JPH0294552A - リードフレームおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents
リードフレームおよび半導体装置の製造方法Info
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- JPH0294552A JPH0294552A JP24641688A JP24641688A JPH0294552A JP H0294552 A JPH0294552 A JP H0294552A JP 24641688 A JP24641688 A JP 24641688A JP 24641688 A JP24641688 A JP 24641688A JP H0294552 A JPH0294552 A JP H0294552A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明はリードフレームの製造方法に係り、特にリード
本数の多い高密度集積回路用のリードフレームの製造方
法に関する。
本数の多い高密度集積回路用のリードフレームの製造方
法に関する。
（従来の技術）
例えば通常のＩＣは、第４図に示すように、リードフレ
ーム１のダイパッド２に、半導体素子３を固着し、この
半導体素子３のポンディングパッドとリードフレームの
インナーリード４とを金線あるいはアルミ線のボンディ
ングワイヤ５によって結線し、更にこれらを樹脂６で封
止することにより製造されている。
ーム１のダイパッド２に、半導体素子３を固着し、この
半導体素子３のポンディングパッドとリードフレームの
インナーリード４とを金線あるいはアルミ線のボンディ
ングワイヤ５によって結線し、更にこれらを樹脂６で封
止することにより製造されている。
ここで用いられるリードフレームは、第５図に１例を示
す如く、半導体素子を搭載するためのダイパッド２と、
先端が該ダイパッドをとり囲むように延在せしめられた
２４本のインナーリード４と、該インナーリードとほぼ
直交する方向に延びこれ・らインナーリードを一体的に
支持するタイバー７と、該タイバーの外側に前記各イン
ナーリドに接続するように配役せしめられたアウターリ
ード８とダイパッド２を支持するサポートパー９とから
構成されている。
す如く、半導体素子を搭載するためのダイパッド２と、
先端が該ダイパッドをとり囲むように延在せしめられた
２４本のインナーリード４と、該インナーリードとほぼ
直交する方向に延びこれ・らインナーリードを一体的に
支持するタイバー７と、該タイバーの外側に前記各イン
ナーリドに接続するように配役せしめられたアウターリ
ード８とダイパッド２を支持するサポートパー９とから
構成されている。
ところで、半導体装置の高密度化および高集積化に伴い
、リードビン数は増加するものの、パッケージは従来通
りかもしくは小型化の傾向にある。
、リードビン数は増加するものの、パッケージは従来通
りかもしくは小型化の傾向にある。
同一面積内においてインナーリードの本数が増加すれば
、当然ながらインナーリードの幅および隣接するインナ
ーリードとの間隔は狭くなる。このため、強度の低下に
よるインナーリードの変形およびその変形によるインナ
ーリード間の短絡を生じることがある。
、当然ながらインナーリードの幅および隣接するインナ
ーリードとの間隔は狭くなる。このため、強度の低下に
よるインナーリードの変形およびその変形によるインナ
ーリード間の短絡を生じることがある。
更に、半導体素子のポンディングパッドとインナーリー
ドとをボンディングワイヤによって接続するワイヤボン
ディングに際しては、リード幅が小さいことに起因して
ボンディングエリアが狭くなり、ボンディングミスが発
生し易くなる。また、リード数が多いなめ、リード先端
をダイパッドのすぐ近くまで伸ばすことができず、ボン
ディングワイヤを長くする必要がある。これはボンディ
ングワイヤの無駄であるのみならず、ワイヤボンディン
グが順調に行なわれた後においてもワイヤ同志またはワ
イヤとリードとの短絡事故を生じるおそれがある等、多
くの問題があった。
ドとをボンディングワイヤによって接続するワイヤボン
ディングに際しては、リード幅が小さいことに起因して
ボンディングエリアが狭くなり、ボンディングミスが発
生し易くなる。また、リード数が多いなめ、リード先端
をダイパッドのすぐ近くまで伸ばすことができず、ボン
ディングワイヤを長くする必要がある。これはボンディ
ングワイヤの無駄であるのみならず、ワイヤボンディン
