JPH06241931A - 半導体圧力センサー - Google Patents

半導体圧力センサー

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Publication number
JPH06241931A
JPH06241931A JP3295993A JP3295993A JPH06241931A JP H06241931 A JPH06241931 A JP H06241931A JP 3295993 A JP3295993 A JP 3295993A JP 3295993 A JP3295993 A JP 3295993A JP H06241931 A JPH06241931 A JP H06241931A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pedestal
glass
press
chip
metal pedestal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP3295993A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsuya Hamaoka
哲也 浜岡
Fumihiro Kasano
文宏 笠野
Hiromi Nishimura
広海 西村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP3295993A priority Critical patent/JPH06241931A/ja
Publication of JPH06241931A publication Critical patent/JPH06241931A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】圧力印加時及び温度変化時に半導体センサーチ
ップに波及する悪影響を抑制する。 【構成】金属台座1にガラス台座2を接合し、ガラス台
座2に半導体センサーチップ3を接続する半導体圧力セ
ンサーである。金属台座1におけるガラス台座2の接合
箇所1aを他の箇所であるボディ4への取付け箇所1b
よりも一段高くなるように、金属台座1が略均一厚みの
板材でプレス成形する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体圧力センサーに
関し、詳しくは圧力印加時及び温度変化時に半導体セン
サーチップに波及する悪影響を抑制するとともに生産性
を高めかつ小型化を図ろうとする技術に係るものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来、図5(a)に示すように、金属台
座1′にガラス台座2′を接合し、ガラス台座2′に半
導体センサーチップ3′を接続する半導体圧力センサー
A′においては、ボディ4に作用するイの力が金属台座
1′にロの力で伝わり、ガラス台座2′にはハの力で伝
わり、そして、半導体センサーチップ3′にはニの力が
ホの力となって伝えられ、半導体センサーチップ3′に
おける圧力検出の精度を低下するという問題があった。
【0003】そこで、図6に示すように、金属台座1″
に溝a″を形成し、この溝a″にて半導体センサーチッ
プ3″へのボディ4からのイの力の伝達を抑制して、半
導体センサーチップ3″への悪影響を抑制する技術が提
案されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
図6に示すような構成のものにおいては、図5(b)の
ように、ボディ4″に溝a″を形成するが故に、機械加
工を要するともに金属台座1″の厚さも増し、半導体圧
力センサーの生産性を低下させ、かつ小型化し難いなど
という問題があった。
【0005】本発明はこのような問題に鑑みてなされた
ものであり、その目的とするところは、半導体センサー
チップに波及する悪影響を抑制するとともに生産性を高
めかつ小型化できる半導体圧力センサーを提供しようと
するにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、金属台座1に
ガラス台座2を接合し、ガラス台座2に半導体センサー
チップ3を接続する半導体圧力センサーにおいて、金属
台座1におけるガラス台座2の接合箇所1aを他の箇所
であるボディ4への取付け箇所1bよりも一段高くなる
ように、金属台座1が略均一厚みの板材でプレス成形さ
れて成ることを特徴とするものである。
【0007】
【作用】溶接などにてボディ4に取付けられている金属
台座1に対してボディ4から金属台座1に引き伸ばそう
とする引張方向或いはその反対方向、つまり圧縮方向の
力が作用しても、接合箇所1aと取付け箇所1bとには
段差部が形成されていて、かかる段差部において引張及
び圧縮方向の力を吸収する。しかして、半導体センサー
チップ3へのボディ4からの力の悪影響を抑制する。し
かも、金属台座1は板状のものをプレス成形してあっ
て、従来のように、溝を形成する構成のものに比べて、
生産性を高める。かつ金属台座1の高さを低くして、半
導体圧力センサーを小型化する。
【0008】
【実施例】以下本発明の実施例を図面に基づいて詳述す
る。半導体圧力センサーAは、図1及び図2に示すよう
に、シリコンダイヤフラム5の上に拡散抵抗7を配して
半導体センサーチップ3としての歪みゲージ6を形成
し、シリコンダイヤフラム5と略等しい熱膨張係数の硼
珪酸ガラス製のガラス台座2に半導体センサーチップ3
を陽極接合法にて接合し、そして、ガラス台座2の反対
側はガラス台座2の硼珪酸ガラスの熱膨張係数と略等し
い熱膨張係数の鉄ーニッケル合金、又は鉄ーニッケルー
コバルト合金の金属台座1を陽極接合法にて接合し、こ
の金属台座1をボディ4に溶接して取付け、ボディ4に
ケース8を付設して構成したものである。図2中9はプ
リント基板、10はボンディングワイヤーである。
【0009】そして、金属台座1におけるガラス台座2
の接合箇所1aを他の箇所であるボディ4への取付け箇
所1bよりも一段高くなるように、金属台座1が略均一
厚みの板材でプレス成形したものである。しかして、図
5(c)に示すように、溶接などにてボディ4に取付け
られている金属台座1に対してボディ4から金属台座1
に引き伸ばそうとする引張方向にイの力が加えられた
時、金属台座1にはロの力が発生するとともにハの力が
発生し、ガラス台座2に生じるニの力は小さく、したが
って半導体センサーチップ3にかかるホの力は更に小さ
