JPH08204108A - 半導体装置用リードフレームおよびその製造方法 - Google Patents

半導体装置用リードフレームおよびその製造方法

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JPH08204108A
JPH08204108A JP1152295A JP1152295A JPH08204108A JP H08204108 A JPH08204108 A JP H08204108A JP 1152295 A JP1152295 A JP 1152295A JP 1152295 A JP1152295 A JP 1152295A JP H08204108 A JPH08204108 A JP H08204108A
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JP
Japan
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island
punch
recess
semiconductor device
lead frame
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Pending
Application number
JP1152295A
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English (en)
Inventor
Motoya Ishida
基哉 石田
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Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Cable Ltd filed Critical Hitachi Cable Ltd
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Publication of JPH08204108A publication Critical patent/JPH08204108A/ja
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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】アイランドの反りを大幅に低減する。 【構成】モールド樹脂と接触する側のアイランド1の片
面に凹部3を設けると共に、この凹部3に対応する凸部
7を反対面に設ける。このようにするには、ダイス5側
に凹み10を設けた金型を用いて、ポンチ4の打ち込み
によりアイランド1の片面に凹部3を形成するとき、反
対面側に凹み10内に突き出した凸部7が形成されるよ
うにする。これによりアイランド1の片面に発生する残
留圧縮応力8aが大幅に低減し、かつ反対面にも同程度
の残留圧縮応力8bが発生して応力バランスをとる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はアイランドに凹部加工を
施した半導体装置用リードフレームおよびその製造方法
に係り、特に成形加工時のアイランドの反りを改善した
ものに関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置用リードフレームには、半導
体チップを搭載するためのアイランドを有するものがあ
る。このようなリードフレームでは、モールド樹脂との
密着性を向上させるため、そのアイランドに凹部を設け
ることが行われている。図4に示すように、アイランド
1の半導体チップ搭載面と反対側の面に、ディンプルと
呼ばれる多数の凹部3を設け、ここにモールド樹脂2を
食い付かせることによって密着性を得ている。
【0003】従来、この凹部3は、図5のように、平な
面をもつダイス5でアイランド1を支持して、ポンチ4
をアイランド1に打ち込むという潰し加工により成形し
ていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、潰し加工のな
されるアイランドを平なダイス面で支持する従来の成形
加工方法では、図6のように、加工後に凹部3の形成さ
れたアイランド1の片面にのみ圧縮応力6が残るため、
アイランド1が反るという問題が発生している。これは
アイランドに半導体チップを搭載する際のボンディング
力の低下をもたらすため、絶対回避しなければならな
い。
【0005】本発明の目的は、上述した従来技術の問題
点を解消して、アイランドの反りを大幅に低減すること
が可能な半導体装置用リードフレームおよびその製造方
法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体チップ
を搭載するためのアイランドを有する半導体装置用リー
ドフレームにおいて、上記アイランドの片面に多数の凹
部を設けると共に、これらの凹部に対応する凸部を反対
面に設けたものである。
【0007】また、本発明では、通常行われているよう
に、凹部を設けた片面をモールド樹脂接触面とし、凸部
を設けた反対面を半導体チップ搭載面としてもよいが、
これを逆にして、凹部を設けた片面を半導体チップ搭載
面とし、凸部を設けた反対面をモールド樹脂接触面とし
てもよい。
【0008】また、本発明は、半導体チップを搭載する
ためのアイランドに成形加工を加える半導体装置用リー
ドフレームの製造方法において、凹部成形用のポンチ
と、該ポンチに対応する凹みを設けたダイとを備え、上
記アイランドにポンチを打ち込んでアイランドの片面に
凹部を形成するとともに、反対面に上記ポンチの打ち込
みにより上記ダイの凹み内に突き出される凸部を形成す
るようにしたものである。
【0009】
【作用】アイランドの片面に多数の凹部を設けると共
に、これらの凹部に対応する凸部を反対面に設ける成形
加工では、その成形加工をアイランドの両面に行うこと
になるので、片面のみに行う場合に比して、成形加工に
よる残留応力が低減する。また、反対面にも同程度の残
留応力が発生して、両面での応力バランスがとれるた
め、反りのないアイランドが得られる。
【0010】また、通常は凹部をモールド樹脂接触面と