グが順調に行なわれた後においてもワイヤ同志またはワ
イヤとリードとの短絡事故を生じるおそれがある等、多
くの問題があった。
このような問題を解決するため、第６図に要部拡大図を
示す如く、ダイパッド２の周囲に伸長するインナーリー
ド４の先端部のボンディングエリアを除く領域を、ポリ
イミド等の絶縁性テープ１０により連結固定するいわゆ
るテーピング法が提案されている。
示す如く、ダイパッド２の周囲に伸長するインナーリー
ド４の先端部のボンディングエリアを除く領域を、ポリ
イミド等の絶縁性テープ１０により連結固定するいわゆ
るテーピング法が提案されている。
しかしながら、リードフレームがスタンピングにより成
型されている場合、機械的加工時に受けた残留応力が大
きく既にリードが変形した状態で連結固定してしまうと
いうような問題があった。
型されている場合、機械的加工時に受けた残留応力が大
きく既にリードが変形した状態で連結固定してしまうと
いうような問題があった。
そこで本出願人は、特願昭５９−２４７３９０号（特開
昭６１−１２５１６１号公報）において、インナーリー
ド先端を連結片で繋いだ状態でテーピングを行い、イン
ナーリード間の間隔を所定寸法に゛保持した状態で連結
片を取り除く方法を提案している。
昭６１−１２５１６１号公報）において、インナーリー
ド先端を連結片で繋いだ状態でテーピングを行い、イン
ナーリード間の間隔を所定寸法に゛保持した状態で連結
片を取り除く方法を提案している。
しかしながら、実装工程等の後続１稈で、熱履歴により
テープが伸縮し、インナーリードが変形することがあっ
た。
テープが伸縮し、インナーリードが変形することがあっ
た。
そこで、本出願人は、従来の絶縁性テープによるテーピ
ングに代えて、熱硬化性樹脂によってインナーリード間
を接続する方法を提案しているが、この方法によっても
、数本のリードが微妙に跳ね上がった状態で固定されて
いれば、ワイヤボンディング時等に、インナーリード先
端がボンディングヘッドの押圧力により位置ずれを起こ
すことがあった。
ングに代えて、熱硬化性樹脂によってインナーリード間
を接続する方法を提案しているが、この方法によっても
、数本のリードが微妙に跳ね上がった状態で固定されて
いれば、ワイヤボンディング時等に、インナーリード先
端がボンディングヘッドの押圧力により位置ずれを起こ
すことがあった。
（発明が解決しようとする課題）
このように、半導体装置の高集積化に伴い、リード間隔
は小さくなる一方であり、インナーリード先端の位置す
れか、半導体装置の信頼性低下の原因となっていた。
は小さくなる一方であり、インナーリード先端の位置す
れか、半導体装置の信頼性低下の原因となっていた。
本発明は、前記実情に孟みてなされたもので、インナー
リード先端の位置ずれを防止し、半導体装置の信頼性の
向上をはかることを目的とする。
リード先端の位置ずれを防止し、半導体装置の信頼性の
向上をはかることを目的とする。
（課題を解決するための手段）
そこで本発明では、インナーリード先端を連結片で繋い
だ状態で熱硬化性樹脂により隣接リード間を連結固定し
、インナーリード間の間隔を所定寸法に保持した状態で
連結片を取り除くようにしている。
だ状態で熱硬化性樹脂により隣接リード間を連結固定し
、インナーリード間の間隔を所定寸法に保持した状態で
連結片を取り除くようにしている。
また、本発明では、インナーリード先端を連結片で繋い
だ状態で成型した後、所定のめっき処理を行い、熱硬化
性樹脂により隣接リード間を連結固定し、インナーリー
ド間の間隔を所定寸法に保持した状態で連結片を取り除
くようにしている。
だ状態で成型した後、所定のめっき処理を行い、熱硬化
性樹脂により隣接リード間を連結固定し、インナーリー
ド間の間隔を所定寸法に保持した状態で連結片を取り除
くようにしている。
（作用）
本発明の方法によれば、インナルリード先端を連結片で
繋いだ状態で熱硬化性樹脂によって隣接リード間を連結
固定し、インナーリード間の間隔を所定寸法に保持した
状態で連結片を取り除くようにしているため、インナー
リードのリード幅が狭く、十分な強度が得られないよう
なリードフレーム・においても、熱履歴によって変形を
生じることのない熱硬化性樹脂により補強され、互いの
位置関係を保持することができ、リード同志の短絡が防
止されるのみならず、ボンディングワイヤとの短絡も防
止される。
繋いだ状態で熱硬化性樹脂によって隣接リード間を連結
固定し、インナーリード間の間隔を所定寸法に保持した
状態で連結片を取り除くようにしているため、インナー
