JPS63181358A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPS63181358A JPS63181358A JP62012419A JP1241987A JPS63181358A JP S63181358 A JPS63181358 A JP S63181358A JP 62012419 A JP62012419 A JP 62012419A JP 1241987 A JP1241987 A JP 1241987A JP S63181358 A JPS63181358 A JP S63181358A
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置及びその製造技術に関するもので
ある。
ある。
半導体装置については特公昭５７−５００６８号公報等
で開示されている。第４図は半導体装置がリードフレー
ム状態である場合を示しており、以下図面に従い説明す
る。１は互いに平行に形成された一対の枠体（フレーム
）、２は前記枠体１と連設する樹脂流れ防止のための枠
で、一般にタイバーと呼ばれている。３は半導体チップ
４を載置するためのタブであり、タブリード５により枠
体１に連結支持されている。６は一端をタブ３の周囲ま
で延在し、他端をタイバー２に支持されているインナー
リードである。このインナーリード６のそれぞれには外
部装置（図示せず）とコンタクトするためのアクタ−リ
ード７が連結されている。８は半導体チップ４上の電極
（図示せず）とインナーリード６の先端部とを電気的に
接続するための導体２例えば金線等のボンディングワイ
ヤである。９は前記半導体ペレット４．タブ３．タブリ
ード５．インナーリード６及びボンディングワイヤ８を
一体的に封止するパッケージである。
で開示されている。第４図は半導体装置がリードフレー
ム状態である場合を示しており、以下図面に従い説明す
る。１は互いに平行に形成された一対の枠体（フレーム
）、２は前記枠体１と連設する樹脂流れ防止のための枠
で、一般にタイバーと呼ばれている。３は半導体チップ
４を載置するためのタブであり、タブリード５により枠
体１に連結支持されている。６は一端をタブ３の周囲ま
で延在し、他端をタイバー２に支持されているインナー
リードである。このインナーリード６のそれぞれには外
部装置（図示せず）とコンタクトするためのアクタ−リ
ード７が連結されている。８は半導体チップ４上の電極
（図示せず）とインナーリード６の先端部とを電気的に
接続するための導体２例えば金線等のボンディングワイ
ヤである。９は前記半導体ペレット４．タブ３．タブリ
ード５．インナーリード６及びボンディングワイヤ８を
一体的に封止するパッケージである。
ところで、前述のような半導体装置において、バクケー
ジ９の四隅近傍にあるリード、例えばインナーリード６
ａ、５ｂ等は、タブ３（あるいは半導体テップ４）の近
傍までその先端部を延在させる必要から、長リードとな
ってしまう。従って。
ジ９の四隅近傍にあるリード、例えばインナーリード６
ａ、５ｂ等は、タブ３（あるいは半導体テップ４）の近
傍までその先端部を延在させる必要から、長リードとな
ってしまう。従って。
従来ではチップボンディングやワイヤボンディング工程
へリードフレームを搬送する際に、左右（リードの配列
方向）あるいは上下（リード配列方向に対して垂直な方
向）にリードがバラツキ。
へリードフレームを搬送する際に、左右（リードの配列
方向）あるいは上下（リード配列方向に対して垂直な方
向）にリードがバラツキ。
隣接するリード同志が接触する不良が発生してしまう問
題があった。この問題は、インナーリードの幅が狭（、
薄いフラットタイプの半導体装置にあっては特に顕著に
みられるものであった。
題があった。この問題は、インナーリードの幅が狭（、
薄いフラットタイプの半導体装置にあっては特に顕著に
みられるものであった。
本発明の目的は、インナーリードのバラツキを抑制しつ
つ、半導体装置を製造する技術を提供するものである。
つ、半導体装置を製造する技術を提供するものである。
本発明の目的は、インナーリードのバラツキを防止し、
ショート不良のない半導体装置を提供することである。
ショート不良のない半導体装置を提供することである。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な％徴は１
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、バラツキやすいインナーリード上及びインナ
ーリード間にレジンを敷設するものである。
ーリード間にレジンを敷設するものである。
上記した手段によれば、レジンによりインナーリードを
固定することができるので、インナーリードのバラツキ
を防止し、ショート不良を低減できるものである。
固定することができるので、インナーリードのバラツキ
を防止し、ショート不良を低減できるものである。
第１図は本発明の一実施例である半導体装置のリードフ
レーム状態を示す図、第２図は■−■線断面図、第３Ａ
図〜第３Ｅ図は半導体装置の組立工程図である。リード
フレーム１のインナーリード、本実施例では長リードを
固定するためのレジン１０が長リード間を架橋するよう
に形成されている。なお、第４図で説明した構成と同一
