JPH1187601A - 半導体装置及び半導体装置ユニット及び半導体装置ユニットの製造方法 - Google Patents
半導体装置及び半導体装置ユニット及び半導体装置ユニットの製造方法Info
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- JPH1187601A JPH1187601A JP10069041A JP6904198A JPH1187601A JP H1187601 A JPH1187601 A JP H1187601A JP 10069041 A JP10069041 A JP 10069041A JP 6904198 A JP6904198 A JP 6904198A JP H1187601 A JPH1187601 A JP H1187601A
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Classifications
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は積層化することにより高密度実装を図
る半導体装置及び半導体装置ユニット及び半導体装置ユ
ニットの製造方法に関し、更なるリードが変形したり短
絡するのを防止することを課題とする。 【解決手段】半導体チップ21が封止される樹脂パッケー
ジ27A と、半導体チップ21に接続されるインナーリード
部24a 及び樹脂パッケージ27A の外部に位置し外部接続
端子として機能するアウターリード部24b とを有するリ
ードとを具備し、アウターリード部24b を樹脂パッケー
ジ27A の外形に沿って折曲することにより前記樹脂パッ
ケージ27A の側面または上面に引き出した構成とされた
半導体装置において、前記アウターリード部24b の一部
と係合することにより、アウターリード部24b の位置決
めを行なう上面溝部28A を設ける。
る半導体装置及び半導体装置ユニット及び半導体装置ユ
ニットの製造方法に関し、更なるリードが変形したり短
絡するのを防止することを課題とする。 【解決手段】半導体チップ21が封止される樹脂パッケー
ジ27A と、半導体チップ21に接続されるインナーリード
部24a 及び樹脂パッケージ27A の外部に位置し外部接続
端子として機能するアウターリード部24b とを有するリ
ードとを具備し、アウターリード部24b を樹脂パッケー
ジ27A の外形に沿って折曲することにより前記樹脂パッ
ケージ27A の側面または上面に引き出した構成とされた
半導体装置において、前記アウターリード部24b の一部
と係合することにより、アウターリード部24b の位置決
めを行なう上面溝部28A を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置及び半導
体装置ユニット及び半導体装置ユニットの製造方法に係
り、特に積層化することにより高密度実装を図る半導体
装置及び半導体装置ユニット及び半導体装置ユニットの
製造方法に関する。近年の電子機器の小型化、高速化，
更には高機能化に伴い、それらに用いられる半導体装置
についても同様の要求がある。
体装置ユニット及び半導体装置ユニットの製造方法に係
り、特に積層化することにより高密度実装を図る半導体
装置及び半導体装置ユニット及び半導体装置ユニットの
製造方法に関する。近年の電子機器の小型化、高速化，
更には高機能化に伴い、それらに用いられる半導体装置
についても同様の要求がある。
【０００２】また、このような半導体装置自体に対する
要求に加え、半導体装置を実装基板に実装する時の実装
効率の改善も望まれている。そこで、リードを実装基板
の表面で接続する表面実装型の半導体装置が現在主流を
なしているが、更に実装効率の向上を図った半導体装置
が望まれている。
要求に加え、半導体装置を実装基板に実装する時の実装
効率の改善も望まれている。そこで、リードを実装基板
の表面で接続する表面実装型の半導体装置が現在主流を
なしているが、更に実装効率の向上を図った半導体装置
が望まれている。
【０００３】
【従来の技術】図３６は従来における半導体装置１０の
斜視図であり、図３７は図３６におけるＡ−Ａ線に沿う
断面図である。この半導体装置１は、本出願人が先に提
案した半導体装置であり、特開昭６３−１５４５３号公
報、或いは特開昭６３−１５４５１号公報に開示された
ものである。
斜視図であり、図３７は図３６におけるＡ−Ａ線に沿う
断面図である。この半導体装置１は、本出願人が先に提
案した半導体装置であり、特開昭６３−１５４５３号公
報、或いは特開昭６３−１５４５１号公報に開示された
ものである。
【０００４】各図に示す半導体装置１は、半導体素子
（半導体チップ）２、この半導体チップ２を封止する樹
脂パッケージ３、夫々の一端部４ａが半導体チップ２と
ワイヤ５により接続されると共に他端側がパッケージ３
の底面３ａに露出して外部端子６を形成するリード４、
半導体チップ２が搭載されるステージ７等により構成さ
れている。即ち、半導体装置１０では、リード４の外部
端子６を除く他の部分はパッケージ３内に封止された構
成とされている。
（半導体チップ）２、この半導体チップ２を封止する樹
脂パッケージ３、夫々の一端部４ａが半導体チップ２と
ワイヤ５により接続されると共に他端側がパッケージ３
の底面３ａに露出して外部端子６を形成するリード４、
半導体チップ２が搭載されるステージ７等により構成さ
れている。即ち、半導体装置１０では、リード４の外部
端子６を除く他の部分はパッケージ３内に封止された構
成とされている。
【０００５】上記構成とされた半導体装置１では、リー
ド４の内、外部端子６となる部分が樹脂パッケージ３の
底面３ａに露出した構成となるため、リード４のパッケ
ージ３より側方への張り出し量を短くでき、これにより
実装密度の向上を図ることができる。また、リードの張
り出し部の曲げ加工が不要であり、この曲げ加工用の金
型も不要となり、製造コストの低減を図ることができる
等の種々の効果を奏するものである。
ド４の内、外部端子６となる部分が樹脂パッケージ３の
底面３ａに露出した構成となるため、リード４のパッケ
ージ３より側方への張り出し量を短くでき、これにより
実装密度の向上を図ることができる。また、リードの張
り出し部の曲げ加工が不要であり、この曲げ加工用の金
型も不要となり、製造コストの低減を図ることができる
等の種々の効果を奏するものである。
【０００６】しかるに上記従来の半導体装置では、図３
７に示されるように、半導体チップ２の側部にリード４
のワイヤ接続される端部４ａが位置する構成とされてい
たため、パッケージ３が大型化してしまい半導体装置１
の十分な小型化ができないという問題点があった。即
ち、半導体装置の大きさとしては、理想的には略半導体
チップの大きさと同一程度まで小型化するのが望ましい
が、上記従来の半導体装置１では、半導体チップ２に対
してパッケージ３の大きさが倍以上に大きくなってしま
う。
７に示されるように、半導体チップ２の側部にリード４
のワイヤ接続される端部４ａが位置する構成とされてい
たため、パッケージ３が大型化してしまい半導体装置１
の十分な小型化ができないという問題点があった。即
ち、半導体装置の大きさとしては、理想的には略半導体
チップの大きさと同一程度まで小型化するのが望ましい
が、上記従来の半導体装置１では、半導体チップ２に対
してパッケージ３の大きさが倍以上に大きくなってしま
う。
【０００７】そこで本出願人は先に、特願平４−２８１
９５１号「半導体装置及びその製造方法」を提案した。
図３８は、上記出願に係る半導体装置を示している。同
図に示す半導体装置１０Ａは、半導体チップ１１と、こ
の半導体チップ１１を封止する樹脂パッケージ１７と、
夫々の内側端部１４ａが半導体チップ１１と電気的に接
続されると共に、外側端部がパッケージ１７の底面１７
ａに露出して外部端子１６を形成し、この外部端子１６
を除く他の部分はパッケージ１７に封止された構成の複
数のリード１４とを具備している。そして、上記複数の
リード１４をパッケージ１７内で高さ方向に対し、その
一部或いは全部が半導体チップ１１と重なり合う構成と
したことを特徴としている。
９５１号「半導体装置及びその製造方法」を提案した。
図３８は、上記出願に係る半導体装置を示している。同
図に示す半導体装置１０Ａは、半導体チップ１１と、こ
の半導体チップ１１を封止する樹脂パッケージ１７と、
夫々の内側端部１４ａが半導体チップ１１と電気的に接
続されると共に、外側端部がパッケージ１７の底面１７
ａに露出して外部端子１６を形成し、この外部端子１６
を除く他の部分はパッケージ１７に封止された構成の複
数のリード１４とを具備している。そして、上記複数の
リード１４をパッケージ１７内で高さ方向に対し、その
一部或いは全部が半導体チップ１１と重なり合う構成と
したことを特徴としている。
【０００８】半導体装置１０Ａを上記構成とすることに
より、複数のリード１４はパッケージ１７内で高さ方向
に対し、その一部或いは全部が半導体チップ１１と重な
り合った構成となるため、図３６及び図３７に示した半
導体装置１に比べて、この重なり合っている部分（図
中、矢印Ｌ１で示す）の面積だけ半導体装置１０Ａの小
型化を図ることができる。尚、図３８において、１２は
ステージを、１３は電極パッドを、また１５はワイヤを
夫々示している。
より、複数のリード１４はパッケージ１７内で高さ方向
に対し、その一部或いは全部が半導体チップ１１と重な
り合った構成となるため、図３６及び図３７に示した半
導体装置１に比べて、この重なり合っている部分（図
中、矢印Ｌ１で示す）の面積だけ半導体装置１０Ａの小
型化を図ることができる。尚、図３８において、１２は
ステージを、１３は電極パッドを、また１５はワイヤを
夫々示している。
【０００９】ところで、近年では更なる高密度実装を行
うために、半導体装置を上下方向に三次元的に積層（ス
タック）して実装することが行われるようになってきて
いる。しかるに、図３８に示す半導体装置１０では、こ
れを上下方向に積層して実装することができず、更なる
高密度実装化（即ち三次元的実装）を行うことができな
いという問題点がある。
うために、半導体装置を上下方向に三次元的に積層（ス
タック）して実装することが行われるようになってきて
いる。しかるに、図３８に示す半導体装置１０では、こ
れを上下方向に積層して実装することができず、更なる
高密度実装化（即ち三次元的実装）を行うことができな
いという問題点がある。
【００１０】そこで、本出願人は先に、特願平６−１６
８４４９号「半導体装置及び半導体装置ユニット」を提
案した。図３９及び図４０は、上記出願に係る半導体装
置を示している。同図に示す半導体装置１０Ｂは、イン
ナーリード部１８ａ及びアウターリード部１８ｂよりな
るリード１８の、アウターリード部１８ｂを樹脂パッケ
ージ１７の外側に延出させると共に、このアウターリー
ド部１８ｂを樹脂パッケージ１７の外形に沿って折曲す
ることにより、第１乃至第３の端子部１８ｂ-1〜１８ｂ
-3を形成したことを特徴とするものである。
８４４９号「半導体装置及び半導体装置ユニット」を提
案した。図３９及び図４０は、上記出願に係る半導体装
置を示している。同図に示す半導体装置１０Ｂは、イン
ナーリード部１８ａ及びアウターリード部１８ｂよりな
るリード１８の、アウターリード部１８ｂを樹脂パッケ
ージ１７の外側に延出させると共に、このアウターリー
ド部１８ｂを樹脂パッケージ１７の外形に沿って折曲す
ることにより、第１乃至第３の端子部１８ｂ-1〜１８ｂ
-3を形成したことを特徴とするものである。
【００１１】この構成とすることにより、第１の端子部
１８ｂ-1は樹脂パッケージ１７の底面に位置し、また第
２の端子部１８ｂ-2は樹脂パッケージ１７の上面に位置
する構成となる。よって、半導体装置１０Ｂを積層（ス
タック）して実装することが可能となり、更なる高密度
実装化を実現することが可能となる。
１８ｂ-1は樹脂パッケージ１７の底面に位置し、また第
２の端子部１８ｂ-2は樹脂パッケージ１７の上面に位置
する構成となる。よって、半導体装置１０Ｂを積層（ス
タック）して実装することが可能となり、更なる高密度
実装化を実現することが可能となる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、図３９及び
図４０に示す半導体装置１０Ｂは、単にアウターリード
部１８ｂを樹脂パッケージ１７の外形に沿って折曲し、
樹脂パッケージ１７の上面にまで引き出すだけの構成と
されており、よって第２及び第３の端子部１８ｂ-2, １
８ｂ-3は樹脂パッケージ１７から若干量浮いた状態で配
設された構成とされていた（図４０参照）。
図４０に示す半導体装置１０Ｂは、単にアウターリード
部１８ｂを樹脂パッケージ１７の外形に沿って折曲し、
樹脂パッケージ１７の上面にまで引き出すだけの構成と
されており、よって第２及び第３の端子部１８ｂ-2, １
８ｂ-3は樹脂パッケージ１７から若干量浮いた状態で配
設された構成とされていた（図４０参照）。
【００１３】このため、外力が印加されるとアウターリ
ード部１８ｂは容易に変形してしまい、隣接するアウタ
ーリード部１８ｂ間で短絡が発生したり、また第２及び
第３の端子部１８ｂ-2, １８ｂ-3の位置が所定位置から
ずれることにより、半導体装置１０Ｂを積層した際に、
上下の半導体装置１０Ｂ間で電気的接続ができなくなる
可能性があり、信頼性に欠けるという問題点があった。
ード部１８ｂは容易に変形してしまい、隣接するアウタ
ーリード部１８ｂ間で短絡が発生したり、また第２及び
第３の端子部１８ｂ-2, １８ｂ-3の位置が所定位置から
ずれることにより、半導体装置１０Ｂを積層した際に、
上下の半導体装置１０Ｂ間で電気的接続ができなくなる
可能性があり、信頼性に欠けるという問題点があった。
【００１４】また、上記の問題点を解決する方法とし
て、インサート成形等を用いて折曲された状態のアウタ
ーリード部１８ｂの全体を樹脂パッケージ１７内に埋設
した構成とすることが考えられる。この際、電気的な接
続を行なう面は樹脂パッケージ１７から露出するよう構
成しておく。この構成とすることにより、アウターリー
ド部１８ｂは位置決めされ不要な変位は抑制される。
て、インサート成形等を用いて折曲された状態のアウタ
ーリード部１８ｂの全体を樹脂パッケージ１７内に埋設
した構成とすることが考えられる。この際、電気的な接
続を行なう面は樹脂パッケージ１７から露出するよう構
成しておく。この構成とすることにより、アウターリー
ド部１８ｂは位置決めされ不要な変位は抑制される。
【００１５】しかるに、アウターリード部１８ｂを樹脂
パッケージ１７内に埋設する構成では、アウターリード
部１８ｂは樹脂パッケージ１７内で変位する余裕がない
ため、例えば半導体チップ１１の発熱等により装置温度
が上昇した場合、リード１８と樹脂パッケージ１７との
熱膨張差に起因してリード１８と樹脂パッケージ１７の
界面において応力が発生してしまう。
パッケージ１７内に埋設する構成では、アウターリード
部１８ｂは樹脂パッケージ１７内で変位する余裕がない
ため、例えば半導体チップ１１の発熱等により装置温度
が上昇した場合、リード１８と樹脂パッケージ１７との
熱膨張差に起因してリード１８と樹脂パッケージ１７の
界面において応力が発生してしまう。
【００１６】一般にリード１８の熱膨張係数は樹脂パッ
ケージ１７の熱膨張係数より大きいため、上記のように
温度が上昇するとリード１８は樹脂パッケージ１７を加
圧し、最悪の場合には樹脂パッケージ１７にクラックが
発生してしまうおそれがある。また、この半導体装置を
半田を用いて積層した場合には、上記した応力が半田接
合部分に印加され、半田剥離が発生するおそれもある。
ケージ１７の熱膨張係数より大きいため、上記のように
温度が上昇するとリード１８は樹脂パッケージ１７を加
圧し、最悪の場合には樹脂パッケージ１７にクラックが
発生してしまうおそれがある。また、この半導体装置を
半田を用いて積層した場合には、上記した応力が半田接
合部分に印加され、半田剥離が発生するおそれもある。
【００１７】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、信頼性の高い高密度実装化を実現しうる半導体装
置及び半導体装置ユニット及び半導体装置ユニットの製
造方法を提供することを目的とする。
あり、信頼性の高い高密度実装化を実現しうる半導体装
置及び半導体装置ユニット及び半導体装置ユニットの製
造方法を提供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、下記の手
段を講じることにより解決することができる。請求項１
記載の発明では、半導体素子が封止される樹脂パッケー
ジと、前記半導体素子に接続されるインナーリード部
と、前記樹脂パッケージの外部に位置し外部接続端子と
して機能するアウターリード部とを有するリードとを具
備し、前記アウターリード部を前記樹脂パッケージの外
形に沿って折曲することにより前記樹脂パッケージの側
面または上面に引き出した構成とされた半導体装置にお
いて、前記リード或いは前記樹脂パッケージの少なくと
も一方に、前記アウターリード部の一部と係合すること
により、前記アウターリード部の位置決めを行なう位置
決め機構を設けたことを特徴とするものである。
段を講じることにより解決することができる。請求項１
記載の発明では、半導体素子が封止される樹脂パッケー
ジと、前記半導体素子に接続されるインナーリード部
と、前記樹脂パッケージの外部に位置し外部接続端子と
して機能するアウターリード部とを有するリードとを具
備し、前記アウターリード部を前記樹脂パッケージの外
形に沿って折曲することにより前記樹脂パッケージの側
面または上面に引き出した構成とされた半導体装置にお
いて、前記リード或いは前記樹脂パッケージの少なくと
も一方に、前記アウターリード部の一部と係合すること
により、前記アウターリード部の位置決めを行なう位置
決め機構を設けたことを特徴とするものである。
【００１９】また、請求項２記載の発明では、前記請求
項１記載の半導体装置において、前記位置決め機構を、
前記樹脂パッケージに形成され、前記アウターリード部
の一部が係合される溝部により構成したことを特徴とす
るものである。
項１記載の半導体装置において、前記位置決め機構を、
前記樹脂パッケージに形成され、前記アウターリード部
の一部が係合される溝部により構成したことを特徴とす
るものである。
【００２０】また、請求項３記載の発明では、前記請求
項２記載の半導体装置において、前記アウターリード部
の一部が前記溝部に係合された際、前記アウターリード
部の一部が前記樹脂パッケージの表面から突出するよう
