JP2021077718A - リードフレームおよびリードフレームの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】封止樹脂との密着性を向上させることができるリードフレームおよびリードフレームの製造方法を提供する。【解決手段】半導体素子が搭載される素子搭載部１１を有するリードフレーム１０であって、格子状の複数の溝２０が形成されている面を有する。素子搭載部の主表面の平面度は、０．１５ｍｍ以下である。【選択図】図１

Description

本発明は、リードフレームおよびリードフレームの製造方法に関する。

樹脂封止型の半導体装置において、封止樹脂との高い密着性を有するリードフレームが望まれている。例えば、特許文献１には、複数のディンプルを形成することにより、封止樹脂との密着性を確保したリードフレームが提案されている。

特開平５−２１８２７５号公報

本発明の目的は、リードフレームと封止樹脂との密着性を向上させることができる技術を提供することである。

本発明の一態様によれば、
半導体素子が搭載される素子搭載部を有するリードフレームであって、
格子状の複数の溝が形成されている面を有し、
前記素子搭載部の主表面の平面度が０．１５ｍｍ以下であるリードフレームが提供される。

本発明の他の態様によれば、
半導体素子が搭載される素子搭載部を有するリードフレームの製造方法であって、
前記素子搭載部が有する面に対して、プレスを行うことによって第１の溝を形成する第１プレス工程と、
前記第１プレス工程において前記第１の溝を形成した面に対して、プレスを行うことによって前記第１の溝と交差する第２の溝を形成する第２プレス工程と、
前記第１プレス工程において前記第１の溝を形成した位置と同じ位置に対して、再びプレスを行う第３プレス工程と、を有し、
前記第１の溝と前記第２の溝とを格子状に形成するリードフレームの製造方法が提供される。

本発明によれば、リードフレームと封止樹脂との密着性を向上させることができる。

図１は、本発明の第１実施形態に係るリードフレーム１０の平面図である。 図２（ａ）は、本発明の第１実施形態に係る複数の溝２０を拡大した平面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。 図３は、本発明の第１実施形態に係る交差部Ｚ１を拡大した平面写真である。 図４は、本発明の第１実施形態に係るリードフレーム１０の製造方法の一例を示すフローチャートである。 図５は、本発明の第１実施形態に係る第２プレス工程Ｓ２後の交差部Ｚ１を拡大した平面写真である。 図６（ａ）は、本発明の比較形態１に係る交差部Ｚ１を拡大した平面写真である。図６（ｂ）は、本発明の比較形態２に係る交差部Ｚ１を拡大した平面図である。

＜発明者の得た知見＞
まず、発明者等が得た知見について説明する。

樹脂封止型の半導体装置に用いられるリードフレームとしては、封止樹脂との高い密着性を有することが望まれている。高い密着性を確保する方法としては、例えば、リードフレームの表面に、複数の溝や複数のディンプルを形成する方法が知られている。

リードフレームの表面に複数の溝を形成する場合、溝を深く形成すると、リードフレームの反りが大きくなるという問題があった。一方、溝を浅く形成すると、封止樹脂との密着性を向上させる効果は得られ難かった。

本願発明者等は、上述のような事象に対して鋭意研究を行った。その結果、溝の形状および溝の間隔を適切に制御し、３回以上のプレス工程で格子状の溝を形成することによって、リードフレームの反りを低減しつつ、封止樹脂との密着性を向上できることを見出した。

本発明は、発明者等が見出した上記知見に基づくものである。

［本発明の実施形態の詳細］
次に、本発明の一実施形態を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

＜本発明の第１実施形態＞
（１）リードフレームの構成
まず、本実施形態のリードフレーム１０の構成について説明する。

図１は、本実施形態のリードフレーム１０の平面図である。図１に示すように、本実施形態のリードフレーム１０は、例えば、素子搭載部１１と、支持部１２とを有している。素子搭載部１１は、その主表面の一部に半導体素子が搭載されるように構成されている。支持部１２は、素子搭載部１１を支持するように構成されている。支持部１２は、例えば、片持ちの態様で素子搭載部１１の一端（以下、支持端という）を支持している。

