JP2513062B2 - リ―ドフレ―ムおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents

リ―ドフレ―ムおよび半導体装置の製造方法

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JP2513062B2
JP2513062B2 JP2102047A JP10204790A JP2513062B2 JP 2513062 B2 JP2513062 B2 JP 2513062B2 JP 2102047 A JP2102047 A JP 2102047A JP 10204790 A JP10204790 A JP 10204790A JP 2513062 B2 JP2513062 B2 JP 2513062B2
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典彰 宇和川
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Mitsubishi Electric Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、特定の形状をしたリードフレームとこの
リードフレームを用いた半導体装置の製造方法に関する
ものである。
〔従来の技術〕
第3図は従来の半導体装置を示す側断面図、第4図は
第3図で示す半導体装置の樹脂封止前の状態を示す斜視
図である。
図において、1は半導体素子、2はリードフレーム、
3は半導体素子1とリードフレーム2を接続する接続
線、4は封止樹脂である。リードフレーム2はフレーム
枠21、半導体素子1を搭載するアイランド部22、半導体
素子1と接続線3をもって電気的に接続するインナーリ
ード23、アイランド部22をフレーム枠21につなぐ宙吊り
ピン24などからなっている。
半導体素子1とインナーリード23の接続線3による電
気的接続を容易にするため宙吊りピン24に予め伸びをと
もなう塑性加工を施して、アイランド部22の位置とイン
ナーリード23などの位置との間に段差を設けるように成
形したうえで、半導体素子1をアイランド部22に搭載
し、インナーリード23と半導体素子1とを接続線3によ
って接続する。そして、封止金型に取付て締付け、封止
樹脂4で樹脂封止している。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の半導体装置は以上のような手順で製造されるた
め、樹脂封止を行うにあたっては、リードフレーム2に
宙吊りピン24の伸びをともなう塑性加工を施して成形を
行なわなければならない。また、樹脂封止を行うときの
半導体素子の厚さ方向のアイランド部22とインナーリー
ド23との間の段差は、宙吊りピンの伸びをともなう塑性
加工による成形の形状精度に依存するので、精度が悪
く、接続線3およびアイランド部22が封止樹脂4から露
出したり、半導体素子1と接続線3が両者の接続点以外
で接触したり、さらには半導体素子1の位置のバラツキ
による半導体装置のソリや曲り、たわみのバラツキが発
生するなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、樹脂封止を行うときのリードフレームのア
イランド部とインナーリードとの段差の精度を向上させ
ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係るリードフレームはフレーム枠を宙吊り
ピンとの連結部に隣接する2箇所で変形させ、アイラン
ド部の位置とインナーリードの位置との間に段差を設け
たものである。
また、この発明に係る半導体装置の製造方法は、リー
ドフレームのフレーム枠を宙吊りピンとの連結部に隣接
する2箇所で変形させ、アイランド部の位置とインナー
リードの位置との間に段差を設けてアイランド部に半導
体素子を搭載したうえで、半導体素子の端子とインナー
リードとを接続線で接続し、リードフレームを封止金型
に取付け型締めして樹脂封止するようにしたものであ
る。
さらにまた、リードフレームのアイランド部に半導体
素子を搭載してインナーリードとを接続線で接続して、
封止金型に取付け型締めし、フレーム枠を宙吊りピンと
の連結部に隣接する2箇所で変形させ、アイランド部の
位置とインナーリードの位置との間に段差を設け、樹脂
封止するようにしたものである。
〔作用〕
この発明によれば、宙吊りピンに伸びをともなう塑性
加工を施す必要がないため、樹脂封止を行うときのリー
ドフレームの形状精度を高く維持することができ、接続
線およびアイランド部が封止樹脂から露出、半導体素子
と接続線の接続点以外で接触、あるいは半導体素子の位
置のバラツキによる半導体装置のソリや曲り、たわみの
バラツキなどは発生しない。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図を用いて説明する。
第1図はこの発明による半導体装置の側断面図、第2
図は第1図に示す半導体装置の樹脂封止前の状態を示す
斜視図であり、従来の半導体装置を説明するのに用いた
第3図および第4図と同一または相当する部分には同一
符号を付している。
リードフレーム2はフレーム枠21を宙吊りピン24との
連結部に隣接する2箇所で曲げ、アイランド部22の位置
とインナーリード23の位置の間に段差が設けている。説
明するまでもなくインナーリード23と宙吊りピン24には
伸びをともなう塑性加工を施すことはなく、インナーリ
ード23は一つの平面上に配列している。また、アイラン
ド部22と宙吊りピン24も一つの平面上に配列している。
宙吊りピン24に塑性加工を施すこすのではなく、フレ
ーム枠21を宙吊りピン24との連結部に隣接する2箇所で
曲げ加工することによって、半導体素子1を搭載してい
るアイランド部22とインナーリード23との間に段差を設
けているため、宙吊りピン24を伸びをともなう塑性加工
を施すのに比べて、アイランド部22とインナーリード23