構成したことを特徴とするものである。
項２記載の半導体装置において、前記アウターリード部
の一部が前記溝部に係合された際、前記アウターリード
部の一部が前記樹脂パッケージの表面から突出するよう
構成したことを特徴とするものである。
【００２１】また、請求項４記載の発明では、前記請求
項２または３記載の半導体装置において、前記溝部を前
記樹脂パッケージの上面にのみ形成したことを特徴とす
るものである。また、請求項５記載の発明では、前記請
求項２または３記載の半導体装置において、前記溝部を
前記樹脂パッケージの側面に形成したことを特徴とする
ものである。
項２または３記載の半導体装置において、前記溝部を前
記樹脂パッケージの上面にのみ形成したことを特徴とす
るものである。また、請求項５記載の発明では、前記請
求項２または３記載の半導体装置において、前記溝部を
前記樹脂パッケージの側面に形成したことを特徴とする
ものである。
【００２２】また、請求項６記載の発明では、前記請求
項２乃至４のいずれかに記載の半導体装置において、前
記アウターリード部の前記樹脂パッケージの上面に位置
する部分が、水平方向に延在するよう構成したことを特
徴とするものである。また、請求項７記載の発明では、
前記請求項２乃至４のいずれかに記載の半導体装置にお
いて、前記アウターリード部の前記樹脂パッケージの上
面に位置する部分が、斜め方向に延在するよう構成した
ことを特徴とするものである。
項２乃至４のいずれかに記載の半導体装置において、前
記アウターリード部の前記樹脂パッケージの上面に位置
する部分が、水平方向に延在するよう構成したことを特
徴とするものである。また、請求項７記載の発明では、
前記請求項２乃至４のいずれかに記載の半導体装置にお
いて、前記アウターリード部の前記樹脂パッケージの上
面に位置する部分が、斜め方向に延在するよう構成した
ことを特徴とするものである。
【００２３】また、請求項８記載の発明では、前記請求
項２乃至７のいずれかに記載の半導体装置において、前
記アウターリード部と前記溝部との対向する部分の一部
に、前記アウターリード部を前記溝部に固定する接着剤
を設けたことを特徴とするものである。また、請求項９
記載の発明では、前記請求項１記載の半導体装置におい
て、前記位置決め機構を、前記アウターリード部の一部
に形成された第１の係合部と、前記樹脂パッケージに形
成され、前記第１の係合部と係合することにより前記ア
ウターリード部の位置決めを行なう第２の係合部とによ
り構成したことを特徴とするものである。
項２乃至７のいずれかに記載の半導体装置において、前
記アウターリード部と前記溝部との対向する部分の一部
に、前記アウターリード部を前記溝部に固定する接着剤
を設けたことを特徴とするものである。また、請求項９
記載の発明では、前記請求項１記載の半導体装置におい
て、前記位置決め機構を、前記アウターリード部の一部
に形成された第１の係合部と、前記樹脂パッケージに形
成され、前記第１の係合部と係合することにより前記ア
ウターリード部の位置決めを行なう第２の係合部とによ
り構成したことを特徴とするものである。
【００２４】また、請求項１０記載の発明では、前記請
求項９記載の半導体装置において、前記第１の係合部を
樹脂部材とし、前記第２の係合部を前記樹脂パッケージ
に形成された凹部としたことを特徴とするものである。
また、請求項１１記載の発明では、前記請求項１０記載
の半導体装置において、前記樹脂部材を前記樹脂パッケ
ージと同一材料により形成したことを特徴とするもので
ある。
求項９記載の半導体装置において、前記第１の係合部を
樹脂部材とし、前記第２の係合部を前記樹脂パッケージ
に形成された凹部としたことを特徴とするものである。
また、請求項１１記載の発明では、前記請求項１０記載
の半導体装置において、前記樹脂部材を前記樹脂パッケ
ージと同一材料により形成したことを特徴とするもので
ある。
【００２５】また、請求項１２記載の発明では、半導体
素子が封止される樹脂パッケージと、前記半導体素子に
接続されるインナーリード部と、前記樹脂パッケージの
外部に位置し外部接続端子として機能するアウターリー
ド部とを有するリードとを具備し、前記アウターリード
部を前記樹脂パッケージの外形に沿って折曲することに
より前記樹脂パッケージの上面に引き出した構成とされ
た半導体装置において、前記樹脂パッケージの四隅位置
に、前記樹脂パッケージの表面より高く、かつ前記アウ
ターリード部の厚さよりも低い突起部を形成したことを
特徴とするものである。
素子が封止される樹脂パッケージと、前記半導体素子に
接続されるインナーリード部と、前記樹脂パッケージの
外部に位置し外部接続端子として機能するアウターリー
ド部とを有するリードとを具備し、前記アウターリード
部を前記樹脂パッケージの外形に沿って折曲することに
より前記樹脂パッケージの上面に引き出した構成とされ
た半導体装置において、前記樹脂パッケージの四隅位置
に、前記樹脂パッケージの表面より高く、かつ前記アウ
ターリード部の厚さよりも低い突起部を形成したことを
特徴とするものである。
【００２６】また、請求項１３記載の発明に係る半導体
装置ユニットでは、請求項１乃至１２のいずれかに記載
の半導体装置を複数個上下方向に積層した構造を有し、
上記複数個積層した状態において、上部の前記半導体装
置の底面に位置するアウターリード部と、下部に配設さ
れた前記半導体装置の上面に位置するアウターリード部
とが電気的に接続される構成としたことを特徴とするも
のである。
装置ユニットでは、請求項１乃至１２のいずれかに記載
の半導体装置を複数個上下方向に積層した構造を有し、
上記複数個積層した状態において、上部の前記半導体装
置の底面に位置するアウターリード部と、下部に配設さ
れた前記半導体装置の上面に位置するアウターリード部
とが電気的に接続される構成としたことを特徴とするも
のである。
【００２７】また、請求項１４記載の発明では、前記請
求項１３記載の半導体装置ユニットにおいて、前記複数
個積層された各半導体装置の、前記樹脂パッケージの側
面と対向する位置における前記アウターリード部を外部
接続端子として実装基板に接合する構成としたことを特
徴とするものである。
求項１３記載の半導体装置ユニットにおいて、前記複数
個積層された各半導体装置の、前記樹脂パッケージの側
面と対向する位置における前記アウターリード部を外部
接続端子として実装基板に接合する構成としたことを特
徴とするものである。
【００２８】また、請求項１５記載の発明では、前記請
求項１３または１４記載の半導体装置ユニットにおい
て、前記積層される隣接する半導体装置間に、放熱機能
を有した接着部材を配設したことを特徴とするものであ
る。また、請求項１６記載の発明では、前記請求項１乃
至１２のいずれかに記載の半導体装置を複数個上下方向
に積層した構造を有した半導体装置ユニットの製造方法
であって、前記半導体装置の外部接続端子として機能す
る部位に接合材を配設する接合材配設工程と、前記接合
材が配設された前記半導体装置を複数個積層する積層工
程と、前記積層された複数の半導体装置に熱処理を実施
することにより、前記接合材により隣接する前記各半導
体装置同志を電気的及び機械的に接合する接合工程とを
具備することを特徴とするものである。
求項１３または１４記載の半導体装置ユニットにおい
て、前記積層される隣接する半導体装置間に、放熱機能
を有した接着部材を配設したことを特徴とするものであ
る。また、請求項１６記載の発明では、前記請求項１乃
至１２のいずれかに記載の半導体装置を複数個上下方向
に積層した構造を有した半導体装置ユニットの製造方法
であって、前記半導体装置の外部接続端子として機能す
る部位に接合材を配設する接合材配設工程と、前記接合
材が配設された前記半導体装置を複数個積層する積層工
程と、前記積層された複数の半導体装置に熱処理を実施
することにより、前記接合材により隣接する前記各半導
体装置同志を電気的及び機械的に接合する接合工程とを
具備することを特徴とするものである。
【００２９】また、請求項１７記載の発明では、前記請
求項１６記載の半導体装置ユニットの製造方法におい
て、前記接合材配設工程では、前記接合材として半田を
用いると共に、半田ディプまたは半田ペースト印刷を用
いて前記接合材を配設することを特徴とするものであ
る。
求項１６記載の半導体装置ユニットの製造方法におい
て、前記接合材配設工程では、前記接合材として半田を
用いると共に、半田ディプまたは半田ペースト印刷を用
いて前記接合材を配設することを特徴とするものであ
る。
【００３０】また、請求項１８記載の発明では、前記請
求項１６または１７記載の半導体装置ユニットの製造方
法において、前記接合材配設工程の実施後でかつ前記積
層工程の実施前に、隣接する前記半導体装置を仮止めす
ると共に放熱性を有する接着部材を配設する接着部材配
設工程を行なうことを特徴とするものである。
求項１６または１７記載の半導体装置ユニットの製造方
法において、前記接合材配設工程の実施後でかつ前記積
層工程の実施前に、隣接する前記半導体装置を仮止めす
ると共に放熱性を有する接着部材を配設する接着部材配
設工程を行なうことを特徴とするものである。
【００３１】また、請求項１９記載の発明では、前記請
求項１６または請求項１８記載の半導体装置ユニットの
製造方法において、前記接合材配設工程で、前記接合材
として前記リードのリード幅よりも小さい幅寸法を有
し、かつ前記リードから前記樹脂パッケージまで延在す
る帯状半田を用いたことを特徴とするものである。
求項１６または請求項１８記載の半導体装置ユニットの
製造方法において、前記接合材配設工程で、前記接合材
として前記リードのリード幅よりも小さい幅寸法を有
し、かつ前記リードから前記樹脂パッケージまで延在す
る帯状半田を用いたことを特徴とするものである。
【００３２】また、請求項２０記載の発明では、前記請
求項１６または請求項１８または請求項１９記載の半導
体装置ユニットの製造方法において、前記接合材配設工
程を実施する前に、前記半導体装置の接合材配設位置近
傍に凹状とされた接合材溜まり部を形成する接合材溜ま
り部形成工程を行うことを特徴とするものである。
求項１６または請求項１８または請求項１９記載の半導
体装置ユニットの製造方法において、前記接合材配設工
程を実施する前に、前記半導体装置の接合材配設位置近
傍に凹状とされた接合材溜まり部を形成する接合材溜ま
り部形成工程を行うことを特徴とするものである。
【００３３】また、請求項２１記載の発明では、前記請
求項１６記載の半導体装置ユニットの製造方法におい
て、前記接合材配設工程で、前記接合材として導電性及
び接着性を共に有する導電性接着部材を用いたことを特
徴とするものである。また、請求項２２記載の発明で
は、前記請求項１８記載の半導体装置ユニットの製造方
法において、前記接着部材として、硬化温度が前記接合
材の融点よりも高い高温硬化接着剤を用いたことを特徴
とするものである。
求項１６記載の半導体装置ユニットの製造方法におい
て、前記接合材配設工程で、前記接合材として導電性及
び接着性を共に有する導電性接着部材を用いたことを特
徴とするものである。また、請求項２２記載の発明で
は、前記請求項１８記載の半導体装置ユニットの製造方
法において、前記接着部材として、硬化温度が前記接合
材の融点よりも高い高温硬化接着剤を用いたことを特徴
とするものである。
【００３４】また、請求項２３記載の発明では、前記請
求項１６乃至請求項２２のいずれかに記載の半導体装置
ユニットの製造方法において、前記半導体装置の外部接
続端子として機能する部位に接合材を配設する接合材配
設工程と、前記接合材が配設され、かつリードフレーム
に接続された状態の前記半導体装置を該リードフレーム
を位置基準として複数個積層する積層工程と、前記積層
された複数の半導体装置に熱処理を実施することによ
り、前記接合材により隣接する前記各半導体装置同志を
電気的及び機械的に接合する接合工程と、前記リードフ
レームを除去する除去工程とを具備することを特徴とす
るものである。
求項１６乃至請求項２２のいずれかに記載の半導体装置
ユニットの製造方法において、前記半導体装置の外部接
続端子として機能する部位に接合材を配設する接合材配
設工程と、前記接合材が配設され、かつリードフレーム
に接続された状態の前記半導体装置を該リードフレーム
を位置基準として複数個積層する積層工程と、前記積層
された複数の半導体装置に熱処理を実施することによ
り、前記接合材により隣接する前記各半導体装置同志を
電気的及び機械的に接合する接合工程と、前記リードフ
レームを除去する除去工程とを具備することを特徴とす
るものである。
【００３５】更に、請求項２４記載の発明では、前記請
求項１記載の半導体装置において、前記樹脂パッケージ
の前記リードが被接続部材と接合される接合位置或いは
その近傍位置に、凹状とされた接合材溜まり部を設けた
ことを特徴とするものである。
求項１記載の半導体装置において、前記樹脂パッケージ
の前記リードが被接続部材と接合される接合位置或いは
その近傍位置に、凹状とされた接合材溜まり部を設けた
ことを特徴とするものである。
【００３６】上記の各手段は下記のように作用する。請
求項１記載の発明によれば、アウターリード部を樹脂パ
ッケージの外形に沿って折曲することにより樹脂パッケ
ージの側面または上面に引き出した構成としたことによ
り、樹脂パッケージの上面及び底面の各面で電気的接続
を取ることが可能となる。このため、半導体装置を上下
方向に複数個積層することが可能となり、半導体装置の
実装効率を向上させることができる。
求項１記載の発明によれば、アウターリード部を樹脂パ
ッケージの外形に沿って折曲することにより樹脂パッケ
ージの側面または上面に引き出した構成としたことによ
り、樹脂パッケージの上面及び底面の各面で電気的接続
を取ることが可能となる。このため、半導体装置を上下
方向に複数個積層することが可能となり、半導体装置の
実装効率を向上させることができる。
【００３７】また、アウターリード部の一部と係合して
その位置決めを行なう位置決め機構を設けたことによ
り、半導体装置の組み立て時或いは実装時等においてア
ウターリード部に外力が印加されても、アウターリード
部は位置決め機構により位置決めされているため、変形
が発生したり、また隣接するアウターリード部間で短絡
が発生するようなことはない。
その位置決めを行なう位置決め機構を設けたことによ
り、半導体装置の組み立て時或いは実装時等においてア
ウターリード部に外力が印加されても、アウターリード
部は位置決め機構により位置決めされているため、変形
が発生したり、また隣接するアウターリード部間で短絡
が発生するようなことはない。
【００３８】更に、位置決め機構はアウターリード部の
全体と係合して位置決めするのではなく、その一部と係
合して位置決めを行なう構成とされている。即ち、アウ
ターリード部は位置決め機構により位置決めされつつ、
変形或いは短絡が発生しない範囲において変位或いは変
形しうる構成とされている。従って、リードと樹脂パッ
ケージとの間に熱膨張率差がある場合においても、加熱
時に発生する応力はアウターリード部が変位或いは変形
することにより逃がされる。これにより、樹脂パッケー
ジにクラックが発生したり、また実装位置において半田
の剥離が発生することを確実に防止することができ、半
導体装置の信頼性を向上させることができる。
全体と係合して位置決めするのではなく、その一部と係
合して位置決めを行なう構成とされている。即ち、アウ
ターリード部は位置決め機構により位置決めされつつ、
変形或いは短絡が発生しない範囲において変位或いは変
形しうる構成とされている。従って、リードと樹脂パッ
ケージとの間に熱膨張率差がある場合においても、加熱
時に発生する応力はアウターリード部が変位或いは変形
することにより逃がされる。これにより、樹脂パッケー
ジにクラックが発生したり、また実装位置において半田
の剥離が発生することを確実に防止することができ、半
導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００３９】また、請求項２記載の発明によれば、位置
決め機構を樹脂パッケージに形成されると共にアウター
リード部の一部が係合される溝部により構成したことに
より、簡単かつ確実にアウターリード部の変形或いは短
絡の発生を防止することができる。また、請求項３記載
の発明によれば、アウターリード部の一部が溝部に係合
された際、アウターリード部の一部が樹脂パッケージの
表面から突出するよう構成したことにより、半導体装置
を積層（スタック）した際に、各アウターリード部間の
電気的接続を確実に行なうことができる。
決め機構を樹脂パッケージに形成されると共にアウター
リード部の一部が係合される溝部により構成したことに
より、簡単かつ確実にアウターリード部の変形或いは短
絡の発生を防止することができる。また、請求項３記載
の発明によれば、アウターリード部の一部が溝部に係合
された際、アウターリード部の一部が樹脂パッケージの
表面から突出するよう構成したことにより、半導体装置
を積層（スタック）した際に、各アウターリード部間の
電気的接続を確実に行なうことができる。
【００４０】また、請求項４記載の発明によれば、溝部
を樹脂パッケージの上面にのみ形成したことにより、ア
ウターリード部は樹脂パッケージの上面において位置決
めされ、樹脂パッケージの側面においては自由な状態と
なっている、このため、発生する応力は主にアウターリ
ード部の樹脂パッケージの側面と対向する位置において
吸収される。
を樹脂パッケージの上面にのみ形成したことにより、ア
ウターリード部は樹脂パッケージの上面において位置決
めされ、樹脂パッケージの側面においては自由な状態と
なっている、このため、発生する応力は主にアウターリ
ード部の樹脂パッケージの側面と対向する位置において
吸収される。
【００４１】即ち、応力発生時においては、主に半導体
装置の側面に位置するアウターリード部が変位或いは変
形し、上下位置におけるアウターリード部は変位或いは
変形しないため、特に半導体装置を上下方向に積層する
場合に各半導体装置を確実に接合することができる。ま
た、請求項５記載の発明によれば、溝部を樹脂パッケー
ジの側面に形成したことにより、アウターリード部は樹
脂パッケージの側面において位置決めされ、樹脂パッケ
ージの上面においては自由な状態となっている。このた
め、発生する応力は主にアウターリード部の樹脂パッケ
ージの上面と対向する位置において吸収される。
装置の側面に位置するアウターリード部が変位或いは変
形し、上下位置におけるアウターリード部は変位或いは
変形しないため、特に半導体装置を上下方向に積層する
場合に各半導体装置を確実に接合することができる。ま
