JPH05218275A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
- Publication number
- JPH05218275A JPH05218275A JP4048084A JP4808492A JPH05218275A JP H05218275 A JPH05218275 A JP H05218275A JP 4048084 A JP4048084 A JP 4048084A JP 4808492 A JP4808492 A JP 4808492A JP H05218275 A JPH05218275 A JP H05218275A
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- JP
- Japan
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- island
- lead frame
- dimple
- warp
- dimples
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、リードフレームと封止材の密着性
が高く、生産性に優れ、かつ、ディンプル加工によるア
イランドの反りを無くすことを目的とする。 【構成】 本発明の半導体装置用リードフレームは、ア
イランド片面に、リードフレームの板厚の２／３程度
（５０〜１５０μｍ）の深さにプレス成形された多数の
ディンプルが形成された構成を有する。
が高く、生産性に優れ、かつ、ディンプル加工によるア
イランドの反りを無くすことを目的とする。 【構成】 本発明の半導体装置用リードフレームは、ア
イランド片面に、リードフレームの板厚の２／３程度
（５０〜１５０μｍ）の深さにプレス成形された多数の
ディンプルが形成された構成を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置を製造するた
めの半導体装置用リードフレームに関し、特に、半導体
チップを組み付けるアイランド部にディンプル加工を施
して、樹脂密着性を向上させた半導体装置用リードフレ
ームに関する。
めの半導体装置用リードフレームに関し、特に、半導体
チップを組み付けるアイランド部にディンプル加工を施
して、樹脂密着性を向上させた半導体装置用リードフレ
ームに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体チップの小型軽量化に伴
い、リードフレームも同様にコンパクト化の傾向にあ
る。また、このような半導体チップにおいては、封止効
率の向上による信頼性向上が要求される。
い、リードフレームも同様にコンパクト化の傾向にあ
る。また、このような半導体チップにおいては、封止効
率の向上による信頼性向上が要求される。
【０００３】このため、従来より、リードフレームのア
イランド（半導体チップをチップボンドするための部
分）に凹部（ディンプル）を形成することによって、モ
ールド成形時に封止材を当該凹部に入り込ませて、封止
材をリードフレームに喰い付かせて密着性を向上させて
いる。
イランド（半導体チップをチップボンドするための部
分）に凹部（ディンプル）を形成することによって、モ
ールド成形時に封止材を当該凹部に入り込ませて、封止
材をリードフレームに喰い付かせて密着性を向上させて
いる。
【０００４】図８には、従来のリードフレームのアイラ
ンドの平面状態が示されている。図から分かるように、
従来のリードフレームにおいては、アイランド部１２の
片面に、最大１５μｍの深さにプレス成形されたディン
プル１１が略均一に形成されている。これにより、モー
ルド成形時に封止材（図示せず）がディンプル１１の凹
部に入り込み、リードフレームと封止材が喰い付き、密
着性が向上する。リードフレームと封止材の密着性は、
ディンプル１１の深さを大きくして表面積を大きくする
ほど、その効果が大になる。
ンドの平面状態が示されている。図から分かるように、
従来のリードフレームにおいては、アイランド部１２の
片面に、最大１５μｍの深さにプレス成形されたディン
プル１１が略均一に形成されている。これにより、モー
ルド成形時に封止材（図示せず）がディンプル１１の凹
部に入り込み、リードフレームと封止材が喰い付き、密
着性が向上する。リードフレームと封止材の密着性は、
ディンプル１１の深さを大きくして表面積を大きくする
ほど、その効果が大になる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の方式では、ディンプル加工時の加工歪がア
イランドに残留歪として残り、ディンプル加工側に凸状
の反りが発生するという問題点があった。すなわち、一
般にアイランドの反りは、実用上Ｘ軸，Ｙ軸共に２０μ
ｍ以下に抑える必要があるのに対し、従来のリードフレ