本実施形態のリードフレーム１０は、複数の溝２０が形成されている面を有している。具体的には、例えば、少なくとも素子搭載部１１の主表面の一部に、複数の溝２０が形成されている。複数の溝２０は、例えば、格子状に形成されている。リードフレーム１０が格子状の複数の溝２０が形成されている面を有することで、リードフレーム１０と封止樹脂との密着性を向上させることができる。また、少なくとも素子搭載部１１の主表面の一部に、格子状の複数の溝２０が形成されていることで、半導体素子の剥離を抑制することができる。

なお、本明細書において、素子搭載部１１の「主表面」とは、半導体素子が搭載される面のことをいう。また、主表面の反対側の面を「裏面」というものとする。つまり、素子搭載部１１は、少なくとも主表面と裏面とを有する。

なお、本明細書において、「格子状」とは、複数の溝２０が直交している態様の他、複数の溝２０が所定の角度で交差している態様を含むものとする。

また、本実施形態のリードフレーム１０は、格子状の複数の溝２０を有するものの、反りが大幅に低減されている。具体的には、例えば、素子搭載部１１の主表面は、ＪＩＳ Ｂ０６２１に定義される平面度が０．１５ｍｍ以下である。素子搭載部１１の主表面の平面度が０．１５ｍｍを超えると、例えば、半導体パッケージを組み立てる工程等で不良が発生する可能性がある。これに対し、素子搭載部１１の主表面の平面度を０．１５ｍｍ以下にすることで、例えば、半導体パッケージを組み立てる工程等で不良の発生を抑制することができる。

ここで、素子搭載部１１は、半導体パッケージにする際、封止樹脂で覆われる。素子搭載部１１は、熱膨張による封止樹脂の剥離等が発生しやすい箇所であるため、幾何学的に正しい平面であることが特に要求される。また、ＪＩＳ Ｂ０６２１では、「平面度」とは、「平面形体の幾何学的に正しい平面からの狂いの大きさ」と定義されている。したがって、本明細書においては、リードフレーム１０の反りの大小を、素子搭載部１１の主表面の平面度で表すものとする。

図２（ａ）は、本実施形態の複数の溝２０を拡大した平面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。図２（ａ）に示すように、本実施形態の複数の溝２０は、第１の溝２１と、第２の溝２２とを含んでいる。第１の溝２１は、例えば、所定の間隔で平行に複数形成されている。第２の溝２２は、例えば、第１の溝２１と交差（または直交）するように、所定の間隔で平行に複数形成されている。第１の溝２１と、第２の溝２２とは、交差部Ｚ１において互いに交差している。また、図２（ｂ）に示すように、複数の溝２０は、例えば、Ｖ溝である。

第１の溝２１と、第２の溝２２とのなす角θは、例えば、６０度以上１２０度以下であることが好ましい。なす角θが６０度未満または１２０度超の場合、リードフレーム１０の反りを低減する効果が得られ難い。これに対し、なす角θを６０度以上１２０度以下にすることで、リードフレーム１０の反りを効率よく低減することができる。なお、なす角θは、９０度であることが特に好ましい。

複数の溝２０の幅ｗは、例えば、０．０５ｍｍ以上０．２ｍｍ以下であることが好ましい。幅ｗが０．０５ｍｍ未満では、リードフレーム１０と封止樹脂との密着性を向上させる効果が得られ難い。これに対し、幅ｗを０．０５ｍｍ以上にすることで、リードフレーム１０と封止樹脂との密着性を効率よく向上させることができる。一方、幅ｗが０．２ｍｍを超えると、リードフレーム１０の反りが大きくなってしまう可能性がある。これに対し、幅ｗを０．２ｍｍ以下にすることで、リードフレーム１０の反りを低減することができる。

複数の溝２０の深さｄは、例えば、０．０３ｍｍ以上０．０６ｍｍ以下であることが好ましい。深さｄが０．０３ｍｍ未満では、リードフレーム１０と封止樹脂との密着性を向上させる効果が得られ難い。これに対し、深さｄを０．０３ｍｍ以上にすることで、リードフレーム１０と封止樹脂との密着性を効率よく向上させることができる。一方、深さｄが０．０６ｍｍを超えると、リードフレーム１０の反りが大きくなってしまう可能性がある。これに対し、深さｄを０．０６ｍｍ以下にすることで、リードフレーム１０の反りを低減することができる。