た、請求項５記載の発明によれば、溝部を樹脂パッケー
ジの側面に形成したことにより、アウターリード部は樹
脂パッケージの側面において位置決めされ、樹脂パッケ
ージの上面においては自由な状態となっている。このた
め、発生する応力は主にアウターリード部の樹脂パッケ
ージの上面と対向する位置において吸収される。
【００４２】即ち、応力発生時においては、主に半導体
装置の上面に位置するアウターリード部が変位或いは変
形し、側面位置におけるアウターリード部は変位或いは
変形しないため、特に半導体装置を水平方向にスタック
する場合に各半導体装置を確実に接合することができ
る。また、請求項６記載の発明によれば、アウターリー
ド部の樹脂パッケージの上面に位置する部分が、水平方
向に延在するよう構成したことにより、半導体装置を上
下方向に積層した際、各リード間における接触面積を大
きくすることができ、信頼性の高い接合を行なうことが
可能となる。また、半導体装置を積層した際の安定性が
よいため、正式な接合を行なう前に通常実施される仮止
めの安定性を向上することができる。
装置の上面に位置するアウターリード部が変位或いは変
形し、側面位置におけるアウターリード部は変位或いは
変形しないため、特に半導体装置を水平方向にスタック
する場合に各半導体装置を確実に接合することができ
る。また、請求項６記載の発明によれば、アウターリー
ド部の樹脂パッケージの上面に位置する部分が、水平方
向に延在するよう構成したことにより、半導体装置を上
下方向に積層した際、各リード間における接触面積を大
きくすることができ、信頼性の高い接合を行なうことが
可能となる。また、半導体装置を積層した際の安定性が
よいため、正式な接合を行なう前に通常実施される仮止
めの安定性を向上することができる。
【００４３】また、請求項７記載の発明によれば、アウ
ターリード部の樹脂パッケージの上面に位置する部分
が、斜め方向に延在するよう構成したことにより、アウ
ターリード部の折曲位置（即ち、角部）は樹脂パッケー
ジの上面より突出した状態となる。よって、半導体装置
を上下方向に積層した際、下に位置する半導体装置の上
面に形成されたアウターリード部の角部は、上に位置す
る半導体装置の底部に存在するアウターリード部と当接
した状態となる。即ち、下に位置する半導体装置のアウ
ターリード部の角部は、上に位置する半導体装置のアウ
ターリード部と直接接触した状態となる。
ターリード部の樹脂パッケージの上面に位置する部分
が、斜め方向に延在するよう構成したことにより、アウ
ターリード部の折曲位置（即ち、角部）は樹脂パッケー
ジの上面より突出した状態となる。よって、半導体装置
を上下方向に積層した際、下に位置する半導体装置の上
面に形成されたアウターリード部の角部は、上に位置す
る半導体装置の底部に存在するアウターリード部と当接
した状態となる。即ち、下に位置する半導体装置のアウ
ターリード部の角部は、上に位置する半導体装置のアウ
ターリード部と直接接触した状態となる。
【００４４】このように、積層される上下の各半導体装
置のアウターリード部が直接接触することにより、換言
すれば上下の各半導体装置のアウターリード部間に半田
等が介在しない構成とすることにより、半導体装置を積
層した際に、その全体高さにバラツキが発生することを
抑制することができる。また、請求項８記載の発明によ
れば、アウターリード部と溝部との対向する部分の一部
に、アウターリード部を溝部に固定する接着剤を設けた
ことにより、アウターリード部はより確実に溝部に係合
（固定）するため、アウターリード部に変形及び短絡が
発生するのを確実に防止することができる。
置のアウターリード部が直接接触することにより、換言
すれば上下の各半導体装置のアウターリード部間に半田
等が介在しない構成とすることにより、半導体装置を積
層した際に、その全体高さにバラツキが発生することを
抑制することができる。また、請求項８記載の発明によ
れば、アウターリード部と溝部との対向する部分の一部
に、アウターリード部を溝部に固定する接着剤を設けた
ことにより、アウターリード部はより確実に溝部に係合
（固定）するため、アウターリード部に変形及び短絡が
発生するのを確実に防止することができる。
【００４５】また、請求項９記載の発明によれば、アウ
ターリード部の一部に形成された第１の係合部と、樹脂
パッケージに形成されると共に第１の係合部と係合して
アウターリード部の位置決めを行なう第２の係合部とに
より位置決め機構を構成したことにより、第１及び第２
の係合部が係合することにより、アウターリード部はよ
り積極的に樹脂パッケージに係合するため、アウターリ
ード部に変形及び短絡が発生するのを確実に防止するこ
とができる。
ターリード部の一部に形成された第１の係合部と、樹脂
パッケージに形成されると共に第１の係合部と係合して
アウターリード部の位置決めを行なう第２の係合部とに
より位置決め機構を構成したことにより、第１及び第２
の係合部が係合することにより、アウターリード部はよ
り積極的に樹脂パッケージに係合するため、アウターリ
ード部に変形及び短絡が発生するのを確実に防止するこ
とができる。
【００４６】また、請求項１０記載の発明によれば、第
１の係合部を樹脂部材とし、第２の係合部を樹脂パッケ
ージに形成された凹部としたことにより、第１及び第２
の係合部を容易に形成することができる。また、請求項
１１記載の発明によれば、前記樹脂部材を樹脂パッケー
ジと同一材料により形成したことにより、樹脂部材と樹
脂パッケージを一括的に形成することが可能となり、第
１及び第２の係合部の成形を更に容易化するとができ
る。
１の係合部を樹脂部材とし、第２の係合部を樹脂パッケ
ージに形成された凹部としたことにより、第１及び第２
の係合部を容易に形成することができる。また、請求項
１１記載の発明によれば、前記樹脂部材を樹脂パッケー
ジと同一材料により形成したことにより、樹脂部材と樹
脂パッケージを一括的に形成することが可能となり、第
１及び第２の係合部の成形を更に容易化するとができ
る。
【００４７】また、請求項１２記載の発明によれば、ア
ウターリード部を樹脂パッケージの外形に沿って折曲す
ることにより樹脂パッケージの側面または上面に引き出
した構成としたことにより、樹脂パッケージの上面及び
底面の各面で電気的接続を取ることが可能となる。この
ため、半導体装置を上下方向に複数個積層することが可
能となり、半導体装置の実装効率を向上させることがで
きる。
ウターリード部を樹脂パッケージの外形に沿って折曲す
ることにより樹脂パッケージの側面または上面に引き出
した構成としたことにより、樹脂パッケージの上面及び
底面の各面で電気的接続を取ることが可能となる。この
ため、半導体装置を上下方向に複数個積層することが可
能となり、半導体装置の実装効率を向上させることがで
きる。
【００４８】また、樹脂パッケージの四隅位置に、樹脂
パッケージの表面より高く、かつアウターリード部の厚
さよりも低い突起部を形成したことにより、側部から印
加された外力を突起部によりこの外力を受けることがで
きる。よって、各アウターリード部に外力が印加される
ことを防止でき、アウターリード部に変形及び短絡が発
生することを防止することができる。
パッケージの表面より高く、かつアウターリード部の厚
さよりも低い突起部を形成したことにより、側部から印
加された外力を突起部によりこの外力を受けることがで
きる。よって、各アウターリード部に外力が印加される
ことを防止でき、アウターリード部に変形及び短絡が発
生することを防止することができる。
【００４９】更に、例えば半導体チップが高密度化し、
これに伴いリード数が増大してリードピッチが狭ピッチ
化しても、各アウターリード部に対応して溝等を形成す
る必要はないため、これに対応することができる。ま
た、請求項１３記載の発明によれば、半導体装置を複数
個上下方向に積層した状態において、上部の半導体装置
の底面に位置するアウターリード部と、下部に配設され
た半導体装置の上面に位置するアウターリード部とが電
気的に接続される構成としたことにより、複数の半導体
装置を上下方向に積層することができ、よって容易に半
導体装置の積層体を形成することができ、半導体装置の
実装密度を向上させることができる。
これに伴いリード数が増大してリードピッチが狭ピッチ
化しても、各アウターリード部に対応して溝等を形成す
る必要はないため、これに対応することができる。ま
た、請求項１３記載の発明によれば、半導体装置を複数
個上下方向に積層した状態において、上部の半導体装置
の底面に位置するアウターリード部と、下部に配設され
た半導体装置の上面に位置するアウターリード部とが電
気的に接続される構成としたことにより、複数の半導体
装置を上下方向に積層することができ、よって容易に半
導体装置の積層体を形成することができ、半導体装置の
実装密度を向上させることができる。
【００５０】また、請求項１４記載の発明によれば、複
数個積層された各半導体装置の、樹脂パッケージの側面
と対向する位置におけるアウターリード部を外部接続端
子として実装基板に接合する構成としたことにより、半
導体装置は立設された状態で実装されることとなり、一
つの半導体装置に必要とされる実装スペースは少なくて
済み、よって半導体装置の実装密度を向上させることが
できる。
数個積層された各半導体装置の、樹脂パッケージの側面
と対向する位置におけるアウターリード部を外部接続端
子として実装基板に接合する構成としたことにより、半
導体装置は立設された状態で実装されることとなり、一
つの半導体装置に必要とされる実装スペースは少なくて
済み、よって半導体装置の実装密度を向上させることが
できる。
【００５１】また、請求項１５記載の発明によれば、積
層される隣接する半導体装置間に放熱機能を有した接着
部材を配設したことにより、各半導体装置で発生する熱
は接着部材を介して実装基板に逃げるため、複数個の半
導体装置が積層された半導体装置ユニットであっても、
放熱効率を向上させることができる。
層される隣接する半導体装置間に放熱機能を有した接着
部材を配設したことにより、各半導体装置で発生する熱
は接着部材を介して実装基板に逃げるため、複数個の半
導体装置が積層された半導体装置ユニットであっても、
放熱効率を向上させることができる。
【００５２】また、請求項１６記載の発明によれば、先
ず接合材配設工程を実施することにより半導体装置の外
部接続端子として機能する部位に接合材を配設し、続い
て積層工程を実施することにより接合材が配設された半
導体装置を複数個積層する。続いて、接合工程を実施し
て積層された複数の半導体装置に熱処理を実施すること
により、接合材により隣接する各半導体装置同志を電気
的及び機械的に接合する。
ず接合材配設工程を実施することにより半導体装置の外
部接続端子として機能する部位に接合材を配設し、続い
て積層工程を実施することにより接合材が配設された半
導体装置を複数個積層する。続いて、接合工程を実施し
て積層された複数の半導体装置に熱処理を実施すること
により、接合材により隣接する各半導体装置同志を電気
的及び機械的に接合する。
【００５３】このように、個々の半導体装置の外部接続
端子として機能する部位に接合材を配設した後に接合工
程を実施することにより、半導体装置を積層した後に接
合部材を配設する構成に比べて接合材の配設処理及び接
合処理を容易に行なうことができる。また、請求項１７
記載の発明によれば、接合材配設工程において、接合材
として用いる半田を半田ディプまたは半田ペースト印刷
を用いて外部接続端子として機能する部位に配設するこ
とにより、複数の半導体装置装置に対し一括的に半田を
配設することが可能となり、接合材配設工程の効率化を
図ることができる。
端子として機能する部位に接合材を配設した後に接合工
程を実施することにより、半導体装置を積層した後に接
合部材を配設する構成に比べて接合材の配設処理及び接
合処理を容易に行なうことができる。また、請求項１７
記載の発明によれば、接合材配設工程において、接合材
として用いる半田を半田ディプまたは半田ペースト印刷
を用いて外部接続端子として機能する部位に配設するこ
とにより、複数の半導体装置装置に対し一括的に半田を
配設することが可能となり、接合材配設工程の効率化を
図ることができる。
【００５４】また、請求項１８記載の発明によれば、接
合材配設工程の実施後でかつ積層工程の実施前に、接着
部材配設工程を実施し隣接する半導体装置を仮止めする
と共に放熱性を有する接着部材を配設することにより、
積層工程において複数の半導体装置を積層した際、接着
部材により各半導体装置は仮止めされているため、取扱
を容易とするとができる。
合材配設工程の実施後でかつ積層工程の実施前に、接着
部材配設工程を実施し隣接する半導体装置を仮止めする
と共に放熱性を有する接着部材を配設することにより、
積層工程において複数の半導体装置を積層した際、接着
部材により各半導体装置は仮止めされているため、取扱
を容易とするとができる。
【００５５】また、接着部材は放熱性を有しているた
め、半導体装置ユニットが形成された後において、各半
導体装置で発生した熱は接着部材を介して実装基板に放
熱されるため、半導体装置ユニットの放熱効率の向上を
図ることができる。また、請求項１９記載の発明によれ
ば、接合材としてリードのリード幅よりも小さい幅寸法
を有し、かつリードから樹脂パッケージまで延在する帯
状半田を用いたことにより、半導体装置の高密度化によ
りリードピッチが狭ピッチ化しても、帯状半田の幅寸法
はリード幅よりも狭いため確実にリードに帯状半田を配
設することができ、また隣接する帯状半田間でブリッジ
が発生してしまうようなこともない。
め、半導体装置ユニットが形成された後において、各半
導体装置で発生した熱は接着部材を介して実装基板に放
熱されるため、半導体装置ユニットの放熱効率の向上を
図ることができる。また、請求項１９記載の発明によれ
ば、接合材としてリードのリード幅よりも小さい幅寸法
を有し、かつリードから樹脂パッケージまで延在する帯
状半田を用いたことにより、半導体装置の高密度化によ
りリードピッチが狭ピッチ化しても、帯状半田の幅寸法
はリード幅よりも狭いため確実にリードに帯状半田を配
設することができ、また隣接する帯状半田間でブリッジ
が発生してしまうようなこともない。
【００５６】また、帯状半田の幅寸法を小さくすると、
接合に寄与する半田の全体量が減ることが考えられる。
しかるに、帯状半田はリードばかりではなく、樹脂パッ
ケージ上にも配設されるため、加熱時にはこの樹脂パッ
ケージ上の帯状半田が表面張力によりリード上に引き寄
せられ、接合に寄与する半田の全体量は所定量に保つこ
とができる。この半田の全体量は、帯状半田の長さを調
整することにより制御することができる。
接合に寄与する半田の全体量が減ることが考えられる。
しかるに、帯状半田はリードばかりではなく、樹脂パッ
ケージ上にも配設されるため、加熱時にはこの樹脂パッ
ケージ上の帯状半田が表面張力によりリード上に引き寄
せられ、接合に寄与する半田の全体量は所定量に保つこ
とができる。この半田の全体量は、帯状半田の長さを調
整することにより制御することができる。
【００５７】また、請求項２０及び請求項２４記載の発
明によれば、接合材配設工程を実施する前に接合材溜ま
り部形成工程を行い、半導体装置の接合材配設位置近傍
に凹状とされた接合材溜まり部を形成することにより、
例えば接合材として球状接合材（例えば、半田ボール
等）を用いた場合でも、接合工程実施前に接合材が半導
体装置から離脱することを防止することができる。ま
た、この接合材溜まり部の大きさを調整することによ
り、接合材の全体量を制御することが可能となる。
明によれば、接合材配設工程を実施する前に接合材溜ま
り部形成工程を行い、半導体装置の接合材配設位置近傍
に凹状とされた接合材溜まり部を形成することにより、
例えば接合材として球状接合材（例えば、半田ボール
等）を用いた場合でも、接合工程実施前に接合材が半導
体装置から離脱することを防止することができる。ま
た、この接合材溜まり部の大きさを調整することによ
り、接合材の全体量を制御することが可能となる。
【００５８】また、請求項２１記載の発明によれば、接
合材として導電性及び接着性を共に有する導電性接着部
材を用いたことにより、単に半導体装置を導電性接着部
材を介して積層するのみで、積層された各半導体装置間
の電気的導通を図ることができる。よって、半導体装置
ユニットの製造工程の容易化及び効率化を図ることがで
きる。
合材として導電性及び接着性を共に有する導電性接着部
材を用いたことにより、単に半導体装置を導電性接着部
材を介して積層するのみで、積層された各半導体装置間
の電気的導通を図ることができる。よって、半導体装置
ユニットの製造工程の容易化及び効率化を図ることがで
きる。
【００５９】また、請求項２２記載の発明によれば、積
層される半導体装置を仮止めする接着部材として、硬化
温度が接合材の融点よりも高い高温硬化接着剤を用いた
ことにより、各半導体装置を接合するために加熱処理を
行い接合材を溶融しても、高温硬化接着剤は変化するこ
となく各半導体装置を積層状態に維持する。よって、加
熱時に積層された各半導体装置にずれが発生することを
防止でき、信頼性の高い半導体装置ユニットを製造する
ことができる。
層される半導体装置を仮止めする接着部材として、硬化
温度が接合材の融点よりも高い高温硬化接着剤を用いた
ことにより、各半導体装置を接合するために加熱処理を
行い接合材を溶融しても、高温硬化接着剤は変化するこ
となく各半導体装置を積層状態に維持する。よって、加
熱時に積層された各半導体装置にずれが発生することを
防止でき、信頼性の高い半導体装置ユニットを製造する
ことができる。
【００６０】更に、請求項２３記載の発明によれば、積
層工程において半導体装置を複数積層する際、リードフ
レームに接続された状態の半導体装置をリードフレーム
を位置基準として積層することにより、リードフレーム
に複数接続されている半導体装置を一括的に位置決めし
て積層することが可能となる。このため、製造される半
導体装置ユニット単位で位置決めする必要がなくなるた
め、積層工程の効率化を図ることができる。尚、リード
フレームは積層工程が終了した後、除去工程で除去され
るため、半導体装置ユニットにリードフレームが残存す
るようなことはない。
層工程において半導体装置を複数積層する際、リードフ
レームに接続された状態の半導体装置をリードフレーム
を位置基準として積層することにより、リードフレーム
に複数接続されている半導体装置を一括的に位置決めし
て積層することが可能となる。このため、製造される半
導体装置ユニット単位で位置決めする必要がなくなるた
め、積層工程の効率化を図ることができる。尚、リード
