JPH0537021A - 光半導体装置 - Google Patents
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- JPH0537021A JPH0537021A JP3194222A JP19422291A JPH0537021A JP H0537021 A JPH0537021 A JP H0537021A JP 3194222 A JP3194222 A JP 3194222A JP 19422291 A JP19422291 A JP 19422291A JP H0537021 A JPH0537021 A JP H0537021A
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- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2924/301—Electrical effects
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 製造し易く、小型の、誤動作しない光半導体
装置を提供する。 【構成】 第１のリードフレームとそれと離れて位置す
る第２のリードフレームと、第１のリードフレームの表
面上に固着された光半導体素子と、第１又は第２のリー
ドフレームの裏面上に固着された集積回路素子を設け
る。そして光半導体素子及び集積回路素子の外側に形成
された外枠部と第１、第２のリードフレームの隙間に形
成された内枠部を有する樹脂体を設ける。
装置を提供する。 【構成】 第１のリードフレームとそれと離れて位置す
る第２のリードフレームと、第１のリードフレームの表
面上に固着された光半導体素子と、第１又は第２のリー
ドフレームの裏面上に固着された集積回路素子を設け
る。そして光半導体素子及び集積回路素子の外側に形成
された外枠部と第１、第２のリードフレームの隙間に形
成された内枠部を有する樹脂体を設ける。
Description
【０００１】本発明は光リモコンなどに好適な光半導体
装置に関する。
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、オーディオ装置、空調機器、テレ
ビジョン受信機など多くの室内機器に於て、赤外光が雑
音に強くまた比較的多くの情報量を短時間に伝達出来、
さらには短い伝達距離で制御可能なので、光半導体素子
を利用した光リモコンが利用されつつある。その光リモ
コンに用いる光半導体装置は例えば特開昭６１−２２２
１８２号公報に開示されており、その応用例を図７に示
す。この図に於て、絶縁基板６１上に形成された接地電
極６２上に、発光ダイオード６３と集積回路素子６４が
設けられ、絶縁基板６１上に電源端子６５が設けられて
いる。この様な複数個の光半導体装置６６を設けた大基
板６７に縦横にＶ溝６８を設けて、手作業により１個ず
つ切り落としていた。
ビジョン受信機など多くの室内機器に於て、赤外光が雑
音に強くまた比較的多くの情報量を短時間に伝達出来、
さらには短い伝達距離で制御可能なので、光半導体素子
を利用した光リモコンが利用されつつある。その光リモ
コンに用いる光半導体装置は例えば特開昭６１−２２２
１８２号公報に開示されており、その応用例を図７に示
す。この図に於て、絶縁基板６１上に形成された接地電
極６２上に、発光ダイオード６３と集積回路素子６４が
設けられ、絶縁基板６１上に電源端子６５が設けられて
いる。この様な複数個の光半導体装置６６を設けた大基
板６７に縦横にＶ溝６８を設けて、手作業により１個ず
つ切り落としていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかして、上述の技術
の第１の欠点は、手作業により１個ずつ切り落とす手間
と、集積回路素子６４の端子の数に相当する電源端子６
５を設ける手間と、発光ダイオード６３と集積回路素子
６４と電源端子６５にそれぞれワイヤボンドするため
に、変形し易い薄い絶縁基板６１の下に補強板（図示せ
ず）を設ける手間が必要なため、製造が困難となる事で
ある。第２の欠点は、絶縁基板６１の表面に順に部品を
配列しているので、外形が大きくなるので装置が小型に
ならない事である。第３の欠点は、絶縁基板６１の表面
上の発光ダイオード６３から放射された光が同一絶縁基
板６１上の集積回路素子６４を励起し、誤動作を起こす
事である。故に本発明は上述の欠点を鑑みてなされたも
のであり、すなわち製造し易く小型の、誤動作しない光