複数の溝２０の側面同士がなす角αは、例えば、６０度以上１２０度以下であることが好ましい。なす角αが６０度未満では、リードフレーム１０に割れ等の欠陥が発生する可能性がある。これに対し、なす角αを６０度以上にすることで、割れ等の欠陥の発生を抑制することができる。一方、なす角αが１２０度を超えると、リードフレーム１０の反りが大きくなってしまう可能性がある。これに対し、なす角αを１２０度以下にすることで、リードフレーム１０の反りを低減することができる。

複数の溝２０同士の間隔ｇは、例えば、０．３ｍｍ以上１ｍｍ以下であることが好ましい。間隔ｇが０．３ｍｍ未満では、リードフレーム１０の反りが大きくなってしまう可能性がある。これに対し、間隔ｇを０．３ｍｍ以上にすることで、リードフレーム１０の反りを低減することができる。一方、間隔ｇが１ｍｍを超えると、リードフレーム１０と封止樹脂との密着性を向上させる効果が得られ難い。これに対し、間隔ｇを１ｍｍ以下にすることで、リードフレーム１０と封止樹脂との密着性を効率よく向上させることができる。

また、図２（ａ）に示すように、第１の溝２１はエッジ２３を有し、第２の溝２２はエッジ２４を有している。なお、本明細書において、「エッジ」とは、例えば、素子搭載部１１の主表面を平面視した際、複数の溝２０の側面と、素子搭載部１１の主表面との境界を意味する。エッジ２３およびエッジ２４は、幾何学的直線形状をそれぞれ有している。なお、本明細書において、「幾何学的直線形状」とは、湾曲等のない、真っ直ぐな直線形状を意味し、具体的には、例えば、ＪＩＳ Ｂ０６２１に定義される真直度が２０μｍ以下（好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下）の直線形状が例示される。

また、エッジ２３と、エッジ２４とが交わる角部Ｚ２は、幾何学的角形状を有している。なお、本明細書において、「幾何学的角形状」とは、角に丸みのない角形状を意味し、具体的には、例えば、曲率半径が２０μｍ以下（好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下）の角形状が例示される。

図３は、交差部Ｚ１を拡大した平面写真である。交差部Ｚ１は、第１の溝２１と第２の溝２２との境界部２５を有している。図３に示すように、境界部２５の少なくとも一部は湾曲している。具体的には、例えば、交差部Ｚ１の中心に向かって、第１の溝２１に沿った方向へ凸の円弧状に湾曲している。

また、交差部Ｚ１における、第１の溝２１の幅ｗ_１と第２の溝２２の幅ｗ_２とは等しい。ここで、幅ｗ_１と幅ｗ_２とが「等しい」とは、幅ｗ_１と幅ｗ_２とが完全に等しい値である場合の他、例えば、±１０％（好ましくは±５％、より好ましくは±３％）の誤差の範囲内で略等しい値である場合を含むものとする。

第１の溝２１の側面の算術平均粗さＲａ_１または第２の溝２２の側面の算術平均粗さＲａ_２の少なくともいずれかは、例えば、０．２５μｍ以上であることが好ましい。算術平均粗さＲａ_１および算術平均粗さＲａ_２が０．２５μｍ未満では、リードフレーム１０と封止樹脂との充分な密着性が得られ難い。これに対し、算術平均粗さＲａ_１または算術平均粗さＲａ_２の少なくともいずれかを０．２５μｍ以上とすることで、リードフレーム１０と封止樹脂との密着性を向上させることができる。なお、算術平均粗さＲａは、ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に定義されている。

また、算術平均粗さＲａ_１と算術平均粗さＲａ_２とは、異なる値となっていてもよい。例えば、算術平均粗さＲａ_１が０．４μｍ程度であり、算術平均粗さＲａ_２が０．１μｍ程度であってもよい。このような場合も、リードフレーム１０と封止樹脂との密着性を向上させることができる。なお、算術平均粗さＲａ_１と算術平均粗さＲａ_２との違いは、おそらく、後述するプレス回数の違いによるものと考えられる。

（２）リードフレームの製造方法
次に、本実施形態のリードフレーム１０の製造方法について説明する。

図４は、本実施形態のリードフレーム１０の製造方法の一例を示すフローチャートである。本実施形態のリードフレーム１０の製造方法は、例えば、第１プレス工程Ｓ１と、第２プレス工程Ｓ２と、第３プレス工程Ｓ３と、洗浄工程Ｓ４と、打ち抜き工程Ｓ５と、点検・梱包工程Ｓ６とを有する。

