JP2001077424A - 光半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
光半導体装置およびその製造方法Info
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- JP2001077424A JP2001077424A JP25233199A JP25233199A JP2001077424A JP 2001077424 A JP2001077424 A JP 2001077424A JP 25233199 A JP25233199 A JP 25233199A JP 25233199 A JP25233199 A JP 25233199A JP 2001077424 A JP2001077424 A JP 2001077424A
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- optical semiconductor
- semiconductor device
- lead
- lead frame
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 実装面積を最小限に抑え、装置の信頼性を損
なわず、生産工程を増加させることなく、しかも安価に
作製することができる面実装対応型の光半導体装置を提
供する。 【解決手段】 光半導体チップを搭載したリード２ａを
境界として、上部モールド部７および下部モールド部８
の一方が他方よりも大きく、リード２ａが露出してい
る。パッケージ外部よりも外側にリード２ａが引き出さ
れていない。
なわず、生産工程を増加させることなく、しかも安価に
作製することができる面実装対応型の光半導体装置を提
供する。 【解決手段】 光半導体チップを搭載したリード２ａを
境界として、上部モールド部７および下部モールド部８
の一方が他方よりも大きく、リード２ａが露出してい
る。パッケージ外部よりも外側にリード２ａが引き出さ
れていない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光装置、受光装
置および光結合装置等の光半導体装置およびその製造方
法に関し、特に、小型化が可能な面実装型の光半導体装
置に関する。
置および光結合装置等の光半導体装置およびその製造方
法に関し、特に、小型化が可能な面実装型の光半導体装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１０（ａ）は面実装対応が可能な従来
の光半導体装置の概略構成を示す上面図であり、図１０
（ｂ）はそのＤ−Ｄ’線による断面図である。
の光半導体装置の概略構成を示す上面図であり、図１０
（ｂ）はそのＤ−Ｄ’線による断面図である。
【０００３】この光半導体装置の製造は、図２（ｂ）に
示すようにして行われる。まず、図２（ｂ）の（ｂ−
１）の工程において発光素子や受光素子等の光半導体素
子をリードフレーム２に搭載し、（ｂ−２）の工程にお
いてボンディングワイヤにより２次側のリード端子と電
気的に接続する。次に、（ｂ−３）の工程において光半
導体素子の外周囲を透光性樹脂により被覆成形して外囲
部（パッケージ）６を形成する。その後、（ｂ−４）の
工程において面実装に対応するために、外囲部６から露
出しているリードフレーム２が実装面と平行になるよう
に、機械的な折り曲げ（Ｚフォーミング）を行う。そし
て、（ｂ−５）の工程において外観および特性検査を行
って光半導体装置が完成する。
示すようにして行われる。まず、図２（ｂ）の（ｂ−
１）の工程において発光素子や受光素子等の光半導体素
子をリードフレーム２に搭載し、（ｂ−２）の工程にお
いてボンディングワイヤにより２次側のリード端子と電
気的に接続する。次に、（ｂ−３）の工程において光半
導体素子の外周囲を透光性樹脂により被覆成形して外囲
部（パッケージ）６を形成する。その後、（ｂ−４）の
工程において面実装に対応するために、外囲部６から露
出しているリードフレーム２が実装面と平行になるよう
に、機械的な折り曲げ（Ｚフォーミング）を行う。そし
て、（ｂ−５）の工程において外観および特性検査を行
って光半導体装置が完成する。
【０００４】或いは、図１１（ａ）〜図１１（ｃ）に示
すように、外囲部６から露出しているリード２ａを機械
的に折り曲げて（Ｊベンド）、面実装に対応した光半導
体装置も知られている。なお、図１１（ａ）は光半導体
装置の上面図であり、図１１（ｂ）はその側面図であ
り、図１１（ｃ）はその裏面図である。
すように、外囲部６から露出しているリード２ａを機械
的に折り曲げて（Ｊベンド）、面実装に対応した光半導
体装置も知られている。なお、図１１（ａ）は光半導体
装置の上面図であり、図１１（ｂ）はその側面図であ
り、図１１（ｃ）はその裏面図である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、リー
ドフレームを採用している従来の光半導体装置において
は、パッケージの外囲部から露出しているリードを実装
面と平行になるように機械的に折り曲げて、面実装に対
応している。
ドフレームを採用している従来の光半導体装置において
は、パッケージの外囲部から露出しているリードを実装
面と平行になるように機械的に折り曲げて、面実装に対
応している。
【０００６】このうち、Ｚフォーミングを用いたもの
は、パッケージの外囲部６よりも外側に実装用リードが
引き出されているので、実装面積をパッケージサイズよ
りも実装用途のリード分だけ広くする必要があり、実装
面積が増加するという問題が生じる。
は、パッケージの外囲部６よりも外側に実装用リードが
引き出されているので、実装面積をパッケージサイズよ
りも実装用途のリード分だけ広くする必要があり、実装
面積が増加するという問題が生じる。
【０００７】これに対して、ＪベンドはＺフォーミング
のように実装用リードがパッケージ外囲部６よりも外側
に引き出されておらず、実装面積があまり増加しないた
め、ＩＣ等に用いられている。そして、ＩＣでは、外囲
部を構成する樹脂としてフィラー含有エポキシ樹脂等の
機械強度が強い樹脂が用いられているため、Ｊベンドを
問題無く形成することができる。しかし、光半導体装置