半導体装置を提供するものである。
の第１の欠点は、手作業により１個ずつ切り落とす手間
と、集積回路素子６４の端子の数に相当する電源端子６
５を設ける手間と、発光ダイオード６３と集積回路素子
６４と電源端子６５にそれぞれワイヤボンドするため
に、変形し易い薄い絶縁基板６１の下に補強板（図示せ
ず）を設ける手間が必要なため、製造が困難となる事で
ある。第２の欠点は、絶縁基板６１の表面に順に部品を
配列しているので、外形が大きくなるので装置が小型に
ならない事である。第３の欠点は、絶縁基板６１の表面
上の発光ダイオード６３から放射された光が同一絶縁基
板６１上の集積回路素子６４を励起し、誤動作を起こす
事である。故に本発明は上述の欠点を鑑みてなされたも
のであり、すなわち製造し易く小型の、誤動作しない光
半導体装置を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するために、第１のリードフレームとそれと離れて位
置する第２のリードフレームと、第１のリードフレーム
の表面上に固着された光半導体素子と、第１又は第２の
リードフレームの裏面上に固着された集積回路素子を設
ける。そして光半導体素子及び集積回路素子の外側に形
成された外枠部と第１、第２のリードフレームの隙間に
形成された内枠部を有する樹脂体を設ける。更に望しく
は、第１、第２のリードフレームを隙間近傍に於て、断
面略凸状の先細り形状とするか、又は内枠部を第１、第
２のリードフレームの先端を覆う様に断面略Ｉ字状に設
ける。
決するために、第１のリードフレームとそれと離れて位
置する第２のリードフレームと、第１のリードフレーム
の表面上に固着された光半導体素子と、第１又は第２の
リードフレームの裏面上に固着された集積回路素子を設
ける。そして光半導体素子及び集積回路素子の外側に形
成された外枠部と第１、第２のリードフレームの隙間に
形成された内枠部を有する樹脂体を設ける。更に望しく
は、第１、第２のリードフレームを隙間近傍に於て、断
面略凸状の先細り形状とするか、又は内枠部を第１、第
２のリードフレームの先端を覆う様に断面略Ｉ字状に設
ける。
【０００５】
【作用】上述の様に、光半導体素子と集積回路素子が固
着された第１、第２のリードフレームのパターンを複数
個設けたフレーム群を金型によるプレスにて１度に１個
ずつ切り落とす事が出来るので製造し易い。そして第１
のリードフレームの表面に光半導体素子を固着し、第１
又は第２のリードフレームの裏面に集積回路素子を固着
するので、両面を有効利用することにより装置が小型に
なる。また第１、第２のリードフレームの隙間を内枠部
で仕切るので、光半導体素子から放射した光は集積回路
素子を励起しない。
着された第１、第２のリードフレームのパターンを複数
個設けたフレーム群を金型によるプレスにて１度に１個
ずつ切り落とす事が出来るので製造し易い。そして第１
のリードフレームの表面に光半導体素子を固着し、第１
又は第２のリードフレームの裏面に集積回路素子を固着
するので、両面を有効利用することにより装置が小型に
なる。また第１、第２のリードフレームの隙間を内枠部
で仕切るので、光半導体素子から放射した光は集積回路
素子を励起しない。
【０００６】
【実施例】以下に受光素子を用いた本発明の第１実施例
を図に従って説明する。図１（ａ）は本実施例に係る光
半導体装置の平面図であり、図１（ｂ）はそれのＡＡ断
面図であり、図１（ｃ）は本装置の下面図である。これ
らの図に於て、第１のリードフレーム１と第２のリード
フレーム２、３、４はそれぞれ離れて位置し、すべて鉄
などから成りメッキされている。光半導体素子５は例え
ばＰ型基板に燐を拡散して形成されたＰＩＮオートダイ
オードから成る受光素子であり、第１のリードフレーム
１の表面上に載置、固着されている。集積回路素子６は
例えば増幅器とフィルタと復調回路と波形整形回路とト
ランジスターから成り、第２のリードフレーム２の裏面
上に載置、固着されている。
を図に従って説明する。図１（ａ）は本実施例に係る光
半導体装置の平面図であり、図１（ｂ）はそれのＡＡ断
面図であり、図１（ｃ）は本装置の下面図である。これ
らの図に於て、第１のリードフレーム１と第２のリード
フレーム２、３、４はそれぞれ離れて位置し、すべて鉄
などから成りメッキされている。光半導体素子５は例え
ばＰ型基板に燐を拡散して形成されたＰＩＮオートダイ
オードから成る受光素子であり、第１のリードフレーム
１の表面上に載置、固着されている。集積回路素子６は
例えば増幅器とフィルタと復調回路と波形整形回路とト
