JP4600124B2

JP4600124B2 - 半導体パッケージの製造方法

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Inventors: 啓子望月
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Description

本発明は、高い接続信頼性を有する表面実装型の半導体パッケージ及びその製造方法に関する。

表面実装型の半導体パッケージは、ダイパッドに接着された半導体チップと、ダイパッドの周囲に設けられたリードとがワイヤで電気的に接続され、半導体チップが樹脂からなるパッケージ部で覆われている。半導体パッケージは、プリント配線基板と電気的に接続するため、パッケージ部から半導体チップと電気的に接続されたリードが突出している。半導体パッケージでは、パッケージ部から突出したリードがＬ字状に形成されたガルウィング型のリードや、Ｊ字状に形成されたＪ字型のリード、半導体パッケージの底面と同一面上に真っ直ぐに突出したストレート型のリードが用いられている。半導体パッケージは、パッケージ部から突出しているリードの端部をプリント配線基板に形成された回路のランドにはんだ付けすることによって、プリント配線基板と電気的に接続される。

半導体パッケージは、プリント配線基板上に高密度実装されるため、小型化が要求されている。そこで、半導体パッケージとしては、例えばパッケージ部からリードを突出させないことで小型化を図ったＱＦＮ（Quad Flat Non−Lead Package）又はＳＯＮ（Small Outline Nonleaded Package）や、パッケージ部から０．２〜０．３ｍｍ程度ごくわずかにリードを突出させて小型化を図ったＱＦＮ又はＳＯＮが用いられるようになってきている。

図１４及び図１５に示すリードを突出させないＳＯＮ５０は、ダイパッド５１上に実装した半導体チップ５２と、ダイパッド５１の周囲に設けられたリード５３とがワイヤ５４で電気的に接続され、半導体チップ５２が樹脂からなるパッケージ部５５で覆われている。ＳＯＮ５０は、図１６に示すように、リード５３のパッケージ部５５の底面５５ａと略面一となるように露出している部分がプリント配線基板５６と電気的に接続するための端子部５３ａとなる。ＳＯＮ５０は、図１４及び図１５に示すように、小型化を図るため、リード５３をパッケージ部５５から突出させていないものである（例えば、特許文献１参照。）。ＳＯＮ５０は、プリント配線基板５６と電気的に接続する際にはパッケージ部５５の底面５５ａと略面一となるように露出させたリード５３の端子部５３ａをプリント配線基板５６のランド５７にはんだ５８ではんだ付けする。

また、図１７に示すごくわずかにリードを突出させているＳＯＮ６０は、ダイパッド６１に半導体チップ６２と、ダイパッド６１の周囲に設けられた複数のリード６３とがワイヤ６４で電気的に接続され、半導体チップ６２が樹脂からなるパッケージ部６５で覆われている。ＳＯＮ６０では、図１８に示すように、リード６４のパッケージ部６５の底面６５ａと略面一となるように露出している部分がプリント配線基板６６と電気的に接続するための端子部６３ａとなる。ＳＯＮ６０では、プリント配線基板６６と電気的に接続する際にはパッケージ部６５の底面６５ａと略面一となるように露出させたリード６３の端子部６３ａをプリント配線基板６６のランド６７にはんだ６８ではんだ付けする。ＳＯＮ６０は、リード６４がパッケージ部６５から突出していない上述したＳＯＮ５０と異なり、はんだ付けの面積を大きくするため、リード６４がパッケージ部６５の側面６５ｂから０．２ｍｍ〜０．３ｍｍ程度突出している。ＳＯＮ６０は、ＳＯＮ５０よりもリード６４がパッケージ部６５から外側に突出している分、プリント配線基板６６とのはんだ付けの面積が大きくなる。

上述したリードを突出させないＳＯＮ５０やごくわずかにリードを突出させているＳＯＮ６０では、パッケージ部５５，６５の底面５５ａ，６５ａに露出しているリード５４，６４の端子部５４ａ，６４ａをプリント配線基板５６，６６のランド５７，６７にはんだ付けしているため、はんだ付けされた接続部分がパッケージ部５５，５６の底面５５ａ，６５ａとプリント配線基板５６，６６との間となり、接続部分が外部から見えず、目視及び光学系で接続状態を確認することが困難である。また、ＳＯＮ５０やＳＯＮ６０では、はんだを溶融させた際に、自重ではんだを押し潰してしまい、余分なはんだがプリント配線基板５６，６６に形成された隣接する他の回路に移動し、ブリッジを形成してパッケージ部５５，６５の底面５５ａ，６６ａ側で隣接する回路が短絡してしまう虞がある。

