわれた後においてもワイヤ同志またはワ
イヤとリードとの短絡事故を生じるおそれがある等、多
くの問題があった。
このような問題を解決するため、第４図に要部拡大図を
示す如く、ダイパッド２の周囲に伸長するインナーリー
ド４の先端部のボンディングエリアを除く領域を、ポリ
イミド等の絶縁性テープ10により連結固定するいわゆる
テーピング法が提案されている。
示す如く、ダイパッド２の周囲に伸長するインナーリー
ド４の先端部のボンディングエリアを除く領域を、ポリ
イミド等の絶縁性テープ10により連結固定するいわゆる
テーピング法が提案されている。
しかしながら、リードフレームがスタンピングにより成
型されている場合、機械的加工時に受けた残留応力が大
きく既にリードが変形した状態で連結固定してしまうと
いうような問題があった。
型されている場合、機械的加工時に受けた残留応力が大
きく既にリードが変形した状態で連結固定してしまうと
いうような問題があった。
そこで本出願人は、特願昭59−247390号（特開昭61−12
5161号公報）において、インナーリード先端を連結片で
繋いだ状態でテーピングを行い、インナーリード間の間
隔を所定寸法に保持した状態で連結片を取り除く方法を
提案している。
5161号公報）において、インナーリード先端を連結片で
繋いだ状態でテーピングを行い、インナーリード間の間
隔を所定寸法に保持した状態で連結片を取り除く方法を
提案している。
しかしながら、実装工程等の後続工程で、熱履歴により
テープが伸縮し、インナーリードが変形することがあっ
た。
テープが伸縮し、インナーリードが変形することがあっ
た。
また、この熱履歴による変形を防止すべく、インナーリ
ード先端を連結片で繋いだ状態で焼鈍処理を行い、最後
に連結片を除去する方法も提案されている。この方法は
設備に膨大な費用が必要であり、コストの低減を阻む大
きな問題となっていた。
ード先端を連結片で繋いだ状態で焼鈍処理を行い、最後
に連結片を除去する方法も提案されている。この方法は
設備に膨大な費用が必要であり、コストの低減を阻む大
きな問題となっていた。
（発明が解決しようとする課題） このように、半導体装置の高集積化に伴い、リード間隔
は小さくなる一方であり、インナーリード先端の位置ず
れが、半導体装置の信頼性低下の原因となっていた。
は小さくなる一方であり、インナーリード先端の位置ず
れが、半導体装置の信頼性低下の原因となっていた。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、インナー
リード先端の位置ずれを防止し、半導体装置の信頼性の
向上をはかることを目的とする。
リード先端の位置ずれを防止し、半導体装置の信頼性の
向上をはかることを目的とする。
（課題を解決するための手段） そこで本発明は、インナーリード先端部のみを成形した
後、インナーリード先端部に絶縁性物質を介して半導体
素子搭載部を固着し、該絶縁性物質により隣接リード間
を連結固定し、インナーリード間の間隔を所定寸法に保
持した状態でリードフレーム本体を所望の形状に完全成
形するようにしている。
後、インナーリード先端部に絶縁性物質を介して半導体
素子搭載部を固着し、該絶縁性物質により隣接リード間
を連結固定し、インナーリード間の間隔を所定寸法に保
持した状態でリードフレーム本体を所望の形状に完全成
形するようにしている。
（作用） 本発明の方法によれば、インナーリード先端を成形し、
他の部分はそのままで、半導体素子搭載部（ダイパッ
ド）の周縁部にこのインナーリード先端を、絶縁性物質
を介して固着し、インナーリード先端部を補強すると共
に、インナーリード間の間隔を所定の寸法に保持した状
態で、リードフレーム本体を所望の形状に完全成形する
ようにしているため、インナーリードのリード幅が狭
く、十分な強度が得られないようなリードフレームにお
いても、互いの位置関係を保持することができ、リード
同志の短絡が防止されるのみならず、ボンディングワイ
ヤとの短絡も防止される。
他の部分はそのままで、半導体素子搭載部（ダイパッ
ド）の周縁部にこのインナーリード先端を、絶縁性物質
を介して固着し、インナーリード先端部を補強すると共
に、インナーリード間の間隔を所定の寸法に保持した状
態で、リードフレーム本体を所望の形状に完全成形する
ようにしているため、インナーリードのリード幅が狭
く、十分な強度が得られないようなリードフレームにお
いても、互いの位置関係を保持することができ、リード
同志の短絡が防止されるのみならず、ボンディングワイ
ヤとの短絡も防止される。
なお、絶縁性物質固着のための接着剤として熱硬化性樹
脂を用いるようにすれば、熱歪を生じることもなく、強
度が高められ、ボンディングに際してもインナーリード
が変形を生じることはない。また、ボンディングエリア
が正しい位置間隔で配列されているため、ボンディング