ランジスターから成り、第２のリードフレーム２の裏面
上に載置、固着されている。
【０００７】樹脂体７は例えばポリフェニレンサルファ
イド等の耐熱性熱可塑樹脂から成り外枠部８と内枠部９
を有し、第１、第２のリードフレーム１と２、３、４の
周辺を覆う様に成形加工されている。外枠部８の上側は
光半導体素子５の外側に位置し、外枠部８の下側は集積
回路素子６の外側に位置し、外形が略直方体状に形成さ
れる。内枠部９は第１、第２のリードフレーム１と２、
３、４の隙間を埋める様に形成される。金属細線１０、
１１、１２、１３、１４はすべて金等から成りそれぞれ
光半導体素子５と第２のリードフレーム２の間、集積回
路素子６と第１のリードフレーム１との間、第２のリー
ドフレーム４との間、第２のリードフレーム２との間、
および第２のリードフレーム３との間でワイヤボンディ
ングされている。透光性樹脂１５はエポキシ樹脂等から
成り、光半導体素子５と金属細線１０の周辺を覆い、外
枠部８の上側の凹部を覆う様に形成される。遮光性樹脂
１６は遮光性を有する黒色の樹脂から成り、集積回路素
子６と金属細線１１、１２、１３と１４の周辺を覆い、
外枠部８の下側の凹部を覆う様に形成される。これらの
部品により光半導体装置１７は構成されている。Ｖｃｃ
とＧＮＤは集積回路素子６内の各回路に与えられる印加
電位と接地電位である。電気的信号を変調された赤外光
を受けとった光半導体素子５からの信号ＶINは、集積回
路素子６を経て、第２のリードフレーム３に電気信号Ｖ
ｏを与える。
イド等の耐熱性熱可塑樹脂から成り外枠部８と内枠部９
を有し、第１、第２のリードフレーム１と２、３、４の
周辺を覆う様に成形加工されている。外枠部８の上側は
光半導体素子５の外側に位置し、外枠部８の下側は集積
回路素子６の外側に位置し、外形が略直方体状に形成さ
れる。内枠部９は第１、第２のリードフレーム１と２、
３、４の隙間を埋める様に形成される。金属細線１０、
１１、１２、１３、１４はすべて金等から成りそれぞれ
光半導体素子５と第２のリードフレーム２の間、集積回
路素子６と第１のリードフレーム１との間、第２のリー
ドフレーム４との間、第２のリードフレーム２との間、
および第２のリードフレーム３との間でワイヤボンディ
ングされている。透光性樹脂１５はエポキシ樹脂等から
成り、光半導体素子５と金属細線１０の周辺を覆い、外
枠部８の上側の凹部を覆う様に形成される。遮光性樹脂
１６は遮光性を有する黒色の樹脂から成り、集積回路素
子６と金属細線１１、１２、１３と１４の周辺を覆い、
外枠部８の下側の凹部を覆う様に形成される。これらの
部品により光半導体装置１７は構成されている。Ｖｃｃ
とＧＮＤは集積回路素子６内の各回路に与えられる印加
電位と接地電位である。電気的信号を変調された赤外光
を受けとった光半導体素子５からの信号ＶINは、集積回
路素子６を経て、第２のリードフレーム３に電気信号Ｖ
ｏを与える。
【０００８】更に本光半導体装置の製造工程を述べる。
図１（ａ）で示したリードフレームのパターンを複数個
設けたフレーム群を金型によるプレスにて打抜くと、パ
ターン間に継ぎ部を有するフレーム群が完成する。これ
をメッキ処理する。外枠部８と内枠部９を有する樹脂体
７を各パターン毎に形成する様にインジェクション成形
する。次に第１のリードフレーム１の表面上に光半導体
素子５をダイボンディング及びワイヤボンディングす
る。第２のリードフレーム２の裏面上に集積回路素子６
をダイボンディング及びワイヤボンディングする。透光
性樹脂１５及び遮光性樹脂１６をモールドする。そして
フレーム群の継ぎ部を金型によりプレスすると１個ずつ
の光半導体装置１７が得られる。その後、必要に応じ
て、図１（ｂ）に示す様に、第１、第２のリードフレー
ム１と２、３、４の折曲げを行っても良い。
図１（ａ）で示したリードフレームのパターンを複数個
設けたフレーム群を金型によるプレスにて打抜くと、パ
ターン間に継ぎ部を有するフレーム群が完成する。これ
をメッキ処理する。外枠部８と内枠部９を有する樹脂体
７を各パターン毎に形成する様にインジェクション成形
する。次に第１のリードフレーム１の表面上に光半導体
素子５をダイボンディング及びワイヤボンディングす
る。第２のリードフレーム２の裏面上に集積回路素子６
をダイボンディング及びワイヤボンディングする。透光
性樹脂１５及び遮光性樹脂１６をモールドする。そして
フレーム群の継ぎ部を金型によりプレスすると１個ずつ
の光半導体装置１７が得られる。その後、必要に応じ
て、図１（ｂ）に示す様に、第１、第２のリードフレー