また、ＳＯＮ５０やＳＯＮ６０では、リード５４，６４のパッケージ部５５，６５の底面５５ａ，６５ａに露出している面だけでプリント配線基板５６，６６にはんだ付けするため、接続部分の面積が小さくなってしまう。また、ＳＯＮ６０の場合でも、パッケージ部６５から突出している部分がごくわずかであるため、接続部分の面積を十分に大きくすることができない。このようにＳＯＮ５０やＳＯＮ６０では、接続面積が小さいため、熱応力がかかった際にこの熱応力を緩和できず、プリント配線基板５６，６６との電気的な接続信頼性が低下してしまう虞がある。

実開平６−２７１０号公報

そこで、本発明は、電気的な接続信頼性が高い半導体パッケージの製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、リードに折曲部を設け、この折曲部をパッケージ部の側面から外部に臨むようにすることで、この折曲部にはんだが濡れ上がるようにして外部からはんだ付けの状態を確認することができ、はんだ付けの面積も大きくすることができるものである。

本発明に係る半導体パッケージの製造方法は、半導体チップをダイパッドに接着し、次いで、ダイパッドの周囲に離間して設けられた複数のリードとダイパッドに接着された半導体チップとをワイヤで電気的に接続し、次いで、リードのワイヤが接続された接続部の外側を半導体チップの実装側に折り曲げて折曲部を形成する際に、半導体チップが接着されたダイパッドと、半導体チップとワイヤで接続した複数のリードとを凹状に形成された金型に挿入することによって複数のリードの接続部の一端で半導体チップ側に該折曲部が折れ曲がり、該折曲部の半導体チップ側にパッケージ部の側面の傾斜と同じ角度に傾斜したテーパを有する折曲部材を挿入し、金型と該折曲部との間にパッケージ部の側面の傾斜と同じ角度に傾斜したテーパを有する折曲ガイド片を挿入し、折曲部材及び折曲ガイド片のテーパに沿って該折曲部を折り曲げ、次いで、折曲部がパッケージ部の側面と略面一となるように、ダイパッドに接着された半導体チップ上及びリード上にパッケージ部を形成する。

本発明に係る半導体パッケージの製造方法は、半導体チップをダイパッドに接着し、次いで、ダイパッドの周囲に離間して設けられた複数のリードとダイパッドに接着された半導体チップとをワイヤで電気的に接続し、次いで、ダイパッドに接着された半導体チップ上及びリード上に、リードのワイヤが電気的に接続された接続部とは反対側である外側が外部に突出するようにパッケージ部を形成し、次いで、パッケージ部から突出したリードを半導体チップの実装側にパッケージ部の側面に沿って折り曲げ、パッケージ部の側面から突出した折曲部を形成する際に、半導体チップが接着されたダイパッドと、ワイヤと、リードとを含め、ダイパッド及びリードをパッケージ部の底面から露出させ、該折曲部を覆わないように樹脂で覆った後、凹状に形成された金型に挿入することによって複数のリードの接続部の一端で半導体チップ側に該折曲部が折れ曲がり、金型と該折曲部との間にパッケージ部の側面の傾斜と同じ角度に傾斜したテーパを有する折曲部材を挿入し、折曲部材のテーパに沿って折り曲げる。

本発明では、リードの折曲部がパッケージ部の側面に臨むように形成されているので、プリント配線基板にはんだ付けする際、はんだがリードの折曲部まで濡れ上がるようになる。これにより、本発明では、プリント配線基板との接続部分の面積が増大するため、プリント配線基板との電気的な接続信頼性が向上する。

以下、本発明を適用した半導体パッケージの製造方法によって製造された半導体パッケージについて図面を参照して詳細に説明する。半導体パッケージ１は、図１及び図２に示すように、半導体チップ２が実装されるダイパッド３と、このダイパッド３の周囲に設けられ、半導体チップ２とワイヤ４を介して電気的に接続される複数のリード５とを有し、半導体チップ２やリード５が樹脂からなるパッケージ部６で覆われている。半導体パッケージ１は、図３に示すように、プリント配線基板７上に表面実装される。半導体チップ２は、高周波回路等が形成されており、この回路と電気的に接続された複数の電極２ａが表面に設けられている。