に用いられるエポキシ樹脂等は機械強度が低いため、Ｊ
ベンドを形成するとリードが引き出される外囲部にクラ
ックが入って装置の信頼性を損なうという問題がある。
下記表１にＩＣで用いられている樹脂と光半導体装置に
一般的に用いられている樹脂とについて、機械強度を比
較した結果を示す。
のように実装用リードがパッケージ外囲部６よりも外側
に引き出されておらず、実装面積があまり増加しないた
め、ＩＣ等に用いられている。そして、ＩＣでは、外囲
部を構成する樹脂としてフィラー含有エポキシ樹脂等の
機械強度が強い樹脂が用いられているため、Ｊベンドを
問題無く形成することができる。しかし、光半導体装置
に用いられるエポキシ樹脂等は機械強度が低いため、Ｊ
ベンドを形成するとリードが引き出される外囲部にクラ
ックが入って装置の信頼性を損なうという問題がある。
下記表１にＩＣで用いられている樹脂と光半導体装置に
一般的に用いられている樹脂とについて、機械強度を比
較した結果を示す。
【０００８】
【表１】
【０００９】さらに、光半導体装置の生産工程におい
て、外囲部に引き出されたリードをＺフォーミングやＪ
ベンド等の面実装対応のためのリード形状に機械加工す
る工程が必要であり、製造工程が増加するという問題も
ある。
て、外囲部に引き出されたリードをＺフォーミングやＪ
ベンド等の面実装対応のためのリード形状に機械加工す
る工程が必要であり、製造工程が増加するという問題も
ある。
【００１０】これらの問題を解決するための手段の１つ
として、リードフレームではなく一般的なプリント基板
を用いて光半導体装置を作製する方法があるが、光半導
体装置毎に各材料費を比較した場合、割高であるという
問題がある。
として、リードフレームではなく一般的なプリント基板
を用いて光半導体装置を作製する方法があるが、光半導
体装置毎に各材料費を比較した場合、割高であるという
問題がある。
【００１１】本発明は、このような従来技術の課題を解
決するためになされたものであり、面実装対応可能な光
半導体装置において、実装面積を最小限に抑え、装置の
信頼性を損なわず、生産工程を増加させることなく、し
かも安価に作製することができる光半導体装置およびそ
の製造方法を提供することを目的とする。
決するためになされたものであり、面実装対応可能な光
半導体装置において、実装面積を最小限に抑え、装置の
信頼性を損なわず、生産工程を増加させることなく、し
かも安価に作製することができる光半導体装置およびそ
の製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の光半導体装置
は、光半導体チップをリードフレームに搭載して樹脂に
より被覆成形した光半導体装置において、リードを境界
として、上部モールド部および下部モールド部の一方が
他方よりも大きく、大きい方のモールド部が小さい方の
モールド部と重ならずにはみ出している部分でリードが
露出し、そのことにより上記目的が達成される。
は、光半導体チップをリードフレームに搭載して樹脂に
より被覆成形した光半導体装置において、リードを境界
として、上部モールド部および下部モールド部の一方が
他方よりも大きく、大きい方のモールド部が小さい方の
モールド部と重ならずにはみ出している部分でリードが
露出し、そのことにより上記目的が達成される。
【００１３】本発明の他の光半導体装置は、光半導体チ
ップをリードフレームに搭載して樹脂により被覆成形し
た光半導体装置において、リードを境界とした上部モー
ルド部および下部モールド部のうち、少なくとも下部モ
ールド部にリードまで達する貫通孔を有し、そのことに
より上記目的が達成される。
ップをリードフレームに搭載して樹脂により被覆成形し
た光半導体装置において、リードを境界とした上部モー
ルド部および下部モールド部のうち、少なくとも下部モ
ールド部にリードまで達する貫通孔を有し、そのことに
より上記目的が達成される。
【００１４】前記リードフレームが折り曲げ加工され、
パッケージ側面部においてリードの折り曲げ面が露出し
ていてもよい。
パッケージ側面部においてリードの折り曲げ面が露出し
ていてもよい。
【００１５】前記リードが平坦であり、前記下部モール
ド部がリード下面よりも突出していてもよい。
ド部がリード下面よりも突出していてもよい。
【００１６】前記リードフレームが折り曲げ加工されて
リード端部がパッケージ側面と重なり、パッケージ下面
部およびパッケージ側面部においてリードが露出してい
るのが好ましい。
リード端部がパッケージ側面と重なり、パッケージ下面
部およびパッケージ側面部においてリードが露出してい
るのが好ましい。
【００１７】前記上部モールド部は、樹脂モールド時に
リードフレームを押さえるための貫通孔を有するのが好
ましい。
リードフレームを押さえるための貫通孔を有するのが好
ましい。
【００１８】前記下部モールド部に貫通孔を有するのが
好ましい。
好ましい。
【００１９】本発明の光半導体装置の製造方法は、光半
導体チップをリードフレームに搭載して樹脂により被覆
成形した光半導体装置を製造する方法であって、リード
フレームを境界として、上部モールド部および下部モー
ルド部の一方が他方よりも大きく、大きい方のモールド
部が小さい方のモールド部と重ならずにはみ出している
部分で該リードフレームが露出するように樹脂でモール
ドする工程を含み、そのことにより上記目的が達成され
る。
導体チップをリードフレームに搭載して樹脂により被覆
成形した光半導体装置を製造する方法であって、リード
フレームを境界として、上部モールド部および下部モー
ルド部の一方が他方よりも大きく、大きい方のモールド
部が小さい方のモールド部と重ならずにはみ出している
部分で該リードフレームが露出するように樹脂でモール
ドする工程を含み、そのことにより上記目的が達成され
る。
【００２０】本発明の光半導体装置の製造方法は、光半
導体チップをリードフレームに搭載して樹脂により被覆
成形した光半導体装置を製造する方法であって、リード
フレームを樹脂によりモールドする際に、リードフレー
ムを境界として下面側の金型に設けた突起と上面側の金
型とにより該リードフレームを挟み込んで押さえ、該突
起によって下部モールド部にリードフレームまで達する
貫通孔を形成する工程とを含み、そのことにより上記目
的が達成される。