ム１と２、３、４の折曲げを行っても良い。
【０００９】次に発光ダイオードを用いた本発明の第２
実施例を図に従って説明する。図２（ａ）は本実施例に
係る光半導体装置の平面図であり、図２（ｂ）はそれの
ＢＢ断面図であり、図２（ｃ）は本装置の下面図であ
る。これらの図に於て、第１のリードフレーム１８、１
９、２０と第２のリードフレーム２１、２２、２３はそ
れぞれ離れて位置し、すべて鉄等から成りメッキされて
いる。光半導体素子２４、２５、２６はそれぞれ第１の
リードフレーム１８、１９、２０の表面上に載置固着さ
れ、例えばＧａＡｌＡｓから成る発光ダイオードであ
る。集積回路素子２７は例えば波形整形回路と変調回路
とトランジスターから成り、第２のリードフレーム２１
の裏面上に載置、固着されている。
実施例を図に従って説明する。図２（ａ）は本実施例に
係る光半導体装置の平面図であり、図２（ｂ）はそれの
ＢＢ断面図であり、図２（ｃ）は本装置の下面図であ
る。これらの図に於て、第１のリードフレーム１８、１
９、２０と第２のリードフレーム２１、２２、２３はそ
れぞれ離れて位置し、すべて鉄等から成りメッキされて
いる。光半導体素子２４、２５、２６はそれぞれ第１の
リードフレーム１８、１９、２０の表面上に載置固着さ
れ、例えばＧａＡｌＡｓから成る発光ダイオードであ
る。集積回路素子２７は例えば波形整形回路と変調回路
とトランジスターから成り、第２のリードフレーム２１
の裏面上に載置、固着されている。
【００１０】ポリフェニレンサルファイド等から成る樹
脂体２８は、光半導体素子２４、２５、２６及び集積回
路素子２７の外側に形成された外枠部２９及び第１のリ
ードフレーム１８、１９、２０と第２のリードフレーム
２１、２２、２３の隙間を埋める様に形成された内枠部
３０を有する。金属細線は、光半導体素子２４、２５、
２６と各リードフレームとの間及び集積回路素子２７と
各リードフレームとの間でワイヤボンディングされてい
る。透光性樹脂３１は光半導体素子２４、２５、２６と
金属細線を覆う様に形成される。遮光性樹脂３２は集積
回路素子２７と金属細線を覆う様に形成される。これら
により光半導体装置３３が構成されている。第２のリー
ドフレーム２２から入った電気信号ＶINは、集積回路素
子２７を経て、光半導体素子２４、２５、２６から電気
信号を変調された赤外光として発光される。
脂体２８は、光半導体素子２４、２５、２６及び集積回
路素子２７の外側に形成された外枠部２９及び第１のリ
ードフレーム１８、１９、２０と第２のリードフレーム
２１、２２、２３の隙間を埋める様に形成された内枠部
３０を有する。金属細線は、光半導体素子２４、２５、
２６と各リードフレームとの間及び集積回路素子２７と
各リードフレームとの間でワイヤボンディングされてい
る。透光性樹脂３１は光半導体素子２４、２５、２６と
金属細線を覆う様に形成される。遮光性樹脂３２は集積
回路素子２７と金属細線を覆う様に形成される。これら
により光半導体装置３３が構成されている。第２のリー
ドフレーム２２から入った電気信号ＶINは、集積回路素
子２７を経て、光半導体素子２４、２５、２６から電気
信号を変調された赤外光として発光される。
【００１１】次に本発明の第３実施例を図に従って説明
する。図３（ａ）は本実施例に係る光半導体装置の平面
図であり、図３（ｂ）はそれのＤＤ断面図である。これ
らの図に於て、第１のリードフレーム３４と第２のリー
ドフレーム３５、３６、３７、３８、３９、４０、４
１、４２、４３はそれぞれ鉄等から成り離れて位置して
いる。そして、これらのリードフレームは互いの隙間近
傍に於て、端部４４の断面が略凸状の先細りの形状を成
す様に、コイニングプレスして形成されメッキ処理され
る。光半導体素子４５は第１のリードフレーム３４の表
面上に載置、固着され、集積回路素子４６は第１のリー
ドフレーム３４の裏面上に載置、固着される。樹脂体４
７は外枠部４８と内枠部４９を有し、外枠部４８は第
１、第２のリードフレーム３４ないし４３の周辺を覆う
様に形成される。内枠部４９は端部４４の周辺を覆って
いる。この様なリードフレームの端部４４の形状をする
ことにより、リードフレームの固定が強固になる。
する。図３（ａ）は本実施例に係る光半導体装置の平面
図であり、図３（ｂ）はそれのＤＤ断面図である。これ
らの図に於て、第１のリードフレーム３４と第２のリー
ドフレーム３５、３６、３７、３８、３９、４０、４
１、４２、４３はそれぞれ鉄等から成り離れて位置して
いる。そして、これらのリードフレームは互いの隙間近