との間の段差の精度は格段に高くなる。
フレーム枠21はリードフレーム2単体で曲げ加工して
もよいが、樹脂封止を行うとき、より詳しくは、封止金
型に取付け型締めするときに曲げ加工することも可能で
あり、作業が簡略化できる。
なお以上の説明では、フレーム枠21を宙吊りピン24と
の連結部に隣接する2箇所で曲げ加工し、宙吊りピン24
を曲げずに半導体素子1を搭載しているアイランド部22
とインナーリード23との間に段差を設けたものを示した
が、フレーム枠21に連結している宙吊りピン24には曲げ
加工を施さず、例えばインナーリード23と連結している
他の宙吊りピンを曲げ加工するようにしても、第2図を
用いて説明したものより精度が若干劣るが、第2図の場
合と同様の効果が得られる。
また、リードフレーム2はインナーリード23の外側に
フレーム枠21を有するもので、このフレーム枠21を曲げ
加工するとして説明したが、フレーム枠21のさらに外側
に、移送用フレーム枠を設けたものに適用してもよいこ
とはいうまでもない。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、リードフレームの
フレーム枠を宙吊りピンとの連結部に隣接する2箇所で
変形させ、アイランド部の位置とインナーリードの位置
との間に段差を設けたので、樹脂封止を行うときのリー
ドフレームの形状精度を高く維持することができる。
また、リードフレームのフレーム枠を宙吊りピンとの
連結部に隣接する2箇所で変形させ、アイランド部の位
置とインナーリードの位置との間に段差を設けてアイラ
ンド部に半導体素子を搭載したうえで、半導体素子の端
子とインナーリードとを接続線で接続し、リードフレー
ムを封止金型に取付け型締めして樹脂封止するように
し、あるいは、リードフレームのアイランド部に半導体
素子を搭載してインナーリードとを接続線で接続して、
封止金型に取付け型締めし、フレーム枠を宙吊りピンと
の連結部に隣接する2箇所で変形させ、アイランド部の
位置とインナーリードの位置との間に段差を設け、樹脂
封止するようにしたので、樹脂封止を行うときのリード
フレームの形状精度が高く、接続線およびアイランド部
が封止樹脂から露出、半導体素子と接続線の接続点以外
で接触、あるいは半導体素子の位置のバラツキによる半
導体装置のソリや曲り、たわみのバラツキなどは発生せ
ず、半導体装置が安価に製造できる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例による半導体装置を示す側
断面図、第2図は第1図の半導体装置の樹脂封止前の状
態を示す斜視図、第3図は従来の半導体装置を示す側断
面図、第4図は第3図の半導体装置の樹脂封止前の状態
を示す斜視図である。 図において、1は半導体素子、2はリードフレーム、3
は接続線、4は封止樹脂、21はフレーム枠、22は封止樹
脂、23はインナーリード、24は宙吊りピンである。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】フレーム枠と、半導体素子を搭載するアイ
    ランド部と、前記半導体素子と接続線をもって電気的に
    接続するインナーリードと、前記アイランド部を前記フ
    レーム枠に連結する宙吊りピンとを有するリードフレー
    ムにおいて、 前記フレーム枠を前記宙吊りピンとの連結部に隣接する
    2箇所で変形させ、前記アイランド部の位置と前記イン
    ナーリードの位置との間に段差を設けたことを特徴とす
    るリードフレーム。
  2. 【請求項2】フレーム枠と、半導体素子を搭載するアイ
    ランド部と、前記半導体素子と接続線をもって電気的に
    接続するインナーリードと、前記アイランド部を前記フ
    レーム枠に連結する宙吊りピンとを有するリードフレー
    ムの前記フレーム枠を前記宙吊りピンとの連結部に隣接
    する2箇所で変形させ、前記アイランド部の位置と前記
    インナーリードの位置との間に段差を設ける工程と、 前記アイランド部に前記半導体素子を搭載する工程と、 前記半導体素子の端子と前記インナーリードとを接続線
    をもって電気的に接続する工程と、 前記リードフレームを封止金型に取付け型締めする工程
    と、 前記封止金型に樹脂を注入して樹脂封止する工程とを含
    むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項3】フレーム枠と、半導体素子を搭載するアイ
    ランド部と、前記半導体素子と接続線をもって電気的に
    接続するインナーリードと、前記アイランド部を前記フ
    レーム枠に連結する宙吊りピンとを有するリードフレー
    ムの前記アイランド部に半導体素子を搭載する工程と、 前記半導体素子の端子と前記インナーリードとを接続線
    をもって電気的に接続する工程と、 前記リードフレームを封止金型に取付け型締めし、前記
    フレーム枠を前記宙吊りピンとの連結部に隣接する2箇
    所で変形させ、前記アイランド部の位置と前記インナー
    リードの位置との間に段差を設ける工程と、 前記封止金型に樹脂を注入して樹脂封止する工程とを含
    むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP2102047A 1990-04-17 1990-04-17 リ―ドフレ―ムおよび半導体装置の製造方法 Expired - Lifetime JP2513062B2 (ja)

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JPS574132A (en) * 1980-06-09 1982-01-09 Mitsubishi Electric Corp Manufacture of semiconductor device
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