導体チップをリードフレームに搭載して樹脂により被覆
成形した光半導体装置を製造する方法であって、リード
フレームを樹脂によりモールドする際に、リードフレー
ムを境界として下面側の金型に設けた突起と上面側の金
型とにより該リードフレームを挟み込んで押さえ、該突
起によって下部モールド部にリードフレームまで達する
貫通孔を形成する工程とを含み、そのことにより上記目
的が達成される。
【００２１】前記樹脂でモールドする工程の前に、前記
リードフレームを折り曲げ加工する工程を含んでいても
よい。
リードフレームを折り曲げ加工する工程を含んでいても
よい。
【００２２】前記樹脂でモールドする工程において、上
面側の金型に設けた突起と下面側の金型とにより前記リ
ードフレームを挟み込んで押さえるのが好ましい。
面側の金型に設けた突起と下面側の金型とにより前記リ
ードフレームを挟み込んで押さえるのが好ましい。
【００２３】以下、本発明の作用について説明する。
【００２４】本発明にあっては、光半導体チップが搭載
されたリードを境界として、上部モールド部および下部
モールド部の一方を他方よりも大きくしてあるので、大
きい方のモールド部が小さい方のモールド部と重ならず
にはみ出している部分でリードが露出する。その露出し
たリード部分に半田付け可能であるので、従来のＺフォ
ーミング加工のようにパッケージ外囲部よりも外側に実
装用リードを引き出す必要がない。さらに、小さい方の
モールド部が半田付け部に対して凸部になるので、その
凸部によって基板への位置決めが容易となる。
されたリードを境界として、上部モールド部および下部
モールド部の一方を他方よりも大きくしてあるので、大
きい方のモールド部が小さい方のモールド部と重ならず
にはみ出している部分でリードが露出する。その露出し
たリード部分に半田付け可能であるので、従来のＺフォ
ーミング加工のようにパッケージ外囲部よりも外側に実
装用リードを引き出す必要がない。さらに、小さい方の
モールド部が半田付け部に対して凸部になるので、その
凸部によって基板への位置決めが容易となる。
【００２５】他の本発明にあっては、リードを境界とし
た上部モールド部および下部モールド部のうち、少なく
とも下部モールド部にリードまで達する貫通孔を有して
いるので、その貫通孔から露出しているリード部分で基
板への半田付けが可能となる。よって、従来のようにＺ
フォーミング加工やＪベンド加工等を行わなくても、小
さい実装面積で基板への面実装が可能となる。
た上部モールド部および下部モールド部のうち、少なく
とも下部モールド部にリードまで達する貫通孔を有して
いるので、その貫通孔から露出しているリード部分で基
板への半田付けが可能となる。よって、従来のようにＺ
フォーミング加工やＪベンド加工等を行わなくても、小
さい実装面積で基板への面実装が可能となる。
【００２６】このリードフレームを折り曲げ加工して、
パッケージ側面部においてリードの折り曲げ面が露出す
るようにすれば、リードを折り曲げた分だけ実装面積を
小さくすることが可能である。また、露出した折り曲げ
面に半田付けすることにより半田付け面を大きくして半
田付け強度を強くすることも可能である。このリードフ
レームの折り曲げ加工は樹脂モールド前に行われるの
で、従来のＪベンド加工のようにリードが引き出される
外囲部にクラックが入って装置の信頼性を損なうという
ことはない。また、樹脂モールド後に外囲部に引き出さ
れたリードをＺフォーミングやＪベンド等の面実装対応
のためのリード形状に機械加工する工程は不要である。
光半導体装置を基板等に実装する際に、リード下面が下
部パッケージ下面と同一面になく、リード下面が基板に
対して浮いた状態では、半田付けが困難な場合がある。
このような場合には、リードフレームを折り曲げ加工し
て、リード下面を下部パッケージ下面と同一面に配置す
るのが好ましい。
パッケージ側面部においてリードの折り曲げ面が露出す
るようにすれば、リードを折り曲げた分だけ実装面積を
小さくすることが可能である。また、露出した折り曲げ
面に半田付けすることにより半田付け面を大きくして半
田付け強度を強くすることも可能である。このリードフ
レームの折り曲げ加工は樹脂モールド前に行われるの
で、従来のＪベンド加工のようにリードが引き出される
外囲部にクラックが入って装置の信頼性を損なうという
ことはない。また、樹脂モールド後に外囲部に引き出さ
れたリードをＺフォーミングやＪベンド等の面実装対応
のためのリード形状に機械加工する工程は不要である。
光半導体装置を基板等に実装する際に、リード下面が下
部パッケージ下面と同一面になく、リード下面が基板に
対して浮いた状態では、半田付けが困難な場合がある。
このような場合には、リードフレームを折り曲げ加工し
て、リード下面を下部パッケージ下面と同一面に配置す
るのが好ましい。
【００２７】或いは、リードフレームを折り曲げ加工せ
ずに平坦な形状にしても、リードが露出している部分が
あるので、その露出部分を電極として面実装することが
可能である。このとき、下部モールド部はリード下面よ
りも突出するので、その凸部により基板に対する位置決
めが容易となる。
ずに平坦な形状にしても、リードが露出している部分が
あるので、その露出部分を電極として面実装することが
可能である。このとき、下部モールド部はリード下面よ
りも突出するので、その凸部により基板に対する位置決
めが容易となる。
【００２８】リードフレームを折り曲げ加工した場合、
リード端部をパッケージ側面と重ならせて、パッケージ
下面部およびパッケージ側面部においてリードを露出さ
せれば、リードの下面と側面の両方に半田付けを行うこ
とができ、半田付け面積が大きくなる。
リード端部をパッケージ側面と重ならせて、パッケージ
下面部およびパッケージ側面部においてリードを露出さ
せれば、リードの下面と側面の両方に半田付けを行うこ
とができ、半田付け面積が大きくなる。
【００２９】樹脂モールド時に、上面側の金型に設けた
突起と下面側の金型とによりリードフレームを挟み込ん
で押さえれば、リードを下部モールド部と上部モールド
部の境界に確実に保持することが容易である。このと
き、上部モールド部にはリードフレームまで達する貫通
孔が形成される。
突起と下面側の金型とによりリードフレームを挟み込ん
で押さえれば、リードを下部モールド部と上部モールド