傍に於て、端部４４の断面が略凸状の先細りの形状を成
す様に、コイニングプレスして形成されメッキ処理され
る。光半導体素子４５は第１のリードフレーム３４の表
面上に載置、固着され、集積回路素子４６は第１のリー
ドフレーム３４の裏面上に載置、固着される。樹脂体４
７は外枠部４８と内枠部４９を有し、外枠部４８は第
１、第２のリードフレーム３４ないし４３の周辺を覆う
様に形成される。内枠部４９は端部４４の周辺を覆って
いる。この様なリードフレームの端部４４の形状をする
ことにより、リードフレームの固定が強固になる。
【００１２】更にリードフレームの固定を強固にする他
の手段として、本発明の第４実施例を図４の断面図に従
って説明する。内枠部５０は第１、第２のリードフレー
ム５１、５２の先端を覆う様に断面略Ｉ字状に形成され
ている。この様な内枠部５０の形状をすればリードフレ
ームの固定が強固になる。
の手段として、本発明の第４実施例を図４の断面図に従
って説明する。内枠部５０は第１、第２のリードフレー
ム５１、５２の先端を覆う様に断面略Ｉ字状に形成され
ている。この様な内枠部５０の形状をすればリードフレ
ームの固定が強固になる。
【００１３】次に本発明の応用例として、第５実施例を
図５の断面図に従って説明する。この図に於て、光半導
体装置１７は第１実施例で述べたものと同一である。外
枠樹脂体５３は耐熱性、耐湿性、耐薬品性、耐圧性の優
れた樹脂、例えばシリカ又はグラスファイバーを充填さ
れたエポキシ樹脂から成り、光半導体装置１７を包む様
に成形される。そして外枠樹脂体５３にレンズ部５４を
形成すれば、光半導体素子５に対して集光性が向上する
効果が得られる。
図５の断面図に従って説明する。この図に於て、光半導
体装置１７は第１実施例で述べたものと同一である。外
枠樹脂体５３は耐熱性、耐湿性、耐薬品性、耐圧性の優
れた樹脂、例えばシリカ又はグラスファイバーを充填さ
れたエポキシ樹脂から成り、光半導体装置１７を包む様
に成形される。そして外枠樹脂体５３にレンズ部５４を
形成すれば、光半導体素子５に対して集光性が向上する
効果が得られる。
【００１４】更に、本発明の他の応用例として、第６実
施例を図６の断面図に従って説明する。外枠樹脂体５５
はシリカ又はグラスファイバー入りのエポキシ樹脂から
成り光半導体装置１７の上半分の外形より少し大きい内
形寸法にて成形される。そして光半導体装置１７の上半
分に挿入して、例えば接着剤等で固定される。これによ
り第５実施例より簡単な装置が得られる。
施例を図６の断面図に従って説明する。外枠樹脂体５５
はシリカ又はグラスファイバー入りのエポキシ樹脂から
成り光半導体装置１７の上半分の外形より少し大きい内
形寸法にて成形される。そして光半導体装置１７の上半
分に挿入して、例えば接着剤等で固定される。これによ
り第５実施例より簡単な装置が得られる。
【００１５】また上述のすべての実施例に於て、集積回
路素子は複数の第２のリードフレーム中の１個のリード
フレーム上に設けたが、複数の第２のリードフレームに
またがって載置、固着しても構わない。更に上述のすべ
ての実施例に於て、集積回路素子はダイボンディングさ
れるが、他の手段として半田リフロー等により固定して
も良い。
路素子は複数の第２のリードフレーム中の１個のリード
フレーム上に設けたが、複数の第２のリードフレームに
またがって載置、固着しても構わない。更に上述のすべ
ての実施例に於て、集積回路素子はダイボンディングさ
れるが、他の手段として半田リフロー等により固定して
も良い。
【００１６】
【発明の効果】本発明は上述の様に、光半導体素子と集
積回路素子をリードフレームに固着するので、このパタ
ーンを複数個設けたフレーム群を金型によるプレスにて
１度に１個ずつ切り落とす事が出来るから、製造し易
い。そして第１のリードフレームの表面に光半導体素子
を固着し、第１又は第２のリードフレームの裏面に集積
回路素子を固着するので、両面を有効利用することによ
り装置が小型になる。また第１、第２のリードフレーム
の隙間を内枠部で仕切るので、光半導体素子からの光が
集積回路素子に影響を与えないから、誤動作を生じな
い。
積回路素子をリードフレームに固着するので、このパタ
ーンを複数個設けたフレーム群を金型によるプレスにて
１度に１個ずつ切り落とす事が出来るから、製造し易
い。そして第１のリードフレームの表面に光半導体素子
を固着し、第１又は第２のリードフレームの裏面に集積
回路素子を固着するので、両面を有効利用することによ
り装置が小型になる。また第１、第２のリードフレーム