ダイパッド３には、表面に図示しない例えば銀ペースト等の接着剤で半導体チップ２が接着されている。ダイパッド３は、半導体チップ２が実装されている側とは反対側の面がパッケージ部６の底面６ａと面一となって露出する。

リード５は、図１及び図２に示すように、ダイパッド３と同一面上にダイパッド３の周囲に離間して、複数並設されている。リード５は、銅等で形成された薄板材で形成されている。このリード５は、ダイパッド３側となる内側の端部が半導体チップ２に設けられた電極２ａと電気的に接続するためのワイヤ４が接続される接続部１１となる。この接続部１１は、ワイヤ４が接続されている側とは反対側の面がパッケージ部６の底面６ａに略面一となって露出する。

また、リード５の接続部１１とは反対側である外側の端部は、接続部１１の一端からパッケージ部６の端部で半導体チップ２が設けられている側に折り曲げられる折曲部１２となる。半導体チップ２が設けられた側に折り曲げられた折曲部１２は、外側の面がパッケージ部６の側面６ｂと略面一となって露出する。リード５は、パッケージ部６の底面６ａと略面一となって露出している接続部１１のワイヤ４が接続された面とは反対側の面、及びパッケージ部６の側面６ｂと略面一となって露出している折曲部２２の外側の面が外部と電気的に接続するための端子部５ａとなる。

パッケージ部６は、半導体チップ２が接着されているダイパッド３上及びリード５上に形成される。このパッケージ部６は、ダイパッド３やリード５が配設されている側を底面６ａとし、断面が略台形状に形成されている。パッケージ部６は、半導体チップ２、及び半導体チップ２とリード５とに接続されているワイヤ４の接続部分を保護している。

以上のような構成からなる半導体パッケージ１は、図２に示すように、リード５の接続部１１がパッケージ部６の底面６ａに配設され、パッケージ部６の端部で接続部１１の一端から折曲部２２が半導体チップ２が設けられている側に折り曲げられている。半導体パッケージ１は、パッケージ部６の底面６ａ及び側面６ｂに略面一となってリード５の端子部５ａが露出している。この半導体パッケージ１の底面及び側面は、平坦となっている。半導体パッケージ１では、パッケージ部６の底面６ａから側面６ｂにかけてリード５が配設され、端子部５ａが底面６ａ及び側面６ｂに露出しているため、端子部５ａをはんだ付けする際には側面６ｂに配設された折曲部１２の端子部５ａまではんだが濡れ上がるようになる。これにより、半導体パッケージ１は、接続部分の面積を増大させることができ、電気的な接続信頼性が向上する。

半導体パッケージ１は、次のようにして製造する。先ず、図４に示すように、ダイパッド３と、このダイパッド３の周囲にダイパッド３とは離間して複数のリード５が設けられたリードフレーム３１を用意する。ダイパッド３の表面に半導体チップ２を接着剤で接着する。

次に、図５に示すように、半導体チップ２に設けられた電極２ａと、リード５の接続部１１とにワイヤ４を接続して、半導体チップ２とリード５とを電気的に接続する。そして、詳細は図示しないが、リードフレーム３１から各リード５を切り離す。

次に、図６に示すように、凹状に形成された金型２２と、折曲ガイド片２３及び折曲部材２４とを用いて、リード５の折曲部１２を半導体チップ２が設けられている側に折り曲げる。金型２２の凹部２２ａには、半導体チップ２と、半導体チップ２が実装されたダイパッド３と、ワイヤ４と、ワイヤ4により半導体チップ２と電気的に接続されたリード５とが挿入される。金型２２の凹部２２ａは、半導体パッケージ１のダイパッド３やリード５が配設されている側の底面と同じ大きさに形成されている。

折曲ガイド片２３は、金型２２にリード５を挿入した際、折曲部１２の半導体チップ２側に挿入される。折曲ガイド片２３には、金型２２に挿入した際に、折曲部１２側となる面にパッケージ部６の側面６ｂの傾斜と同じ角度に傾斜したテーパ２３ａが形成されている。