ームの反りは、ディンプル深さを３０μｍとした場合に
Ｘ軸２０〜３０μｍ，Ｙ軸７０〜１００μｍ、ディンプ
ル深さを５〜１０μｍとした場合にＸ軸１０〜２０μ
ｍ，Ｙ軸３０〜４０μｍとなる。
ような従来の方式では、ディンプル加工時の加工歪がア
イランドに残留歪として残り、ディンプル加工側に凸状
の反りが発生するという問題点があった。すなわち、一
般にアイランドの反りは、実用上Ｘ軸，Ｙ軸共に２０μ
ｍ以下に抑える必要があるのに対し、従来のリードフレ
ームの反りは、ディンプル深さを３０μｍとした場合に
Ｘ軸２０〜３０μｍ，Ｙ軸７０〜１００μｍ、ディンプ
ル深さを５〜１０μｍとした場合にＸ軸１０〜２０μ
ｍ，Ｙ軸３０〜４０μｍとなる。
【０００６】上記のようなアイランドの反りは、反対方
向に突起物を設けた修正駒で強制的に修正することも可
能であるが、修正可能な反り量は３０〜４０μｍが限界
であるため、ディンプル深さ５〜１０μｍの場合の修正
後のアイランドの反りは、一般的にＸ軸１０μｍ，Ｙ軸
２０μｍ程度が限界とされている。
向に突起物を設けた修正駒で強制的に修正することも可
能であるが、修正可能な反り量は３０〜４０μｍが限界
であるため、ディンプル深さ５〜１０μｍの場合の修正
後のアイランドの反りは、一般的にＸ軸１０μｍ，Ｙ軸
２０μｍ程度が限界とされている。
【０００７】そして、上記のようなアイランドの反り
は、チップボンディング不良や、ワイヤボンディング不
良，封止不良等を引き起こす原因となっていた。
は、チップボンディング不良や、ワイヤボンディング不
良，封止不良等を引き起こす原因となっていた。
【０００８】他方、上記のような問題を解決する手段と
して、図９に示されているように、リードフレームのア
イランド部１２の両面にディンプル１１を形成し、アイ
ランド表面の残留歪を表裏で打ち消すことにより、反り
を減少させる方法もあるが、プレス加工時のバラツキに
より量産上安定した品質を得るのは困難である。
して、図９に示されているように、リードフレームのア
イランド部１２の両面にディンプル１１を形成し、アイ
ランド表面の残留歪を表裏で打ち消すことにより、反り
を減少させる方法もあるが、プレス加工時のバラツキに
より量産上安定した品質を得るのは困難である。
【０００９】また、ディンプルの加工方法としては、プ
レス加工の他にエッチング加工による方法もあり、エッ
チング加工によれば加工歪の影響が小さく所望の形状，
深さのディンプルを形成することが可能であるが、製造
工程が複雑となり生産性が低下するという不都合があ
る。
レス加工の他にエッチング加工による方法もあり、エッ
チング加工によれば加工歪の影響が小さく所望の形状，
深さのディンプルを形成することが可能であるが、製造
工程が複雑となり生産性が低下するという不都合があ
る。
【００１０】従って、本発明の目的はリードフレームと
封止材の密着性が高く、生産性に優れ、かつ、ディンプ
ル加工によるアイランドの反りがない半導体装置用リー
ドフレームをを提供することである。
封止材の密着性が高く、生産性に優れ、かつ、ディンプ
ル加工によるアイランドの反りがない半導体装置用リー
ドフレームをを提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点に鑑
み、リードフレームと封止材の密着性が高く、生産性に
優れ、かつ、ディンプル加工によるアイランドの反りを
無くすため、アイランドの片面に、リードフレームの板
厚の２／３程度（５０〜１５０μｍ）の深さにプレス成
形された多数のディンプル（凹部）が形成された半導体
装置用リードフレームを提供するものである。
み、リードフレームと封止材の密着性が高く、生産性に
優れ、かつ、ディンプル加工によるアイランドの反りを
無くすため、アイランドの片面に、リードフレームの板
厚の２／３程度（５０〜１５０μｍ）の深さにプレス成
形された多数のディンプル（凹部）が形成された半導体
装置用リードフレームを提供するものである。
【００１２】
【作用】アイランドの反りは、ディンプの深さが大きく
なるにつれて増大するが、その深さが４０〜５０μｍを
超えると減少する傾向にある。この理由としては、ディ
ンプルの深さを大にすると、ディンプル加工によって形
成されたディンプル外周の盛り上り部が比例して大きく
なり、これが金型で平打ちされて曲げ加工を受けると、
アイランドに反りと逆方向の力を与えるからである。こ
のため、上記のようにアイランドの片面に形成するディ
ンプルの深さを、リードフレームの板厚の２／３程度
（５０〜１５０μｍ）にすると、アイランドの反りを緩
和することができる。従って、ディンプル加工後に、修
正駒と受駒等によって若干の修正を加えることにより、
アイランド部の反りが殆どなくなる。
なるにつれて増大するが、その深さが４０〜５０μｍを
超えると減少する傾向にある。この理由としては、ディ
ンプルの深さを大にすると、ディンプル加工によって形
成されたディンプル外周の盛り上り部が比例して大きく