の隙間を内枠部で仕切るので、光半導体素子からの光が
集積回路素子に影響を与えないから、誤動作を生じな
い。
【００１７】更に、本発明は第１、第２のリードフレー
ムに外枠部を設け、リードフレームの隙間に内枠部を設
けて装置を補強しているので、ワイヤボンディング時に
装置が変形しない。また内枠部を設ける事により、上の
実装面と下の実装面を完全に分離している。そして上の
光半導体素子の固定はダイボンディングとワイヤボンデ
ィングし、下の集積回路素子の固定は半田リフローによ
る事も出来る。故に、上での実装方法と下での実装方法
を別々の方法で行なえ、素子に適した実装方法が選択で
きるという利点が得られる。そして上の実装面と下の実
装面を完全に分離しているので、上の実装面では光半導
体素子を透光性樹脂で覆い、下の実装面では集積回路素
子を遮光性樹脂で覆う様に、素子とその用途に合せてパ
ッケージ方法と材料を選択できるという利点が得られ
る。
ムに外枠部を設け、リードフレームの隙間に内枠部を設
けて装置を補強しているので、ワイヤボンディング時に
装置が変形しない。また内枠部を設ける事により、上の
実装面と下の実装面を完全に分離している。そして上の
光半導体素子の固定はダイボンディングとワイヤボンデ
ィングし、下の集積回路素子の固定は半田リフローによ
る事も出来る。故に、上での実装方法と下での実装方法
を別々の方法で行なえ、素子に適した実装方法が選択で
きるという利点が得られる。そして上の実装面と下の実
装面を完全に分離しているので、上の実装面では光半導
体素子を透光性樹脂で覆い、下の実装面では集積回路素
子を遮光性樹脂で覆う様に、素子とその用途に合せてパ
ッケージ方法と材料を選択できるという利点が得られ
る。
【００１８】また、樹脂体の表面に接して外枠樹脂体を
設ける事により、集光性が向上し、耐熱性、耐湿性、耐
薬品性、耐圧性を確保できる。更に、第１、第２のリー
ドフレームの端部を断面略凸状に形成し、又は内枠部を
略Ｉ字状に形成する事により第１、第２のリードフレー
ムの支持力が増加し固定が強固になる。故にワイヤボン
ド時に変形しないし、半導体装置自体の強度が確保され
る。更に、従来の装置は高価格の絶縁基板を用いるが、
本発明は低価格のリードフレームを用いるので低価格の
光半導体装置が得られる。また従来では外部端子を独立
した工程中に設けていたが、本発明では外部端子を通常
の工程に設けているので、工程が少なくなり、コストも
下がる。
設ける事により、集光性が向上し、耐熱性、耐湿性、耐
薬品性、耐圧性を確保できる。更に、第１、第２のリー
ドフレームの端部を断面略凸状に形成し、又は内枠部を
略Ｉ字状に形成する事により第１、第２のリードフレー
ムの支持力が増加し固定が強固になる。故にワイヤボン
ド時に変形しないし、半導体装置自体の強度が確保され
る。更に、従来の装置は高価格の絶縁基板を用いるが、
本発明は低価格のリードフレームを用いるので低価格の
光半導体装置が得られる。また従来では外部端子を独立
した工程中に設けていたが、本発明では外部端子を通常
の工程に設けているので、工程が少なくなり、コストも
下がる。
【図１】本発明の第１実施例に係る光半導体装置の平面
図（ａ）と、それのＡＡ断面図（ｂ）と、本装置の下面
図（ｃ）である。
図（ａ）と、それのＡＡ断面図（ｂ）と、本装置の下面
図（ｃ）である。
【図２】本発明の第２実施例に係る光半導体装置の平面
図（ａ）と、それのＢＢ断面図（ｂ）と、本装置の下面
図（ｃ）である。
図（ａ）と、それのＢＢ断面図（ｂ）と、本装置の下面
図（ｃ）である。
【図３】本発明の第３実施例に係る光半導体装置の平面
図（ａ）と、それのＤＤ断面図（ｂ）である。
図（ａ）と、それのＤＤ断面図（ｂ）である。
【図４】本発明の第４実施例に係る光半導体装置の断面
図である。
図である。
【図５】本発明の第５実施例に係る光半導体装置の断面
図である。
図である。
【図６】本発明の第６実施例に係る光半導体装置の断面
図である。
図である。
【図７】従来の光半導体装置の断面図である。
１ 第１のリードフレーム
２、３、４ 第２のリードフレーム
５ 光半導体素子
６ 集積回路素子
７ 樹脂体
８ 外枠部
９ 内枠部
１７ 光半導体装置
Claims (2)
- 【請求項１】 第１のリードフレームと、それと離れて
位置する第２のリードフレームと、前記第１のリードフ
レームの表面上に固着された光半導体素子と、前記第１
又は第２のリードフレームの裏面上に固着された集積回
路素子と、前記光半導体素子及び前記集積回路素子の外
側に形成された外枠部と前記第１、第２のリードフレー