精度が高められる上、インナーリード先端のボンディン
グエリア付近はダイパッドの周縁部によって補強されて
いるため、ボンディング時の衝撃による変形も防止さ
れ、半導体装置の信頼性を高めることができる。
脂を用いるようにすれば、熱歪を生じることもなく、強
度が高められ、ボンディングに際してもインナーリード
が変形を生じることはない。また、ボンディングエリア
が正しい位置間隔で配列されているため、ボンディング
精度が高められる上、インナーリード先端のボンディン
グエリア付近はダイパッドの周縁部によって補強されて
いるため、ボンディング時の衝撃による変形も防止さ
れ、半導体装置の信頼性を高めることができる。
（実施例） 以下、本発明の実施例について、図面を参照しつつ詳細
に説明する。
に説明する。
第１図（ａ）乃至第１図（ｃ）は、本発明実施例のリー
ドフレームの製造工程を示す図である。
ドフレームの製造工程を示す図である。
まず、第１図（ａ）に示すように、スタンピング法によ
り、帯状材料を加工し、ダイパッド形成領域と対峙する
インナーリード４の先端およびアウターリード８を成型
する。
り、帯状材料を加工し、ダイパッド形成領域と対峙する
インナーリード４の先端およびアウターリード８を成型
する。
次いで、コイニング処理を行い、インナーリード先端部
の平坦幅を確保したのち、先端部にめっきを行うめっき
工程を経て、第１図（ｂ）に示すように、両面に熱硬化
性樹脂が塗布せしめられ上面に銅を主成分とする合金か
らなるダイパッド31が載置せしめられてなるポリイミド
テープ30を載置し、加熱工程を経て硬化させ、固定す
る。
の平坦幅を確保したのち、先端部にめっきを行うめっき
工程を経て、第１図（ｂ）に示すように、両面に熱硬化
性樹脂が塗布せしめられ上面に銅を主成分とする合金か
らなるダイパッド31が載置せしめられてなるポリイミド
テープ30を載置し、加熱工程を経て硬化させ、固定す
る。
こののち、第１図（ｃ）に示すように、タイバー７およ
びインナーリード４などのリードフレーム全体を第３図
に示したリードフレームと同様に、スタンピング法によ
り、成形する。
びインナーリード４などのリードフレーム全体を第３図
に示したリードフレームと同様に、スタンピング法によ
り、成形する。
このようにして形成されたリードフレームは、先端部を
固定した状態で他の領域を成形するようにしているた
め、先端部の変形を防止することができる。また、この
固定は半導体チップ搭載部としてのダイパッド31の固着
を兼ねているため、何等材料や製造工数の増大を招くこ
ともない。さらに、熱履歴によって変形を生じることの
ない熱硬化性樹脂により補強される上、互いの位置関係
を保持することができるため、リード同志の短絡が防止
されるのみならず、ボンディングワイヤとの短絡も防止
され、極めて信頼性の高いものとなる。また、ダイパッ
ド31を大きく形成することができ放熱性の向上をはかる
ことも可能となる。
固定した状態で他の領域を成形するようにしているた
め、先端部の変形を防止することができる。また、この
固定は半導体チップ搭載部としてのダイパッド31の固着
を兼ねているため、何等材料や製造工数の増大を招くこ
ともない。さらに、熱履歴によって変形を生じることの
ない熱硬化性樹脂により補強される上、互いの位置関係
を保持することができるため、リード同志の短絡が防止
されるのみならず、ボンディングワイヤとの短絡も防止
され、極めて信頼性の高いものとなる。また、ダイパッ
ド31を大きく形成することができ放熱性の向上をはかる
ことも可能となる。
なお、前記実施例では、絶縁性物質として熱硬化性樹脂
を塗布してなるポリイミドテープを用いるようにした
が、これに限定されることなく、紫外線硬化性樹脂等他
の材料でもよいことはいうまでもない。
を塗布してなるポリイミドテープを用いるようにした
が、これに限定されることなく、紫外線硬化性樹脂等他
の材料でもよいことはいうまでもない。
また、前記実施例では、第１の成型工程でインナーリー
ドの先端部と、アウターリードとを形成したが、インナ
ーリード先端部のみでもよい。
ドの先端部と、アウターリードとを形成したが、インナ
ーリード先端部のみでもよい。
〔発明の効果〕 以上説明してきたように、本発明の方法によれば、イン
ナーリード先端を成形し、他の部分を連結した状態で絶
縁性物質を介して半導体素子搭載部を固着し、該絶縁性
物質により隣接リード間を連結固定し、インナーリード
間の間隔を所定寸法に保持した状態でリードフレーム本
体を所望の形状に完全成形するようにしているため、イ
ンナーリード間の間隔を所定寸法に保持することがで
き、歪の発生もなく、またワイヤボンディングに際し
て、インナーリード先端のボンディングエリア付近はダ
イパッドの周縁部によって補強されているため、信頼性
の高い半導体装置を得ることができる。
ナーリード先端を成形し、他の部分を連結した状態で絶