（第１プレス工程Ｓ１）
まず、第１プレス工程Ｓ１で用いるリードフレーム材について説明する。リードフレーム材には、これに搭載される半導体素子の特性に応じた所定の熱伝導率および所定の電気伝導度を有する金属板が用いられる。リードフレーム材として好適に用いられる金属材料としては、例えば、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、鉄合金等が例示される。また、リードフレーム１０に所定の強度や耐熱性等の特性を持たせるために、上述の金属材料に、所定量の鉄、亜鉛、リン、すず、ニッケル等の添加元素を添加してもよい。

第１プレス工程Ｓ１では、例えば、素子搭載部１１の主表面に対してプレスを行い、少なくとも素子搭載部１１の主表面の一部に、第１の溝２１を形成する。具体的には、例えば、山型の加工刃が所定の間隔で平行に並んだ金型を、素子搭載部１１の主表面に押し当てることによって、第１の溝２１を形成する。

第１プレス工程Ｓ１では、素子搭載部１１の主表面の平面度をできるだけ小さくするように、第１の溝２１を形成する方向を定める。ここで、一般にプレス加工を行うと、リードフレーム１０に反りが発生するが、第１の溝２１をどの方向に形成するかによって、第１プレス工程Ｓ１後の反りの大きさが異なる。すなわち、リードフレーム１０の製品形状等を考慮して、反りができるだけ小さくなるように、第１の溝２１を形成する方向を定める。具体的には、例えば、素子搭載部１１の片持ち支持の伸びる方向、すなわち、素子搭載部１１の支持端と自由端とを結ぶ仮想直線に沿った方向へ、第１の溝２１を形成する。これにより、リードフレーム１０の反りを低減することができる。

（第２プレス工程Ｓ２）
第２プレス工程Ｓ２では、例えば、素子搭載部１１の主表面に対してプレスを行い、第１の溝２１と交差（または直交）する第２の溝２２を形成する。すなわち、第１の溝２１と第２の溝２２とを、例えば、格子状に形成する。第２プレス工程Ｓ２で使用する金型は、第１プレス工程Ｓ１にて用いた金型を使用してもよい。

図５は、第２プレス工程Ｓ２後の交差部Ｚ１を拡大した平面写真である。図５に示すように、第２プレス工程Ｓ２では、第２の溝２２によって第１の溝２１を押し潰し、第１の溝２１を分断するようにプレスを行う。これにより、第１プレス工程Ｓ１後に残留した応力（以下、残留応力という）とは異なる方向の応力が生じ、残留応力を緩和（または相殺）することができる。そのため、リードフレーム１０の反りを低減することができる。すなわち、素子搭載部１１の主表面の平面度を、第２プレス工程Ｓ２前よりも小さくすることができる。

（第３プレス工程Ｓ３）
第３プレス工程Ｓ３では、例えば、第１プレス工程Ｓ１において第１の溝２１を形成した位置と同じ位置に対して、再びプレスを行う。第３プレス工程Ｓ３で使用する金型は、第１プレス工程Ｓ１または第２プレス工程Ｓ２にて用いた金型を使用してもよい。

第３プレス工程Ｓ３では、第２プレス工程Ｓ２にて分断された第１の溝２１を結合させるようにプレスを行う。つまり、第３プレス工程Ｓ３後の交差部Ｚ１を、図３に示したような態様にする。これにより、第２プレス工程Ｓ２後の残留応力とは異なる方向の応力が生じ、残留応力を緩和することができる。そのため、リードフレーム１０の反りを低減することができる。すなわち、素子搭載部１１の主表面の平面度を、第３プレス工程Ｓ３前よりも小さくすることができる。

第３プレス工程Ｓ３では、第２プレス工程Ｓ２にて、第２の溝２２によって押し潰された部分を、再度第１の溝２１に沿った方向へ押し潰すようにプレスを行う。そのため、図３に示したように、第１の溝２１のエッジ２３は、第２プレス工程Ｓ２にて変形した部分が真っ直ぐに戻り、幾何学的直線形状を有する。そのため、交差部Ｚ１における、第１の溝２１の幅ｗ_１と、第２の溝２２の幅ｗ_２とは等しくなる。また、第１の溝２１と第２の溝２２との境界部２５は、第１の溝２１に沿った方向へ押し潰され、例えば、交差部Ｚ１の中心に向かって、第１の溝２１に沿った方向へ凸の円弧状に湾曲する。