くなり、半導体センサーチップ3への悪影響を回避する
のである。しかも、金属台座1は板状のものをプレス成
形したものであり、従来のように、溝を形成する構成の
ものに比べて、生産性を高め、かつ金属台座1の高さを
低くして、半導体圧力センサーAを小型化している。
【0010】図3はシリコンダイヤフラム5の製造方法
を示していて、シリコンダイヤフラム部5a・・を多数
有するシリコンウェハ11の受圧面に保護用薄膜12を
同時にコーティングした後、隣接するシリコンダイヤフ
ラム部5a,5a間の中間を通る線に沿って切断して、
半導体センサーチップ3を得るものである。図4はシリ
コンダイヤフラム5の他の製造方法を示していて、シリ
コンダイヤフラム部5a・・を多数有するシリコンウェ
ハ11と、シリコンダイヤフラム部5a・・の位置に相
当する孔13があき、かつ熱膨張係数が略等しいガラス
台座2とが陽極接合法によって接合された後、シリコン
ダイヤフラム5の受圧面にほぼ同時にコーティングした
後、隣接するシリコンダイヤフラム部5a,5a間の中
間を通る線に沿って切断して、半導体センサーチップ3
を得るものである。かかる場合、ガラス台座2の孔13
の内面及びシリコンダイヤフラム5側の面もコーティン
グされている。
【0011】このような製造方法によれば、保護用薄膜
12のコーティング作業がきわめて容易にかつ正確にお
こなえるとともに、膜厚が0.1μmから数十μmまで
均一で均質なコーティングが可能となる。しかも、大量
生産が可能なため、半導体センサーチップ3のコストダ
ウンを図ることができる。そして、保護用薄膜12は、
米国のU.C.C社が開発した商品名「パイレン;PA
RY・LENE」と称するポリパラキシリレン樹脂で、
一般樹脂コーティングと違って均一にモノマーが拡散し
基材(コーティング対称物)の鋭角部、複雑な形状のも
の、深くて細い孔などにも均一に付着させることがで
き、ピンホールのない数百μm厚のコーティングが可能
となるものである。
【0012】
【発明の効果】本発明は上述のように、金属台座にガラ
ス台座を接合し、ガラス台座に半導体センサーチップを
接続する半導体圧力センサーにおいて、金属台座におけ
るガラス台座の接合箇所を他の箇所であるボディへの取
付け箇所よりも一段高くなるように、金属台座が略均一
厚みの板材でプレス成形されているから、溶接などにて
ボディに取付けられている金属台座に対してボディから
金属台座に引き伸ばそうとする引張方向或いはその反対
方向、つまり圧縮方向の力が作用しても、接合箇所と取
付け箇所とには段差部が形成され、かかる段差部におい
て引張及び圧縮方向の力を吸収でき、半導体センサーチ
ップへのボディからの力の悪影響を抑制でき、しかも、
金属台座は板状のものをプレス成形したものであり、従
来のように、溝を形成する構成のものに比べて、生産性
を高め、かつ金属台座の高さを低くでき、半導体圧力セ
ンサーを小型化できるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の部分断面図である。
【図2】同上の全体断面図である。
【図3】同上のシリコンダイヤフラムの製造工程を示
し、(a)は斜視図、(b)は側断面図、(c)は拡大
断面図である。
【図4】同上の他のシリコンダイヤフラムの製造工程を
示し、(a)は斜視図、(b)は側断面図、(c)は拡
大断面図である。
【図5】(a)(b)は従来例の問題点を示す説明図、
(c)は本発明の動作説明図である。
【図6】従来例の断面図である。
【符号の説明】
1 金属台座 2 ガラス台座 3 半導体センサーチップ 4 ボディ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 金属台座にガラス台座を接合し、ガラス
    台座に半導体センサーチップを接続する半導体圧力セン
    サーにおいて、金属台座におけるガラス台座の接合箇所
    を他の箇所であるボディへの取付け箇所よりも一段高く
    なるように、金属台座が略均一厚みの板材でプレス成形
    されて成ることを特徴とする半導体圧力センサー。
JP3295993A 1993-02-23 1993-02-23 半導体圧力センサー Withdrawn JPH06241931A (ja)

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JP3295993A JPH06241931A (ja) 1993-02-23 1993-02-23 半導体圧力センサー

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JP3295993A JPH06241931A (ja) 1993-02-23 1993-02-23 半導体圧力センサー

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JPH06241931A true JPH06241931A (ja) 1994-09-02

Family

ID=12373464

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005227282A (ja) * 2004-02-09 2005-08-25 Robert Bosch Gmbh 圧力を表す値を検出するためのマイクロメカニックセンサの製作法及び圧力を表す値を検出するためのマイクロメカニックセンサ
JP2009250651A (ja) * 2008-04-02 2009-10-29 Denso Corp 圧力センサ
JP2012500974A (ja) * 2008-08-21 2012-01-12 エススリーシー, インコーポレイテッド センサデバイスパッケージ及び方法
CN103512683A (zh) * 2012-06-27 2014-01-15 大陆汽车系统公司 用于最小化热噪声的具有阶梯式空腔的压力传感器件
WO2016002448A1 (ja) * 2014-06-30 2016-01-07 日本精機株式会社 圧力検出装置

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JP2012500974A (ja) * 2008-08-21 2012-01-12 エススリーシー, インコーポレイテッド センサデバイスパッケージ及び方法
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Effective date: 20000509