部の境界に確実に保持することが容易である。このと
き、上部モールド部にはリードフレームまで達する貫通
孔が形成される。
【００３０】さらに、下部モールド部にも貫通孔を設
け、光半導体装置を実装する基板に設けた突起をその貫
通孔に挿入するようにすれば、実装精度を向上させるこ
とが可能である。また、この下部モールド部の貫通孔を
形成するために下面側の金型に設けた突起と、上面側の
金型（上面側の金型にも突起がある場合にはリードフレ
ーム）とによってリードフレームを挟み込んで押さえる
こともでき、この場合にもリードを下部モールド部と上
部モールド部の境界に確実に保持することができる。
け、光半導体装置を実装する基板に設けた突起をその貫
通孔に挿入するようにすれば、実装精度を向上させるこ
とが可能である。また、この下部モールド部の貫通孔を
形成するために下面側の金型に設けた突起と、上面側の
金型（上面側の金型にも突起がある場合にはリードフレ
ーム）とによってリードフレームを挟み込んで押さえる
こともでき、この場合にもリードを下部モールド部と上
部モールド部の境界に確実に保持することができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施形態につい
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
【００３２】（実施形態１）図１（ａ）は実施形態１の
光半導体装置の概略構成を示す上面図であり、図１
（ｂ）はその側面図であり、（ｃ）はその裏面図であ
り、（ｄ）はそのＡ−Ａ’線部分の断面図である。
光半導体装置の概略構成を示す上面図であり、図１
（ｂ）はその側面図であり、（ｃ）はその裏面図であ
り、（ｄ）はそのＡ−Ａ’線部分の断面図である。
【００３３】この光半導体装置は、発光素子や受光素子
等の光半導体素子１がリード２ａに搭載され、ボンディ
ングワイヤ３により２次側のリード端子４と電気的に接
続されている。そして、光半導体素子の外周囲は透光性
樹脂により被覆成形されて外囲部となっている。この外
囲部は、リード２ａを境界として上部モールド部７が大
きく、下部モールド部８がそれよりも小さく形成されて
いる。リード２ａは、上部モールド部７の下面で下部モ
ールド部８から露出している。この図において、１０は
レンズ部として機能する上部モールド部の一部である。
等の光半導体素子１がリード２ａに搭載され、ボンディ
ングワイヤ３により２次側のリード端子４と電気的に接
続されている。そして、光半導体素子の外周囲は透光性
樹脂により被覆成形されて外囲部となっている。この外
囲部は、リード２ａを境界として上部モールド部７が大
きく、下部モールド部８がそれよりも小さく形成されて
いる。リード２ａは、上部モールド部７の下面で下部モ
ールド部８から露出している。この図において、１０は
レンズ部として機能する上部モールド部の一部である。
【００３４】この半導体レーザ素子は、例えば以下のよ
うにして作製することができる。
うにして作製することができる。
【００３５】まず、図２（ａ）の工程（ａ−１）におい
て、上面図である図３（ａ）に示すように、光半導体素
子１をリードフレーム２に搭載し、導電性樹脂によりダ
イボンドする。次に、図２（ａ）の工程（ａ−２）にお
いて、図３（ａ）に示すように、光半導体素子１と対向
する２次側のリード端子４とをＡｕワイヤ３等により接
続する。
て、上面図である図３（ａ）に示すように、光半導体素
子１をリードフレーム２に搭載し、導電性樹脂によりダ
イボンドする。次に、図２（ａ）の工程（ａ−２）にお
いて、図３（ａ）に示すように、光半導体素子１と対向
する２次側のリード端子４とをＡｕワイヤ３等により接
続する。
【００３６】次に、図２（ａ）の工程（ａ−３）におい
て、上面図である図３（ｂ）および裏面図である図３
（ｃ）に示すように、熱硬化性エポキシ樹脂等の透光性
樹脂を用いてトランスファーモールドにより樹脂パッケ
ージを形成する。このとき、リードフレーム２を境界と
して光半導体素子１を搭載する側（上部モールド部）７
を光半導体素子１を搭載しない側（下部モールド部）８
よりも大きく形成し、上部モールド部７と下部モールド
部８とが重ならずにはみ出している上部モールド部７の
下面からリードフレーム２を露出させる。上部モールド
部７および下部モールド部８の大きさの差は、リードフ
レーム２の露出部が面実装のための電極として充分な大
きさになるように設定する。また、小さい方のモールド
部である下部モールド部８は、リードフレーム２の固定
を確実に固定するために充分な大きさに設定する。
て、上面図である図３（ｂ）および裏面図である図３
（ｃ）に示すように、熱硬化性エポキシ樹脂等の透光性
樹脂を用いてトランスファーモールドにより樹脂パッケ
ージを形成する。このとき、リードフレーム２を境界と
して光半導体素子１を搭載する側（上部モールド部）７
を光半導体素子１を搭載しない側（下部モールド部）８
よりも大きく形成し、上部モールド部７と下部モールド
部８とが重ならずにはみ出している上部モールド部７の
下面からリードフレーム２を露出させる。上部モールド
部７および下部モールド部８の大きさの差は、リードフ
レーム２の露出部が面実装のための電極として充分な大
きさになるように設定する。また、小さい方のモールド
部である下部モールド部８は、リードフレーム２の固定
を確実に固定するために充分な大きさに設定する。
【００３７】その後、リード２ａをフレームから外し、
図２（ａ）の工程（ａ−４）において外観および特性検
査を行って、光半導体装置が完成する。
図２（ａ）の工程（ａ−４）において外観および特性検
査を行って、光半導体装置が完成する。
【００３８】このようにして得られる本実施形態の光半
導体装置は、従来のようにトランスファーモールドによ
り樹脂パッケージを形成した後、リードフレームを金型
等により曲げ加工する必要がないので、製造工程を簡略
化することができる。また、リード引き出し部にクラッ
ク等が発生しないので、信頼性を向上させることができ
る。また、上部モールド部の下面において露出している
リード部分を電極として面実装を行うことができ、パッ
ケージ外部にリードが引き出されないので実装面積を小
さくすることができる。さらに、下部モールド部がリー
ドより下に突出しているので、その凸部をＰＷＢ等の実