リードのリード幅が狭く、十分な強度が得られないよう
なリードフレーム・においても、熱履歴によって変形を
生じることのない熱硬化性樹脂により補強され、互いの
位置関係を保持することができ、リード同志の短絡が防
止されるのみならず、ボンディングワイヤとの短絡も防
止される。
また、本発明の方法によれば、インナーリード先端を連
結片で繋いだ状態で成型した後、所定のめつき処理を行
い、熱硬化性樹脂により隣接リード間を連結固定し、イ
ンナーリード間の間隔を所定寸法に保持した状態で連結
片を取り除くようにしているため、めっき途中における
障害によってインナーリードが変形するおそれがなくな
り、また熱硬化性樹脂にめっき金属が付着し、短絡をお
こすようなこともない。
結片で繋いだ状態で成型した後、所定のめつき処理を行
い、熱硬化性樹脂により隣接リード間を連結固定し、イ
ンナーリード間の間隔を所定寸法に保持した状態で連結
片を取り除くようにしているため、めっき途中における
障害によってインナーリードが変形するおそれがなくな
り、また熱硬化性樹脂にめっき金属が付着し、短絡をお
こすようなこともない。
さらにまた、この方法において、連結片をインナーリー
ド先端のめっきエリアを含むように配設するようにすれ
ば、連結片の除去後の、連結片部のリード側面にはめっ
き金属が付着していないため、マイグレーションの発生
を抑制することも可能である。
ド先端のめっきエリアを含むように配設するようにすれ
ば、連結片の除去後の、連結片部のリード側面にはめっ
き金属が付着していないため、マイグレーションの発生
を抑制することも可能である。
このように、インナーリードの先端部を熱硬化性樹脂で
固定しているため熱歪を生じることもなく、強度が高め
られ、ボンディングに際してもインナーリードが変形を
生じることなく、ボンディングエリアが正しい位置間隔
で配列されているため、ボンディング精度が高められる
上、ボンディング時の衝撃による変形も防止され、半導
体装置の信頼性を高めることができる。
固定しているため熱歪を生じることもなく、強度が高め
られ、ボンディングに際してもインナーリードが変形を
生じることなく、ボンディングエリアが正しい位置間隔
で配列されているため、ボンディング精度が高められる
上、ボンディング時の衝撃による変形も防止され、半導
体装置の信頼性を高めることができる。
（実施例）
以下、本発明の実施例について、図面を参照しつつ詳細
に説明する。
に説明する。
第１図（ａ）乃至第１図（Ｃ）は、本発明実施例のリー
ドフレームの製造工程を示す図である６まず、第１図（
ａ）に示すように、スタンピング法により、帯状材料を
加工し、グイバッド２と対峙するインナーリード４の先
端を、隣接するインナーリードと連結片１１によって僅
かに接続するように成型する。
ドフレームの製造工程を示す図である６まず、第１図（
ａ）に示すように、スタンピング法により、帯状材料を
加工し、グイバッド２と対峙するインナーリード４の先
端を、隣接するインナーリードと連結片１１によって僅
かに接続するように成型する。
次いで、コイニング処理を行い、インナーリード先端部
の平坦幅を確保したのち、先端部にめっきを′行うめっ
き工程を経て、第１図ｆｂ）に示すように、インナーリ
ード先端部のボンディングエリアを避けるようにポリイ
ミド樹脂等の熱硬化性樹脂２０を塗布し、加熱工程を経
て硬化させ、固定する。
の平坦幅を確保したのち、先端部にめっきを′行うめっ
き工程を経て、第１図ｆｂ）に示すように、インナーリ
ード先端部のボンディングエリアを避けるようにポリイ
ミド樹脂等の熱硬化性樹脂２０を塗布し、加熱工程を経
て硬化させ、固定する。
こののち、第１図（Ｃ）に示すように、連結片を打ち抜
き、インナーリード先端を分離する。このインナーリー
ド先端部の拡大図を第２図に示す。
き、インナーリード先端を分離する。このインナーリー
ド先端部の拡大図を第２図に示す。
ここでＤは切断線を示す。
このようにして形成されたリードフレームは、熱履歴に
よって変形を生じることのない熱硬化性樹脂により補強
され、さらに互いの位置関係を保持することができるた
め、リード同志の短絡が防止されるのみならず、ボンデ
ィングワイヤとの短絡も防止され、極めて信頼性の高い
ものとなる。
よって変形を生じることのない熱硬化性樹脂により補強
され、さらに互いの位置関係を保持することができるた
め、リード同志の短絡が防止されるのみならず、ボンデ
ィングワイヤとの短絡も防止され、極めて信頼性の高い
ものとなる。
次に、本発明の他の実施例について説明する。
