JPH0316277A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0316277A JPH0316277A JP1151880A JP15188089A JPH0316277A JP H0316277 A JPH0316277 A JP H0316277A JP 1151880 A JP1151880 A JP 1151880A JP 15188089 A JP15188089 A JP 15188089A JP H0316277 A JPH0316277 A JP H0316277A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- emitting element
- light
- die pad
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 25
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 3
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、受発光素子間のギャップを一定に保ち、特性
のバラッキを低減し、歩留りの向上した、光結合半導体
装置に関するものである。
のバラッキを低減し、歩留りの向上した、光結合半導体
装置に関するものである。
従来の技術
以下に、従来の光結合半導体装置について説明する。第
５図は従来の光結合半導体装置の断面図で、リードフレ
ームｌに発光素子２が、リードフレーム３に受光素子４
が、相対向して装着されている。発光素子２と、リード
フレーム１との間には、ワイヤー５が、また受光素子４
とリードフレーム３との間にはワイヤー６がそれぞれ接
続されている。そして、リードフレーム１．３、発光素
子２，受光素子４およびワイヤー５．６を透過率の良好
な一次モールド崩脂７により封止し、一体化しており、
さらに、前記一次モールド樹脂７を外部光を遮断するた
めの黒色の二次モールド樹脂８により包囲している。
５図は従来の光結合半導体装置の断面図で、リードフレ
ームｌに発光素子２が、リードフレーム３に受光素子４
が、相対向して装着されている。発光素子２と、リード
フレーム１との間には、ワイヤー５が、また受光素子４
とリードフレーム３との間にはワイヤー６がそれぞれ接
続されている。そして、リードフレーム１．３、発光素
子２，受光素子４およびワイヤー５．６を透過率の良好
な一次モールド崩脂７により封止し、一体化しており、
さらに、前記一次モールド樹脂７を外部光を遮断するた
めの黒色の二次モールド樹脂８により包囲している。
第６図はリードフレーム１の加工前の正面図でグイバッ
ド９に発光素子２を装着する。
ド９に発光素子２を装着する。
第７図はグイバッド９の部分の正面拡大図と側面拡大図
である。
である。
また、リードフレーム３も、リードフレーム１と同様な
形状となっている。
形状となっている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記従来例の構成では、特性にバラツキ
を生じるという問題があった。
を生じるという問題があった。
これは、光結合半導体装置の一次モールド形戚時にモー
ルド樹脂を高圧で封入するため、リードフレームの材質
，厚さ，受発光素子間ギャップなどによっては、高圧に
より封入された樹脂が、リードフレームに、ストレスな
どの影響を与え、変形を起こすためである。高圧により
封入された樹脂により、リードフレームに変形が生じた
場合、受発光素子間ギャップにバラツキが生じ、光結合
半導体装置としての特性、特に電流伝達比にバラッキが
生じるという問題があった。本発明は、上記従来の問題
点を解決するもので、封正工程における特性のバラツキ
のない光結合半導体装置を提供することを目的とする。
ルド樹脂を高圧で封入するため、リードフレームの材質
，厚さ，受発光素子間ギャップなどによっては、高圧に
より封入された樹脂が、リードフレームに、ストレスな
どの影響を与え、変形を起こすためである。高圧により
封入された樹脂により、リードフレームに変形が生じた
場合、受発光素子間ギャップにバラツキが生じ、光結合
半導体装置としての特性、特に電流伝達比にバラッキが
生じるという問題があった。本発明は、上記従来の問題
点を解決するもので、封正工程における特性のバラツキ
のない光結合半導体装置を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達戒するために、本発明の光結合半導体装置
装置においては、発光素子および受光素子をそれぞれ装
着するリードフレームのダイパッドの一部に少なくとも
一箇所以上の位置規制用の突起部を設けた構成を有して
いる。
装置においては、発光素子および受光素子をそれぞれ装
着するリードフレームのダイパッドの一部に少なくとも
一箇所以上の位置規制用の突起部を設けた構成を有して
いる。
作用
この構成によって、突起部が、一次モールド用の金型に
より位置規制されることによりリードフレームに、変形
が生じず受発光素子間ギャップを一定に保つことができ
るため特性のバラツキを低減することができる。
より位置規制されることによりリードフレームに、変形
が生じず受発光素子間ギャップを一定に保つことができ
るため特性のバラツキを低減することができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図は、本発明の一実施例における光結合半導体装置
の断面図を示すものである。第１図において、１’０．
１１はリードフレーム、１２は発光素子、１３は受光素
子、１４．１５はワイヤー１６は一次モールド樹脂、１
７は二次モールド樹脂、１８．１９はダイパッド部に加
工された位置規制用の突起部である。
の断面図を示すものである。第１図において、１’０．
１１はリードフレーム、１２は発光素子、１３は受光素
子、１４．１５はワイヤー１６は一次モールド樹脂、１
７は二次モールド樹脂、１８．１９はダイパッド部に加
工された位置規制用の突起部である。
リードフレーム１０に発光素子１２を、リードフレーム
１１に受光素子１３を相対向して装着してある。発光素
子１２とリードフレーム１０との間には、ワイヤー１４
が、受光素子１３とリードフレーム１１との間にはワイ
ヤー１５がそれぞれ接続されている。そして発光素子１
２，受光素子１３．リードフレーム１０．１１およびワ
イヤー１４．１５を透過率の良好なエポキシ系一次モー