なり、これが金型で平打ちされて曲げ加工を受けると、
アイランドに反りと逆方向の力を与えるからである。こ
のため、上記のようにアイランドの片面に形成するディ
ンプルの深さを、リードフレームの板厚の２／３程度
（５０〜１５０μｍ）にすると、アイランドの反りを緩
和することができる。従って、ディンプル加工後に、修
正駒と受駒等によって若干の修正を加えることにより、
アイランド部の反りが殆どなくなる。
【００１３】一方、ディンプルはリードフレームの板厚
の２／３（５０〜１５０μｍ）と、従来の約１０倍の深
さに成形しているため、封止材との密着性も高い。ま
た、ディンプルはアイランドの片面にプレス加工によっ
て成形されるため、１回のプレス工程によって容易に形
成することができる。
の２／３（５０〜１５０μｍ）と、従来の約１０倍の深
さに成形しているため、封止材との密着性も高い。ま
た、ディンプルはアイランドの片面にプレス加工によっ
て成形されるため、１回のプレス工程によって容易に形
成することができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の半導体装置用リードフレーム
について添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
について添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１５】図１には実施例に係るリードフレーム１０
の全体の構造が示され、図２には、リードフレーム１０
の中央に形成されたアイランド１２の表面状態が示され
ている。
の全体の構造が示され、図２には、リードフレーム１０
の中央に形成されたアイランド１２の表面状態が示され
ている。
【００１６】尚、図１においては、リードフレーム１０
としての通常のデュアル・インライン・パッケージ（Ｄ
ＩＰ）タイプを一例として示すが、半導体の用途によっ
て種々の形状のリードフレーム，及びアイランド形状と
なることはいうまでもない。
としての通常のデュアル・インライン・パッケージ（Ｄ
ＩＰ）タイプを一例として示すが、半導体の用途によっ
て種々の形状のリードフレーム，及びアイランド形状と
なることはいうまでもない。
【００１７】アイランド１２の片面には、後述する第１
ディンプル加工，及び第２のディンプル加工によって複
数のディンプル１４が形成されている。この複数のディ
ンプル１４は、アイランド成形打抜きの前，或いは後に
ディンプル・コイニング加工を行うことによって形成さ
れる。成形されるディンプル１４の形状は、図３に示す
ような円錐形や、四角錐形等の凹形状であり、リードフ
レームの板厚の２／３程度の深さ（５０〜１５０μｍ）
を有している。
ディンプル加工，及び第２のディンプル加工によって複
数のディンプル１４が形成されている。この複数のディ
ンプル１４は、アイランド成形打抜きの前，或いは後に
ディンプル・コイニング加工を行うことによって形成さ
れる。成形されるディンプル１４の形状は、図３に示す
ような円錐形や、四角錐形等の凹形状であり、リードフ
レームの板厚の２／３程度の深さ（５０〜１５０μｍ）
を有している。
【００１８】図４には、第１ディンプル加工によって形
成されたアイランド１２のディンプル配置構造が示され
ており、最初、この加工で配置密度が低い複数のディン
プル１４が形成される。この後、第２のディンプル加工
が施され、図２に示すようなディンプル配置構造とされ
る。また、ディンプル数によっては、第３ディンプル加
工，第４ディンプル加工を施すことも可能である。
成されたアイランド１２のディンプル配置構造が示され
ており、最初、この加工で配置密度が低い複数のディン
プル１４が形成される。この後、第２のディンプル加工
が施され、図２に示すようなディンプル配置構造とされ
る。また、ディンプル数によっては、第３ディンプル加
工，第４ディンプル加工を施すことも可能である。
【００１９】上記のように構成された半導体装置用リー
ドフレームは、アイランド１２の片面に、リードフレー
ムの板厚の２／３程度の深さ（５０〜１５０μｍ）にプ
レス成形されたディンプル１４が形成されているため、
アイランド１２の反りが大幅に緩和されている。
ドフレームは、アイランド１２の片面に、リードフレー
ムの板厚の２／３程度の深さ（５０〜１５０μｍ）にプ
レス成形されたディンプル１４が形成されているため、
アイランド１２の反りが大幅に緩和されている。
【００２０】次に、この理由について図５，及び図６を
参照しながら説明する。図５には、ディンプル１４の深
さとアイランド１２の反り量の関係が示されている（実
線Ａは銅系素材を、点線Ｂは鉄系素材をそれぞれ示
す）。このグラフから分かるように、アイランド１２の
反り量は、ディンプル１４の深さが大きくなるにつれて
増大するが、その深さが４０〜５０μｍを超えると減少
する傾向にある。この理由としては、図６のディンプル
