JP2809709B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP2809709B2 JP2809709B2 JP15188089A JP15188089A JP2809709B2 JP 2809709 B2 JP2809709 B2 JP 2809709B2 JP 15188089 A JP15188089 A JP 15188089A JP 15188089 A JP15188089 A JP 15188089A JP 2809709 B2 JP2809709 B2 JP 2809709B2
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- lead frame
- semiconductor device
- resin
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、樹脂モールドによる半導体素子載置部下部
のモールド樹脂厚の薄い半導体装置に関するものであ
り、特に受発光素子間のギャップを一定に保ち、ばらつ
きを低減し、歩留まり向上した光結合素子に有効であ
る。
のモールド樹脂厚の薄い半導体装置に関するものであ
り、特に受発光素子間のギャップを一定に保ち、ばらつ
きを低減し、歩留まり向上した光結合素子に有効であ
る。
従来の技術 以下に、従来の光結合半導体装置について説明する。
第５図は従来の光結合半導体装置の断面図で、リードフ
レーム１に発光素子２が、リードフレーム３に受光素子
４が、相対向して装着されている。受光素子２と、リー
ドフレーム１との間には、ワイヤー５が、まだ受光素子
４とリードフレーム３との間にはワイヤー６がそれぞれ
接続されている。そして、リードフレーム1,3、発光素
子2,受光素子４およびワイヤー5,6を透過率の良好な一
次モールド樹脂７により封止し、一体化しており、さら
に、前記一次モールド樹脂７を外部光を遮断するための
黒色の二次モールド樹脂８により包囲している。
第５図は従来の光結合半導体装置の断面図で、リードフ
レーム１に発光素子２が、リードフレーム３に受光素子
４が、相対向して装着されている。受光素子２と、リー
ドフレーム１との間には、ワイヤー５が、まだ受光素子
４とリードフレーム３との間にはワイヤー６がそれぞれ
接続されている。そして、リードフレーム1,3、発光素
子2,受光素子４およびワイヤー5,6を透過率の良好な一
次モールド樹脂７により封止し、一体化しており、さら
に、前記一次モールド樹脂７を外部光を遮断するための
黒色の二次モールド樹脂８により包囲している。
第６図はリードフレーム１の加工前の正面図でダイパ
ッド９に発光素子２を装着する。
ッド９に発光素子２を装着する。
第７図はダイパッド９の部分の正面拡大図と側面拡大
図である。
図である。
また、リードフレーム３も、リードフレーム１と同様
な形状となっている。
な形状となっている。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記従来例の構成では、特性にばらつ
きを生じるという問題があった。
きを生じるという問題があった。
これは、光結合半導体装置の一次モールド形成時にモ
ールド樹脂を高圧で封入するため、リードフレームの材
質，厚さ，受発光素子間ギャップなどによっては、高圧
により封入された樹脂が、リードフレームに、ストレス
などの影響を与え、変形を起こすためである。高圧によ
り封入された樹脂により、リードフレームに変形が生じ
た場合、受発光素子間ギャップにばらつきが生じ、光結
合半導体装置としての特性、特に電流伝達比にばらつき
が生じるという問題があった。本発明は、上記従来の問
題点を解決するもので、封止工程における特性のばらつ
きのない光結合半導体装置を提供することを目的とす
る。
ールド樹脂を高圧で封入するため、リードフレームの材
質，厚さ，受発光素子間ギャップなどによっては、高圧
により封入された樹脂が、リードフレームに、ストレス
などの影響を与え、変形を起こすためである。高圧によ
り封入された樹脂により、リードフレームに変形が生じ
た場合、受発光素子間ギャップにばらつきが生じ、光結
合半導体装置としての特性、特に電流伝達比にばらつき
が生じるという問題があった。本発明は、上記従来の問
題点を解決するもので、封止工程における特性のばらつ
きのない光結合半導体装置を提供することを目的とす
る。
課題を解決するための手段 この目的を達成するために、本発明の光結合半導体装
置装置においては、発光素子および受光素子をそれぞれ
装着するリードフレームのダイパッドの一部に少なくと
も一箇所以上の位置規制用の突起部を設けた構成を有し
ている。
置装置においては、発光素子および受光素子をそれぞれ
装着するリードフレームのダイパッドの一部に少なくと
も一箇所以上の位置規制用の突起部を設けた構成を有し
ている。
作用 この構成によって、突起部が、一次モールド用の金型
により位置規制されることによりリードフレームに、変