ルド樹脂１６により封止し、一体化してある。さらに前
記一次モールド樹脂１６への外部光を遮断するための黒
色の二次モールド樹脂１７で包囲してある。
１１に受光素子１３を相対向して装着してある。発光素
子１２とリードフレーム１０との間には、ワイヤー１４
が、受光素子１３とリードフレーム１１との間にはワイ
ヤー１５がそれぞれ接続されている。そして発光素子１
２，受光素子１３．リードフレーム１０．１１およびワ
イヤー１４．１５を透過率の良好なエポキシ系一次モー
ルド樹脂１６により封止し、一体化してある。さらに前
記一次モールド樹脂１６への外部光を遮断するための黒
色の二次モールド樹脂１７で包囲してある。
また、第２図にリードフレーム１０．１１の加工前の正
面図を第３図にダイパッド２０の部分の正面拡大図と、
側面拡大図を示す。
面図を第３図にダイパッド２０の部分の正面拡大図と、
側面拡大図を示す。
ここでグイバッド２０の一部に設けた位置規制用の突起
部の厚さは、一次モールド樹脂１６の樹脂厚を考慮し、
リードフレーム１０．１１か平行に相対するように設定
されている。すなわち、ダイバッドの一部に設けた突起
部が一次モールド用の金型により位置規制されることに
よりリードフレームの平行を保つよう設定してある。
部の厚さは、一次モールド樹脂１６の樹脂厚を考慮し、
リードフレーム１０．１１か平行に相対するように設定
されている。すなわち、ダイバッドの一部に設けた突起
部が一次モールド用の金型により位置規制されることに
よりリードフレームの平行を保つよう設定してある。
発光素子および受光素子を装着するリードフレームのダ
イバッドの一部に、リードフレームの位置規制用の突起
部を設けたことにより、一次制脂モールド時に、高圧に
より樹脂を封入した際、リードフレームにそりを生じる
ことがなく、受発光素子間ギャップを一定に保つことが
でき、特性のバラツキをおさえることができる。
イバッドの一部に、リードフレームの位置規制用の突起
部を設けたことにより、一次制脂モールド時に、高圧に
より樹脂を封入した際、リードフレームにそりを生じる
ことがなく、受発光素子間ギャップを一定に保つことが
でき、特性のバラツキをおさえることができる。
また、第４図は本発明の他の実施例における光結合半導
体装置の断面図を示すものである。
体装置の断面図を示すものである。
構成は前記実施例と同様である。
リードフレーム２１．２２のダイパッドの一部に、リー
ドフレームが平行に相対するように、位置規制用の円形
の陥没部を設けてある。前記実施例のようにダイパッド
の一部に位置規制用の厚みを持たせるよりもパンチング
により陥没部を設ける工法は、作業性２量産性に優れて
いる。位置規制用の円形の陥没部を設けたことにより、
前記実施例と同様の効果を得ることができる。
ドフレームが平行に相対するように、位置規制用の円形
の陥没部を設けてある。前記実施例のようにダイパッド
の一部に位置規制用の厚みを持たせるよりもパンチング
により陥没部を設ける工法は、作業性２量産性に優れて
いる。位置規制用の円形の陥没部を設けたことにより、
前記実施例と同様の効果を得ることができる。
また、位置規制用の陥没部を矩形としても、同様の効果
を得ることは言うまでもない。
を得ることは言うまでもない。
発明の効果
本発明は、発光素子および受光素子をそれぞれ装着する
リードフレームのダイバッドの一部に、少なくとも一箇
所以上の位置規制用の突起部を設けることにより、封止
工程における特性のバラツキのない優れた光結合半導体
装置を実現できるものである。
リードフレームのダイバッドの一部に、少なくとも一箇
所以上の位置規制用の突起部を設けることにより、封止
工程における特性のバラツキのない優れた光結合半導体
装置を実現できるものである。
第１図は本発明の一実施例における光結合半導体装置の
断面図、第２図は同装置の要部正面図、第３図（ａ）
， （ｂ）は同装置の要部正面拡大図および側面拡大図
、第４図は本発明の他の実施例における光省く結合半導
体装置の断面図、第５図は従来の光桔合半導体装置の断
面図、第６図は同装置の要部正面図、第７図（ａ） ，
（ｂ）は同装置の要部正面拡大図および側面拡大図で
ある。 １・・・・・・リードフレーム、２・・・・・・発光素
子、３・・・・・・リードフレーム、４・・・・・・受
光素子、５．６・・・・・・ワイヤー、７・・・・・・
一次モールド樹脂、８・・・・・・二次モールド樹脂、
９・・・・・・ダイパッド、１０．１１・・・・・・リ
ードフレーム、１２・・・・・・発光素子、１３・・・
・・・受光素子、１４．１５・・・・・・ワイヤー １
６・・・・・・一次モールド樹脂、１７・・・・・・二
次モールド樹脂、１８．１９・・・・・・陥没部、２０
・・・・・・ダイパッド、２１．２２・・・・・・リー
ドフレーム。
断面図、第２図は同装置の要部正面図、第３図（ａ）
， （ｂ）は同装置の要部正面拡大図および側面拡大図
、第４図は本発明の他の実施例における光省く結合半導
体装置の断面図、第５図は従来の光桔合半導体装置の断
面図、第６図は同装置の要部正面図、第７図（ａ） ，
（ｂ）は同装置の要部正面拡大図および側面拡大図で
ある。 １・・・・・・リードフレーム、２・・・・・・発光素
子、３・・・・・・リードフレーム、４・・・・・・受
光素子、５．６・・・・・・ワイヤー、７・・・・・・
一次モールド樹脂、８・・・・・・二次モールド樹脂、
９・・・・・・ダイパッド、１０．１１・・・・・・リ
ードフレーム、１２・・・・・・発光素子、１３・・・
・・・受光素子、１４．１５・・・・・・ワイヤー １
６・・・・・・一次モールド樹脂、１７・・・・・・二
次モールド樹脂、１８．１９・・・・・・陥没部、２０
・・・・・・ダイパッド、２１．２２・・・・・・リー
ドフレーム。
Claims (2)
- （１）発光素子と、対向して設けられた受光素子と、前
記発光素子と受光素子を共に包囲し、一体化した透過率
の良好な一次モールド樹脂と、前記一次モールド樹脂を
包囲して外部光を遮断するための黒色の二次モールド樹
脂よりなり、前記発光素子および受光素子をそれぞれ装
着するリードフレームのダイパッドの一部に少なくとも
一箇所以上の位置規制用の突起部を設けたことを特徴と
する光結合半導体装置。 - （２）位置規制用の突起部を、リードフレームの反対面
から円形もしくは矩形の陥没状にパンチングすることに