１４の断面構造に示されているディンプル外周の盛り上
がり部２３の大きさに起因している。盛り上り部２３は
金型で平打ちされ、曲げ加工を受けると、アイランド１
２に反りと逆方向の力を与えるため、ディンプル１４の
深さを大にして盛り上がり部２３を大にすれば、アイラ
ンド１２の反りを矯正する力が大きくなる。このため、
上記のようにアイランドの片面に形成するディンプルの
深さを、リードフレームの板厚の２／３程度（５０〜１
５０μｍ）にすると、アイランドの反りを緩和すること
ができる。従って、ディンプル加工後に、修正駒と受駒
等によって若干の修正を加えることにより、アイランド
部の反りが殆ど無くすことができる。
参照しながら説明する。図５には、ディンプル１４の深
さとアイランド１２の反り量の関係が示されている（実
線Ａは銅系素材を、点線Ｂは鉄系素材をそれぞれ示
す）。このグラフから分かるように、アイランド１２の
反り量は、ディンプル１４の深さが大きくなるにつれて
増大するが、その深さが４０〜５０μｍを超えると減少
する傾向にある。この理由としては、図６のディンプル
１４の断面構造に示されているディンプル外周の盛り上
がり部２３の大きさに起因している。盛り上り部２３は
金型で平打ちされ、曲げ加工を受けると、アイランド１
２に反りと逆方向の力を与えるため、ディンプル１４の
深さを大にして盛り上がり部２３を大にすれば、アイラ
ンド１２の反りを矯正する力が大きくなる。このため、
上記のようにアイランドの片面に形成するディンプルの
深さを、リードフレームの板厚の２／３程度（５０〜１
５０μｍ）にすると、アイランドの反りを緩和すること
ができる。従って、ディンプル加工後に、修正駒と受駒
等によって若干の修正を加えることにより、アイランド
部の反りが殆ど無くすことができる。
【００２１】ここで、アイランド反りの修正方法を簡単
に説明する。図７には、修正駒１６と受駒１８によって
アイランド１２の反りを修正している様子が示されてい
る。アイランド１２の端部を修正駒１６と受駒１８によ
って挟持し、修正駒１６の突起１６ａでアイランド１２
を反り方向と反対方向の力で押圧することにより修正し
ている。突起１６ａの高さは自由に設定することがで
き、アイランド反りの修正量は無段階で修正可能となっ
ている。この修正駒１６と受駒１８は同一金型内に組み
込み１回のプレス工程によって成形することができる。
に説明する。図７には、修正駒１６と受駒１８によって
アイランド１２の反りを修正している様子が示されてい
る。アイランド１２の端部を修正駒１６と受駒１８によ
って挟持し、修正駒１６の突起１６ａでアイランド１２
を反り方向と反対方向の力で押圧することにより修正し
ている。突起１６ａの高さは自由に設定することがで
き、アイランド反りの修正量は無段階で修正可能となっ
ている。この修正駒１６と受駒１８は同一金型内に組み
込み１回のプレス工程によって成形することができる。
【００２２】一方、ディンプルはリードフレームの板厚
の２／３（５０〜１５０μｍ）と、従来の約１０倍の深
さに成形しているため、封止材との密着性も高い。ま
た、ディンプルはアイランドの片面にプレス加工によっ
て成形されるため、１回のプレス工程によって容易に形
成することができる。
の２／３（５０〜１５０μｍ）と、従来の約１０倍の深
さに成形しているため、封止材との密着性も高い。ま
た、ディンプルはアイランドの片面にプレス加工によっ
て成形されるため、１回のプレス工程によって容易に形
成することができる。
【００２３】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、ディンプル１４の配置を放射線状等にして
も良い。また、アイランド反りの修正を同一金型内で行
わずに、ディプレス機能（アイランドをリード位置より
概ね板厚程度に下げるもの）等を持った別型に組み込ん
で行っても良い。
のではなく、ディンプル１４の配置を放射線状等にして
も良い。また、アイランド反りの修正を同一金型内で行
わずに、ディプレス機能（アイランドをリード位置より
概ね板厚程度に下げるもの）等を持った別型に組み込ん
で行っても良い。
【００１８】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明の半導体装置
用リードフレームによると、アイランドの片面に、リー
ドフレームの板厚の２／３程度（５０〜１５０μｍ）の
深さにプレス成形された多数のディンプル（凹部）が形
成されたているため、リードフレームと封止材の密着性
が高く、生産性に優れ、かつ、ディンプル加工によるア
イランドの反りを無くすことができる。
用リードフレームによると、アイランドの片面に、リー
ドフレームの板厚の２／３程度（５０〜１５０μｍ）の
深さにプレス成形された多数のディンプル（凹部）が形
成されたているため、リードフレームと封止材の密着性
が高く、生産性に優れ、かつ、ディンプル加工によるア