折曲部材２４は、金型２２とリード５の折曲部１２との間に挿入される。折曲部材２４には、金型２２に挿入した際に、折曲部１２側となる面に折曲ガイド片２３と同様に、パッケージ６の側面６ｂの傾斜と同じ角度に傾斜したテーパ２４ａが形成されている。

金型２２、折曲ガイド片２３及び折曲部材２４を用いてリード５の折曲部１２を折り曲げる際には、金型２２の凹部２２ａに半導体チップ２が実装されたダイパッド３及び半導体チップ２とワイヤ４で接続されたリード５を挿入する。リード５を金型２２に挿入すると、金型２２の凹部２２ａの側面によりリード５が接続部１１の一端で略直角に折れ曲がる。次に、金型２２には、折曲部２２の半導体チップ２側に折曲ガイド片２３を挿入する。次に、金型２２には、金型２２と折曲部２２との間に折曲部材２４を挿入する。金型２２に折曲部材２４を挿入すると、リード５の折曲部２２は、図６に示すように、折曲部材２４のテーパ２４ａによって、半導体チップ２が設けられている側に折曲ガイド片２３のテーパ２３ａに沿って折れ曲がる。

次に、折曲ガイド片２３及び折曲部材２４を金型２２から取り出す。次に、半導体チップ２が接着されたダイパッド３と、半導体チップ２とワイヤ４で接続され、折曲部１２が折り曲げられたリード５とを金型２２から取り出して、詳細は図示しないが、成型用の金型に挿入する。成型用の金型には、ダイパッド３がパッケージ部６の底面６ａに略面一となって露出し、リード５の端子部５ａが底面６ａ及び側面６ｂに略面一となって露出するように、樹脂を注入する。そして、半導体チップ２上及びリード５上にパッケージ部６を射出成形する。

以上のようにして得られた半導体パッケージ１は、図２に示すように、リード５の接続部１１がパッケージ部６の底面６ａに配設され、パッケージ部６の端部で接続部１１の一端から折曲部２２が半導体チップ２が設けられている側に折り曲げられ、折曲部２２がパッケージ部６の側面６ｂに配設されている。また、半導体パッケージ１では、リード５の端子部５ａが底面６ａ及び側面６ｂに略面一となって露出している。

半導体パッケージ１は、図３に示すように、プリント配線基板７上に表面実装される。プリント配線基板７の表面には、回路に形成されたランド３１が設けられている。半導体パッケージ１をプリント配線基板７上に実装する際には、ランド３１上にはんだ３２を印刷し、はんだ３２上にリード５の接続部１１が配置されるように半導体パッケージ１をプリント配線基板７上に載置する。次に、半導体パッケージ１では、リフロー処理して、はんだ３２を溶融させることで、はんだ３２がリード５の折曲部１２まで濡れ上がり、リード５の端子部５ａ全体がランド３１にはんだ付けされる。これにより、半導体パッケージ１では、リード５の端子部５ａがランド３１と電気的に接続される。

半導体パッケージ１では、パッケージ部６の側面６ｂに配設されたリード５の折曲部１２まではんだ３２が濡れ上がり、端子部５ａ全体がランド３１にはんだ付けされるため、ランド３１とのはんだ付け部分、すなわち接続部分の面積が広くなる。半導体パッケージ１では、パッケージ部６の側面６ｂに配設されているリード５の折曲部１２まではんだ３２が濡れ上がることによって、パッケージ６の側面６ｂに接続部分が形成されるため、接続状態を外部から目視及び光学系で容易に確認することができる。

また、この半導体パッケージ１では、はんだ付けする際に溶融したはんだ３２がリード５の折曲部１２まで濡れ上がるため、自重ではんだ３２を押し潰しても余分なはんだ３２がプリント配線基板７上に広がらず、隣接する回路とブリッジを形成することなく、他の回路と短絡することを防止できる。このように、半導体パッケージ１では、接続状態を外部から容易に確認でき、隣接する回路とブリッジを形成することを防止できるため、はんだ付けの品質を向上させることができる。