より設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の光結合半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15188089A JP2809709B2 (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15188089A JP2809709B2 (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0316277A true JPH0316277A (ja) | 1991-01-24 |
| JP2809709B2 JP2809709B2 (ja) | 1998-10-15 |
Family
ID=15528222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15188089A Expired - Lifetime JP2809709B2 (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2809709B2 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53122392A (en) * | 1977-03-31 | 1978-10-25 | Omron Tateisi Electronics Co | Manufacture for photo electric device |
| JPS6185168U (ja) * | 1984-11-08 | 1986-06-04 | ||
| JPS62247575A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-28 | Sharp Corp | 光結合素子の製造方法 |
| JPS63177068U (ja) * | 1987-05-06 | 1988-11-16 | ||
| JPS63283081A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-18 | Sharp Corp | 光結合型半導体リレ−装置 |
-
1989
- 1989-06-14 JP JP15188089A patent/JP2809709B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53122392A (en) * | 1977-03-31 | 1978-10-25 | Omron Tateisi Electronics Co | Manufacture for photo electric device |
| JPS6185168U (ja) * | 1984-11-08 | 1986-06-04 | ||
| JPS62247575A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-28 | Sharp Corp | 光結合素子の製造方法 |
| JPS63283081A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-18 | Sharp Corp | 光結合型半導体リレ−装置 |
| JPS63177068U (ja) * | 1987-05-06 | 1988-11-16 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2809709B2 (ja) | 1998-10-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4894707A (en) | Semiconductor device having a light transparent window and a method of producing same | |
| EP0661565B1 (en) | Optical semiconductor module and a method for fabricating the same | |
| DK0682374T3 (da) | Fremgangsmåde til indkapsling af et integreret kredsløb | |
| EP0701289A1 (en) | Photocoupler | |
| JPS61228681A (ja) | 光結合半導体装置 | |
| JPH0316277A (ja) | 半導体装置 | |
| US4833318A (en) | Reflection-type photosensor | |
| JPH0537021A (ja) | 光半導体装置 | |
| JP3127555B2 (ja) | 透明樹脂封止形半導体素子の成形用金型、およびその半導体素子の成形方法 | |
| JPS63200550A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JPH06104364A (ja) | リードフレーム、これを用いた半導体チップのモールド方法及びモールド用金型 | |
| JP2565160B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP2852155B2 (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPH0363227B2 (ja) | ||
| JPH06241931A (ja) | 半導体圧力センサー | |
| JP3185354B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の樹脂封止装置 | |
| JPH04246847A (ja) | 半導体集積回路のパッケージ | |
| JPS5766656A (en) | Lead frame for semiconductor device | |
| JPH0329382A (ja) | Ｌｅｄランプの製造方法 | |
| JPH05327004A (ja) | 光結合半導体装置 | |
| JP2513062B2 (ja) | リ―ドフレ―ムおよび半導体装置の製造方法 | |
| JPH04368184A (ja) | 対向形フォトカプラ | |
| JP2871345B2 (ja) | 光結合素子のカプリング方法 | |
| JPH04264779A (ja) | 対向型二重モールド光結合半導体装置の製造方法 | |
| JP3472411B2 (ja) | フォトｍｏｓリレー |