フレームは積層工程が終了した後、除去工程で除去され
るため、半導体装置ユニットにリードフレームが残存す
るようなことはない。
【００６１】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面と共に説明する。図１乃至図３は本発明の第１実施
例である半導体装置２０Ａを示している。図１は半導体
装置２０Ａの斜視図であり、図２は半導体装置２０Ａの
断面図であり、更に図３は半導体装置２０Ａの要部拡大
図である。また、図７は本発明の第１実施例である半導
体装置ユニット５０Ａを示しており、この半導体装置ユ
ニット５０Ａは第１実施例に係る半導体装置２０Ａを複
数個（図７に示す例では３個）上下方向に積層（スタッ
ク）した構成とされている。
図面と共に説明する。図１乃至図３は本発明の第１実施
例である半導体装置２０Ａを示している。図１は半導体
装置２０Ａの斜視図であり、図２は半導体装置２０Ａの
断面図であり、更に図３は半導体装置２０Ａの要部拡大
図である。また、図７は本発明の第１実施例である半導
体装置ユニット５０Ａを示しており、この半導体装置ユ
ニット５０Ａは第１実施例に係る半導体装置２０Ａを複
数個（図７に示す例では３個）上下方向に積層（スタッ
ク）した構成とされている。
【００６２】先ず、半導体装置２０Ａの構成について説
明する。半導体素子（半導体チップ）２１は例えばメモ
リチップ用のチップであり、その形状は比較的大きな形
状を有している。また、この半導体チップ２１に設けら
れている電極パッド２３は、チップ上面の中央位置に長
手方向に沿って形成されている。また、同図において２
４は複数のリードであり、インナーリード部２４ａとア
ウターリード部２４ｂとにより構成されている。内側に
形成されたインナーリード部２４ａは、半導体チップ２
１に形成された電極パッド２３とワイヤ２５により接続
されている。またアウターリード部２４ｂは、上記のイ
ンナーリード部２４ａと一体的に連続した構成とされて
おり、後述するように第１乃至第３の端子部２４ｂ-1〜
２４ｂ-3が形成されている。
明する。半導体素子（半導体チップ）２１は例えばメモ
リチップ用のチップであり、その形状は比較的大きな形
状を有している。また、この半導体チップ２１に設けら
れている電極パッド２３は、チップ上面の中央位置に長
手方向に沿って形成されている。また、同図において２
４は複数のリードであり、インナーリード部２４ａとア
ウターリード部２４ｂとにより構成されている。内側に
形成されたインナーリード部２４ａは、半導体チップ２
１に形成された電極パッド２３とワイヤ２５により接続
されている。またアウターリード部２４ｂは、上記のイ
ンナーリード部２４ａと一体的に連続した構成とされて
おり、後述するように第１乃至第３の端子部２４ｂ-1〜
２４ｂ-3が形成されている。
【００６３】更に、同図において２７Ａは樹脂パッケー
ジであり、前記した半導体チップ２１，ワイヤ２５，リ
ード２４のインナーリード部２４ａは、この樹脂パッケ
ージ２７Ａ内に封止され保護される。この樹脂パッケー
ジ２７Ａは、平面的に見て半導体チップ２１の面積と略
等しい面積を有するよう構成されており、よって小型化
が図られている。このように、半導体装置２０Ａの小型
化が図れることにより、実装基板に対する実装効率を向
上させることができ、延いては半導体装置２０Ａを搭載
する機器類の小型化、高性能化を図ることが可能とな
る。
ジであり、前記した半導体チップ２１，ワイヤ２５，リ
ード２４のインナーリード部２４ａは、この樹脂パッケ
ージ２７Ａ内に封止され保護される。この樹脂パッケー
ジ２７Ａは、平面的に見て半導体チップ２１の面積と略
等しい面積を有するよう構成されており、よって小型化
が図られている。このように、半導体装置２０Ａの小型
化が図れることにより、実装基板に対する実装効率を向
上させることができ、延いては半導体装置２０Ａを搭載
する機器類の小型化、高性能化を図ることが可能とな
る。
【００６４】また、樹脂パッケージ２７Ａの上面２７ｂ
には複数の上面溝部２８Ａが形成されているが、説明の
便宜上、この上面溝部２８Ａについては、後に詳述す
る。一方、上記したリード２４の内、アウターリード部
２４ｂは樹脂パッケージ２７の外部に延出するよう構成
されている。また、樹脂パッケージ２７Ａより延出した
アウターリード部２４ｂは、後述するように２回折曲さ
れることにより第１の端子部２４ｂ-1，第２の端子部２
４ｂ-2，及び第３の端子部２４ｂ-3を形成している。
には複数の上面溝部２８Ａが形成されているが、説明の
便宜上、この上面溝部２８Ａについては、後に詳述す
る。一方、上記したリード２４の内、アウターリード部
２４ｂは樹脂パッケージ２７の外部に延出するよう構成
されている。また、樹脂パッケージ２７Ａより延出した
アウターリード部２４ｂは、後述するように２回折曲さ
れることにより第１の端子部２４ｂ-1，第２の端子部２
４ｂ-2，及び第３の端子部２４ｂ-3を形成している。
【００６５】第１の端子部２４ｂ-1は樹脂パッケージ２
７Ａの底面２７ａに露出するよう形成されており、また
第２の端子部２４ｂ-2は樹脂パッケージ２７Ａの上面２
７ｂに対向するよう形成されており、更に第３の端子部
２４ｂ-3は樹脂パッケージ２７Ａの側面２７ｃに対向す
るよう鉛直上方へ延出するよう形成されている。即ち、
アウターリード部２４ｂは樹脂パッケージ２７の外形に
沿って樹脂パッケージ２７Ａの底面２７ａより上面２７
ｂまで引き出された構成とされている。
７Ａの底面２７ａに露出するよう形成されており、また
第２の端子部２４ｂ-2は樹脂パッケージ２７Ａの上面２
７ｂに対向するよう形成されており、更に第３の端子部
２４ｂ-3は樹脂パッケージ２７Ａの側面２７ｃに対向す
るよう鉛直上方へ延出するよう形成されている。即ち、
アウターリード部２４ｂは樹脂パッケージ２７の外形に
沿って樹脂パッケージ２７Ａの底面２７ａより上面２７
ｂまで引き出された構成とされている。
【００６６】尚、上記の第１乃至第３の端子部２４ｂ-1
〜２４ｂ-3の内、第１の端子部２４ｂ-1はその一部分が
樹脂パッケージ２７Ａの底面２７ａに埋設された構成と
なっており、これによりリード２４は樹脂パッケージ２
７Ａに固定された構成とされている。上記構成とされた
半導体装置２０Ａは、アウターリード部２４ｂを樹脂パ
ッケージ２７Ａの外形に沿って折曲し、樹脂パッケージ
２７Ａの側面２７ｃまたは上面２７ｂに引き出した構成
としたことにより、樹脂パッケージ２７Ａの上面２７ｂ
及び底面２７ｂの各面で電気的接続を取ることが可能と
なる。
〜２４ｂ-3の内、第１の端子部２４ｂ-1はその一部分が
樹脂パッケージ２７Ａの底面２７ａに埋設された構成と
なっており、これによりリード２４は樹脂パッケージ２
７Ａに固定された構成とされている。上記構成とされた
半導体装置２０Ａは、アウターリード部２４ｂを樹脂パ
ッケージ２７Ａの外形に沿って折曲し、樹脂パッケージ
２７Ａの側面２７ｃまたは上面２７ｂに引き出した構成
としたことにより、樹脂パッケージ２７Ａの上面２７ｂ
及び底面２７ｂの各面で電気的接続を取ることが可能と
なる。
【００６７】これにより、半導体装置２０Ａを上下方向
に複数個積層することが可能となり、図７に示す半導体
装置ユニット５０Ａを実現することができる。この半導
体装置ユニット５０Ａは、１個の半導体装置２０Ａの配
設スペースに複数個の半導体装置２０Ａを実装すること
ができるため、よって半導体装置２０Ａの実装効率を向
上させることができる。
に複数個積層することが可能となり、図７に示す半導体
装置ユニット５０Ａを実現することができる。この半導
体装置ユニット５０Ａは、１個の半導体装置２０Ａの配
設スペースに複数個の半導体装置２０Ａを実装すること
ができるため、よって半導体装置２０Ａの実装効率を向
上させることができる。
【００６８】また、本実施例に係る半導体装置ユニット
５０Ａは、隣接する上下の半導体装置２０Ａの間に、放
熱機能を有した接着材３１が配設されている。この構成
とすることにより、各半導体装置２０Ａで発生する熱は
接着材３１を介して半導体装置ユニット５０Ａが実装さ
れる実装基板に逃げるため、複数個の半導体装置２０Ａ
が積層された構造であっても放熱効率を向上させること
ができる。
５０Ａは、隣接する上下の半導体装置２０Ａの間に、放
熱機能を有した接着材３１が配設されている。この構成
とすることにより、各半導体装置２０Ａで発生する熱は
接着材３１を介して半導体装置ユニット５０Ａが実装さ
れる実装基板に逃げるため、複数個の半導体装置２０Ａ
が積層された構造であっても放熱効率を向上させること
ができる。
【００６９】また、各半導体装置２０Ａは、半田３２に
よる接合力に加えて接着材３１による接着力を介しても
接合された構成となるため、半導体装置ユニット５０Ａ
の機械的強度を向上させることができる。よって、外力
印加があったとしても各半導体装置２０Ａは接合状態を
維持することができ、半導体装置ユニット５０Ａの信頼
性を向上させることができる。
よる接合力に加えて接着材３１による接着力を介しても
接合された構成となるため、半導体装置ユニット５０Ａ
の機械的強度を向上させることができる。よって、外力
印加があったとしても各半導体装置２０Ａは接合状態を
維持することができ、半導体装置ユニット５０Ａの信頼
性を向上させることができる。
【００７０】一方、本実施例に係る半導体装置２０Ａ
は、樹脂パッケージ２７Ａの側面２７ｃにも第３の端子
部２４ｂ-3が配設された構成とされている。このため、
半導体装置２０Ａを横方向にもスタックすることが可能
となり、スタックする方向は上下方向ばかりではなく、
横方向に対しても可能となる。よって、半導体装置２０
Ａを三次元的に実装することが可能となり、実装密度は
更に向上し、これにより半導体装置２０を搭載する機器
類の更なる小型化及び高性能化を図ることができる。
尚、図１乃至図３では、ステージが設けられていない構
成の半導体装置２０Ａを示したが、図７に示す半導体装
置ユニット５０Ａで用いている半導体装置２０Ａはステ
ージ４９Ａに半導体チップ２１を搭載した構成とされて
いる。
は、樹脂パッケージ２７Ａの側面２７ｃにも第３の端子
部２４ｂ-3が配設された構成とされている。このため、
半導体装置２０Ａを横方向にもスタックすることが可能
となり、スタックする方向は上下方向ばかりではなく、
横方向に対しても可能となる。よって、半導体装置２０
Ａを三次元的に実装することが可能となり、実装密度は
更に向上し、これにより半導体装置２０を搭載する機器
類の更なる小型化及び高性能化を図ることができる。
尚、図１乃至図３では、ステージが設けられていない構
成の半導体装置２０Ａを示したが、図７に示す半導体装
置ユニット５０Ａで用いている半導体装置２０Ａはステ
ージ４９Ａに半導体チップ２１を搭載した構成とされて
いる。
【００７１】ここで、樹脂パッケージ２７Ａの上面２４
ｂに形成された上面溝部２８Ａに注目し、以下詳述す
る。上面溝部２８Ａは、樹脂パッケージ２７Ａの上面２
４ｂにおける第２の端子部２４ｂ-2の所定配設位置に対
応して形成されている。この上面溝部２８Ａは、アウタ
ーリード部２４ｂの一部を構成する第２の端子部２４ｂ
-2が係合するよう構成されている。このように、第２の
端子部２４ｂ-2が上面溝部２８Ａに係合することによ
り、第２の端子部２４ｂ-2は樹脂パッケージ２７Ａの上
面２４ｂにおいて所定位置に位置決めされた状態とな
る。
ｂに形成された上面溝部２８Ａに注目し、以下詳述す
る。上面溝部２８Ａは、樹脂パッケージ２７Ａの上面２
４ｂにおける第２の端子部２４ｂ-2の所定配設位置に対
応して形成されている。この上面溝部２８Ａは、アウタ
ーリード部２４ｂの一部を構成する第２の端子部２４ｂ
-2が係合するよう構成されている。このように、第２の
端子部２４ｂ-2が上面溝部２８Ａに係合することによ
り、第２の端子部２４ｂ-2は樹脂パッケージ２７Ａの上
面２４ｂにおいて所定位置に位置決めされた状態とな
る。
【００７２】また、本実施例においては、第２の端子部
２４ｂ-2は上面溝部２８Ａに遊嵌状態で係合しており、
よって上面溝部２８Ａ内において第２の端子部２４ｂ-2
は若干量にわたり変位可能な構成とされている。但し、
第２の端子部２４ｂ-2の変位可能な範囲は、隣接する第
２の端子部２４ｂ-2間で短絡が発生しない程度の範囲と
されている。
２４ｂ-2は上面溝部２８Ａに遊嵌状態で係合しており、
よって上面溝部２８Ａ内において第２の端子部２４ｂ-2
は若干量にわたり変位可能な構成とされている。但し、
第２の端子部２４ｂ-2の変位可能な範囲は、隣接する第
２の端子部２４ｂ-2間で短絡が発生しない程度の範囲と
されている。
【００７３】上記のように、上面溝部２８Ａはアウター
リード部２４ｂの一部である第２の端子部２４ｂ-2と係
合し、その位置決めを行なう位置決め機構として機能す
る。よって、半導体装置２０Ａの組み立て時或いは実装
時等においてアウターリード部２４ｂに外力が印加され
ても、第２の端子部２４ｂ-2が上面溝部２８Ａに係合し
ているため、アウターリード部２４ｂに変形が発生した
り、また隣接するアウターリード部２５ｂ間で短絡が発
生することを防止することができる。
リード部２４ｂの一部である第２の端子部２４ｂ-2と係
合し、その位置決めを行なう位置決め機構として機能す
る。よって、半導体装置２０Ａの組み立て時或いは実装
時等においてアウターリード部２４ｂに外力が印加され
ても、第２の端子部２４ｂ-2が上面溝部２８Ａに係合し
ているため、アウターリード部２４ｂに変形が発生した
り、また隣接するアウターリード部２５ｂ間で短絡が発
生することを防止することができる。
【００７４】また、上面溝部２８Ａは、アウターリード
部２４ｂの全体と係合して位置決めするのではなく、そ
の一部である第２の端子部２４ｂ-2のみと係合して位置
決めを行なう構成とされている。かつ、アウターリード
部２４ｂは上面溝部２８Ａに係合することにより位置決
めされた状態において、塑性的な変形或いは隣接するア
ウターリード部２４ｂ間で短絡が発生しない範囲におい
て、変位或いは可撓変形可能な構成とされている。
部２４ｂの全体と係合して位置決めするのではなく、そ
の一部である第２の端子部２４ｂ-2のみと係合して位置
決めを行なう構成とされている。かつ、アウターリード
部２４ｂは上面溝部２８Ａに係合することにより位置決
めされた状態において、塑性的な変形或いは隣接するア
ウターリード部２４ｂ間で短絡が発生しない範囲におい
て、変位或いは可撓変形可能な構成とされている。
【００７５】従って、リード２４と樹脂パッケージ２７
Ａとの間に熱膨張率差がある場合においても、加熱時に
発生する応力はアウターリード部２４ｂが変位或いは変
形することにより逃がすことができる。これについて更
に詳述すれば、本実施例では上面溝部２８Ａが樹脂パッ
ケージ２７Ａの上面２７ｂにのみ形成されているため、
アウターリード部２４ｂは樹脂パッケージ２７Ａの上面
２７ｂのみにおいて位置決めされ、樹脂パッケージ２７
Ａの側面２７ｃにおいては自由な状態となっている。こ
のため、発生する応力は主にアウターリード部２４ｂの
樹脂パッケージ２７の側面２７ｃと対向する第３の端子
部２４ｂ-3において吸収される（上面２７ｂに位置する
第２の端子部２４ｂ-2が上面溝部２８Ａ内で変位するこ
とによっても、若干の応力吸収が行なわれる）。
Ａとの間に熱膨張率差がある場合においても、加熱時に
発生する応力はアウターリード部２４ｂが変位或いは変
形することにより逃がすことができる。これについて更
に詳述すれば、本実施例では上面溝部２８Ａが樹脂パッ
ケージ２７Ａの上面２７ｂにのみ形成されているため、
アウターリード部２４ｂは樹脂パッケージ２７Ａの上面
２７ｂのみにおいて位置決めされ、樹脂パッケージ２７
Ａの側面２７ｃにおいては自由な状態となっている。こ
のため、発生する応力は主にアウターリード部２４ｂの
樹脂パッケージ２７の側面２７ｃと対向する第３の端子
部２４ｂ-3において吸収される（上面２７ｂに位置する
第２の端子部２４ｂ-2が上面溝部２８Ａ内で変位するこ
とによっても、若干の応力吸収が行なわれる）。
【００７６】即ち、応力発生時においては、主に半導体
装置２０Ａの側面に位置する第３の端子部２４ｂ-3が変
位或いは変形し、上下に位置する第１及び第２の端子部
２４ｂ-1，２４ｂ-2は殆ど変位或いは変形しない。これ
により、樹脂パッケージ２７Ａにクラックが発生した
り、また半導体装置ユニット５０Ａを形成した状態にお
いて各半導体装置２０Ａを接合する半田３２に剥離が発
生することを確実に防止することがでる。上記説明から
明らかなように、本実施例の構成では、特に半導体装置
２０Ａを上下方向に積層（スタック）した場合に効果が
大である。
装置２０Ａの側面に位置する第３の端子部２４ｂ-3が変
位或いは変形し、上下に位置する第１及び第２の端子部
２４ｂ-1，２４ｂ-2は殆ど変位或いは変形しない。これ
により、樹脂パッケージ２７Ａにクラックが発生した
り、また半導体装置ユニット５０Ａを形成した状態にお
いて各半導体装置２０Ａを接合する半田３２に剥離が発
生することを確実に防止することがでる。上記説明から
明らかなように、本実施例の構成では、特に半導体装置
２０Ａを上下方向に積層（スタック）した場合に効果が
大である。
【００７７】また、本実施例では、アウターリード部２
４ｂの位置決めを樹脂パッケージ２７Ａに形成された上
面溝部２８Ａにより行なう構成としたことにより、上面
溝部２８Ａの形成を樹脂パッケージ２７Ａの形成工程に
おいて一括的に行なうことが可能となる。よって、上面
溝部２８Ａを形成するために新たに工程を設ける必要は
なく、上面溝部２８Ａを容易に形成することができる。
４ｂの位置決めを樹脂パッケージ２７Ａに形成された上
面溝部２８Ａにより行なう構成としたことにより、上面
溝部２８Ａの形成を樹脂パッケージ２７Ａの形成工程に
おいて一括的に行なうことが可能となる。よって、上面
溝部２８Ａを形成するために新たに工程を設ける必要は
なく、上面溝部２８Ａを容易に形成することができる。
【００７８】次に、アウターリード部２４ｂの厚さ及び
形状と、上面溝部２８Ａの深さ及び形状との関係につい
て説明する。本実施例では、第２の端子部２４ｂ-2が上
面溝部２８Ａに係合された際、図３に示されるように、
第２の端子部２４ｂ-2（アウターリード部２４ｂ）が樹
脂パッケージ２７Ａの表面２７ｂから突出するよう構成
されている。また、第１の端子部２４ｂ-1（アウターリ
ード部２４ｂ）も樹脂パッケージ２７Ａの底面２７ａか
ら突出するよう構成されている。
形状と、上面溝部２８Ａの深さ及び形状との関係につい
て説明する。本実施例では、第２の端子部２４ｂ-2が上
面溝部２８Ａに係合された際、図３に示されるように、
第２の端子部２４ｂ-2（アウターリード部２４ｂ）が樹