ここで、比較形態を例示し、本実施形態のリードフレーム１０およびその製造方法の特徴をさらに明確に示す。

図６（ａ）は、比較形態１における交差部Ｚ１を拡大した平面写真である。図６（ｂ）は、比較形態２における交差部Ｚ１を拡大した平面図である。比較形態１は、例えば、第３プレス工程Ｓ３を行わず、第１プレス工程Ｓ１と、第２プレス工程Ｓ２にて格子状の複数の溝２０を形成した場合である。比較形態２は、例えば、第２プレス工程Ｓ２および第３プレス工程Ｓ３を行わず、第１プレス工程Ｓ１にて、格子状の加工刃のついた金型によって、格子状の複数の溝２０を一度に形成した場合である。

図６（ａ）に示すように、比較形態１では、第１の溝２１のエッジ２３は、第２の溝２２によって押し潰されるため、変形しており、幾何学的直線形状を有していない。また、第１の溝２１の幅ｗ_１と、第２の溝２２の幅ｗ_２とは異なる値となっている。具体的には、例えば、第１の溝２１の幅ｗ_１は、第２の溝２２の幅ｗ_２より小さい。そのため、比較形態１では、リードフレーム１０に残留応力が残りやすく、リードフレーム１０の反りが大きくなってしまう可能性がある。

また、図６（ｂ）に示すように、比較形態２では、第１の溝２１と第２の溝２２とを同時に形成するため、角部Ｚ２が変形して丸まっており、幾何学的角形状を有していない。つまり、角部Ｚ２が幾何学的角形状を有していない場合、複数の溝２０を形成するために複数回のプレスを行っていないといえる。この場合、複数の溝２０を一度に形成するため、リードフレーム１０の残留応力が緩和され難い。そのため、比較形態２では、リードフレーム１０に残留応力が残りやすく、リードフレーム１０の反りが大きくなってしまう可能性がある。

一方、本実施形態では、第３プレス工程Ｓ３にて、敢えて第１の溝２１と同じ位置に対してプレスを行うことによって、上述の問題を解決している。すなわち、第１の溝２１のエッジ２３と第２の溝２２のエッジ２４とが幾何学的直線形状を有し、角部Ｚ２が幾何学的角形状を有し、第１の溝２１の幅ｗ_１と第２の溝２２の幅ｗ_２とが等しくなるようにプレスを行っている。これにより、リードフレーム１０の残留応力が緩和されるため、リードフレーム１０の反りを低減することができる。

本実施形態のリードフレーム１０の製造方法では、上述の第１プレス工程Ｓ１と、第２プレス工程Ｓ２と、第３プレス工程Ｓ３とを、順に行うことによって、リードフレーム１０の反りを低減しつつ、リードフレーム１０と封止樹脂との密着性を向上させることができる。

本実施形態のリードフレーム１０の製造方法では、第２プレス工程Ｓ２におけるプレス深さｄ_２は、第１プレス工程Ｓ１におけるプレス深さｄ_１よりも大きくすることが好ましい。また、第３プレス工程Ｓ３におけるプレス深さｄ_３は、プレス深さｄ_２よりも大きくすることが好ましい。つまり、プレス深さｄ_１＜プレス深さｄ_２＜プレス深さｄ_３の関係になるように、各工程のプレス深さを制御することが好ましい。これにより、リードフレーム１０の残留応力が効率よく緩和されるため、リードフレーム１０の反りを効率よく低減することができる。なお、本明細書における「プレス深さ」とは、例えば、複数の溝２０を形成する際に金型を押し込む深さであり、複数の溝２０の深さと言い換えることができる。

（洗浄工程Ｓ４）
洗浄工程Ｓ４では、リードフレーム１０を洗浄、乾燥して、格子状の複数の溝２０が形成されたリードフレーム１０を得る。

（打ち抜き工程Ｓ５）
打ち抜き工程Ｓ５では、格子状の複数の溝２０が形成されたリードフレーム１０を所定の形状に打ち抜き加工する。なお、必要に応じて、例えば、リードフレーム１０の一部を所定の形状に曲げる曲げ加工等を行ってもよい。また、その後に再度リードフレーム１０の洗浄を行ってもよい。