装面への位置決めのために利用することができる。
導体装置は、従来のようにトランスファーモールドによ
り樹脂パッケージを形成した後、リードフレームを金型
等により曲げ加工する必要がないので、製造工程を簡略
化することができる。また、リード引き出し部にクラッ
ク等が発生しないので、信頼性を向上させることができ
る。また、上部モールド部の下面において露出している
リード部分を電極として面実装を行うことができ、パッ
ケージ外部にリードが引き出されないので実装面積を小
さくすることができる。さらに、下部モールド部がリー
ドより下に突出しているので、その凸部をＰＷＢ等の実
装面への位置決めのために利用することができる。
【００３９】（実施形態２）図４（ａ）は実施形態２の
光半導体装置の概略構成を示す上面図であり、図４
（ｂ）はその側面図であり、図４（ｃ）はその裏面図で
ある。
光半導体装置の概略構成を示す上面図であり、図４
（ｂ）はその側面図であり、図４（ｃ）はその裏面図で
ある。
【００４０】この光半導体装置においては、リード２ａ
に外囲部側面が露出面となるような折り曲げ加工部９を
設けてある。
に外囲部側面が露出面となるような折り曲げ加工部９を
設けてある。
【００４１】この半導体レーザ素子は、例えば以下のよ
うにして作製することができる。
うにして作製することができる。
【００４２】まず、上面図である図５（ａ−１）および
そのＸ−Ｘ’線による断面図である図５（ａ−２）に示
すように、リードフレーム２に折り曲げ加工部９を形成
する。そして、図２（ａ）の工程（ａ−１）において、
図５（ａ−１）および図５（ａ−２）に示すように、光
半導体素子１をリードフレーム２に搭載し、導電性樹脂
によりダイボンドする。次に、図２（ａ）の工程（ａ−
２）において、図５（ａ−１）および図５（ａ−２）に
示すように、光半導体素子１と対向する２次側のリード
端子４とをＡｕワイヤ３等により接続する。
そのＸ−Ｘ’線による断面図である図５（ａ−２）に示
すように、リードフレーム２に折り曲げ加工部９を形成
する。そして、図２（ａ）の工程（ａ−１）において、
図５（ａ−１）および図５（ａ−２）に示すように、光
半導体素子１をリードフレーム２に搭載し、導電性樹脂
によりダイボンドする。次に、図２（ａ）の工程（ａ−
２）において、図５（ａ−１）および図５（ａ−２）に
示すように、光半導体素子１と対向する２次側のリード
端子４とをＡｕワイヤ３等により接続する。
【００４３】次に、図２（ａ）の工程（ａ−３）におい
て、上面図である図５（ｂ−１）、そのＸ−Ｘ’線によ
る断面図である図５（ｂ−２）および裏面図である図５
（ｃ）に示すように、熱硬化性エポキシ樹脂等の透光性
樹脂を用いてトランスファーモールドにより樹脂パッケ
ージを形成する。このとき、リードフレーム２を境界と
して光半導体素子１を搭載する側（上部モールド部）７
を光半導体素子１を搭載しない側（下部モールド部）８
よりも大きく形成する。また、リードフレーム２の折り
曲げ加工部９の折り曲げ面を外囲部側面から露出させ
る。折り曲げ加工部９は、外囲部側面から露出した折り
曲げ面を電極として用いるのに充分な大きさになるよう
に設定する。
て、上面図である図５（ｂ−１）、そのＸ−Ｘ’線によ
る断面図である図５（ｂ−２）および裏面図である図５
（ｃ）に示すように、熱硬化性エポキシ樹脂等の透光性
樹脂を用いてトランスファーモールドにより樹脂パッケ
ージを形成する。このとき、リードフレーム２を境界と
して光半導体素子１を搭載する側（上部モールド部）７
を光半導体素子１を搭載しない側（下部モールド部）８
よりも大きく形成する。また、リードフレーム２の折り
曲げ加工部９の折り曲げ面を外囲部側面から露出させ
る。折り曲げ加工部９は、外囲部側面から露出した折り
曲げ面を電極として用いるのに充分な大きさになるよう
に設定する。
【００４４】その後、リード２ａをフレームから外し、
図２（ａ）の工程（ａ−４）において外観および特性検
査を行い、光半導体装置が完成する。
図２（ａ）の工程（ａ−４）において外観および特性検
査を行い、光半導体装置が完成する。
【００４５】このようにして得られる本実施形態の光半
導体装置は、外囲部側面と重なって露出しているリード
の折り曲げ加工部によって、実施形態１に比べて実装面
積をより小さく、半田付け面積をより大きくすることが
できる。この折り曲げ加工は樹脂モールド前に行われる
ので、従来のＺフォーミングやＪベンドを採用した場合
のような問題は生じない。
導体装置は、外囲部側面と重なって露出しているリード
の折り曲げ加工部によって、実施形態１に比べて実装面
積をより小さく、半田付け面積をより大きくすることが
できる。この折り曲げ加工は樹脂モールド前に行われる
ので、従来のＺフォーミングやＪベンドを採用した場合
のような問題は生じない。
【００４６】なお、光半導体装置を基板等に実装する際
に、リード下面が下部パッケージ下面と同一面になく、
リード下面が基板に対して浮いた状態では、半田付けが
困難な場合がある。このような場合には、リードフレー
ムを折り曲げ加工して、リード下面を下部パッケージ下
面と同一面に配置するのが好ましい。
に、リード下面が下部パッケージ下面と同一面になく、
リード下面が基板に対して浮いた状態では、半田付けが
困難な場合がある。このような場合には、リードフレー
ムを折り曲げ加工して、リード下面を下部パッケージ下
面と同一面に配置するのが好ましい。
【００４７】（実施形態３）図６（ａ）は実施形態３の
光半導体装置の概略構成を示す上面図であり、図６
（ｂ）はその側面図であり、図６（ｃ）はその裏面図で
あり、図６（ｄ）はそのＢ−Ｂ’線部分の断面図であ
る。
光半導体装置の概略構成を示す上面図であり、図６
（ｂ）はその側面図であり、図６（ｃ）はその裏面図で
あり、図６（ｄ）はそのＢ−Ｂ’線部分の断面図であ
る。
【００４８】この光半導体装置においては、上部モール
ド部７に貫通孔１１が設けてある。
ド部７に貫通孔１１が設けてある。
【００４９】この光半導体装置の製造においては、熱硬
化性エポキシ樹脂等の透光性樹脂を用いてトランスファ
ーモールドにより樹脂パッケージを形成する際に、上面
側の金型に突起を設けておく。そして、その上面側の金
型の突起と下面側の金型とによりリードフレームを挟み
込んで押さえる。このとき、上部モールド部７にはリー