脂パッケージ２７Ａの表面２７ｂから突出するよう構成
されている。また、第１の端子部２４ｂ-1（アウターリ
ード部２４ｂ）も樹脂パッケージ２７Ａの底面２７ａか
ら突出するよう構成されている。
【００７９】即ち、図中矢印ｈ１で示す第１の端子部２
４ｂ-1の底面２７ａからの突出量、及び図中矢印ｈ２で
示す第２の端子部２４ｂ-2の上面２７ｂからの突出量
は、共に正の値となっている（ｈ１＞０，ｈ２＞０）。
この構成とすることにより、第１の端子部２４ｂ-1及び
第２の端子部２４ｂ-2は樹脂パッケージ２７Ａから突出
した構成となるため、半導体装置２０Ａを上下方向に積
層（スタック）し半導体装置ユニット５０Ａを形成した
際、上下に位置する半導体装置２０Ａの各アウターリー
ド部２４ｂ間の電気的接続（具体的には、第１の端子部
２４ｂ-1と第２の端子部２４ｂ-2との電気的接続）を確
実に行なうことができる。
４ｂ-1の底面２７ａからの突出量、及び図中矢印ｈ２で
示す第２の端子部２４ｂ-2の上面２７ｂからの突出量
は、共に正の値となっている（ｈ１＞０，ｈ２＞０）。
この構成とすることにより、第１の端子部２４ｂ-1及び
第２の端子部２４ｂ-2は樹脂パッケージ２７Ａから突出
した構成となるため、半導体装置２０Ａを上下方向に積
層（スタック）し半導体装置ユニット５０Ａを形成した
際、上下に位置する半導体装置２０Ａの各アウターリー
ド部２４ｂ間の電気的接続（具体的には、第１の端子部
２４ｂ-1と第２の端子部２４ｂ-2との電気的接続）を確
実に行なうことができる。
【００８０】また、第２の端子部２４ｂ-2の形状は、樹
脂パッケージ２７Ａの上面２７ｂにおいて略水平方向に
延在する形状とされている。よって、半導体装置２０Ａ
を上下方向に積層した際、各リード２４間における接触
面積を大きくすることができ、信頼性の高い接合を行な
うことが可能となる。また、半導体装置２０Ａを積層し
た際の安定性がよいため、正式な接合を行なう前に通常
実施される仮止め（これについては、後に詳述する）の
安定性を向上することができる。
脂パッケージ２７Ａの上面２７ｂにおいて略水平方向に
延在する形状とされている。よって、半導体装置２０Ａ
を上下方向に積層した際、各リード２４間における接触
面積を大きくすることができ、信頼性の高い接合を行な
うことが可能となる。また、半導体装置２０Ａを積層し
た際の安定性がよいため、正式な接合を行なう前に通常
実施される仮止め（これについては、後に詳述する）の
安定性を向上することができる。
【００８１】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。図４は本発明の第２実施例に係る半導体装置２０Ｂ
を示しており、また図８は本発明の第２実施例に係る半
導体装置ユニット５０Ｂを示している。尚、図４及び図
８において、図１乃至図３及び図７を用いて説明した第
１実施例に係る半導体装置２０Ａ及び半導体装置ユニッ
ト５０Ｂと同一構成については同一符号を付してその説
明を省略する。
る。図４は本発明の第２実施例に係る半導体装置２０Ｂ
を示しており、また図８は本発明の第２実施例に係る半
導体装置ユニット５０Ｂを示している。尚、図４及び図
８において、図１乃至図３及び図７を用いて説明した第
１実施例に係る半導体装置２０Ａ及び半導体装置ユニッ
ト５０Ｂと同一構成については同一符号を付してその説
明を省略する。
【００８２】前記した第１実施例に係る半導体装置２０
Ａは、第２の端子部２４ｂ-2を樹脂パッケージ２７Ａの
上面２７ｂにおいて略水平方向に延在する形状としてい
た。これに対し、本実施例に係る半導体装置２０Ｂは、
アウターリード部２４ｂの樹脂パッケージ２７Ａの上面
２７ｂに位置する第２の端子部２４ｂ-2が、上面２７ｂ
に対し斜め方向に延在するよう構成したことを特徴とす
るものである。
Ａは、第２の端子部２４ｂ-2を樹脂パッケージ２７Ａの
上面２７ｂにおいて略水平方向に延在する形状としてい
た。これに対し、本実施例に係る半導体装置２０Ｂは、
アウターリード部２４ｂの樹脂パッケージ２７Ａの上面
２７ｂに位置する第２の端子部２４ｂ-2が、上面２７ｂ
に対し斜め方向に延在するよう構成したことを特徴とす
るものである。
【００８３】このように、第２の端子部２４ｂ-2が上面
２７ｂに対し斜め方向に延在するよう構成することによ
り、図４に示されるように、アウターリード部２４ｂの
折曲位置、即ち第２の端子部２４ｂ-2と第３の端子部２
４ｂ-3との境界部に形成される角部２６は、樹脂パッケ
ージ２７Ａの上面２７ｂより上方に突出した状態とな
る。
２７ｂに対し斜め方向に延在するよう構成することによ
り、図４に示されるように、アウターリード部２４ｂの
折曲位置、即ち第２の端子部２４ｂ-2と第３の端子部２
４ｂ-3との境界部に形成される角部２６は、樹脂パッケ
ージ２７Ａの上面２７ｂより上方に突出した状態とな
る。
【００８４】よって、この構成とされた半導体装置２０
Ｂを上下方向に積層し、図８に示す半導体装置ユニット
５０Ｂを形成すると、下に位置する半導体装置２０Ｂに
形成されている角部２６は、上に位置する半導体装置２
０Ｂの底部に存在する第１の端子部２４ｂ-1（アウター
リード部２４ｂ）と当接した状態となる。即ち、下に位
置する半導体装置２０Ｂのアウターリード部の角部２６
は、上に位置する半導体装置２０ｂの第１の端子部２４
ｂ-1と直接接触した状態となる。
Ｂを上下方向に積層し、図８に示す半導体装置ユニット
５０Ｂを形成すると、下に位置する半導体装置２０Ｂに
形成されている角部２６は、上に位置する半導体装置２
０Ｂの底部に存在する第１の端子部２４ｂ-1（アウター
リード部２４ｂ）と当接した状態となる。即ち、下に位
置する半導体装置２０Ｂのアウターリード部の角部２６
は、上に位置する半導体装置２０ｂの第１の端子部２４
ｂ-1と直接接触した状態となる。
【００８５】この構成とすることにより、下に位置する
半導体装置２０Ｂの角部２６と、上に位置する半導体装
置２０ｂの第１の端子部２４ｂ-1との間には、半田３２
が介在しない構成となり、よって半導体装置２０Ｂを積
層し半導体装置ユニット５０Ｂを形成した際、その全体
高さ（図８に矢印Ｈ１で示す）にバラツキが発生するこ
とを抑制することができる。
半導体装置２０Ｂの角部２６と、上に位置する半導体装
置２０ｂの第１の端子部２４ｂ-1との間には、半田３２
が介在しない構成となり、よって半導体装置２０Ｂを積
層し半導体装置ユニット５０Ｂを形成した際、その全体
高さ（図８に矢印Ｈ１で示す）にバラツキが発生するこ
とを抑制することができる。
【００８６】これに対し、第１実施例に係る半導体装置
ユニット５０Ａは、下に位置する半導体装置２０Ｂの第
２の端子部２４ｂ-2と、上に位置する半導体装置２０ｂ
の第１の端子部２４ｂ-1との間に半田３２が介在し、こ
の半田３２の厚さには必然的にバラツキが存在するた
め、半導体装置ユニット５０Ａの全体高さ（図７に矢印
Ｈ２で示す）にもバラツキが発生するおそれがある。よ
って、本実施例の構成とすることにより、半導体装置ユ
ニット５０Ｂの全体高さＨ１を均一化することができ
る。
ユニット５０Ａは、下に位置する半導体装置２０Ｂの第
２の端子部２４ｂ-2と、上に位置する半導体装置２０ｂ
の第１の端子部２４ｂ-1との間に半田３２が介在し、こ
の半田３２の厚さには必然的にバラツキが存在するた
め、半導体装置ユニット５０Ａの全体高さ（図７に矢印
Ｈ２で示す）にもバラツキが発生するおそれがある。よ
って、本実施例の構成とすることにより、半導体装置ユ
ニット５０Ｂの全体高さＨ１を均一化することができ
る。
【００８７】また、本実施例の構成とすることにより、
下に位置する半導体装置２０Ｂの第２の端子部２４ｂ-2
と、上に位置する半導体装置２０ｂの第１の端子部２４
ｂ-1との間には、角部２６と第１の端子部２４ｂ-1とが
接触する位置を中心として、その左右位置に略三角形状
の空間部が形成される。よって、複数の半導体装置２０
Ｂを半田３２により接合する際、この空間部分に半田フ
ィレットが形成される。このように、半田形成位置に略
三角形状の比較的広い空間部が形成されることにより、
半田接合される第１及び第２の端子部２４ｂ-1，２４ｂ
-2間に十分な半田３２を装填することができ、よって半
田接合性を向上させることができる。
下に位置する半導体装置２０Ｂの第２の端子部２４ｂ-2
と、上に位置する半導体装置２０ｂの第１の端子部２４
ｂ-1との間には、角部２６と第１の端子部２４ｂ-1とが
接触する位置を中心として、その左右位置に略三角形状
の空間部が形成される。よって、複数の半導体装置２０
Ｂを半田３２により接合する際、この空間部分に半田フ
ィレットが形成される。このように、半田形成位置に略
三角形状の比較的広い空間部が形成されることにより、
半田接合される第１及び第２の端子部２４ｂ-1，２４ｂ
-2間に十分な半田３２を装填することができ、よって半
田接合性を向上させることができる。
【００８８】次に、本発明の第３実施例について説明す
る。図５は本発明の第３実施例に係る半導体装置２０Ｃ
を示している。尚、図５において、図４を用いて説明し
た第２実施例に係る半導体装置２０Ｂと同一構成につい
ては同一符号を付してその説明を省略する。本実施例に
係る半導体装置２０Ｃは、第２実施例に係る半導体装置
２０Ｂと同様に、アウターリード部２４ｂの第２の端子
部２４ｂ-2が樹脂パッケージ２７Ａの上面２７ｂに対し
て斜め方向に延在するよう構成されている。更に、本実
施例ではこの構成に加え、第２の端子部２４ｂ-2が係合
する上面溝部２０Ｂも樹脂パッケージ２７Ａの上面２７
ｂに対し斜め方向に延在するよう構成したことを特徴と
するものである。
る。図５は本発明の第３実施例に係る半導体装置２０Ｃ
を示している。尚、図５において、図４を用いて説明し
た第２実施例に係る半導体装置２０Ｂと同一構成につい
ては同一符号を付してその説明を省略する。本実施例に
係る半導体装置２０Ｃは、第２実施例に係る半導体装置
２０Ｂと同様に、アウターリード部２４ｂの第２の端子
部２４ｂ-2が樹脂パッケージ２７Ａの上面２７ｂに対し
て斜め方向に延在するよう構成されている。更に、本実
施例ではこの構成に加え、第２の端子部２４ｂ-2が係合
する上面溝部２０Ｂも樹脂パッケージ２７Ａの上面２７
ｂに対し斜め方向に延在するよう構成したことを特徴と
するものである。
【００８９】よって、本実施例に係る半導体装置２０Ｃ
においても、角部２６が樹脂パッケージ２７Ａの上面２
７ｂより上方に突出した状態となるため、半導体装置２
０Ｃを積層し半導体装置ユニット（図示せず）を形成し
た際、その全体高さにバラツキが発生することを抑制す
ることができる。また、半田接合される第１及び第２の
端子部２４ｂ-1，２４ｂ-2間に十分な半田３２を装填す
ることができ、半田接合性の向上を図ることができる。
においても、角部２６が樹脂パッケージ２７Ａの上面２
７ｂより上方に突出した状態となるため、半導体装置２
０Ｃを積層し半導体装置ユニット（図示せず）を形成し
た際、その全体高さにバラツキが発生することを抑制す
ることができる。また、半田接合される第１及び第２の
端子部２４ｂ-1，２４ｂ-2間に十分な半田３２を装填す
ることができ、半田接合性の向上を図ることができる。
【００９０】また、本実施例に係る半導体装置２０Ｃ
は、上面溝部２０Ｂが樹脂パッケージ２７Ａの上面２７
ｂに対し斜め方向に延在するよう構成されており、かつ
その傾斜角度は第２の端子部２４ｂ-2の傾斜角度に対応
するよう構成されている。従って、単にアウターリード
部２４ｂを上面溝部２０Ｂに沿うよう折曲することによ
り、第２の端子部２４ｂ-2を斜め方向に延在するよう成
形することができる。
は、上面溝部２０Ｂが樹脂パッケージ２７Ａの上面２７
ｂに対し斜め方向に延在するよう構成されており、かつ
その傾斜角度は第２の端子部２４ｂ-2の傾斜角度に対応
するよう構成されている。従って、単にアウターリード
部２４ｂを上面溝部２０Ｂに沿うよう折曲することによ
り、第２の端子部２４ｂ-2を斜め方向に延在するよう成
形することができる。
【００９１】これにより、第２の端子部２４ｂ-2を成形
する際、別個に治具や金型が必要になるようなことはな
く、所定傾斜角度を有した第２の端子部２４ｂ-2を容易
かつ安価に成形することができる。次に、本発明の第４
実施例について説明する。図６は本発明の第４実施例に
係る半導体装置２０Ｄを示している。尚、図６におい
て、図５を用いて説明した第３実施例に係る半導体装置
２０Ｃと同一構成については同一符号を付してその説明
を省略する。
する際、別個に治具や金型が必要になるようなことはな
く、所定傾斜角度を有した第２の端子部２４ｂ-2を容易
かつ安価に成形することができる。次に、本発明の第４
実施例について説明する。図６は本発明の第４実施例に
係る半導体装置２０Ｄを示している。尚、図６におい
て、図５を用いて説明した第３実施例に係る半導体装置
２０Ｃと同一構成については同一符号を付してその説明
を省略する。
【００９２】本実施例に係る半導体装置２０Ｄは、第３
実施例に係る半導体装置２０Ｃと同様に、第２の端子部
２４ｂ-2及び上面溝部２８Ｂが樹脂パッケージ２７Ｂの
上面２７ｂに対し斜め方向に延在するよう構成されてい
る。更に、本実施例に係る半導体装置２０Ｄは、上記の
構成に加えてアウターリード部２４ｂと上面溝部２８Ｂ
との対向する部分の一部に、アウターリード部２４ｂを
上面溝部２８Ｂに固定する接着剤３０を設けたことを特
徴とするものである。本実施例では、接着剤３０は、第
２の端子部２４ｂ-2の先端部に配設されている。
実施例に係る半導体装置２０Ｃと同様に、第２の端子部
２４ｂ-2及び上面溝部２８Ｂが樹脂パッケージ２７Ｂの
上面２７ｂに対し斜め方向に延在するよう構成されてい
る。更に、本実施例に係る半導体装置２０Ｄは、上記の
構成に加えてアウターリード部２４ｂと上面溝部２８Ｂ
との対向する部分の一部に、アウターリード部２４ｂを
上面溝部２８Ｂに固定する接着剤３０を設けたことを特
徴とするものである。本実施例では、接着剤３０は、第
２の端子部２４ｂ-2の先端部に配設されている。
【００９３】この構成とすることにより、第２の端子部
２４ｂ-2の先端部は確実に上面溝部２８Ｂに係合（固
定）するため、外力印加時等におけるアウターリード部
２４ｂの変形及び短絡を確実に防止することができる。
次に、半導体装置ユニットの製造方法について図９乃至
図１０を用いて説明する。尚、以下の説明においては、
前記した第２実施例に係る半導体装置２０Ｂを上下方向
に複数個積層（スタック）する方法を例に挙げて説明す
る。
２４ｂ-2の先端部は確実に上面溝部２８Ｂに係合（固
定）するため、外力印加時等におけるアウターリード部
２４ｂの変形及び短絡を確実に防止することができる。
次に、半導体装置ユニットの製造方法について図９乃至
図１０を用いて説明する。尚、以下の説明においては、
前記した第２実施例に係る半導体装置２０Ｂを上下方向
に複数個積層（スタック）する方法を例に挙げて説明す
る。
【００９４】図９は、半導体装置ユニットの製造方法の
基本処理を示すフローチャートである。同図に示すよう
に、半導体装置ユニットを製造するには、ステップ１０
Ａ（図では、ステップをＳと略称している）において半
田ディップ処理を行なうか、或いはステップ１０Ｂにお
いて半田ペースト印刷処理を行なうことにより、半導体
装置の外部接続端子として機能する部位に接合材となる
半田を配設する（接合材配設工程）。
基本処理を示すフローチャートである。同図に示すよう
に、半導体装置ユニットを製造するには、ステップ１０
Ａ（図では、ステップをＳと略称している）において半
田ディップ処理を行なうか、或いはステップ１０Ｂにお
いて半田ペースト印刷処理を行なうことにより、半導体
装置の外部接続端子として機能する部位に接合材となる
半田を配設する（接合材配設工程）。
【００９５】接合材配設工程が終了すると、続いてステ
ップ１２において、半導体装置の樹脂パッケージの底面
或いは上面に仮止め樹脂となる接着剤を塗布する（接着
部材配設工程）。この接着部材配設工程が終了すると、
続いてステップ１４において、接合材が配設された半導
体装置を複数個積層する（積層工程）。この積層工程が
終了すると、続いてステップ１６において、熱処理（例
えば、温風，赤外線リフロー等）が行なわれ、半田を溶
融することにより上下方向に隣接する各半導体装置同志
を電気的及び機械的に接合する（接合工程）。
ップ１２において、半導体装置の樹脂パッケージの底面
或いは上面に仮止め樹脂となる接着剤を塗布する（接着
部材配設工程）。この接着部材配設工程が終了すると、
続いてステップ１４において、接合材が配設された半導
体装置を複数個積層する（積層工程）。この積層工程が
終了すると、続いてステップ１６において、熱処理（例
えば、温風，赤外線リフロー等）が行なわれ、半田を溶
融することにより上下方向に隣接する各半導体装置同志
を電気的及び機械的に接合する（接合工程）。
【００９６】このように、個々の半導体装置の外部接続
端子として機能する部位に半田（接合材）を配設した後
に接合工程を実施することにより、半導体装置を積層し
た後に接合部材を配設する構成に比べて接合材の配設処
理及び接合処理を容易に行なうことができる。以下、図
１０及び図１１を用いて、半導体装置ユニットのより具
体的な製造方法について説明する。
端子として機能する部位に半田（接合材）を配設した後
に接合工程を実施することにより、半導体装置を積層し
た後に接合部材を配設する構成に比べて接合材の配設処
理及び接合処理を容易に行なうことができる。以下、図
１０及び図１１を用いて、半導体装置ユニットのより具
体的な製造方法について説明する。
【００９７】図１０は、接合材配設工程として半田ディ
ップ処理を用いた実施例を示している。本実施例では、
先ず図１０（Ａ）に示すように、半導体装置２０Ｂの外
部接続端子として機能する第２の端子部２４ｂ-2を半田
槽３３に浸漬することにより、第２の端子部２４ｂ-2に
接合材とする半田３２を配設する。この半田ディップ処
理は、多数箇所に一括的に半田３２を容易に配設するこ
とができるため、接合材配設工程の効率化を図ることが
できる。
ップ処理を用いた実施例を示している。本実施例では、
先ず図１０（Ａ）に示すように、半導体装置２０Ｂの外
部接続端子として機能する第２の端子部２４ｂ-2を半田
槽３３に浸漬することにより、第２の端子部２４ｂ-2に
接合材とする半田３２を配設する。この半田ディップ処
理は、多数箇所に一括的に半田３２を容易に配設するこ
とができるため、接合材配設工程の効率化を図ることが
できる。
【００９８】図１０（Ｂ）は、接着部材配設工程及び積
層工程を示している。先に実施される接着部材配設工程
では、接着剤３１を半導体装置２０Ｂに配設する処理を