するが、凸部側をモールド樹脂接触面としてもモールド
樹脂との密着性を向上することができる。
【0011】さらに、凹部成形用のポンチに対応する凹
みをダイス側に設けてアイランドの成形加工を行うと、
アイランドの片面に施される凹部加工に対応して反対面
に凸部出し加工が行われるが、凸部出し加工はせん断加
工に近いため、凹部のみを形成する潰し加工に比べ、残
留圧縮応力は大幅に低減される。しかも、反対面にも同
様のせん断加工が行われるため、片面と同程度の残留圧
縮応力が発生するから、アイランドの反りを低減するこ
とができる。
【0012】
【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。図2は、
本実施例による半導体装置用リードフレームの成形加工
後のアイランド1を示す。図2(a)に示すようにアイ
ランド1の片面には、モールド樹脂との密着性を向上す
るための多数の凹部3が設けられている。図2(b)に
示すようにアイランド1の反対面には多数の凸部7が設
けられ、それらの凸部7が設けられているアイランド1
上の各位置は、片面に設けられている凹部3の位置と1
対1に対応している。そして、凸部7と凹部3との関係
は、アイランド1の片面を潰して凹ました材料分だけ、
反対面側に凸部7が突き出した関係になっている。な
お、モールド樹脂との食い付き性という点から、樹脂と
の接触面積が大きいほど良く、そのためには凹部3を高
密度に配置する必要がある。
【0013】このようなアイランドの成形加工は、図1
に示すプレス金型を用いて行う。金型は、凹部成形用の
突起状のポンチ4がストリッパ9から出没するように設
けられ、このポンチ4に対応する凹み10がダイス5側
に設けられて構成される。ポンチ4および凹み10の形
状は任意の形状でよいが、成形加工を行う工具の製作の
しやすさから正方形とすることが好ましい。
【0014】この金型を使ってアイランド1のプレス成
形加工を行うには、アイランド1をダイス5とストリッ
パ9との間に挟み付け、ポンチ4を進出させてアイラン
ド1に打ち込み、片面に凹部3を形成するとともに、反
対面に凸部7を形成する。いわばダボ出しによりディン
プル加工を行うわけであるが、このときの成形加工は、
既述したように潰し加工よりはせん断加工に近いので、
アイランド1の凹部3の周囲に生じる下面残留圧縮応力
8aは小さく、また凸部7の周囲には下面残留圧縮応力
8aと同程度の上面残留圧縮応力8bが生じるので、応
力バランスがとれる。
【0015】このようにして成形加工したアイランドに
は、従来のような反りは観測されなかった。そのため、
アイランド1の凸部側の面に半導体チップを搭載する
際、ボンディング力の低下は生じなかった。また、アイ
ランド1の凹部側の面へのモールド樹脂の密着性も良好
であった。ここに、凹部3の深さは食い付き性の点から
10μmが下限であり、またアイランドの厚さが上限で
ある。また、凸部7の高さは凹部側の残留応力を低減す
ると共に、凹部側と同程度の残留応力を発生させる必要
上5μmが下限であり、アイランドの厚さが上限であ
る。
【0016】なお、上記実施例では、アイランドの凹部
を設けた側の面をモールド樹脂接触面とし、凸部を設け
た側の面を半導体チップ搭載面としたが、これを逆にし
てもよい。即ち、図3に示すように、半導体チップ12
の搭載側より凸部7出しを行い、突出した凸部7により
モールド樹脂2との食い付き性を向上させるようにす
る。
【0017】
【発明の効果】請求項1に記載の発明によれば、アイラ
ンドの片面に設けた凹部に対応した凸部を反対面に設け
てあるので、反りのないアイランドを得ることができ
る。
【0018】請求項2に記載の発明によれば、凸部を設
けた反対面をモールド樹脂接触面としているので、モー
ルド樹脂との密着性を高くすることができる。
【0019】請求項3に記載の発明によれば、ポンチに
対応する凹みをダイス側に設けて、凹部加工に対応した
凸部出し加工を反対面に行うようにしたので、成形加工
時のアイランドの反りを大幅に低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体装置用リードフレームの実施例
を説明するためのアイランドの成形加工の断面図であ
る。
【図2】本実施例の凸部出しを行ったアイランドの斜視
図である。
【図3】本発明の変形例を示すアイランドの断面図であ
る。
【図4】従来例の凹部加工を施したアイランドをモール
ド樹脂で封止した断面図である。
【図5】従来例のアイランドの凹部加工の断面図であ
る。
【図6】従来例のアイランドの反りのメカニズムを示す
断面図である。
【符号の説明】
1 アイランド 2 モールド樹脂 3 凹部 4 ポンチ 5 ダイス 7 凸部 10 凹み

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体チップを搭載するためのアイランド
    を有する半導体装置用リードフレームにおいて、上記ア
    イランドの片面に多数の凹部を設けると共に、これらの
    凹部に対応する凸部を反対面に設けたことを特徴とする
    半導体装置用リードフレーム。
  2. 【請求項2】上記凹部を設けた片面を半導体チップ搭載
    面とし、凸部を設けた反対面をモールド樹脂接触面とし
    たことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置用リー
    ドフレーム。
  3. 【請求項3】半導体チップを搭載するためのアイランド
    に成形加工を加える半導体装置用リードフレームの製造
    方法において、凹部成形用のポンチと、該ポンチに対応
    する凹みを設けたダイスとを備え、上記アイランドにポ
    ンチを打ち込んでアイランドの片面に凹部を形成すると
    ともに、反対面に上記ポンチの打ち込みにより上記ダイ
    の凹み内に突き出される凸部を形成するようにしたこと
    を特徴とする半導体装置用リードフレームの製造方法。
JP1152295A 1995-01-27 1995-01-27 半導体装置用リードフレームおよびその製造方法 Pending JPH08204108A (ja)

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