縁性物質を介して半導体素子搭載部を固着し、該絶縁性
物質により隣接リード間を連結固定し、インナーリード
間の間隔を所定寸法に保持した状態でリードフレーム本
体を所望の形状に完全成形するようにしているため、イ
ンナーリード間の間隔を所定寸法に保持することがで
き、歪の発生もなく、またワイヤボンディングに際し
て、インナーリード先端のボンディングエリア付近はダ
イパッドの周縁部によって補強されているため、信頼性
の高い半導体装置を得ることができる。
第１図（ａ）乃至第１図（ｃ）は、本発明実施例のリー
ドフレームの製造工程を示す図、第２図は従来の半導体
装置を示す図、第３図は同半導体装置のリードフレーム
を示す図、第４図は、リードフレームの改良例を示す図
である。 １……リードフレーム、２……ダイパッド、３……半導
体素子、４……インナーリード、５……ボンディングワ
イヤ、６……樹脂、７……タイバー、８……アウターリ
ード、９……サポートバー、10……絶縁性テープ、30…
…熱硬化性樹脂、31……ダイパッド。
ドフレームの製造工程を示す図、第２図は従来の半導体
装置を示す図、第３図は同半導体装置のリードフレーム
を示す図、第４図は、リードフレームの改良例を示す図
である。 １……リードフレーム、２……ダイパッド、３……半導
体素子、４……インナーリード、５……ボンディングワ
イヤ、６……樹脂、７……タイバー、８……アウターリ
ード、９……サポートバー、10……絶縁性テープ、30…
…熱硬化性樹脂、31……ダイパッド。
Claims (1)
- 【請求項１】別体成型された半導体素子搭載部の半導体
素子搭載領域近傍から放射状に延びる複数のインナーリ
ードを有するリードフレームの製造方法において、 半導体素子搭載領域に開口を形成する共に、インナーリ
ード先端付近を成型する第１の成型工程と、 前記インナーリード先端部に、絶縁性物質を介してあら
かじめ成型された半導体素子搭載部を固着し、該絶縁性
物質により隣接リード間を連結固定する半導体素子搭載
部固着工程と、 前記絶縁性物質による隣接リード間の連結固定により、
インナーリード間の間隔を所定寸法に保持した状態で、
リードフレーム本体を所望の形状に完全成型する第２の
成型工程とを含むことを特徴とするリードフレームの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1103670A JPH0783086B2 (ja) | 1989-04-24 | 1989-04-24 | リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1103670A JPH0783086B2 (ja) | 1989-04-24 | 1989-04-24 | リードフレームの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02281750A JPH02281750A (ja) | 1990-11-19 |
| JPH0783086B2 true JPH0783086B2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=14360228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1103670A Expired - Fee Related JPH0783086B2 (ja) | 1989-04-24 | 1989-04-24 | リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0783086B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0523837B1 (en) * | 1991-06-05 | 1997-02-19 | Kawasaki Steel Corporation | Continuous casting method of steel slab |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6435921A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-07 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
-
1989
- 1989-04-24 JP JP1103670A patent/JPH0783086B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02281750A (ja) | 1990-11-19 |
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