行なう。この接着部材配設工程は、前記した接合材配設
工程の実施後で、かつ後述する積層工程の実施前に行な
われるものである。本実施例では、接着剤３１をポッテ
ィングにより半導体装置２０Ｂの底面２７ａに配設する
方法を採用している。この接着部材配設工程で用いる接
着剤３１は接着性と共に放熱性を有している。
層工程を示している。先に実施される接着部材配設工程
では、接着剤３１を半導体装置２０Ｂに配設する処理を
行なう。この接着部材配設工程は、前記した接合材配設
工程の実施後で、かつ後述する積層工程の実施前に行な
われるものである。本実施例では、接着剤３１をポッテ
ィングにより半導体装置２０Ｂの底面２７ａに配設する
方法を採用している。この接着部材配設工程で用いる接
着剤３１は接着性と共に放熱性を有している。
【００９９】半導体装置２０Ｂに接着剤３１が配設され
ると、続いて複数の半導体装置２０Ｂは積層される。こ
の際、各半導体装置２０Ｂには接着剤３１が配設されて
いるため、この接着剤３１により各半導体装置２０Ｂは
積層された状態で仮止めされた状態となる。よって、以
後実施される処理においては、複数の各半導体装置２０
Ｂは仮止めされた状態であるため、その取り扱いを容易
とすることができる。
ると、続いて複数の半導体装置２０Ｂは積層される。こ
の際、各半導体装置２０Ｂには接着剤３１が配設されて
いるため、この接着剤３１により各半導体装置２０Ｂは
積層された状態で仮止めされた状態となる。よって、以
後実施される処理においては、複数の各半導体装置２０
Ｂは仮止めされた状態であるため、その取り扱いを容易
とすることができる。
【０１００】各半導体装置２０Ｂの仮止めが行なわれる
と、続いて接合工程が実施される。この接合工程では、
図１０（Ｃ）に示されるように、例えば温風，赤外線リ
フロー等により積層された半導体装置２０Ｂに対し加熱
処理が行なわれる。この加熱処理が行なわれることによ
り半田３２は溶融し、よって上下方向に隣接する各半導
体装置２０Ｂは半田３２により電気的及び機械的に接合
する。これにより、対向した第１の端子部２４ｂ-1と第
２の端子部２４ｂ-2は接合され、半導体装置ユニットが
完成する。
と、続いて接合工程が実施される。この接合工程では、
図１０（Ｃ）に示されるように、例えば温風，赤外線リ
フロー等により積層された半導体装置２０Ｂに対し加熱
処理が行なわれる。この加熱処理が行なわれることによ
り半田３２は溶融し、よって上下方向に隣接する各半導
体装置２０Ｂは半田３２により電気的及び機械的に接合
する。これにより、対向した第１の端子部２４ｂ-1と第
２の端子部２４ｂ-2は接合され、半導体装置ユニットが
完成する。
【０１０１】また、接着部材配設工程で配設された接着
剤３１は、半導体装置ユニットが形成された後において
も各半導体装置２０ｂ間に介在する。前記のように、接
着剤３１は放熱性を有した材料に選定されているため、
各半導体装置２０Ｂで発生した熱は、この接着材３１を
介して実装基板に放熱される。よって、接着剤３１を設
けることにより、半導体装置ユニットの放熱効率の向上
を図ることができる。
剤３１は、半導体装置ユニットが形成された後において
も各半導体装置２０ｂ間に介在する。前記のように、接
着剤３１は放熱性を有した材料に選定されているため、
各半導体装置２０Ｂで発生した熱は、この接着材３１を
介して実装基板に放熱される。よって、接着剤３１を設
けることにより、半導体装置ユニットの放熱効率の向上
を図ることができる。
【０１０２】図１１は、接合材配設工程として半田ペー
スト印刷処理を用いた実施例を示している。本実施例で
は、図１１（Ａ）に示すように、半導体装置２０Ｂをト
レー３４に装着して位置決めした後、半導体装置２０Ｂ
の外部接続端子として機能する第１の端子部２４ｂ-1の
配設面（トレー３４に装着した状態において、第１の端
子部２４ｂ-1は上部に位置している）に印刷マスク３６
を配設する。
スト印刷処理を用いた実施例を示している。本実施例で
は、図１１（Ａ）に示すように、半導体装置２０Ｂをト
レー３４に装着して位置決めした後、半導体装置２０Ｂ
の外部接続端子として機能する第１の端子部２４ｂ-1の
配設面（トレー３４に装着した状態において、第１の端
子部２４ｂ-1は上部に位置している）に印刷マスク３６
を配設する。
【０１０３】この印刷マスク３６の第１の端子部２４ｂ
-1と対向する面には開口部が形成されている。そして、
図示しないスキージを用いて半田ペースト３５を印刷す
ることにより、図示されるように第１の端子部２４ｂ-1
のみに半田ペースト３５が塗布される。この半田ペース
ト印刷処理を用いても、多数箇所に一括的に半田３２を
容易に配設することができるため、接合材配設工程の効
率化を図ることができる。
-1と対向する面には開口部が形成されている。そして、
図示しないスキージを用いて半田ペースト３５を印刷す
ることにより、図示されるように第１の端子部２４ｂ-1
のみに半田ペースト３５が塗布される。この半田ペース
ト印刷処理を用いても、多数箇所に一括的に半田３２を
容易に配設することができるため、接合材配設工程の効
率化を図ることができる。
【０１０４】図１１（Ｂ）は、接着部材配設工程及び積
層工程を示している。先に実施される接着部材配設工程
では、テープ状接着剤３１Ａを半導体装置２０Ｂに配設
する処理を行なう。本実施例では、上記のように単にテ
ープ状接着剤３１Ａを半導体装置２０Ｂの底面２７ａに
添着するのみでよいため、接着部材配設工程を容易に行
なうことができる。尚、本実施例で用いてるテープ状接
着剤３１Ａも接着性と共に放熱性を有している。
層工程を示している。先に実施される接着部材配設工程
では、テープ状接着剤３１Ａを半導体装置２０Ｂに配設
する処理を行なう。本実施例では、上記のように単にテ
ープ状接着剤３１Ａを半導体装置２０Ｂの底面２７ａに
添着するのみでよいため、接着部材配設工程を容易に行
なうことができる。尚、本実施例で用いてるテープ状接
着剤３１Ａも接着性と共に放熱性を有している。
【０１０５】半導体装置２０Ｂにテープ状接着剤３１Ａ
が配設されると、続いて複数の半導体装置２０Ｂは積層
される。この際、各半導体装置２０Ｂにはテープ状接着
剤３１Ａが配設されているため、このテープ状接着剤３
１Ａにより各半導体装置２０Ｂは積層された状態で仮止
めされた状態となる。よって、本実施例によっても以後
実施される処理において、積層された状態の各半導体装
置２０Ｂの取り扱いを容易とすることができる。
が配設されると、続いて複数の半導体装置２０Ｂは積層
される。この際、各半導体装置２０Ｂにはテープ状接着
剤３１Ａが配設されているため、このテープ状接着剤３
１Ａにより各半導体装置２０Ｂは積層された状態で仮止
めされた状態となる。よって、本実施例によっても以後
実施される処理において、積層された状態の各半導体装
置２０Ｂの取り扱いを容易とすることができる。
【０１０６】各半導体装置２０Ｂの仮止めが行なわれる
と、続いて接合工程が実施されるが、以後の工程は図１
０を用いて説明した工程と同一であるため、その説明を
省略する。続いて、本発明の第５実施例に係る半導体装
置２０Ｅについて説明する。図１２乃至図１４は本発明
の第５実施例である半導体装置２０Ｅを示している。図
１２は半導体装置２０Ｅの斜視図であり、図１３は半導
体装置２０Ｅの断面図であり、更に図１４は半導体装置
２０Ｅの要部拡大図である。また、図１６は本発明の第
３実施例である半導体装置ユニット５０Ｃを示してお
り、この半導体装置ユニット５０Ｃは第５実施例に係る
半導体装置２０Ｅを複数個（図１６に示す例では３個）
上下方向に積層（スタック）した構成とされている。
と、続いて接合工程が実施されるが、以後の工程は図１
０を用いて説明した工程と同一であるため、その説明を
省略する。続いて、本発明の第５実施例に係る半導体装
置２０Ｅについて説明する。図１２乃至図１４は本発明
の第５実施例である半導体装置２０Ｅを示している。図
１２は半導体装置２０Ｅの斜視図であり、図１３は半導
体装置２０Ｅの断面図であり、更に図１４は半導体装置
２０Ｅの要部拡大図である。また、図１６は本発明の第
３実施例である半導体装置ユニット５０Ｃを示してお
り、この半導体装置ユニット５０Ｃは第５実施例に係る
半導体装置２０Ｅを複数個（図１６に示す例では３個）
上下方向に積層（スタック）した構成とされている。
【０１０７】尚、図１２乃至図１４及び図１６におい
て、図１乃至図３及び図７を用いて説明した第１実施例
に係る半導体装置２０Ａ及び半導体装置ユニット５０Ａ
と同一構成については、同一符号を付してその説明を省
略する。先ず、半導体装置２０Ｅの構成について説明す
る。前記した第１実施例に係る半導体装置２０Ａは、樹
脂パッケージ２７Ａに上面溝部２８Ａのみを形成した構
成した構成としていたが、本実施例に係る半導体装置２
０Ｅは、樹脂パッケージ２７Ｃに上面溝部２８Ａに加え
て側面溝部２９を形成したことを特徴とするものであ
る。
て、図１乃至図３及び図７を用いて説明した第１実施例
に係る半導体装置２０Ａ及び半導体装置ユニット５０Ａ
と同一構成については、同一符号を付してその説明を省
略する。先ず、半導体装置２０Ｅの構成について説明す
る。前記した第１実施例に係る半導体装置２０Ａは、樹
脂パッケージ２７Ａに上面溝部２８Ａのみを形成した構
成した構成としていたが、本実施例に係る半導体装置２
０Ｅは、樹脂パッケージ２７Ｃに上面溝部２８Ａに加え
て側面溝部２９を形成したことを特徴とするものであ
る。
【０１０８】本実施例に係る半導体装置２０Ｅに設けら
れた上面溝部２８Ａは、第１実施例に係る半導体装置２
０Ａと同様に樹脂パッケージ２７Ｃの上面２４ｂにおけ
る第２の端子部２４ｂ-2の所定配設位置に対応して形成
されている。この上面溝部２８Ａは、アウターリード部
２４ｂの一部を構成する第２の端子部２４ｂ-2が係合す
るよう構成されている。このように、第２の端子部２４
ｂ-2が上面溝部２８Ａに係合することにより、第２の端
子部２４ｂ-2は樹脂パッケージ２７Ｃの上面２４ｂにお
いて所定位置に位置決めされた状態となる。
れた上面溝部２８Ａは、第１実施例に係る半導体装置２
０Ａと同様に樹脂パッケージ２７Ｃの上面２４ｂにおけ
る第２の端子部２４ｂ-2の所定配設位置に対応して形成
されている。この上面溝部２８Ａは、アウターリード部
２４ｂの一部を構成する第２の端子部２４ｂ-2が係合す
るよう構成されている。このように、第２の端子部２４
ｂ-2が上面溝部２８Ａに係合することにより、第２の端
子部２４ｂ-2は樹脂パッケージ２７Ｃの上面２４ｂにお
いて所定位置に位置決めされた状態となる。
【０１０９】また、側面溝部２９は、樹脂パッケージ２
７Ｃの側面２４ｃにおける第３の端子部２４ｂ-3の所定
配設位置に対応して形成されている。この側面溝部２９
は、アウターリード部２４ｂの一部を構成する第３の端
子部２４ｂ-3が係合するよう構成されている。このよう
に、第３の端子部２４ｂ-3が側面溝部２９に係合するこ
とにより、第３の端子部２４ｂ-3は樹脂パッケージ２７
Ｃの側面２４ｃにおいて所定位置に位置決めされた状態
となる。
７Ｃの側面２４ｃにおける第３の端子部２４ｂ-3の所定
配設位置に対応して形成されている。この側面溝部２９
は、アウターリード部２４ｂの一部を構成する第３の端
子部２４ｂ-3が係合するよう構成されている。このよう
に、第３の端子部２４ｂ-3が側面溝部２９に係合するこ
とにより、第３の端子部２４ｂ-3は樹脂パッケージ２７
Ｃの側面２４ｃにおいて所定位置に位置決めされた状態
となる。
【０１１０】また、本実施例においては、第２及び第３
の端子部２４ｂ-2，２４ｂ-3は上面溝部２８Ａ，側面溝
部２９に遊嵌状態で係合しており、よって上面溝部２８
Ａ，側面溝部２９内において第２及び第３の端子部２４
ｂ-2，２４ｂ-3は若干量にわたり変位可能な構成とされ
ている。但し、第２及び第３の端子部２４ｂ-2，２４ｂ
-3の変位可能な範囲は、隣接する第２及び第３の端子部
２４ｂ-2，２４ｂ-3間で短絡が発生しない程度の範囲と
されている。
の端子部２４ｂ-2，２４ｂ-3は上面溝部２８Ａ，側面溝
部２９に遊嵌状態で係合しており、よって上面溝部２８
Ａ，側面溝部２９内において第２及び第３の端子部２４
ｂ-2，２４ｂ-3は若干量にわたり変位可能な構成とされ
ている。但し、第２及び第３の端子部２４ｂ-2，２４ｂ
-3の変位可能な範囲は、隣接する第２及び第３の端子部
２４ｂ-2，２４ｂ-3間で短絡が発生しない程度の範囲と
されている。
【０１１１】上記のように、上面溝部２８Ａはアウター
リード部２４ｂの一部である第２の端子部２４ｂ-2と係
合し、側面溝部２９はアウターリード部２４ｂの一部で
ある第３の端子部２４ｂ-3と係合することにより、第２
及び第３の端子部２４ｂ-2，２４ｂ-3の位置決めを行な
う位置決め機構として機能する。よって、半導体装置２
０Ｅの組み立て時或いは実装時等においてアウターリー
ド部２４ｂに外力が印加されても、第２及び第３の端子
部２４ｂ-2，２４ｂ-3は上面溝部２８Ａ，側面溝部２９
に係合しているため、アウターリード部２４ｂに変形が
発生したり、また隣接するアウターリード部２５ｂ間で
短絡が発生することを防止することができる。
リード部２４ｂの一部である第２の端子部２４ｂ-2と係
合し、側面溝部２９はアウターリード部２４ｂの一部で
ある第３の端子部２４ｂ-3と係合することにより、第２
及び第３の端子部２４ｂ-2，２４ｂ-3の位置決めを行な
う位置決め機構として機能する。よって、半導体装置２
０Ｅの組み立て時或いは実装時等においてアウターリー
ド部２４ｂに外力が印加されても、第２及び第３の端子
部２４ｂ-2，２４ｂ-3は上面溝部２８Ａ，側面溝部２９
に係合しているため、アウターリード部２４ｂに変形が
発生したり、また隣接するアウターリード部２５ｂ間で
短絡が発生することを防止することができる。
【０１１２】特に、本実施例に係る半導体装置２０Ｅで
は、第２の端子部２４ｂ-2に加えて第３の端子部２４ｂ
-3が側面溝部２９に係合しているため、側面２７ｃに印
加された外力により第３の端子部２４ｂ-3が変形した
り、また短絡することを確実に防止することができる。
また、第２及び第３の端子部２４ｂ-2，２４ｂ-3は、上
面溝部２８Ａ及び側面溝部２９に対し埋設或いは嵌合さ
れた状態ではなく、遊嵌状態で係合した構成となってい
る。よって、第２及び第３の端子部２４ｂ-2，２４ｂ-3
は、上面溝部２８Ａ及び側面溝部２９に係合し位置決め
された状態において、上面溝部２８Ａ及び側面溝部２９
内において変位或いは可撓変形可能な構成となってい
る。但し、この本位或いは可撓変形可能な範囲は、塑性
的な変形或いは隣接するアウターリード部２４ｂ間で短
絡が発生しない範囲となるよう設定されている。
は、第２の端子部２４ｂ-2に加えて第３の端子部２４ｂ
-3が側面溝部２９に係合しているため、側面２７ｃに印
加された外力により第３の端子部２４ｂ-3が変形した
り、また短絡することを確実に防止することができる。
また、第２及び第３の端子部２４ｂ-2，２４ｂ-3は、上
面溝部２８Ａ及び側面溝部２９に対し埋設或いは嵌合さ
れた状態ではなく、遊嵌状態で係合した構成となってい
る。よって、第２及び第３の端子部２４ｂ-2，２４ｂ-3
は、上面溝部２８Ａ及び側面溝部２９に係合し位置決め
された状態において、上面溝部２８Ａ及び側面溝部２９
内において変位或いは可撓変形可能な構成となってい
る。但し、この本位或いは可撓変形可能な範囲は、塑性
的な変形或いは隣接するアウターリード部２４ｂ間で短
絡が発生しない範囲となるよう設定されている。
【０１１３】従って、本実施例に係る半導体装置２０Ｅ
も、リード２４と樹脂パッケージ２７Ａとの間に熱膨張
率差があり、加熱時にこの熱膨張率差に起因して応力が
発生したとしても、この応力はアウターリード部２４ｂ
が変位或いは変形することにより吸収或いは逃がすこと
ができる。ところで、本実施例に係る半導体装置２０Ｅ
は、第１実施例に係る半導体装置２０Ａに比べ、第３の
端子部２４ｂ-3が側面溝部２９に係合してい分だけアウ
ターリード部２４ｂの変位或いは変形が規制された構成
となっている。しかるに、半導体チップ２１が高密度化
し、これに伴いアウターリード部２４ｂの本数が増大す
ると、これに伴いアウターリード部２４ｂの幅寸法及び
厚さが小さくなることが考えられる。この場合、当然に
アウターリード部２４ｂの機械的強度は低下し、外力等
により変形し易くなる。
も、リード２４と樹脂パッケージ２７Ａとの間に熱膨張
率差があり、加熱時にこの熱膨張率差に起因して応力が
発生したとしても、この応力はアウターリード部２４ｂ
が変位或いは変形することにより吸収或いは逃がすこと
ができる。ところで、本実施例に係る半導体装置２０Ｅ
は、第１実施例に係る半導体装置２０Ａに比べ、第３の
端子部２４ｂ-3が側面溝部２９に係合してい分だけアウ
ターリード部２４ｂの変位或いは変形が規制された構成
となっている。しかるに、半導体チップ２１が高密度化
し、これに伴いアウターリード部２４ｂの本数が増大す
ると、これに伴いアウターリード部２４ｂの幅寸法及び
厚さが小さくなることが考えられる。この場合、当然に
アウターリード部２４ｂの機械的強度は低下し、外力等
により変形し易くなる。
【０１１４】このような場合においても、本実施例に係
る半導体装置２０Ｅであれば、アウターリード部２４ｂ
の第２及び第３の端子部２４ｂ-2，２４ｂ-3は上面溝部
２８Ａ及び側面溝部２９に係合しているため、アウター
リード部２４ｂに変形及び短絡が発生することを確実に
防止することができる。更に、前記したように、第２及
び第３の端子部２４ｂ-2，２４ｂ-3は上面溝部２８Ａ及
び側面溝部２９に遊嵌状態で係合しているため、加熱時
に発生する応力を確実に吸収或いは逃がすことができ
る。よって、樹脂パッケージ２７Ｃにクラックすること
を有効に防止することができ、また図１６に示すように
第５実施例に係る半導体装置２０Ｅにより半導体装置ユ
ニット５０Ｃを製造した場合においては、各半田３２に
より接合部において半田剥離が発生することを防止する
ことができる。
る半導体装置２０Ｅであれば、アウターリード部２４ｂ
の第２及び第３の端子部２４ｂ-2，２４ｂ-3は上面溝部
２８Ａ及び側面溝部２９に係合しているため、アウター
リード部２４ｂに変形及び短絡が発生することを確実に
防止することができる。更に、前記したように、第２及
び第３の端子部２４ｂ-2，２４ｂ-3は上面溝部２８Ａ及
び側面溝部２９に遊嵌状態で係合しているため、加熱時
に発生する応力を確実に吸収或いは逃がすことができ
る。よって、樹脂パッケージ２７Ｃにクラックすること
を有効に防止することができ、また図１６に示すように
第５実施例に係る半導体装置２０Ｅにより半導体装置ユ
ニット５０Ｃを製造した場合においては、各半田３２に