まず、前記実施例と同様にして、スタンピング法により
、帯状材料を加工し、ダイパッド２と対峙するインナー
リード４の先端を、隣接するインナーリードと連結片１
１によって僅かに接続するように成型し、さらに、コイ
ニング処理を行い、インナーリード先端部の平坦幅を確
保したのち、先端部にめっきを行うめつき工程を経て、
第３図（ａ）に示すように、インナーリード先端部のボ
ンディングエリアを避けるようにポリイミド樹脂等の熱
硬化性樹脂３０ａを塗布する。ここで、連結片はインナ
ーリード先端のめっきエリアＭを含むように配設されて
いる。
、帯状材料を加工し、ダイパッド２と対峙するインナー
リード４の先端を、隣接するインナーリードと連結片１
１によって僅かに接続するように成型し、さらに、コイ
ニング処理を行い、インナーリード先端部の平坦幅を確
保したのち、先端部にめっきを行うめつき工程を経て、
第３図（ａ）に示すように、インナーリード先端部のボ
ンディングエリアを避けるようにポリイミド樹脂等の熱
硬化性樹脂３０ａを塗布する。ここで、連結片はインナ
ーリード先端のめっきエリアＭを含むように配設されて
いる。
こののち、第３図（ｂ）に示すように、半導体チップ３
を接着剤の塗布されたダイパッド２上に載置し、１２０
〜１８０℃に加熱し、該接着剤を硬化させ、ダイボンド
を行うと共に、熱硬化性樹脂を硬化させ（硬化状態の熱
硬化性樹脂を３０で示す）、インナーリード先端部を固
定する。
を接着剤の塗布されたダイパッド２上に載置し、１２０
〜１８０℃に加熱し、該接着剤を硬化させ、ダイボンド
を行うと共に、熱硬化性樹脂を硬化させ（硬化状態の熱
硬化性樹脂を３０で示す）、インナーリード先端部を固
定する。
この後、第３図（Ｃ）に示すように、連結片１１を除去
し、インナーリード先端部を分離する。
し、インナーリード先端部を分離する。
この後、通常の如く、ワイヤボンディング工程、樹脂封
止工程を経て、タイバー７を切除すると共にアウターリ
ード８を成型し、第４図に示したような半導体装置が完
成する。
止工程を経て、タイバー７を切除すると共にアウターリ
ード８を成型し、第４図に示したような半導体装置が完
成する。
この方法によれば、めっき途中における障害によってイ
ンナーリードが変形するおそれがなくなり、また熱硬化
性樹脂にめっき金属が付着し、短絡をおこすようなこと
もない。
ンナーリードが変形するおそれがなくなり、また熱硬化
性樹脂にめっき金属が付着し、短絡をおこすようなこと
もない。
また、インナーリード先端のめつきエリアは連結片を含
むように形成され、めっき工程後、連結片は除去される
ため、連結片除去部のリード側面はめっき金属の付着し
ない状態で、得ることができ、マイグレーションの発生
が抑制される。
むように形成され、めっき工程後、連結片は除去される
ため、連結片除去部のリード側面はめっき金属の付着し
ない状態で、得ることができ、マイグレーションの発生
が抑制される。
この方法によれば、連結片によってインナーリード４が
互いの位置間隔を保持した状態で熱硬化性樹脂で固定さ
れ、熱履歴による歪みもなく正しい位置間隔を維持し、
ワイヤボンディングがなされるため、位置ずれ等も低減
されボンディングの信頼性が高められる。
互いの位置間隔を保持した状態で熱硬化性樹脂で固定さ
れ、熱履歴による歪みもなく正しい位置間隔を維持し、
ワイヤボンディングがなされるため、位置ずれ等も低減
されボンディングの信頼性が高められる。
また、連結片および熱硬化性樹脂による補強がなされる
ため、インナーリードは先端でのリード幅を連日くする
ことができる。これによりダイパッドに対してインナー
リードの先端を更に近接せしめ得、ボンディングワイヤ
の使用量が低減し、製造コストが節減される。更にまた
、ボンディングワイヤを短くすることができ、短絡が防
止されるのに加え、長いボンディングワイヤの下には絶
縁性テープがあるため、ワイヤがたるんでも短絡のおそ
れは極めて少ない。
ため、インナーリードは先端でのリード幅を連日くする
ことができる。これによりダイパッドに対してインナー
リードの先端を更に近接せしめ得、ボンディングワイヤ
の使用量が低減し、製造コストが節減される。更にまた
、ボンディングワイヤを短くすることができ、短絡が防
止されるのに加え、長いボンディングワイヤの下には絶
縁性テープがあるため、ワイヤがたるんでも短絡のおそ
れは極めて少ない。
加えて、各インナーリードの先端は、熱硬化性樹脂で固
定されると共に、末端はタイバーで固定されており、樹