ドに達する貫通孔１１ａが形成される。それ以外は実施
形態１と同様にして光半導体装置を作製することができ
る。
化性エポキシ樹脂等の透光性樹脂を用いてトランスファ
ーモールドにより樹脂パッケージを形成する際に、上面
側の金型に突起を設けておく。そして、その上面側の金
型の突起と下面側の金型とによりリードフレームを挟み
込んで押さえる。このとき、上部モールド部７にはリー
ドに達する貫通孔１１ａが形成される。それ以外は実施
形態１と同様にして光半導体装置を作製することができ
る。
【００５０】このようにして得られる本実施形態の光半
導体装置は、リードが下部モールド部と上部モールド部
の境界に確実に保持されているので、製造歩留まりを向
上させることができる。このように上面側の金型に突起
を設けて下面側の金型と共にリードフレームを挟み込ん
で押さえることは、実施形態２のように折り曲げ加工を
行ったリードフレームの樹脂モールドの際に行うことも
可能である。
導体装置は、リードが下部モールド部と上部モールド部
の境界に確実に保持されているので、製造歩留まりを向
上させることができる。このように上面側の金型に突起
を設けて下面側の金型と共にリードフレームを挟み込ん
で押さえることは、実施形態２のように折り曲げ加工を
行ったリードフレームの樹脂モールドの際に行うことも
可能である。
【００５１】さらに、図７に示すように、下部モールド
部８にも貫通孔１１ｂを設けてもよい。この場合、光半
導体装置を実装する基板に突起を設けてその貫通孔１１
ｂに挿入するようにすれば、実装精度をさらに向上させ
ることができる。なお、図７（ａ）は光半導体装置の概
略構成を示す上面図であり、図７（ｂ）はその側面図で
あり、図７（ｃ）はその裏面図であり、図７（ｄ）はそ
のＣ−Ｃ’線部分の断面図である。この下部モールド部
の貫通孔は、実施形態１のように平坦なリードフレーム
を樹脂モールドする際に形成することもできる。
部８にも貫通孔１１ｂを設けてもよい。この場合、光半
導体装置を実装する基板に突起を設けてその貫通孔１１
ｂに挿入するようにすれば、実装精度をさらに向上させ
ることができる。なお、図７（ａ）は光半導体装置の概
略構成を示す上面図であり、図７（ｂ）はその側面図で
あり、図７（ｃ）はその裏面図であり、図７（ｄ）はそ
のＣ−Ｃ’線部分の断面図である。この下部モールド部
の貫通孔は、実施形態１のように平坦なリードフレーム
を樹脂モールドする際に形成することもできる。
【００５２】（実施形態４）図８（ａ）は実施形態４の
光半導体装置の概略構成を示す上面図であり、図８
（ｂ）はその側面図であり、図８（ｃ）はその裏面図で
あり、図８（ｄ）はそのＥ−Ｅ’線部分の断面図であ
る。
光半導体装置の概略構成を示す上面図であり、図８
（ｂ）はその側面図であり、図８（ｃ）はその裏面図で
あり、図８（ｄ）はそのＥ−Ｅ’線部分の断面図であ
る。
【００５３】この光半導体装置においては、下部モール
ド８が上部モールド部７よりも大きくしてある。そし
て、この光半導体装置を基板２０に半田付けする際に
は、図９に示すように、下部モールド部８に設けられた
貫通孔１１ｂ部分が半田付け部となる。
ド８が上部モールド部７よりも大きくしてある。そし
て、この光半導体装置を基板２０に半田付けする際に
は、図９に示すように、下部モールド部８に設けられた
貫通孔１１ｂ部分が半田付け部となる。
【００５４】このように構成された本実施形態の光半導
体装置は、リードが下部モールド部の貫通孔部分で基板
と半田付けされるので、従来のようにトランスファーモ
ールドにより樹脂パッケージを形成した後、リードフレ
ームを金型等により曲げ加工する必要がないので、製造
工程を簡略化することができる。また、リード引き出し
部にクラック等が発生しないので、信頼性を向上させる
ことができる。また、パッケージ外部にリードが引き出
されないので実装面積を小さくすることができる。この
ように下部モールド部の貫通孔部でリードを基板に半田
付けすることは、実施形態２のように折り曲げ加工を行
ったリードフレームに対しても可能である。さらに、本
実施形態において、上部モールド部と下部モールド部と
を同じ大きさとした場合や、上部モールド部を下部モー
ルド部よりも大きくした場合についても、下部モールド
部に貫通孔を設けることによって、その部分で基板との
半田付けを行うことができる。
体装置は、リードが下部モールド部の貫通孔部分で基板
と半田付けされるので、従来のようにトランスファーモ
ールドにより樹脂パッケージを形成した後、リードフレ
ームを金型等により曲げ加工する必要がないので、製造
工程を簡略化することができる。また、リード引き出し
部にクラック等が発生しないので、信頼性を向上させる
ことができる。また、パッケージ外部にリードが引き出
されないので実装面積を小さくすることができる。この
ように下部モールド部の貫通孔部でリードを基板に半田
付けすることは、実施形態２のように折り曲げ加工を行
ったリードフレームに対しても可能である。さらに、本
実施形態において、上部モールド部と下部モールド部と
を同じ大きさとした場合や、上部モールド部を下部モー
ルド部よりも大きくした場合についても、下部モールド
部に貫通孔を設けることによって、その部分で基板との
半田付けを行うことができる。
【００５５】本実施形態においても、リードを下面側の
金型と上面側の金型に設けた突起により下部モールド部
と上部モールド部の境界に確実に保持することができる
ので、製造歩留まりを向上させることができる。なお、
本実施形態において、下面側の金型にのみ突起を設ける
構成も可能である。
金型と上面側の金型に設けた突起により下部モールド部
と上部モールド部の境界に確実に保持することができる
ので、製造歩留まりを向上させることができる。なお、
本実施形態において、下面側の金型にのみ突起を設ける
構成も可能である。
【００５６】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
ＩＣ基板等を用いなくても面実装が可能であり、従来の
Ｚフォーミング加工のようにパッケージ外囲部よりも外
側に実装用リードを引き出す必要がないので実装面積を
減少することができる。また、従来のＪベンド加工のよ
うに加工ストレスによるクラックが発生することはな
く、装置の信頼性を向上することができる。さらに、光