より接合部において半田剥離が発生することを防止する
ことができる。
【０１１５】尚、上面溝部２８Ａ及び側面溝部２９の形
成は、樹脂パッケージ２７Ｃの形成工程において一括的
に行なうことができるため、上面溝部２８Ａ及び側面溝
部２９の形成を容易に行なうことができる。次に、アウ
ターリード部２４ｂの厚さ及び形状と、上面溝部２８
Ａ，側面溝部２９の深さ及び形状との関係について説明
する。
成は、樹脂パッケージ２７Ｃの形成工程において一括的
に行なうことができるため、上面溝部２８Ａ及び側面溝
部２９の形成を容易に行なうことができる。次に、アウ
ターリード部２４ｂの厚さ及び形状と、上面溝部２８
Ａ，側面溝部２９の深さ及び形状との関係について説明
する。
【０１１６】本実施例では、図３に示されるように、第
１の端子部２４ｂ-1（アウターリード部２４ｂ）は樹脂
パッケージ２７Ｃの底面２７ａから突出するよう構成さ
れている。また、第２の端子部２４ｂ-2は、上面溝部２
８Ａとの係合状態において、樹脂パッケージ２７Ｃの表
面２７ｂから突出するよう構成されている。更に、第３
の端子部２４ｂ-3は、側面溝部２９との係合状態におい
て、樹脂パッケージ２７Ｃの側面２７ｃから突出するよ
う構成されている。
１の端子部２４ｂ-1（アウターリード部２４ｂ）は樹脂
パッケージ２７Ｃの底面２７ａから突出するよう構成さ
れている。また、第２の端子部２４ｂ-2は、上面溝部２
８Ａとの係合状態において、樹脂パッケージ２７Ｃの表
面２７ｂから突出するよう構成されている。更に、第３
の端子部２４ｂ-3は、側面溝部２９との係合状態におい
て、樹脂パッケージ２７Ｃの側面２７ｃから突出するよ
う構成されている。
【０１１７】即ち、図中矢印ｈ１で示す第１の端子部２
４ｂ-1の底面２７ａからの突出量、図中矢印ｈ２で示す
第２の端子部２４ｂ-2の上面２７ｂからの突出量、及び
図中矢印ｈ３で示す第３の端子部２４ｂ-3の側面２７ｃ
からの突出量は、共に正の値となっている（ｈ１＞０，
ｈ２＞０，ｈ３＞０）。この構成とすることにより、第
１乃至第３の端子部２４ｂ-1〜２４ｂ-3は、樹脂パッケ
ージ２７Ａから突出した構成となるため、半導体装置２
０Ｅを上下方向及び横方向に積層（スタック）し半導体
装置ユニットを形成した際、上下及び横方向に隣接する
半導体装置２０Ｅの各アウターリード部２４ｂ間の電気
的接続を確実に行なうことができる。尚、図１６に示す
半導体装置ユニット５０Ｃは、上下方向に半導体装置２
０Ｅを積層した構成のものを示している。
４ｂ-1の底面２７ａからの突出量、図中矢印ｈ２で示す
第２の端子部２４ｂ-2の上面２７ｂからの突出量、及び
図中矢印ｈ３で示す第３の端子部２４ｂ-3の側面２７ｃ
からの突出量は、共に正の値となっている（ｈ１＞０，
ｈ２＞０，ｈ３＞０）。この構成とすることにより、第
１乃至第３の端子部２４ｂ-1〜２４ｂ-3は、樹脂パッケ
ージ２７Ａから突出した構成となるため、半導体装置２
０Ｅを上下方向及び横方向に積層（スタック）し半導体
装置ユニットを形成した際、上下及び横方向に隣接する
半導体装置２０Ｅの各アウターリード部２４ｂ間の電気
的接続を確実に行なうことができる。尚、図１６に示す
半導体装置ユニット５０Ｃは、上下方向に半導体装置２
０Ｅを積層した構成のものを示している。
【０１１８】続いて、本発明の第６実施例に係る半導体
装置２０Ｆについて説明する。図１５は本発明の第６実
施例である半導体装置２０Ｆの断面図である。尚、図１
５において、図１２乃至図１４を用いて説明した第５実
施例に係る半導体装置２０Ｅと同一構成については、同
一符号を付してその説明を省略する。前記した第５実施
例に係る半導体装置２０Ｅは、樹脂パッケージ２７Ｃに
上面溝部２８Ａ及び側面溝部２９を共に形成した構成と
したが、本実施例に係る半導体装置２０Ｆは、樹脂パッ
ケージ２７Ｄに側面溝部２９のみを形成した構成とした
ことを特徴とするものである。
装置２０Ｆについて説明する。図１５は本発明の第６実
施例である半導体装置２０Ｆの断面図である。尚、図１
５において、図１２乃至図１４を用いて説明した第５実
施例に係る半導体装置２０Ｅと同一構成については、同
一符号を付してその説明を省略する。前記した第５実施
例に係る半導体装置２０Ｅは、樹脂パッケージ２７Ｃに
上面溝部２８Ａ及び側面溝部２９を共に形成した構成と
したが、本実施例に係る半導体装置２０Ｆは、樹脂パッ
ケージ２７Ｄに側面溝部２９のみを形成した構成とした
ことを特徴とするものである。
【０１１９】このように、樹脂パッケージ２７Ｄに側面
溝部２９のみを形成したことにより、アウターリード部
２４ｂは樹脂パッケージ２７Ｄの側面２７ｃにおいての
み位置決めされ、樹脂パッケージ２７Ｄの上面２４ｂに
おいては自由な状態となっている。このため、加熱時等
に発生する応力は、主にアウターリード部２４ｂの第２
の端子部２４ｂ-2が変位或いは変形することにより吸収
される。
溝部２９のみを形成したことにより、アウターリード部
２４ｂは樹脂パッケージ２７Ｄの側面２７ｃにおいての
み位置決めされ、樹脂パッケージ２７Ｄの上面２４ｂに
おいては自由な状態となっている。このため、加熱時等
に発生する応力は、主にアウターリード部２４ｂの第２
の端子部２４ｂ-2が変位或いは変形することにより吸収
される。
【０１２０】即ち、応力発生時においては、主に第２の
端子部２４ｂ-2が変位或いは変形し、側面２７ｃに位置
する第３の端子部２４ｂ-3は位置規制されるため、特に
半導体装置２０Ｆを水平方向（横方向）にスタックする
場合に各半導体装置２０Ｆを確実に接合することができ
る。続いて、本発明の第７実施例に係る半導体装置２０
Ｇについて説明する。
端子部２４ｂ-2が変位或いは変形し、側面２７ｃに位置
する第３の端子部２４ｂ-3は位置規制されるため、特に
半導体装置２０Ｆを水平方向（横方向）にスタックする
場合に各半導体装置２０Ｆを確実に接合することができ
る。続いて、本発明の第７実施例に係る半導体装置２０
Ｇについて説明する。
【０１２１】図１７は本発明の第７実施例である半導体
装置２０Ｇの断面図である。尚、図１７において、図１
乃至図３を用いて説明した第１実施例に係る半導体装置
２０Ａと同一構成については、同一符号を付してその説
明を省略する。前記した各実施例に係る半導体装置２０
Ａ〜２０Ｆでは、アウターリード２４ｂの一部を上面溝
部２８Ａ，２８Ｂ或いは側面溝部２９に係合させること
により、アウターリード２４ｂの位置決めを行なう構成
とされていた。
装置２０Ｇの断面図である。尚、図１７において、図１
乃至図３を用いて説明した第１実施例に係る半導体装置
２０Ａと同一構成については、同一符号を付してその説
明を省略する。前記した各実施例に係る半導体装置２０
Ａ〜２０Ｆでは、アウターリード２４ｂの一部を上面溝
部２８Ａ，２８Ｂ或いは側面溝部２９に係合させること
により、アウターリード２４ｂの位置決めを行なう構成
とされていた。
【０１２２】これに対し、本実施例に係る半導体装置２
０Ｇは、アウターリード部２４ｂの一部に係合部材３７
Ａ（第１の係合部）を形成すると共に、樹脂パッケージ
２７Ｅに係合凹部３８Ａ（第２の係合部）を形成し、こ
の係合部材３７Ａを係合凹部３８Ａに係合させることに
よりアウターリード部２４ｂの位置決めを行なうよう構
成したことを特徴とするものである（係合部材３７Ａと
係合凹部３８Ａは、協働して位置決め機構を構成す
る）。
０Ｇは、アウターリード部２４ｂの一部に係合部材３７
Ａ（第１の係合部）を形成すると共に、樹脂パッケージ
２７Ｅに係合凹部３８Ａ（第２の係合部）を形成し、こ
の係合部材３７Ａを係合凹部３８Ａに係合させることに
よりアウターリード部２４ｂの位置決めを行なうよう構
成したことを特徴とするものである（係合部材３７Ａと
係合凹部３８Ａは、協働して位置決め機構を構成す
る）。
【０１２３】係合部材３７Ａは樹脂パッケージ２７Ｅと
同一の樹脂材料よりなり、アウターリード部２４ｂに固
定されている。この係合部材３７Ａは、複数本配設され
るアウターリード部２４ｂの夫々に個々に配設した構成
としても、また複数本配設されるアウターリード部２４
ｂを連通するよう配設した構成としてもよい。本実施例
では、係合部材３７Ａをアウターリード部２４ｂの第２
の端子部２４ｂ-2に形成した構成としている。更に、係
合凹部３８Ａは樹脂パッケージ２７Ｅに形成された凹部
であり、アウターリード部２４ｂが折曲された際の係合
部材３７Ａの位置と対向する位置に形成されている。
同一の樹脂材料よりなり、アウターリード部２４ｂに固
定されている。この係合部材３７Ａは、複数本配設され
るアウターリード部２４ｂの夫々に個々に配設した構成
としても、また複数本配設されるアウターリード部２４
ｂを連通するよう配設した構成としてもよい。本実施例
では、係合部材３７Ａをアウターリード部２４ｂの第２
の端子部２４ｂ-2に形成した構成としている。更に、係
合凹部３８Ａは樹脂パッケージ２７Ｅに形成された凹部
であり、アウターリード部２４ｂが折曲された際の係合
部材３７Ａの位置と対向する位置に形成されている。
【０１２４】上記構成において、アウターリード２４ｂ
の一部を樹脂パッケージ２７Ｅに係合させるには、アウ
ターリード部２４ｂを折曲する際に係合部材３７Ａを係
合凹部３８Ａに係合させる。これにより、アウターリー
ド部２４ｂを積極的に樹脂パッケージ２７Ｅに係合させ
ることができるため、アウターリード部２４ｂに変形及
び短絡が発生するのをより確実に防止することができ
る。
の一部を樹脂パッケージ２７Ｅに係合させるには、アウ
ターリード部２４ｂを折曲する際に係合部材３７Ａを係
合凹部３８Ａに係合させる。これにより、アウターリー
ド部２４ｂを積極的に樹脂パッケージ２７Ｅに係合させ
ることができるため、アウターリード部２４ｂに変形及
び短絡が発生するのをより確実に防止することができ
る。
【０１２５】図１８は、上記した第７実施例に係る半導
体装置２０Ｇの製造方法を示しており、特に樹脂パッケ
ージ２７Ｅを形成する樹脂封止工程を示している。同図
に示すように、樹脂パッケージ２７Ｅを成形する際、半
導体チップ２１及びリード２４は、上型４０ａと下型４
０ｂとにより構成される金型４０に装着される。この装
着状態において、半導体チップ２１は上型４０ａと下型
４０ｂが協働して形成するキャビティ４３内に位置し、
またアウターリード部２４ｂは上型４０ａと下型４０ｂ
との間に挟持された状態となっている。
体装置２０Ｇの製造方法を示しており、特に樹脂パッケ
ージ２７Ｅを形成する樹脂封止工程を示している。同図
に示すように、樹脂パッケージ２７Ｅを成形する際、半
導体チップ２１及びリード２４は、上型４０ａと下型４
０ｂとにより構成される金型４０に装着される。この装
着状態において、半導体チップ２１は上型４０ａと下型
４０ｂが協働して形成するキャビティ４３内に位置し、
またアウターリード部２４ｂは上型４０ａと下型４０ｂ
との間に挟持された状態となっている。
【０１２６】また、上型４２ａに形成されたキャビティ
４３には凸部４１が形成されており、この凸部４１の形
成位置は係合凹部３８Ａの所定形成位置に対応するよう
構成されている。また、上型４２ａのアウターリード部
２４ｂと対応する所定位置には凹部４２が形成されてい
る。この凹部４２の形成位置は、係合部材３７Ａの所定
形成位置に対応する位置に選定されている。
４３には凸部４１が形成されており、この凸部４１の形
成位置は係合凹部３８Ａの所定形成位置に対応するよう
構成されている。また、上型４２ａのアウターリード部
２４ｂと対応する所定位置には凹部４２が形成されてい
る。この凹部４２の形成位置は、係合部材３７Ａの所定
形成位置に対応する位置に選定されている。
【０１２７】更に、凹部４２はキャビティ４３と連通し
ており、よってキャビティ４３に導入される樹脂は凹部
４２にも装填される構成とされている。従って、また、
係合部材３７Ａは樹脂パッケージ２７Ｅの材質と同一材
質で形成されることとなる。上記説明から明らかなよう
に、金型４０を用いて樹脂パッケージ２７Ｅを成形する
ことにより、係合部材３７Ａ及び係合凹部３８Ａも一括
的に同時に形成される。よって、係合部材３７Ａ及び係
合凹部３８Ａを別個に形成する製造方法に比べ、容易か
つ安価に半導体装置２０Ｇを製造することができる。
ており、よってキャビティ４３に導入される樹脂は凹部
４２にも装填される構成とされている。従って、また、
係合部材３７Ａは樹脂パッケージ２７Ｅの材質と同一材
質で形成されることとなる。上記説明から明らかなよう
に、金型４０を用いて樹脂パッケージ２７Ｅを成形する
ことにより、係合部材３７Ａ及び係合凹部３８Ａも一括
的に同時に形成される。よって、係合部材３７Ａ及び係
合凹部３８Ａを別個に形成する製造方法に比べ、容易か
つ安価に半導体装置２０Ｇを製造することができる。
【０１２８】続いて、本発明の第８実施例に係る半導体
装置２０Ｈについて説明する。図１９は本発明の第８実
施例である半導体装置２０Ｈの断面図である。尚、図１
９において、図１７を用いて説明した第７実施例に係る
半導体装置２０Ｇと同一構成については、同一符号を付
してその説明を省略する。前記した第７実施例に係る半
導体装置２０Ｇは、第２の端子部２４ｂ-2に係合部材３
７Ａを形成すると共に、樹脂パッケージ２７Ｅに上面２
７ｂに係合凹部３８Ａを形成した構成とされていた。こ
のため、係合部材３７Ａと係合凹部３８Ａが係合するこ
とにより、アウターリード２４ｂは上面２７ｂにおいて
樹脂パッケージ２７Ｅに係合される構成とされていた。
装置２０Ｈについて説明する。図１９は本発明の第８実
施例である半導体装置２０Ｈの断面図である。尚、図１
９において、図１７を用いて説明した第７実施例に係る
半導体装置２０Ｇと同一構成については、同一符号を付
してその説明を省略する。前記した第７実施例に係る半
導体装置２０Ｇは、第２の端子部２４ｂ-2に係合部材３
７Ａを形成すると共に、樹脂パッケージ２７Ｅに上面２
７ｂに係合凹部３８Ａを形成した構成とされていた。こ
のため、係合部材３７Ａと係合凹部３８Ａが係合するこ
とにより、アウターリード２４ｂは上面２７ｂにおいて
樹脂パッケージ２７Ｅに係合される構成とされていた。
【０１２９】この構成では、外力及び応力が印加された
場合、主にアウターリード２４ｂの第３の端子部２４ｂ
-3において外力及び応力の吸収が行なわれる（第２の端
子部２４ｂ-2に比べて第３の端子部２４ｂ-3の方が変形
し易いため）。これに対し、本実施例に係る半導体装置
２０Ｈは、第３の端子部２４ｂ-3に係合部材３７Ｂを形
成すると共に、樹脂パッケージ２７Ｅに側面２７ｃに係
合凹部３８Ｂを形成したことを特徴とするものである。
場合、主にアウターリード２４ｂの第３の端子部２４ｂ
-3において外力及び応力の吸収が行なわれる（第２の端
子部２４ｂ-2に比べて第３の端子部２４ｂ-3の方が変形
し易いため）。これに対し、本実施例に係る半導体装置
２０Ｈは、第３の端子部２４ｂ-3に係合部材３７Ｂを形
成すると共に、樹脂パッケージ２７Ｅに側面２７ｃに係
合凹部３８Ｂを形成したことを特徴とするものである。
【０１３０】この構成とすることにより、係合部材３７
Ｂと係合凹部３８Ｂが係合すると、アウターリード２４
ｂは側面２７ｃにおいて樹脂パッケージ２７Ｆと係合さ
れる構成となる。従って、本実施例に係る半導体装置２
０Ｈによれば、外力及び応力が印加された場合、主にア
ウターリード２４ｂの第２端子部２４ｂ-2において外力
及び応力の吸収が行なわれる。これは、第３の端子部２
４ｂ-3に比べて第２の端子部２４ｂ-2の方が変形し易い
ためである。このように、係合部材３７Ａ，３７Ｂ及び
係合凹部３８Ａ，３８Ｂの配設位置は、樹脂パッケージ
２７Ｅ，２７Ｆの特定位置に限定されるものではなく、
外力が印加され易い位置及び熱応力が発生し易い位置に
応じて適宜選定することができる。
Ｂと係合凹部３８Ｂが係合すると、アウターリード２４
ｂは側面２７ｃにおいて樹脂パッケージ２７Ｆと係合さ
れる構成となる。従って、本実施例に係る半導体装置２
０Ｈによれば、外力及び応力が印加された場合、主にア
ウターリード２４ｂの第２端子部２４ｂ-2において外力
及び応力の吸収が行なわれる。これは、第３の端子部２
４ｂ-3に比べて第２の端子部２４ｂ-2の方が変形し易い
ためである。このように、係合部材３７Ａ，３７Ｂ及び
係合凹部３８Ａ，３８Ｂの配設位置は、樹脂パッケージ
２７Ｅ，２７Ｆの特定位置に限定されるものではなく、
外力が印加され易い位置及び熱応力が発生し易い位置に
応じて適宜選定することができる。
【０１３１】続いて、本発明の第９実施例に係る半導体
装置２０Ｉについて説明する。図２０は本発明の第９実
施例である半導体装置２０Ｉの断面図である。尚、図２
０において、図１７を用いて説明した第７実施例に係る
半導体装置２０Ｇと同一構成については、同一符号を付
してその説明を省略する。前記した第７及び第８実施例
に係る半導体装置２０Ｇ，２０Ｈは、係合部材３７Ａ，
３７Ｂを係合凹部３８Ａ，３８Ｂに係合させることのみ
により、アウターリード２４ｂの一部を樹脂パッケージ
２７Ｅ，２７Ｆに位置決めする構成とされていた。
装置２０Ｉについて説明する。図２０は本発明の第９実
施例である半導体装置２０Ｉの断面図である。尚、図２
０において、図１７を用いて説明した第７実施例に係る
半導体装置２０Ｇと同一構成については、同一符号を付
してその説明を省略する。前記した第７及び第８実施例
に係る半導体装置２０Ｇ，２０Ｈは、係合部材３７Ａ，
３７Ｂを係合凹部３８Ａ，３８Ｂに係合させることのみ
により、アウターリード２４ｂの一部を樹脂パッケージ
２７Ｅ，２７Ｆに位置決めする構成とされていた。
【０１３２】これに対し本実施例では、第２の端子部２
４ｂ-2の先端部に係合部材３７Ｃを形成すると共に、樹
脂パッケージ２７Ｂの上面２７ｂに係合凹部３８Ｃを形
成した構成とされている。この係合凹部３８Ｃは、樹脂
パッケージ２７Ｂの上面２７ｂに広く形成されており、
その両側部には段部が形成されている。第２の端子部２
４ｂ-2の先端部に設けられた係合部材３７Ｃは、この係
合凹部３８Ｃの段部に係合するよう構成されている。
４ｂ-2の先端部に係合部材３７Ｃを形成すると共に、樹
脂パッケージ２７Ｂの上面２７ｂに係合凹部３８Ｃを形
成した構成とされている。この係合凹部３８Ｃは、樹脂
パッケージ２７Ｂの上面２７ｂに広く形成されており、
その両側部には段部が形成されている。第２の端子部２
４ｂ-2の先端部に設けられた係合部材３７Ｃは、この係
合凹部３８Ｃの段部に係合するよう構成されている。
【０１３３】また、本実施例に用いられているリード２
４は導電性を有するバネ材により形成されており、また
係合部材３７Ｃが係合凹部３８Ｃの段部に係合した状態
において、第２の端子部２４ｂ-2は図中矢印Ｘで示す方