また、この半導体パッケージ１では、リード５の折曲部１２まではんだ３２が濡れ上がり、接続部分の面積が増大することによって、熱応力がかかった際に、熱応力を緩和することができ、熱応力に対するランド３１との電気的な接続信頼性を向上させることができる。これらのことから、半導体パッケージ１では、プリント配線基板７との電気的な接続信頼性が向上する。

なお、上述した半導体パッケージ１の製造方法では、１つのリードフレーム３１から１つの半導体パッケージ１を製造した例を示したが、このことに限定されず、ダイパッド３と複数のリード５とを一つのまとまりとしたものが複数並設されたリードフレームを用いて、一度に複数個の半導体パッケージ１を製造するようにしてもよい。

また、上述した半導体パッケージ１では、ダイパッド３がパッケージ部６の底面６ａに露出しているが、ダイパッド３をパッケージ部６の内部に収納し、ダイパッド３がパッケージ部６の底面６ａに露出していないアップセット構造にしてもよい。

また、上述した半導体パッケージ１では、リード５の折曲部１２がパッケージ部６から突出していないが、図７及び図８に示すように、リードをパッケージ部６から突出させてもよい。図７及び図８に示す半導体パッケージ４０については、上述した半導体パッケージ１と同様の構成については同一符号を付して詳細な説明は省略する。半導体パッケージ４０は、図９に示すように、プリント配線基板７上に表面実装される。

半導体パッケージ４０は、上述した半導体パッケージ１と同様に、半導体チップ２が実装されるダイパッド３と、このダイパッド３の周囲に設けられ、半導体チップ２とワイヤ４を介して電気的に接続される複数のリード４１とを有し、半導体チップ２及びリード４１が樹脂からなるパッケージ部６で覆われている。半導体パッケージ４０は、パッケージ部６の底面６ａにダイパッド３及びリード４１が配設されている。

リード４１は、上述したリード５と同様に、ダイパッド３と同一面上にダイパッド３の周囲に離間して、複数併設されている。リード４１は、銅等で形成された薄板材で形成されている。このリード４１は、ダイパッド３側となる内側の端部が半導体チップ２に設けられた電極２ａと電気的に接続するためのワイヤ４が接続された接続部４２となる。この接続部４２は、ワイヤ４が接続されている側とは反対側の面が半導体パッケージ１の底面１ａに略面一となって露出する。

リード５の接続部１１とは反対側である外側の端部は、図８に示すように、接続部４２の一端から半導体チップ２が設けられている側に折り曲げられる折曲部４３となる。半導体チップ２が設けられた側に折り曲げられた折曲部４２は、パッケージ部６の側面６ｂに沿い、側面６ｂから突出して配設されている。リード４１は、パッケージ部６の底面６ａと略面一となって露出している接続部４２のワイヤ４が接続された面とは反対側の面、及びパッケージ部６の側面６ｂと略面一となって露出している折曲部４３の外側の面が外部と電気的に接続するための端子部４１ａとなる。

以上のような構成からなる半導体パッケージ４０は、図８に示すように、リード４１の接続部４２がパッケージ部６の底面６ａに配設され、パッケージ部６の端部で接続部４２の一端から折曲部４３が半導体チップ２が設けられている側に折り曲げられている。半導体パッケージ４０は、パッケージ部６の底面６ａ及び側面６ｂにリード４１の端子部４１ａが露出している。この半導体パッケージ４０の底面は、平坦となっている。半導体パッケージ４０では、パッケージ部６の底面６ａから側面６ｂにかけてリード５が配設され、端子部４１ａが底面６ａ及び側面６ｂに露出しているため、端子部４１ａをはんだ付けする際には側面６ｂに配設された折曲部４３の端子部５ａまではんだが濡れ上がるようになる。これにより、半導体パッケージ４０は、接続部分の面積を増大させることができ、電気的な接続信頼性が向上する。

半導体パッケージ４０は、次のようにして製造する。先ず、上述した半導体パッケージ１と同様に、図１０に示すように、ダイパッド３と、このダイパッド３の周囲にこのダイパッド３とは離間している複数のリード４１が設けられたリードフレーム４４を用意する。ダイパッド３の表面に半導体チップ２を接着剤で接着する。