構成部分については同一符号を付し、その説明を省略す
る。図示するように、リードフレーム１のインナーリー
ド６、本実施例においては長リード６ａ。
レーム状態を示す図、第２図は■−■線断面図、第３Ａ
図〜第３Ｅ図は半導体装置の組立工程図である。リード
フレーム１のインナーリード、本実施例では長リードを
固定するためのレジン１０が長リード間を架橋するよう
に形成されている。なお、第４図で説明した構成と同一
構成部分については同一符号を付し、その説明を省略す
る。図示するように、リードフレーム１のインナーリー
ド６、本実施例においては長リード６ａ。
６ｂ間を架橋する絶縁性の固定レジン１０が形成されて
いる。このレジンは、熱硬化性を有しており、パッケー
ジ９内に一体的に封止されている。
いる。このレジンは、熱硬化性を有しており、パッケー
ジ９内に一体的に封止されている。
次に１本笑施例の半導体装置の製造方法について説明す
る。第３Ａ図はリードフレームの載置工程を示しており
、リードフレーム載置台１１上の所定位置に配設したパ
イロットビン１３をリードフレーム１の孔１２に挿入す
ることにより位置決めを行なっている。このリードフレ
ーム載置台１１はレジン１０に対して離間し易い、例え
ばフッ素系樹脂で形成されている。第３Ｂ図は熱硬化性
の固定レジン１０を敷設する工程を示しており、ノズ、
＋１７１・４から適量のゲル状レジンを吐出せしめてイ
ンナーリード上及びインナーリード間を架橋する。この
とぎ、長リードだけでなく、インナ−リード６全周囲（
少なくともボンディングエリアを除（）に固定レジン１
０を敷設するようにしても良い。第３Ｃ図はチップ４を
リードフレーム１に接続するチップボンディング工程を
示しており、コレット１５で真空吸着したチップ４をタ
ブ３まで搬送して取り付けている。なお、本実施例では
あらかじめタブ３上に銀ペースト（図示せず）が塗布さ
れている。
る。第３Ａ図はリードフレームの載置工程を示しており
、リードフレーム載置台１１上の所定位置に配設したパ
イロットビン１３をリードフレーム１の孔１２に挿入す
ることにより位置決めを行なっている。このリードフレ
ーム載置台１１はレジン１０に対して離間し易い、例え
ばフッ素系樹脂で形成されている。第３Ｂ図は熱硬化性
の固定レジン１０を敷設する工程を示しており、ノズ、
＋１７１・４から適量のゲル状レジンを吐出せしめてイ
ンナーリード上及びインナーリード間を架橋する。この
とぎ、長リードだけでなく、インナ−リード６全周囲（
少なくともボンディングエリアを除（）に固定レジン１
０を敷設するようにしても良い。第３Ｃ図はチップ４を
リードフレーム１に接続するチップボンディング工程を
示しており、コレット１５で真空吸着したチップ４をタ
ブ３まで搬送して取り付けている。なお、本実施例では
あらかじめタブ３上に銀ペースト（図示せず）が塗布さ
れている。
次に１図示していないが録ペーストを硬化させると同時
に、固定レジンｌＯを硬化させるためベーキング処理を
行なう。これにより、固定レジン１０で架橋されたイン
ナーリード６は児全に固定され、バラツキが生じること
はない。
に、固定レジンｌＯを硬化させるためベーキング処理を
行なう。これにより、固定レジン１０で架橋されたイン
ナーリード６は児全に固定され、バラツキが生じること
はない。
第３Ｄ図はチップ４の電極（図示せず）とインナーリー
ド６の先端部とを導体にて接続する工程を示す図であり
、本実施例では金属良導体、例えば金線からなるボンデ
ィングワイヤ８をキャピラリ１５を用いて結線している
。なお、前述のベーキング処理でインナーリード６が固
定されて〜るので、ワイヤボンディング工程をリードフ
レーム載置台１１から分離した後行なっても良い。この
とき、リードフレーム載置台１１は固定レジンと非接着
性のフッ素系樹脂を用いているので、分離が良好に行な
われることになる。第３Ｅ図はモールドが完了した半導
体装置を示す図であり１図示しないモールド金型により
、インナーリード６を固定レジン１０で保持したまま一
体的に封止する。
ド６の先端部とを導体にて接続する工程を示す図であり
、本実施例では金属良導体、例えば金線からなるボンデ
ィングワイヤ８をキャピラリ１５を用いて結線している
。なお、前述のベーキング処理でインナーリード６が固
定されて〜るので、ワイヤボンディング工程をリードフ
レーム載置台１１から分離した後行なっても良い。この
とき、リードフレーム載置台１１は固定レジンと非接着
性のフッ素系樹脂を用いているので、分離が良好に行な
われることになる。第３Ｅ図はモールドが完了した半導
体装置を示す図であり１図示しないモールド金型により
、インナーリード６を固定レジン１０で保持したまま一
体的に封止する。
その後リードフレーム１の不要部分を除去した後、アウ
ターリード７を折り曲げ、半田等のメッキをして完成品
を得る。
ターリード７を折り曲げ、半田等のメッキをして完成品
を得る。
次に、本実施例から得られる作用、効果について説明す
る。
る。
（１１インナーリード間を架橋するようにレジンを敷設
することにより、レジンをインナーリード間のスペーサ
にすることができるので、インナーリードの配列方向の
ズとが防止できるという効果が得られる。
することにより、レジンをインナーリード間のスペーサ
にすることができるので、インナーリードの配列方向の
ズとが防止できるという効果が得られる。