脂封止工程における短絡事故も大幅に低減され、極めて
信頼性の高い半導体装置を高歩留りで形成することがで
きる。
定されると共に、末端はタイバーで固定されており、樹
脂封止工程における短絡事故も大幅に低減され、極めて
信頼性の高い半導体装置を高歩留りで形成することがで
きる。
更に、熱硬化性樹脂はインナーリードの裏面すなわちボ
ンディングエリアの裏面に形成してもよい。
ンディングエリアの裏面に形成してもよい。
以上説明してきたように、本発明の方法によれば、イン
ナーリード先端を連結片で繋いだ状態で熱硬化性樹脂に
よって隣接リード間を連結固定し、インナーリード間の
間隔を所定寸法に保持した状態で連結片を取り除くよう
にしているため、信頼性の高い半導体装置を得ることが
できる。
ナーリード先端を連結片で繋いだ状態で熱硬化性樹脂に
よって隣接リード間を連結固定し、インナーリード間の
間隔を所定寸法に保持した状態で連結片を取り除くよう
にしているため、信頼性の高い半導体装置を得ることが
できる。
第１図（ａ）乃至第１図（Ｃ）は、本発明実施例のリー
ドフレームの製造工程を示す図、第２図は、同リードフ
レームの要部説明図、第３図（ａ）乃至第３図（Ｃ）は
、本発明の他の実施例の半導体装置の製造工程図、第４
図は従来の半導体装置を示す図、第５図は同半導体装置
のリードフレームを示す図、第６図は、リードフレーム
の改良例を示す図である。 １・・・リードフレーム、２・・・ダイパツド、３・・
・半導体素子、４・・・インナーリード、５・・・ボン
ディングワイヤ、６・・・樹脂、７・・・タイバー、８
・・・アウターリード、９・・・サポートパー １０・
・・絶縁性テープ、１１・・・連結片、２０・・・熱硬
化性樹脂、３０ａ・・・熱硬化性樹脂（未硬化）、３０
・・・熱硬化性樹脂。 図（Ｃ） 第 図（ｂ） 第 図 第 図（Ｃ） 第 図
ドフレームの製造工程を示す図、第２図は、同リードフ
レームの要部説明図、第３図（ａ）乃至第３図（Ｃ）は
、本発明の他の実施例の半導体装置の製造工程図、第４
図は従来の半導体装置を示す図、第５図は同半導体装置
のリードフレームを示す図、第６図は、リードフレーム
の改良例を示す図である。 １・・・リードフレーム、２・・・ダイパツド、３・・
・半導体素子、４・・・インナーリード、５・・・ボン
ディングワイヤ、６・・・樹脂、７・・・タイバー、８
・・・アウターリード、９・・・サポートパー １０・
・・絶縁性テープ、１１・・・連結片、２０・・・熱硬
化性樹脂、３０ａ・・・熱硬化性樹脂（未硬化）、３０
・・・熱硬化性樹脂。 図（Ｃ） 第 図（ｂ） 第 図 第 図（Ｃ） 第 図
Claims (3)
- （１）半導体素子搭載部分近傍から放射状に延びる複数
のインナーリードを有するリードフレームの製造方法に
おいて、 インナーリード先端付近を一体的に繋ぐ連 結片を残した状態で成型する成型工程と、 前記インナーリード先端付近で隣接リード 間を熱硬化性樹脂により連結固定する固定工程と、隣接
リード間を熱硬化性樹脂により連結固 定することにより、インナーリード間の間隔を所定寸法
に保持した状態で連結片を取り除きインナーリード先端
を解放する連結片除去工程とを含むことを特徴とするリ
ードフレームの製造方法。 - （２）半導体素子搭載部分近傍から放射状に延びる複数
のインナーリードを有するリードフレームの製造方法に
おいて、 インナーリード先端付近を一体的に繋ぐ連 結片を残した状態で成型する成型工程と、 インナーリード先端近傍にめっきを行うめ っき処理工程と、 前記インナーリード先端付近で隣接リード 間を熱硬化性樹脂により連結固定する固定工程と、隣接
リード間を熱硬化性樹脂により連結固 定することにより、インナーリード間の間隔を所定寸法
に保持した状態で連結片を取り除きインナーリード先端
を解放する連結片除去工程とを含むことを特徴とするリ
ードフレームの製造方法。 - （３）ダイパッドのまわりから放射状に延びる複数のイ
ンナーリードを有するリードフレーム上に半導体素子を
実装してなる半導体装置の製造方法において、 インナーリード先端付近を一体的に繋ぐ連 結片を残した状態でリードフレームを成型する成型工程
と、 インナーリード先端近傍にめっきを行うめ っき処理工程と、 隣接リード間を繋ぐように前記インナーリ ード先端付近に熱硬化性樹脂を供給する熱硬化性樹脂供
給工程と、 ダイパッド上に接着剤を介して半導体素子 を載置する工程と、 前記熱硬化性樹脂および接着剤の硬化温度 以上に加熱し、ダイパッド上に接着剤を半導体素子を固
着すると共に、隣接リード間を熱硬化性樹脂により連結