次に、図１１に示すように、半導体チップ２に設けられた電極２ａと、リード４１の接続部４２とをワイヤ４で電気的に接続する。

次に、詳細は図示しないが、成型用の金型に半導体チップ２、ダイパッド３、ワイヤ４、リード４１を入れ、ダイパッド３及びリード４１の接続部４２がパッケージ部６の底面６ａに露出し、リード４１の折曲部４３を覆わないように、金型に樹脂を注入し、図１２に示すように、半導体チップ２及びリード４１の接続部４２上に射出成形でパッケージ部６を形成する。そして、詳細は図示しないが、リードフレーム４４の枠から各リード４１を切り離す。

次に、図１３に示すように、凹状に形成された金型２２と折曲部材４５を用いてリード５１の折曲部４３を折り曲げる。折曲部材４５は、金型２２と折曲部４３との間に挿入される。この折曲部材４５には、金型２２に挿入した際に、折曲部４３側となる面にパッケージ部６の側面６ｂの傾斜と同じ角度に傾斜したテーパ４５ａが形成されている。

金型２２及び折曲部材４５を用いてリード４１の折曲部４３を折り曲げる際には、金型２２の凹部２２ａに半導体チップ２が実装されたダイパッド３及び折曲部４３がパッケージ部６から突出しているリード４１を挿入する。リード４１を金型２２に挿入すると、金型２２の凹部２２ａの側面によりリード４１が接続部４２の一端で略直角に折れ曲がる。次に、金型２２には、金型２２と折曲部４３との間に折曲部材４５を挿入する。金型２２に折曲部材４５を挿入すると、リード５の折曲部２５は、図１３に示すように、折曲部材４５のテーパ４５ａによって、パッケージ部６の側面６ｂに沿って折れ曲がり、側面６ｂから突出して配設される。

以上のようにして得られた半導体パッケージ４０は、図８に示すように、リード４１の接続部４２がパッケージ部６の底面６ａに配設され、パッケージ部６の端部で接続部４１の一端から折曲部４３が半導体チップ２が設けられている側に折り曲げられ、折曲部４３がパッケージ部６の側面６ｂに沿って、側面６ｂから突出して配設される。また、半導体パッケージ４０は、リード４１の端子部４１ａがパッケージ部６の底面６ａと略面一となって露出し、リード４１の折曲部４３が側面６ｂ上に露出している。

この半導体パッケージ４０は、図９に示すように、プリント配線基板７上に実装される。半導体パッケージ４０をプリント配線基板７上に実装する方法は、上述した半導体パッケージ１と同様にして行うため、詳細な説明を省略する。

半導体パッケージ４０では、プリント配線基板７上に実装した際に、パッケージ部６の側面６ｂに配設されたリード４１の折曲部４３まではんだ３２が濡れ上がり、端子部４１ａ全体がランド３１にはんだ付けされるため、ランド３１とのはんだ付け部分、すなわち接続部分の面積が広くなる。半導体パッケージ４０では、パッケージ部６の側面６ｂに配設されているリード４１の折曲部４３まではんだ３２が濡れ上がることによって、パッケージ６の側面６ｂに接続部分が形成されるため、接続状態を外部から目視及び光学系で容易に確認することができる。

また、この半導体パッケージ４０では、はんだ付けする際に溶融したはんだ３２がリード４１の折曲部４３まで濡れ上がるため、自重ではんだ３２を押し潰しても余分なはんだ３２がプリント配線基板７上に広がらず、隣接する回路とブリッジを形成することなく、他の回路と短絡することを防止できる。半導体パッケージ４０では、接続状態を外部から容易に確認でき、隣接する回路とブリッジを形成することを防止できるため、はんだ付けの品質を向上させることができる。

また、この半導体パッケージ４０では、リード４１の折曲部４３まではんだ３２が濡れ上がり、接続部分の面積が増大することによって、熱応力がかかった際に、熱応力を緩和することができ、熱応力に対するランド３１との電気的な接続信頼性を向上させることができる。これらのことから、半導体パッケージ４０では、プリント敗戦基板７との電気的な接続信頼性が向上する。

なお、上述した半導体パッケージ１と同様に、１つのリードフレーム４４から１つの半導体パッケージ４０を製造した例を示したが、このことに限定されず、ダイパッド３と複数のリード４１とを一つのまとまりとしたものが複数並設されたリードフレーム４４を用いて、一度に複数個の半導体パッケージ４０を製造するようにしてもよい。