形が生じず受発光素子間ギャップを一定に保つことがで
きるため特性のばらつきを低減することができる。
により位置規制されることによりリードフレームに、変
形が生じず受発光素子間ギャップを一定に保つことがで
きるため特性のばらつきを低減することができる。
実施例 以下、本発明の一実施例について、図面を参照しなが
ら説明する。
ら説明する。
第１図は、本発明の一実施例における光結合半導体装
置の断面図を示すものである。第１図において、10,11
はリードフレーム、12は発光素子、13は受光素子、14,1
5はワイヤー、16は透明な一次モールド樹脂、17は黒色
の二次モールド樹脂、18,19はダイパッド部に加工され
た位置規制用の突起部である。
置の断面図を示すものである。第１図において、10,11
はリードフレーム、12は発光素子、13は受光素子、14,1
5はワイヤー、16は透明な一次モールド樹脂、17は黒色
の二次モールド樹脂、18,19はダイパッド部に加工され
た位置規制用の突起部である。
リードフレーム10に発光素子12を、リードフレーム11
に受光素子13を相対向して装着してある。発光素子12と
リードフレーム10との間には、ワイヤー14が、受光素子
13とリードフレーム11との間にはワイヤー15がそれぞれ
接続されている。そして発光素子12,受光素子13,リード
フレーム10,11およびワイヤー14,15を透過率の良好なエ
ポキシ系一次モールド樹脂16により封止し、一体化して
ある。さらに前記一次モールド樹脂16への外部光を遮断
するための黒色の二次モールド樹脂17で包囲してある。
に受光素子13を相対向して装着してある。発光素子12と
リードフレーム10との間には、ワイヤー14が、受光素子
13とリードフレーム11との間にはワイヤー15がそれぞれ
接続されている。そして発光素子12,受光素子13,リード
フレーム10,11およびワイヤー14,15を透過率の良好なエ
ポキシ系一次モールド樹脂16により封止し、一体化して
ある。さらに前記一次モールド樹脂16への外部光を遮断
するための黒色の二次モールド樹脂17で包囲してある。
また、第２図にリードフレーム10,11の加工前の正面
図を第３図にダイパッド20の部分の正面拡大図と、側面
拡大図を示す。
図を第３図にダイパッド20の部分の正面拡大図と、側面
拡大図を示す。
ここでダイパッド20の一部に設けた位置規制用の突起
部の厚さは、一次モールド樹脂16の樹脂厚を考慮し、リ
ードフレーム10,11が平行に相対するように設定されて
いる。すなわち、ダイパッドの一部に設けた突起部が一
次モールド用の金型により位置規制されることによりリ
ードフレームの平行を保つよう設定してある。
部の厚さは、一次モールド樹脂16の樹脂厚を考慮し、リ
ードフレーム10,11が平行に相対するように設定されて
いる。すなわち、ダイパッドの一部に設けた突起部が一
次モールド用の金型により位置規制されることによりリ
ードフレームの平行を保つよう設定してある。
発光素子および受光素子を装着するリードフレームの
ダイパッドの一部に、リードフレームの位置規制用の突
起部を設けたことにより、一次樹脂モールド時に、高圧
により樹脂を封入した際、リードフレームにそりを生じ
ることがなく、受発光素子間ギャップを一定に保つこと
ができ、特性のバラツキをおさえることができる。
ダイパッドの一部に、リードフレームの位置規制用の突
起部を設けたことにより、一次樹脂モールド時に、高圧
により樹脂を封入した際、リードフレームにそりを生じ
ることがなく、受発光素子間ギャップを一定に保つこと
ができ、特性のバラツキをおさえることができる。
また、第４図は本発明の他の実施例における光結合半
導体装置の断面図を示すものである。
導体装置の断面図を示すものである。
構成は前記実施例と同様である。
リードフレーム21,22のダイパッドの一部に、リード
フレームが平行に相対するように、位置規制用の円形の
陥没部を設けてある。前記実施例のようにダイパッドの
一部に位置規制用の厚みを持たせるよりもパンチングに
より陥没部を設ける工法は、作業性，量産性に優れてい
る。位置規制用の円形の陥没部を設けたことにより、前
記実施例と同様の効果を得ることができる。
フレームが平行に相対するように、位置規制用の円形の
陥没部を設けてある。前記実施例のようにダイパッドの
一部に位置規制用の厚みを持たせるよりもパンチングに
より陥没部を設ける工法は、作業性，量産性に優れてい
る。位置規制用の円形の陥没部を設けたことにより、前
記実施例と同様の効果を得ることができる。
また、位置規制用の陥没部を矩形としても、同様の効
果を得ることは言うまでもない。
果を得ることは言うまでもない。
発明の効果 本発明は、発光素子および受光素子をそれぞれ装着す
るリードフレームのダイパッドの一部に、少なくとも一
箇所以上の位置規制用の突起部を設けることにより、封
止工程における特性のバラツキのない優れた光結合半導
体装置を実現できるものである。