（検査・梱包工程Ｓ６）
検査・梱包工程Ｓ６では、まず、リードフレーム１０の外観検査を実施する。外観検査では、例えば、リードフレーム１０に傷や変形、凹み等がないか検査する。次に、リードフレーム１０の梱包を実施する。リードフレーム１０の梱包は、外観検査で良品と判断したリードフレーム１０を、例えば、所定の個数ずつ梱包用の容器に収納することで行う。

以上の工程により、完成品のリードフレーム１０が製造される。

（３）本実施形態に係る効果
本実施形態によれば、以下に示す１つまたは複数の効果を奏する。

（ａ）本実施形態のリードフレーム１０は、複数の溝２０が形成されている面を有している。これにより、リードフレーム１０と封止樹脂との密着性を向上させることができる。また、少なくとも素子搭載部１１の主表面の一部に格子状の複数の溝２０が形成されていることで、半導体素子の剥離を抑制することができる。

ここで、従来のリードフレームは、封止樹脂との密着性を向上させるために、深い溝を形成した場合、リードフレームの反りが大きくなってしまうという問題があった。

例えば、上述の比較形態１のように、第１プレス工程Ｓ１と、第２プレス工程Ｓ２にて格子状の複数の溝２０を形成し、第３プレス工程Ｓ３を行わなかった場合、リードフレーム１０に残留応力が残りやすく、リードフレーム１０の反りが大きくなってしまう可能性がある。

また、例えば、上述の比較形態２のように、第１プレス工程Ｓ１にて、格子状の加工刃のついた金型によって、格子状の複数の溝２０を一度に形成した場合も、リードフレーム１０に残留応力が残りやすく、リードフレーム１０の反りが大きくなってしまう可能性がある。

これに対し、本実施形態では、第３プレス工程Ｓ３にて、敢えて第１の溝２１と同じ位置に対してプレスを行うことによって、上述の問題を解決している。すなわち、第１の溝２１のエッジ２３と第２の溝２２のエッジ２４とが幾何学的直線形状を有し、角部Ｚ２が幾何学的角形状を有し、第１の溝２１の幅ｗ_１と第２の溝２２の幅ｗ_２とが等しくなるようにプレスを行っている。これにより、リードフレーム１０の残留応力が緩和されるため、リードフレーム１０の反りを低減することができる。具体的には、例えば、素子搭載部１１の主表面の平面度を０．１５ｍｍ以下にすることができる。その結果、リードフレーム１０の反りを低減しつつ、封止樹脂との密着性を向上させることが可能となる。

（ｂ）本実施形態では、第１の溝２１の側面の算術平均粗さＲａ_１または第２の溝２２の側面の算術平均粗さＲａ_２の少なくともいずれかは、例えば、０．２５μｍ以上であることが好ましい。これにより、リードフレーム１０と封止樹脂との密着性を向上させることができる。

（ｃ）本実施形態では、第２プレス工程Ｓ２にて、第２の溝２２によって、第１の溝２１を分断している。また、第３プレス工程Ｓ３にて、分断された第１の溝２１を結合させている。これらにより、リードフレーム１０の残留応力が緩和されるため、リードフレーム１０の反りを低減することができる。

（ｄ）本実施形態では、第２プレス工程Ｓ２におけるプレス深さｄ_２は、第１プレス工程Ｓ１におけるプレス深さｄ_１よりも大きくすることが好ましい。また、第３プレス工程Ｓ３におけるプレス深さｄ_３は、プレス深さｄ_２よりも大きくすることが好ましい。これにより、リードフレーム１０の残留応力が効率よく緩和されるため、リードフレーム１０の反りを効率よく低減することができる。

（ｅ）本実施形態では、第１プレス工程Ｓ１にて、素子搭載部１１の主表面の平面度をできるだけ小さくするように、第１の溝２１を形成する方向を定める。すなわち、リードフレーム１０の製品形状等を考慮して、反りができるだけ小さくなるように、第１の溝２１を形成する方向を定める。具体的には、例えば、素子搭載部１１の片持ち支持の伸びる方向、すなわち、素子搭載部１１の支持端と自由端とを結ぶ仮想直線に沿った方向へ、第１の溝２１を形成する。これにより、リードフレーム１０の反りを低減することができる。