ムの隙間に形成された内枠部を有する樹脂体とを具備す
る事を特徴とする光半導体装置。 - 【請求項２】 前記第１、第２のリードフレームが前記
隙間近傍に於て、断面略凸状の先細りの形状を成し、又
は前記内枠部が前記第１、第２のリードフレームの先端
を覆う様に断面略Ｉ字状を成す事を特徴とする請求項１
の光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19422291A JP2966591B2 (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19422291A JP2966591B2 (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 光半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0537021A true JPH0537021A (ja) | 1993-02-12 |
| JP2966591B2 JP2966591B2 (ja) | 1999-10-25 |
Family
ID=16320993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19422291A Expired - Fee Related JP2966591B2 (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2966591B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10107326A (ja) * | 1996-09-30 | 1998-04-24 | Sharp Corp | 側面発光型ｌｅｄランプ |
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| EP1568076A2 (en) * | 2002-12-06 | 2005-08-31 | Cree, Inc. | Composite leadframe led package and method of making the same |
| JP2006339640A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 静電気放電衝撃に対する保護機能が内蔵された高輝度発光ダイオード |
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| JP2010516050A (ja) * | 2007-01-11 | 2010-05-13 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクス部品用のハウジング及びハウジングにおけるオプトエレクトロニクス部品の配置 |
| WO2010139518A1 (de) * | 2009-06-04 | 2010-12-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches halbleiterbauelement |
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| WO2019141435A1 (de) * | 2018-01-17 | 2019-07-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Bauteil und verfahren zur herstellung eines bauteils |
-
1991
- 1991-08-02 JP JP19422291A patent/JP2966591B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE102009023854B4 (de) | 2009-06-04 | 2023-11-09 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Halbleiterbauelement |
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|---|---|
| JP2966591B2 (ja) | 1999-10-25 |
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