（２） インナーリード上にレジンを敷設することに
より、各インナーリードの上下の動きを固定することが
できるので、インナーリードの上下方向ズレを防止でき
るという効果が得られる。
より、各インナーリードの上下の動きを固定することが
できるので、インナーリードの上下方向ズレを防止でき
るという効果が得られる。
（３） インナーリード上及びインナーリード間を架
橋するようにレジンを敷設することにより、前記レジン
敷設工程後の搬送中にインナーリードが曲がらないよう
固定できるので、隣接したインナーリード同志あるいは
インナーリードとタブリードが接触するのを確実に防止
できるという効果が得られる。
橋するようにレジンを敷設することにより、前記レジン
敷設工程後の搬送中にインナーリードが曲がらないよう
固定できるので、隣接したインナーリード同志あるいは
インナーリードとタブリードが接触するのを確実に防止
できるという効果が得られる。
（４） ワイヤボンディング前に、インナーリード上
及びインナーリード間を架橋するようにレジンを敷設す
ることにより、前記レジン敷設工程後の搬送中にインナ
ーリードが曲がらないよう固定できるので、確実なワイ
ヤボンディングが行なえると共に、ボンディングワイヤ
同志が接触する不良をも低減できるという効果が得られ
るものである。
及びインナーリード間を架橋するようにレジンを敷設す
ることにより、前記レジン敷設工程後の搬送中にインナ
ーリードが曲がらないよう固定できるので、確実なワイ
ヤボンディングが行なえると共に、ボンディングワイヤ
同志が接触する不良をも低減できるという効果が得られ
るものである。
（５） リードフレーム載置台としてフッ素系樹脂を
用いることにより、あるいはフッ素系樹脂にてコーティ
ングしたものを用いることにより、レジンとフッ素系樹
脂とは離間性が良いので、インナーリードをレジンで固
定したまま容易にリードフレーム載置台から分離するこ
とができるという効果が得られる。
用いることにより、あるいはフッ素系樹脂にてコーティ
ングしたものを用いることにより、レジンとフッ素系樹
脂とは離間性が良いので、インナーリードをレジンで固
定したまま容易にリードフレーム載置台から分離するこ
とができるという効果が得られる。
（６）インナーリード上及びインナーリード間を架橋す
るレジンを熱硬化性のレジンとすることにより、硬化さ
せることで確実なるインナーリードの固定ができる。ま
た、タブ上に銀ペーストを介してチップを取り付けてい
る場合には、銀ペーストのベーク処理時にレジンの硬化
処理を同時に行なえるという効果も得られる。
るレジンを熱硬化性のレジンとすることにより、硬化さ
せることで確実なるインナーリードの固定ができる。ま
た、タブ上に銀ペーストを介してチップを取り付けてい
る場合には、銀ペーストのベーク処理時にレジンの硬化
処理を同時に行なえるという効果も得られる。
（７） リードフレームの製造時に、あらかじめイン
ナーリードな固定する処理が施されていないリードフレ
ームに対しても、リードフレーム製造後任意に固定処理
が行なえるという効果が得られるものである。
ナーリードな固定する処理が施されていないリードフレ
ームに対しても、リードフレーム製造後任意に固定処理
が行なえるという効果が得られるものである。
以上本発明者によってなされた発明な実施例にもとづき
具体的に！５！明したが１本発明は上記実施例に限定さ
れるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変
更可能であることはいうまでもない。
具体的に！５！明したが１本発明は上記実施例に限定さ
れるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変
更可能であることはいうまでもない。
たとえば、上部から各インナーリードを押圧して上下バ
ラツキがないよう矯正した後にインナーリードにレジン
を敷設するようにしても良い。
ラツキがないよう矯正した後にインナーリードにレジン
を敷設するようにしても良い。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置のインナ
ーリードを固定する技術に適用した場合について説明し
たが、それに限定されるものではなく、たとえば、半導
体チップ等のモールド部分をモールディングする技術に
適用することができる。なお、このとぎ本発明を用いて
チップと熱膨張率の近似したレジンで仮モールドし、そ
の後にモールド金型を用いて耐湿性の高いレジンでモー
ルドするよう圧しても良い。
をその背景となった利用分野である半導体装置のインナ
ーリードを固定する技術に適用した場合について説明し
たが、それに限定されるものではなく、たとえば、半導
体チップ等のモールド部分をモールディングする技術に
適用することができる。なお、このとぎ本発明を用いて
チップと熱膨張率の近似したレジンで仮モールドし、そ
の後にモールド金型を用いて耐湿性の高いレジンでモー
ルドするよう圧しても良い。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
すなわち、リードフレームの搬送中にインナーリードが
曲がるいわゆるハンドリング不良の低減。
曲がるいわゆるハンドリング不良の低減。
及びインナーリードのバラツキに起因するショート不良