＜本発明の他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態について具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。

例えば、上述の実施形態では、複数の溝２０がＶ溝である場合について説明したが、複数の溝２０は、例えば、断面形状がＵ字形状であってもよいし、角溝状であってもよい。

例えば、上述の実施形態では、素子搭載部１１の主表面に複数の溝２０を形成する場合について説明したが、素子搭載部１１の主表面以外の面に複数の溝２０を形成してもよい。例えば、リードフレーム１０の裏面に複数の溝２０を形成してもよいし、リードフレーム１０の両面に複数の溝２０を形成してもよい。

例えば、上述の実施形態では、複数の溝２０を形成するために３回のプレス工程を行う場合について説明したが、複数の溝２０を形成するために４回以上のプレス工程を行ってもよい。また、複数の溝２０を形成する以外に、例えば、リードフレーム１０を所定の形状に加工するために別途プレス工程を行ってもよい。

＜本発明の好ましい態様＞
以下、本発明の好ましい態様を付記する。

（付記１）
本発明の一態様によれば、
半導体素子が搭載される素子搭載部を有するリードフレームであって、
格子状の複数の溝が形成されている面を有し、
前記素子搭載部の主表面の平面度が０．１５ｍｍ以下であるリードフレームが提供される。

（付記２）
付記１に記載のリードフレームであって、
少なくとも前記素子搭載部の前記主表面の一部に前記複数の溝が形成されている。

（付記３）
付記１または付記２に記載のリードフレームであって、
前記複数の溝は、第１の溝と、前記第１の溝と交差する第２の溝とを有し、
前記複数の溝が形成されている面を平面視した際に、前記第１の溝のエッジと、前記第２の溝のエッジとは、幾何学的直線形状をそれぞれ有し、
前記第１の溝のエッジと、前記第２の溝のエッジとが交わる角部は、幾何学的角形状を有する。

（付記４）
付記３に記載のリードフレームであって、
前記幾何学的直線形状は、真直度が２０μｍ以下（好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下）の直線形状である。

（付記５）
付記３または付記４に記載のリードフレームであって、
前記幾何学的角形状は、曲率半径が２０μｍ以下（好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下）の角形状である。

（付記６）
付記１から付記５のいずれか１つに記載のリードフレームであって、
前記複数の溝は、第１の溝と、前記第１の溝と交差する第２の溝とを有し、
前記第１の溝と前記第２の溝とが交差している交差部を平面視した際に、前記第１の溝と前記第２の溝との境界部の少なくとも一部は湾曲しており、
前記交差部における、前記第１の溝の幅ｗ_１と前記第２の溝の幅ｗ_２とが等しい。

（付記７）
付記１から付記６のいずれか１つに記載のリードフレームであって、
前記複数の溝は、第１の溝と、前記第１の溝と交差する第２の溝とを有し、
前記第１の溝の側面の算術平均粗さＲａ_１または前記第２の溝の側面の算術平均粗さＲａ_２の少なくともいずれかは０．２５μｍ以上である。

（付記８）
本発明の他の態様によれば、
半導体素子が搭載される素子搭載部を有するリードフレームの製造方法であって、
前記素子搭載部が有する面に対して、プレスを行うことによって第１の溝を形成する第１プレス工程と、
前記第１プレス工程において前記第１の溝を形成した面に対して、プレスを行うことによって前記第１の溝と交差する第２の溝を形成する第２プレス工程と、
前記第１プレス工程において前記第１の溝を形成した位置と同じ位置に対して、再びプレスを行う第３プレス工程と、を有し、
前記第１の溝と前記第２の溝とを格子状に形成するリードフレームの製造方法が提供される。

（付記９）
付記８に記載のリードフレームの製造方法であって、
前記第２プレス工程では、前記第２の溝によって前記第１の溝を分断し、
前記第３プレス工程では、分断された前記第１の溝を結合させる。

（付記１０）
付記８または付記９に記載のリードフレームの製造方法であって、
前記第２プレス工程では、前記第１の溝を形成した面の平面度を、前記第２プレス工程前の前記平面度より小さくし、
前記第３プレス工程では、前記平面度を、前記第３プレス工程前の前記平面度より小さくする。