半導体装置を実装する基板への位置決めも容易であり、
製造歩留まりを向上させることができる。
ＩＣ基板等を用いなくても面実装が可能であり、従来の
Ｚフォーミング加工のようにパッケージ外囲部よりも外
側に実装用リードを引き出す必要がないので実装面積を
減少することができる。また、従来のＪベンド加工のよ
うに加工ストレスによるクラックが発生することはな
く、装置の信頼性を向上することができる。さらに、光
半導体装置を実装する基板への位置決めも容易であり、
製造歩留まりを向上させることができる。
【図１】実施形態１の光半導体装置の概略構成を示す図
である。
である。
【図２】本発明の光半導体装置の製造工程および従来の
光半導体装置の製造工程を示す図である。
光半導体装置の製造工程を示す図である。
【図３】実施形態１の光半導体装置の製造工程を説明す
るための図である。
るための図である。
【図４】実施形態２の光半導体装置の概略構成を示す図
である。
である。
【図５】実施形態２の光半導体装置の製造工程を説明す
るための図である。
るための図である。
【図６】実施形態３の光半導体装置の概略構成を示す図
である。
である。
【図７】実施形態３の他の光半導体装置の概略構成を示
す図である。
す図である。
【図８】実施形態４の光半導体装置の概略構成を示す図
である。
である。
【図９】実施形態４の光半導体装置を基板に半田付けし
た状態を示す図である。
た状態を示す図である。
【図１０】従来のＺフォーミング加工による光半導体装
置の概略構成を示す図である。
置の概略構成を示す図である。
【図１１】従来のＪベンド加工による光半導体装置の概
略構成を示す図である。
略構成を示す図である。
１ 光半導体素子 ２ リードフレーム ２ａ リード ３ ボンディングワイヤ ４ ２次側リード端子 ６ 外囲部 ７ 上部モールド部 ８ 下部モールド部 ９ 折り曲げ加工部 １０ 上部モールド部（レンズ部） １１ａ 上部モールド部の貫通孔 １１ｂ 下部モールド部の貫通孔
Claims (11)
- 【請求項１】 光半導体チップをリードフレームに搭載
して樹脂により被覆成形した光半導体装置において、 リードを境界として、上部モールド部および下部モール
ド部の一方が他方よりも大きく、大きい方のモールド部
が小さい方のモールド部と重ならずにはみ出している部
分でリードが露出している光半導体装置。 - 【請求項２】 光半導体チップをリードフレームに搭載
して樹脂により被覆成形した光半導体装置において、 リードを境界とした上部モールド部および下部モールド
部のうち、少なくとも下部モールド部にリードまで達す
る貫通孔を有している光半導体装置。 - 【請求項３】 前記リードフレームが折り曲げ加工さ
れ、パッケージ側面部においてリードの折り曲げ面が露
出している請求項１または請求項２に記載の光半導体装
置。 - 【請求項４】 前記リードが平坦であり、前記下部モー
ルド部がリード下面よりも突出している請求項１または
請求項２に記載の光半導体装置。 - 【請求項５】 前記リードフレームが折り曲げ加工され
てリード端部がパッケージ側面と重なり、パッケージ下
面部およびパッケージ側面部においてリードが露出して
いる請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の光半導体
装置。 - 【請求項６】 前記上部モールド部は、樹脂モールド時
にリードフレームを押さえるための貫通孔を有する請求
項１乃至請求項５のいずれかに記載の光半導体装置。 - 【請求項７】 前記下部モールド部に貫通孔を有する請
求項１、または請求項３乃至請求項６のいずれかに記載
の光半導体装置。 - 【請求項８】 光半導体チップをリードフレームに搭載
して樹脂により被覆成形した光半導体装置を製造する方
法であって、 リードフレームを境界として、上部モールド部および下
部モールド部の一方が他方よりも大きく、大きい方のモ
ールド部が小さい方のモールド部と重ならずにはみ出し
ている部分で該リードフレームが露出するように樹脂で
モールドする工程を含む光半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 光半導体チップをリードフレームに搭載
して樹脂により被覆成形した光半導体装置を製造する方
法であって、 リードフレームを樹脂によりモールドする際に、リード
フレームを境界として下面側の金型に設けた突起と上面
側の金型とにより該リードフレームを挟み込んで押さ
え、該突起によって下部モールド部にリードフレームま
で達する貫通孔を形成する工程とを含む半導体装置の製
造方法。 - 【請求項１０】 前記樹脂でモールドする工程の前に、
前記リードフレームを折り曲げ加工する工程を含む請求
項８または請求項９に記載の光半導体装置の製造方法。 - 【請求項１１】 前記樹脂でモールドする工程におい
て、上面側の金型に設けた突起と下面側の金型とにより
前記リードフレームを挟み込んで押さえる請求項８乃至
請求項１０のいずれかに記載の光半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25233199A JP2001077424A (ja) | 1999-09-06 | 1999-09-06 | 光半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25233199A JP2001077424A (ja) | 1999-09-06 | 1999-09-06 | 光半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001077424A true JP2001077424A (ja) | 2001-03-23 |
Family
ID=17235791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25233199A Withdrawn JP2001077424A (ja) | 1999-09-06 | 1999-09-06 | 光半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001077424A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005536716A (ja) * | 2002-02-06 | 2005-12-02 | ジェンテクス・コーポレーション | 小開口部からの実質的な間隔のためのセンサ構成 |