固定する固着工程と、 インナーリード間の間隔を所定寸法に保持 した状態で連結片を取り除きインナーリード先端を解放
する連結片除去工程と、 前記半導体素子とインナーリードとの間を ワイヤを介して電気的に接続するワイヤボンディング工
程と、 前記半導体素子とインナーリード先端部を 覆うように樹脂封止する樹脂封止工程とを含むことを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24641688A JPH0294552A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | リードフレームおよび半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24641688A JPH0294552A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | リードフレームおよび半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0294552A true JPH0294552A (ja) | 1990-04-05 |
Family
ID=17148160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24641688A Pending JPH0294552A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | リードフレームおよび半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0294552A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0653404A (ja) * | 1992-07-29 | 1994-02-25 | Nec Corp | リードフレーム |
| US5683944A (en) * | 1995-09-01 | 1997-11-04 | Motorola, Inc. | Method of fabricating a thermally enhanced lead frame |
| KR100726039B1 (ko) * | 2005-11-17 | 2007-06-08 | 엘에스전선 주식회사 | 복층 리드프레임 및 이를 위한 제조방법 |
| WO2008075654A1 (ja) * | 2006-12-18 | 2008-06-26 | Shiima Electronics Inc. | リードフレーム、その製造方法及びそのリードフレームを搭載した半導体装置 |
| JP2009049072A (ja) * | 2007-08-15 | 2009-03-05 | Panasonic Corp | リードフレーム、半導体装置、リードフレームの製造方法、および半導体装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61125161A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-12 | Mitsui Haitetsuku:Kk | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
| JPS63181358A (ja) * | 1987-01-23 | 1988-07-26 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-09-30 JP JP24641688A patent/JPH0294552A/ja active Pending
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| JP5378800B2 (ja) * | 2006-12-18 | 2013-12-25 | シーマ電子株式会社 | リードフレーム、その製造方法及びそのリードフレームを搭載した半導体装置 |
| JP2009049072A (ja) * | 2007-08-15 | 2009-03-05 | Panasonic Corp | リードフレーム、半導体装置、リードフレームの製造方法、および半導体装置の製造方法 |
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