また、半導体パッケージ４０においても、ダイパッド３をパッケージ部６の内部に収納し、パッケージ部６の底面６ａにダイパッド３が露出していないアップセット構造にしてもよい。

本発明を適用した半導体パッケージの斜視図である。同半導体パッケージの断面図である。同半導体パッケージをプリント配線基板上に表面実装した状態の断面図である。同半導体パッケージを製造する過程において、ダイパッドに半導体チップを実装した状態を示す断面図である。同半導体パッケージを製造する過程において、半導体チップとリードとをワイヤで接続した状態を示す断面図である。同半導体パッケージを製造する過程において、リードの折曲部を折り曲げた状態を示す断面図である。本発明を適用した他の例の半導体パッケージの斜視図である。同半導体パッケージの断面図である。同半導体パッケージをプリント配線基板上に表面実装した状態の断面図である。同半導体パッケージを製造する過程において、ダイパッドに半導体チップを実装した状態を示す断面図である。同半導体パッケージを製造する過程において、半導体チップとリードとをワイヤで接続した状態を示す断面図である。同半導体パッケージを製造する過程において、半導体チップ等を樹脂で覆った状態を示す断面図である。同半導体パッケージを製造する過程において、リードの折曲部を折り曲げた状態を示す断面図である。従来の半導体パッケージの斜視図である。同半導体パッケージの断面図である。同半導体パッケージをプリント配線基板上に表面実装した状態の断面図である。従来の半導体パッケージの断面図である。同半導体パッケージをプリント配線基板上に表面実装した状態の断面図である。

符号の説明

１半導体パッケージ、２半導体チップ、３ダイパッド、４ワイヤ、５リード、５ａ端子部、６パッケージ部、６ａ底面、６ｂ側面、７プリント配線基板、１１接続部、１２折曲部

Claims

半導体チップをダイパッドに接着し、
次いで、上記ダイパッドの周囲に離間して設けられた複数のリードと上記ダイパッドに接着された上記半導体チップとをワイヤで電気的に接続し、
次いで、上記リードの上記ワイヤが接続された接続部の外側を上記半導体チップの実装側に折り曲げて折曲部を形成する際に、上記半導体チップが接着されたダイパッドと、上記半導体チップと上記ワイヤで接続した上記複数のリードとを凹状に形成された金型に挿入することによって上記複数のリードの上記接続部の一端で上記半導体チップ側に該折曲部が折れ曲がり、該折曲部の上記半導体チップ側に上記パッケージ部の側面の傾斜と同じ角度に傾斜したテーパを有する折曲部材を挿入し、上記金型と該折曲部との間に上記パッケージ部の側面の傾斜と同じ角度に傾斜したテーパを有する折曲ガイド片を挿入し、上記折曲部材及び上記折曲ガイド片のテーパに沿って該折曲部を折り曲げ、
次いで、上記折曲部がパッケージ部の側面と面一となるように、上記ダイパッドに接着された上記半導体チップ上及び上記リード上にパッケージ部を形成する半導体パッケージの製造方法。
半導体チップをダイパッドに接着し、
次いで、上記ダイパッドの周囲に離間して設けられた複数のリードと上記ダイパッドに接着された上記半導体チップとをワイヤで電気的に接続し、
次いで、上記ダイパッドに接着された上記半導体チップ上及び上記リード上に、上記リードの上記ワイヤが電気的に接続された接続部とは反対側である外側が外部に突出するようにパッケージ部を形成し、
次いで、上記パッケージ部から突出した上記リードを上記半導体チップの実装側に上記パッケージ部の側面に沿って折り曲げ、上記パッケージ部の側面から突出した折曲部を形成する際に、上記半導体チップが接着されたダイパッドと、上記ワイヤと、上記リードとを含め、上記ダイパッド及び上記リードを上記パッケージ部の底面から露出させ、該折曲部を覆わないように樹脂で覆った後、凹状に形成された金型に挿入することによって上記複数のリードの上記接続部の一端で上記半導体チップ側に該折曲部が折れ曲がり、上記金型と該折曲部との間に上記パッケージ部の側面の傾斜と同じ角度に傾斜したテーパを有する折曲部材を挿入し、上記折曲部材のテーパに沿って折り曲げる半導体パッケージの製造方法。