| CN100421269C (zh) * | 2005-06-03 | 2008-09-24 | 邢陈震仑 | 一种低热阻的发光二极管封装装置 |
| DE102004003928B4 (de) * | 2004-01-26 | 2012-02-23 | Tay Kheng Chiong | Ein miniaturisiertes mit SM-Technologie bestückbares optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung dieses Bauelements |
| US8620523B2 (en) | 2011-06-24 | 2013-12-31 | Gentex Corporation | Rearview assembly with multiple ambient light sensors |
| US9207116B2 (en) | 2013-02-12 | 2015-12-08 | Gentex Corporation | Light sensor |
| US9224889B2 (en) | 2011-08-05 | 2015-12-29 | Gentex Corporation | Optical assembly for a light sensor, light sensor assembly using the optical assembly, and vehicle rearview assembly using the light sensor assembly |
| DE102004003929B4 (de) * | 2004-01-26 | 2016-01-07 | Dominant Opto Technologies Sdn Bhd | Mit SM-Technologie bestückbares optoelektronisches Bauelement |
| US9870753B2 (en) | 2013-02-12 | 2018-01-16 | Gentex Corporation | Light sensor having partially opaque optic |
-
1999
- 1999-09-06 JP JP25233199A patent/JP2001077424A/ja not_active Withdrawn
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005536716A (ja) * | 2002-02-06 | 2005-12-02 | ジェンテクス・コーポレーション | 小開口部からの実質的な間隔のためのセンサ構成 |
| DE102004003928B4 (de) * | 2004-01-26 | 2012-02-23 | Tay Kheng Chiong | Ein miniaturisiertes mit SM-Technologie bestückbares optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung dieses Bauelements |
| DE102004003929B4 (de) * | 2004-01-26 | 2016-01-07 | Dominant Opto Technologies Sdn Bhd | Mit SM-Technologie bestückbares optoelektronisches Bauelement |
| DE102004003929B8 (de) * | 2004-01-26 | 2016-03-10 | Dominant Opto Technologies Sdn Bhd | Mit SM-Technologie bestückbares optoelektronisches Bauelement |
| CN100421269C (zh) * | 2005-06-03 | 2008-09-24 | 邢陈震仑 | 一种低热阻的发光二极管封装装置 |
| US8620523B2 (en) | 2011-06-24 | 2013-12-31 | Gentex Corporation | Rearview assembly with multiple ambient light sensors |
| US9224889B2 (en) | 2011-08-05 | 2015-12-29 | Gentex Corporation | Optical assembly for a light sensor, light sensor assembly using the optical assembly, and vehicle rearview assembly using the light sensor assembly |
| US9207116B2 (en) | 2013-02-12 | 2015-12-08 | Gentex Corporation | Light sensor |
| US9870753B2 (en) | 2013-02-12 | 2018-01-16 | Gentex Corporation | Light sensor having partially opaque optic |
| US9961746B2 (en) | 2013-02-12 | 2018-05-01 | Gentex Corporation | Light sensor |
| US11006502B2 (en) | 2013-02-12 | 2021-05-11 | Gentex Corporation | Light sensor |
| US11017741B2 (en) | 2013-02-12 | 2021-05-25 | Gentex Corporation | Light sensor having partially opaque optic |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20061107 |