（付記１１）
付記８から付記１０のいずれか１つに記載のリードフレームの製造方法であって、
前記第２プレス工程におけるプレス深さｄ_２は、前記第１プレス工程におけるプレス深さｄ_１よりも大きくし、
前記第３プレス工程におけるプレス深さｄ_３は、前記プレス深さｄ_２よりも大きくする。

（付記１２）
付記８から付記１１のいずれか１つに記載のリードフレームの製造方法であって、
前記第１プレス工程では、前記第１の溝を形成する面の平面度を小さくするように、前記第１の溝を形成する方向を定める。
好ましくは、前記素子搭載部の片持ち支持の伸びる方向に前記第１の溝を形成する。

１０ リードフレーム
１１ 素子搭載部
１２ 支持部
２０ 溝
２１ 第１の溝
２２ 第２の溝
２３ エッジ
２４ エッジ
２５ 境界部
Ｚ１ 交差部
Ｚ２ 角部
Ｓ１ 第１プレス工程
Ｓ２ 第２プレス工程
Ｓ３ 第３プレス工程
Ｓ４ 洗浄工程
Ｓ５ 打ち抜き工程
Ｓ６ 点検・梱包工程

Claims (10)

1. 半導体素子が搭載される素子搭載部を有するリードフレームであって、
   格子状の複数の溝が形成されている面を有し、
   前記素子搭載部の主表面の平面度が０．１５ｍｍ以下であるリードフレーム。
2. 少なくとも前記素子搭載部の前記主表面の一部に前記複数の溝が形成されている請求項１に記載のリードフレーム。
3. 前記複数の溝は、第１の溝と、前記第１の溝と交差する第２の溝とを有し、
   前記複数の溝が形成されている面を平面視した際に、前記第１の溝のエッジと、前記第２の溝のエッジとは、幾何学的直線形状をそれぞれ有し、
   前記第１の溝のエッジと、前記第２の溝のエッジとが交わる角部は、幾何学的角形状を有する請求項１または請求項２に記載のリードフレーム。
4. 前記複数の溝は、第１の溝と、前記第１の溝と交差する第２の溝とを有し、
   前記第１の溝と前記第２の溝とが交差している交差部を平面視した際に、前記第１の溝と前記第２の溝との境界部の少なくとも一部は湾曲しており、
   前記交差部における、前記第１の溝の幅ｗ_１と前記第２の溝の幅ｗ_２とが等しい請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のリードフレーム。
5. 前記複数の溝は、第１の溝と、前記第１の溝と交差する第２の溝とを有し、
   前記第１の溝の側面の算術平均粗さＲａ_１または前記第２の溝の側面の算術平均粗さＲａ_２の少なくともいずれかは０．２５μｍ以上である請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のリードフレーム。
6. 半導体素子が搭載される素子搭載部を有するリードフレームの製造方法であって、
   前記素子搭載部が有する面に対して、プレスを行うことによって第１の溝を形成する第１プレス工程と、
   前記第１プレス工程において前記第１の溝を形成した面に対して、プレスを行うことによって前記第１の溝と交差する第２の溝を形成する第２プレス工程と、
   前記第１プレス工程において前記第１の溝を形成した位置と同じ位置に対して、再びプレスを行う第３プレス工程と、を有し、
   前記第１の溝と前記第２の溝とを格子状に形成するリードフレームの製造方法。
7. 前記第２プレス工程では、前記第２の溝によって前記第１の溝を分断し、
   前記第３プレス工程では、分断された前記第１の溝を結合させる請求項６に記載のリードフレームの製造方法。
8. 前記第２プレス工程では、前記第１の溝を形成した面の平面度を、前記第２プレス工程前の前記平面度より小さくし、
   前記第３プレス工程では、前記平面度を、前記第３プレス工程前の前記平面度より小さくする請求項６または請求項７に記載のリードフレームの製造方法。
9. 前記第２プレス工程におけるプレス深さｄ_２は、前記第１プレス工程におけるプレス深さｄ_１よりも大きくし、
   前記第３プレス工程におけるプレス深さｄ_３は、前記プレス深さｄ_２よりも大きくする請求項６から請求項８のいずれか１項に記載のリードフレームの製造方法。
10. 前記第１プレス工程では、前記第１の溝を形成する面の平面度を小さくするように、前記第１の溝を形成する方向を定める請求項６から請求項９のいずれか１項に記載のリードフレームの製造方法。

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