イランドの反りを無くすことができる。
【図１】リードフレームの全体構造を示す平面図。
【図２】本発明の実施例に係るリードフレームのアイラ
ンドのディンプル配置を示す平面図。
ンドのディンプル配置を示す平面図。
【図３】本発明の実施例に係るリードフレームのアイラ
ンドのディンプル配置を示す断面図。
ンドのディンプル配置を示す断面図。
【図４】第１ディンプル加工が施されたアイランドのデ
ィンプル配置を示す平面図。
ィンプル配置を示す平面図。
【図５】ディンプル深さとアイランド反り量の関係を表
すグラフ。
すグラフ。
【図６】ディンプルの詳細を示す断面図。
【図７】アイランド反りの修正方法を示す説明図。
【図８】従来のリードフレームのアイランドの構造を示
す平面図。
す平面図。
【図９】従来のリードフレームのアイランドの構造を示
す断面図。
す断面図。
１０ リードフレーム １１ デ
ィンプル １２ アイランド １４ デ
ィンプル １６ 修正駒 １８ 受
駒
ィンプル １２ アイランド １４ デ
ィンプル １６ 修正駒 １８ 受
駒
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体チップを組み付けるためのアイラ
ンドを有する半導体装置用リードフレームにおいて、 前記アイランドの片面に、リードフレームの板厚の２／
３程度の深さにプレス成形された多数のディンプル（凹
部）が形成されていることを特徴とする半導体装置用リ
ードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4048084A JPH05218275A (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4048084A JPH05218275A (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05218275A true JPH05218275A (ja) | 1993-08-27 |
Family
ID=12793462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4048084A Pending JPH05218275A (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05218275A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07122697A (ja) * | 1993-10-27 | 1995-05-12 | Goto Seisakusho:Kk | 半導体装置用リードフレームの反り矯正方法 |
| US6331728B1 (en) | 1999-02-26 | 2001-12-18 | Cypress Semiconductor Corporation | High reliability lead frame and packaging technology containing the same |
| JP2007305916A (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Rohm Co Ltd | リードフレームの製造方法および製造装置 |
| JP2010245417A (ja) * | 2009-04-09 | 2010-10-28 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2011146736A (ja) * | 2011-03-22 | 2011-07-28 | Rohm Co Ltd | リードフレームおよび半導体装置 |
| JP2015060916A (ja) * | 2013-09-18 | 2015-03-30 | セイコーインスツル株式会社 | 半導体装置 |
| US9882291B2 (en) | 2014-10-31 | 2018-01-30 | Yazaki Corporation | Electric wire with terminal, and method for manufacturing same |
| JP2021077718A (ja) * | 2019-11-07 | 2021-05-20 | Ｓｈプレシジョン株式会社 | リードフレームおよびリードフレームの製造方法 |
-
1992
- 1992-02-04 JP JP4048084A patent/JPH05218275A/ja active Pending
Cited By (12)
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|---|---|---|---|---|
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