の防止効果が得られる。
の防止効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例である半導体装置のリードフ
レーム状態図、 第２図はｆｌ−１１線断面図。 第３Ａ図〜第３Ｅ図は、本発明の一実施例であ４・・・
チップ、５・・・タブリード、６・・・インナーリード
、７・・・アウターリード、８・・・ボンディングワイ
ヤ、９・・・パッケージ、１０・・・固定レジン、１１
・・・リードフレーム載置台、１２・・・孔、１３・・
・パイロットピン、１４・・・ノズル、１５・・・キャ
ピラリ。 代理人 弁理士 小 川 勝 男 第 １
図 ノー リーＹ゛フ糾−４ Ｚ−クイハ゛− ３−クツ゛ ４〜テツフ。 ｊ−クフパリーＹ′′ 第 ２ 図 第３図 （Ｅ） （ｃｒ
レーム状態図、 第２図はｆｌ−１１線断面図。 第３Ａ図〜第３Ｅ図は、本発明の一実施例であ４・・・
チップ、５・・・タブリード、６・・・インナーリード
、７・・・アウターリード、８・・・ボンディングワイ
ヤ、９・・・パッケージ、１０・・・固定レジン、１１
・・・リードフレーム載置台、１２・・・孔、１３・・
・パイロットピン、１４・・・ノズル、１５・・・キャ
ピラリ。 代理人 弁理士 小 川 勝 男 第 １
図 ノー リーＹ゛フ糾−４ Ｚ−クイハ゛− ３−クツ゛ ４〜テツフ。 ｊ−クフパリーＹ′′ 第 ２ 図 第３図 （Ｅ） （ｃｒ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体チップと、前記チップを搭載するためのタブ
と、前記タブの周辺に近接して延在しているインナーリ
ードと、前記半導体チップ上の電極とインナーリードと
を電気的に接続する導体と、前記半導体チップ、タブ、
インナーリード及び導体等のモールド部分とを一体的に
封止するパッケージと、前記インナーリードとそれぞれ
結合し、かつ前記パッケージから突出しているアウター
リードとを有する半導体装置において、インナーリード
上及びインナーリード間には絶縁性のレジンが敷設され
、モールド部分と同様一体的にパッケージに封止されて
いることを特徴とする半導体装置。 ２、前記レジンは熱硬化性レジンであることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ３、少なくともその表面がレジンに対し非接着性の素材
で構成されたリードフレーム載置台を用意し、前記載置
台上にリードフレームを載置する工程と、前記リードフ
レームのインナーリード上及びインナーリード間を華橋
するレジンを敷設する工程と、半導体チップを前記リー
ドフレームにボンディングして載置する工程と、リード
フレーム載置台からリードフレームを離間させた後に半
導体チップ上の電極とインナーリード先端部とを導体で
接続する導体接続工程と、リードフレームの所望部を封
止するモールド工程を有する半導体装置の製造方法。 ４、前記レジンは熱硬化性レジンであり、レジンを敷設
する工程から導体接続工程の間に、前記レジンを硬化さ
せるためのベーク工程を有することを特徴とする特許請
求の範囲第３項に記載する半導体装置の製造方法。 ５、リードフレーム載置台はフッ素系樹脂で構成されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第３項に記載する
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62012419A JPS63181358A (ja) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62012419A JPS63181358A (ja) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63181358A true JPS63181358A (ja) | 1988-07-26 |
Family
ID=11804750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62012419A Pending JPS63181358A (ja) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63181358A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0294552A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Mitsui High Tec Inc | リードフレームおよび半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-01-23 JP JP62012419A patent/JPS63181358A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0294552A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Mitsui High Tec Inc | リードフレームおよび半導体装置の製造方法 |
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