るリードフレームのダイパッドの一部に、少なくとも一
箇所以上の位置規制用の突起部を設けることにより、封
止工程における特性のバラツキのない優れた光結合半導
体装置を実現できるものである。
第１図は本発明の一実施例における光結合半導体装置の
断面図、第２図は同装置の要部正面図、第３図（ａ），
（ｂ）は同装置の要部正面拡大図および側面拡大図、第
４図は本発明の他の実施例における光結合半導体装置の
断面図、第５図は従来の光結合半導体装置の断面図、第
６図は同装置の要部正面図、第７図（ａ），（ｂ）は同
装置の要部正面拡大図および側面拡大図である。 １……リードフレーム、２……発光素子、３……リード
フレーム、４……受光素子、5,6……ワイヤー、７……
一次モールド樹脂、８……二次モールド樹脂、９……ダ
イパッド、10,11……リードフレーム、12……発光素
子、13……受光素子、14,15……ワイヤー、16……一次
モールド樹脂、17……二次モールド樹脂、18,19……突
起部、20……ダイパッド、21,22……リードフレーム。
断面図、第２図は同装置の要部正面図、第３図（ａ），
（ｂ）は同装置の要部正面拡大図および側面拡大図、第
４図は本発明の他の実施例における光結合半導体装置の
断面図、第５図は従来の光結合半導体装置の断面図、第
６図は同装置の要部正面図、第７図（ａ），（ｂ）は同
装置の要部正面拡大図および側面拡大図である。 １……リードフレーム、２……発光素子、３……リード
フレーム、４……受光素子、5,6……ワイヤー、７……
一次モールド樹脂、８……二次モールド樹脂、９……ダ
イパッド、10,11……リードフレーム、12……発光素
子、13……受光素子、14,15……ワイヤー、16……一次
モールド樹脂、17……二次モールド樹脂、18,19……突
起部、20……ダイパッド、21,22……リードフレーム。
Claims (2)
- 【請求項１】半導体素子とそれを上部に載置する載置部
を有するリードフレームとが樹脂モールドされていて、
前記リードフレームの一端が上下モールド用金型の合わ
さる位置でモールド樹脂から導出され、前記半導体素子
よりも他端の少なくとも一部に前記モールド樹脂内で前
記モールド用金型の一方に当接するように前記載置部下
部側へ位置規制用の突起部を設け、前記載置部下部の前
記モールド樹脂の厚さが薄くその外観形状が平坦になっ
ていている半導体装置。 - 【請求項２】前記位置規制用の突起部が、リードフレー
ムの反対面から陥没状にパンチングすることにより設け
られた特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15188089A JP2809709B2 (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15188089A JP2809709B2 (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0316277A JPH0316277A (ja) | 1991-01-24 |
| JP2809709B2 true JP2809709B2 (ja) | 1998-10-15 |
Family
ID=15528222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15188089A Expired - Lifetime JP2809709B2 (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2809709B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53122392A (en) * | 1977-03-31 | 1978-10-25 | Omron Tateisi Electronics Co | Manufacture for photo electric device |
| JPS6185168U (ja) * | 1984-11-08 | 1986-06-04 | ||
| JPS62247575A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-28 | Sharp Corp | 光結合素子の製造方法 |
| JPH0734482B2 (ja) * | 1987-04-30 | 1995-04-12 | シャープ株式会社 | 光結合型半導体リレ−装置 |
| JPS63177068U (ja) * | 1987-05-06 | 1988-11-16 |
-
1989
- 1989-06-14 JP JP15188089A patent/JP2809709B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0316277A (ja) | 1991-01-24 |
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