向に弾性力を付勢するよう構成されている。この構成と
することにより、前記した第４実施例に係る半導体装置
２０Ｄ（図６参照）のように接着剤３０を用いることな
く、第２の端子部２４ｂ-2を樹脂パッケージ２７Ｇに位
置決めすることができる。
４は導電性を有するバネ材により形成されており、また
係合部材３７Ｃが係合凹部３８Ｃの段部に係合した状態
において、第２の端子部２４ｂ-2は図中矢印Ｘで示す方
向に弾性力を付勢するよう構成されている。この構成と
することにより、前記した第４実施例に係る半導体装置
２０Ｄ（図６参照）のように接着剤３０を用いることな
く、第２の端子部２４ｂ-2を樹脂パッケージ２７Ｇに位
置決めすることができる。
【０１３４】続いて、本発明の第１０実施例に係る半導
体装置２０Ｊについて説明する。図２１は本発明の第１
０実施例である半導体装置２０Ｊの斜視図である。尚、
図２１において、図１乃至図３を用いて説明した第１実
施例に係る半導体装置２０Ａと同一構成については、同
一符号を付してその説明を省略する。前記した第１実施
例に係る半導体装置２０Ａは、樹脂パッケージ２７Ａの
上面２７ｂの所定位置に複数の上面溝部２８ａを形成
し、この上面溝部２８ａに第２の端子部２４ｂ-2を係合
させることにより、アウターリード部２４ｂの位置決め
を行なう構成とされていた。
体装置２０Ｊについて説明する。図２１は本発明の第１
０実施例である半導体装置２０Ｊの斜視図である。尚、
図２１において、図１乃至図３を用いて説明した第１実
施例に係る半導体装置２０Ａと同一構成については、同
一符号を付してその説明を省略する。前記した第１実施
例に係る半導体装置２０Ａは、樹脂パッケージ２７Ａの
上面２７ｂの所定位置に複数の上面溝部２８ａを形成
し、この上面溝部２８ａに第２の端子部２４ｂ-2を係合
させることにより、アウターリード部２４ｂの位置決め
を行なう構成とされていた。
【０１３５】これに対し、本実施例に係る半導体装置２
０Ｊは、上面溝部２８ａに代えて、樹脂パッケージ２７
Ｈの四隅位置に、樹脂パッケージ２７Ｈの上面２７ｂよ
り高く、かつ各第２の端子部２４ｂ-2（アウターリード
部２４ｂ）の厚さよりも低い突起部４４を形成したこと
を特徴とするものである。本実施例のように、樹脂パッ
ケージ２７Ｈの四隅位置に、樹脂パッケージ２７Ｈの上
面２７ｂ表面より高く、かつアウターリード部２４ｂの
厚さよりも低い突起部４４を形成したことにより、アウ
ターリード部２４ｂの配設領域の外周部（外周四隅位
置）が突起部４４により保護されることとなる。よっ
て、特に側部から外力（側方外力）が印加された場合、
この突起部４４により印加された側方外力を受けること
ができる。よって、各アウターリード部２４ｂに側方外
力が印加されることを防止でき、アウターリード部２４
ｂに変形及び短絡が発生することを防止することができ
る。
０Ｊは、上面溝部２８ａに代えて、樹脂パッケージ２７
Ｈの四隅位置に、樹脂パッケージ２７Ｈの上面２７ｂよ
り高く、かつ各第２の端子部２４ｂ-2（アウターリード
部２４ｂ）の厚さよりも低い突起部４４を形成したこと
を特徴とするものである。本実施例のように、樹脂パッ
ケージ２７Ｈの四隅位置に、樹脂パッケージ２７Ｈの上
面２７ｂ表面より高く、かつアウターリード部２４ｂの
厚さよりも低い突起部４４を形成したことにより、アウ
ターリード部２４ｂの配設領域の外周部（外周四隅位
置）が突起部４４により保護されることとなる。よっ
て、特に側部から外力（側方外力）が印加された場合、
この突起部４４により印加された側方外力を受けること
ができる。よって、各アウターリード部２４ｂに側方外
力が印加されることを防止でき、アウターリード部２４
ｂに変形及び短絡が発生することを防止することができ
る。
【０１３６】また、本実施例の構成とすることにより、
例えば半導体チップ２１が高密度化し、これに伴いリー
ド２４の本数が増大してリードピッチが狭ピッチ化して
も、前記した各実施例に係る半導体装置と異なり、各ア
ウターリード部２４ｂに対応して溝等を形成する必要は
ないため、リードピッチの狭ピッチ化に容易に対応する
ことができる。
例えば半導体チップ２１が高密度化し、これに伴いリー
ド２４の本数が増大してリードピッチが狭ピッチ化して
も、前記した各実施例に係る半導体装置と異なり、各ア
ウターリード部２４ｂに対応して溝等を形成する必要は
ないため、リードピッチの狭ピッチ化に容易に対応する
ことができる。
【０１３７】続いて、本発明の第１１実施例に係る半導
体装置２０Ｋ、及び本発明の第４実施例に係る半導体装
置ユニット５０Ｄについて説明する。図２２は本発明の
第１１実施例である半導体装置２０Ｋの断面図であり、
図２３は本発明の第４実施例である半導体装置ユニット
５０Ｄの断面図である。尚、図２２及び図２３におい
て、図１乃至図３，図７を用いて説明した第１実施例に
係る半導体装置２０Ａ及び半導体装置ユニット５０Ａと
同一構成については、同一符号を付してその説明を省略
する。
体装置２０Ｋ、及び本発明の第４実施例に係る半導体装
置ユニット５０Ｄについて説明する。図２２は本発明の
第１１実施例である半導体装置２０Ｋの断面図であり、
図２３は本発明の第４実施例である半導体装置ユニット
５０Ｄの断面図である。尚、図２２及び図２３におい
て、図１乃至図３，図７を用いて説明した第１実施例に
係る半導体装置２０Ａ及び半導体装置ユニット５０Ａと
同一構成については、同一符号を付してその説明を省略
する。
【０１３８】前記した第１実施例に係る半導体装置２０
Ａは、これを実装基板に実装する際、樹脂パッケージ２
７Ａが平面的となるよう、即ち第１の端子部２４ｂ-1が
外部接続端子として実装基板に接合されるよう実装され
ていた。しかるにこの構成では、実装時に必要となる半
導体装置２０Ａの実装面積が広くなってしまう。そこ
で、本実施例に係る半導体装置２０Ｋは、実装基板４５
に対し、半導体装置２０Ｋを立設した状態で実装しうる
よう構成したことを特徴とするものである。
Ａは、これを実装基板に実装する際、樹脂パッケージ２
７Ａが平面的となるよう、即ち第１の端子部２４ｂ-1が
外部接続端子として実装基板に接合されるよう実装され
ていた。しかるにこの構成では、実装時に必要となる半
導体装置２０Ａの実装面積が広くなってしまう。そこ
で、本実施例に係る半導体装置２０Ｋは、実装基板４５
に対し、半導体装置２０Ｋを立設した状態で実装しうる
よう構成したことを特徴とするものである。
【０１３９】本実施例に係る半導体装置２０Ｋは、上記
のように実装基板４５に対し立設した状態で実装しうる
ようするため、外部接続端子となるリード２４を全て樹
脂パッケージ２７Ａの一側面（図中、実装基板４５と対
向する面）に集約的に配設している。また、リード２４
が配設された側面と反対側の側面には、放熱板４６Ａが
配設されており、半導体チップ２１で発生した熱を放熱
しうる構成とされている。
のように実装基板４５に対し立設した状態で実装しうる
ようするため、外部接続端子となるリード２４を全て樹
脂パッケージ２７Ａの一側面（図中、実装基板４５と対
向する面）に集約的に配設している。また、リード２４
が配設された側面と反対側の側面には、放熱板４６Ａが
配設されており、半導体チップ２１で発生した熱を放熱
しうる構成とされている。
【０１４０】上記構成とされた半導体装置２０Ｋを実装
基板４５に実装するには、図２２に示すように、第３の
端子部２４ｂ-3を実装基板４５に半田４７を用いて接合
する。これにより、半導体装置２０Ｋは実装基板４５に
立設されて実装されることとなり、実装に要する面積の
小スペース化を図ることができる。更に、本実施例に係
る半導体装置２０Ｋは、半導体チップ２１が搭載される
ステージ４９Ｂが樹脂パッケージ２７Ａの外部に露出し
た構成とされている。よって、半導体チップ２１で発生
した熱は、前記した放熱板４６Ａと共にステージ４９Ｂ
からも放熱される。よって、ステージ４９Ｂを樹脂パッ
ケージ２７Ａから露出させることにより、より効率のよ
い放熱を行なうことができる。
基板４５に実装するには、図２２に示すように、第３の
端子部２４ｂ-3を実装基板４５に半田４７を用いて接合
する。これにより、半導体装置２０Ｋは実装基板４５に
立設されて実装されることとなり、実装に要する面積の
小スペース化を図ることができる。更に、本実施例に係
る半導体装置２０Ｋは、半導体チップ２１が搭載される
ステージ４９Ｂが樹脂パッケージ２７Ａの外部に露出し
た構成とされている。よって、半導体チップ２１で発生
した熱は、前記した放熱板４６Ａと共にステージ４９Ｂ
からも放熱される。よって、ステージ４９Ｂを樹脂パッ
ケージ２７Ａから露出させることにより、より効率のよ
い放熱を行なうことができる。
【０１４１】また、上記構成とされた半導体装置２０Ｋ
を横方向にスタックすることにより、図２３に示す半導
体装置ユニット５０Ｄを構成することができる。この半
導体装置ユニット５０Ｄは、図中左端部の半導体装置２
０Ｋの第３の端子部２４ｂ-3が半田４７により実装基板
４５に接合されており、他の半導体装置２０Ｋは隣接す
る第１の端子部２４ｂ-1と第２の端子部２４ｂ-2とを半
田４７により接合することによりスタックされた構成と
されている。
を横方向にスタックすることにより、図２３に示す半導
体装置ユニット５０Ｄを構成することができる。この半
導体装置ユニット５０Ｄは、図中左端部の半導体装置２
０Ｋの第３の端子部２４ｂ-3が半田４７により実装基板
４５に接合されており、他の半導体装置２０Ｋは隣接す
る第１の端子部２４ｂ-1と第２の端子部２４ｂ-2とを半
田４７により接合することによりスタックされた構成と
されている。
【０１４２】本実施例に係る半導体装置ユニット５０Ｄ
は、各半導体装置２０Ｋを立設させた状態でかつ密接し
た状態で実装するため、一つの半導体装置２０Ｋに必要
とされる実装スペースは少なくて済み、よって半導体装
置ユニット５０Ｄとすることにより実装密度の向上を図
ることができる。続いて、本発明の第１２実施例に係る
半導体装置２０Ｌ、及び本発明の第５実施例に係る半導
体装置ユニット５０Ｅについて説明する。
は、各半導体装置２０Ｋを立設させた状態でかつ密接し
た状態で実装するため、一つの半導体装置２０Ｋに必要
とされる実装スペースは少なくて済み、よって半導体装
置ユニット５０Ｄとすることにより実装密度の向上を図
ることができる。続いて、本発明の第１２実施例に係る
半導体装置２０Ｌ、及び本発明の第５実施例に係る半導
体装置ユニット５０Ｅについて説明する。
【０１４３】図２４は本発明の第１２実施例である半導
体装置２０Ｋの断面図であり、図２５は本発明の第５実
施例である半導体装置ユニット５０Ｅの断面図である。
尚、図２４及び図２５において、図１２乃至図１４，図
１６を用いて説明した第５実施例に係る半導体装置２０
Ｅ及び第３実施例に係る半導体装置ユニット５０Ｃと同
一構成については、同一符号を付してその説明を省略す
る。
体装置２０Ｋの断面図であり、図２５は本発明の第５実
施例である半導体装置ユニット５０Ｅの断面図である。
尚、図２４及び図２５において、図１２乃至図１４，図
１６を用いて説明した第５実施例に係る半導体装置２０
Ｅ及び第３実施例に係る半導体装置ユニット５０Ｃと同
一構成については、同一符号を付してその説明を省略す
る。
【０１４４】前記した第５実施例に係る半導体装置２０
Ｅは、これを実装基板に実装する際、樹脂パッケージ２
７Ｃが平面的となるよう、即ち第１の端子部２４ｂ-1が
外部接続端子として実装基板に接合されるよう実装され
ていた。これに対し、本実施例に係る半導体装置２０Ｌ
は、実装基板４５に対し、半導体装置２０Ｌを立設した
状態で実装しうるよう構成したことを特徴とするもので
ある。
Ｅは、これを実装基板に実装する際、樹脂パッケージ２
７Ｃが平面的となるよう、即ち第１の端子部２４ｂ-1が
外部接続端子として実装基板に接合されるよう実装され
ていた。これに対し、本実施例に係る半導体装置２０Ｌ
は、実装基板４５に対し、半導体装置２０Ｌを立設した
状態で実装しうるよう構成したことを特徴とするもので
ある。
【０１４５】このため、本実施例に係る半導体装置２０
Ｌは、外部接続端子となるリード４８を全て樹脂パッケ
ージ２７Ｃの一側面（図中、実装基板４５と対向する
面）に集約的に配設している。また、リード４８が配設
された側面と反対側の側面には、放熱板４６Ｂが配設さ
れており、半導体チップ２１で発生した熱を放熱しうる
構成とされている。
Ｌは、外部接続端子となるリード４８を全て樹脂パッケ
ージ２７Ｃの一側面（図中、実装基板４５と対向する
面）に集約的に配設している。また、リード４８が配設
された側面と反対側の側面には、放熱板４６Ｂが配設さ
れており、半導体チップ２１で発生した熱を放熱しうる
構成とされている。
【０１４６】また、本実施例に係る半導体装置２０Ｌ
は、前記した各実施例における第２の端子部２４ｂ-2が
設けられておらず、よってアウターリード部４８ｂは樹
脂パッケージ２７Ａの底面２７ａに設けられた第１の端
子部４８ｂ-1と、樹脂パッケージ２７Ａの側面２７ｃに
設けられた第２の端子部４８ｂ-2とよりなる構成とされ
ている。
は、前記した各実施例における第２の端子部２４ｂ-2が
設けられておらず、よってアウターリード部４８ｂは樹
脂パッケージ２７Ａの底面２７ａに設けられた第１の端
子部４８ｂ-1と、樹脂パッケージ２７Ａの側面２７ｃに
設けられた第２の端子部４８ｂ-2とよりなる構成とされ
ている。
【０１４７】上記構成とされた半導体装置２０Ｌを実装
基板４５に実装するには、図２４に示すように、第２の
端子部４８ｂ-2を実装基板４５に半田４７を用いて接合
する。これにより、半導体装置２０Ｌは実装基板４５に
立設されて実装されることとなり、実装に要する面積の
小スペース化を図ることができる。また、上記構成とさ
れた半導体装置２０Ｌを横方向にスタックすることによ
り、図２５に示す半導体装置ユニット５０Ｅを構成する
ことができる。この半導体装置ユニット５０Ｅは、各半
導体装置２０Ｌの第２の端子部４８ｂ-2を半田４７によ
り実装基板４５に接合した構造とされている。
基板４５に実装するには、図２４に示すように、第２の
端子部４８ｂ-2を実装基板４５に半田４７を用いて接合
する。これにより、半導体装置２０Ｌは実装基板４５に
立設されて実装されることとなり、実装に要する面積の
小スペース化を図ることができる。また、上記構成とさ
れた半導体装置２０Ｌを横方向にスタックすることによ
り、図２５に示す半導体装置ユニット５０Ｅを構成する
ことができる。この半導体装置ユニット５０Ｅは、各半
導体装置２０Ｌの第２の端子部４８ｂ-2を半田４７によ
り実装基板４５に接合した構造とされている。
【０１４８】本実施例に係る半導体装置ユニット５０Ｉ
も、前記した第４実施例に係る半導体装置ユニット５０
Ｄと同様に、各半導体装置２０Ｌを立設させた状態でか
つ密接した状態で実装するため、一つの半導体装置２０
Ｌに必要とされる実装スペースは少なくて済み、よって
半導体装置ユニット５０Ｅとすることにより実装密度の
向上を図ることができる。
も、前記した第４実施例に係る半導体装置ユニット５０
Ｄと同様に、各半導体装置２０Ｌを立設させた状態でか
つ密接した状態で実装するため、一つの半導体装置２０
Ｌに必要とされる実装スペースは少なくて済み、よって
半導体装置ユニット５０Ｅとすることにより実装密度の
向上を図ることができる。
【０１４９】続いて、本発明の第１２実施例に係る半導
体装置、及び本発明の第２実施例に係る半導体装置ユニ
ットの製造方法について説明する。図２６は本発明の第
１２実施例である半導体装置２０Ｍの断面図、図２７は
半導体装置２０Ｍの底面図、更に図２７は半導体装置２
０Ｍを積層（スタック）した構造の半導体装置ユニット
の製造方法を説明するための図である。
体装置、及び本発明の第２実施例に係る半導体装置ユニ
ットの製造方法について説明する。図２６は本発明の第
１２実施例である半導体装置２０Ｍの断面図、図２７は
半導体装置２０Ｍの底面図、更に図２７は半導体装置２
０Ｍを積層（スタック）した構造の半導体装置ユニット
の製造方法を説明するための図である。
【０１５０】尚、図２６乃至図２７において、図４を用
いて説明した第２実施例に係る半導体装置２０Ｂ、及び
図１０を用いて説明した第１実施例に係る半導体ユニッ
トの製造方法と同一構成及び同一工程については、同一
符号を付してその説明を省略する。また、以下説明する
各実施例においても同様とする。本実施例に係る半導体
装置は２０Ｍは、リード２４の第１の端子部２４ｂ-1に
帯状半田６０を配設したことを特徴とするものである。
この帯状半田６０は、接合材配設工程において例えば半
田ペーストをスクリーン印刷法を用いて印刷し、その後
に加熱することにより後述する形状に形成した構成とさ
れている。
いて説明した第２実施例に係る半導体装置２０Ｂ、及び
図１０を用いて説明した第１実施例に係る半導体ユニッ
トの製造方法と同一構成及び同一工程については、同一
符号を付してその説明を省略する。また、以下説明する
各実施例においても同様とする。本実施例に係る半導体
装置は２０Ｍは、リード２４の第１の端子部２４ｂ-1に
帯状半田６０を配設したことを特徴とするものである。
この帯状半田６０は、接合材配設工程において例えば半
田ペーストをスクリーン印刷法を用いて印刷し、その後
に加熱することにより後述する形状に形成した構成とさ
れている。
【０１５１】また、帯状半田６０は、図２７に示すよう
に、その幅寸法（図中、矢印Ｗ１で示す）がリード２４
のリード幅（図中、矢印Ｗ２で示す）よりも小さく設定
されており（Ｗ１＜Ｗ２）、かつ、その長さは従来の第
１の端子部２４ｂ-1のみに半田が配設された構成に比べ
て長く形成されている。具体的には、帯状半田６０は第
１の端子部２４ｂ-1を越えて樹脂パッケージ２７Ｂの下
面２７ａ上にも形成された構成とされている。よって、
帯状半田６０は、リード２４から樹脂パッケージ２７Ｂ
まで長く延在する帯状形状を有するよう構成されてい
る。
に、その幅寸法（図中、矢印Ｗ１で示す）がリード２４
のリード幅（図中、矢印Ｗ２で示す）よりも小さく設定
されており（Ｗ１＜Ｗ２）、かつ、その長さは従来の第
１の端子部２４ｂ-1のみに半田が配設された構成に比べ
て長く形成されている。具体的には、帯状半田６０は第
１の端子部２４ｂ-1を越えて樹脂パッケージ２７Ｂの下
面２７ａ上にも形成された構成とされている。よって、
帯状半田６０は、リード２４から樹脂パッケージ２７Ｂ
まで長く延在する帯状形状を有するよう構成されてい
る。
【０１５２】このように、接合材としてリード２４のリ
ード幅Ｗ２よりも小さい幅寸法Ｗ１を有た帯状半田６０
を用いることにより、半導体装置２０Ｍが高密度化し、
これに伴いリードピッチが狭ピッチ化したような場合で
も、確実に帯状半田６０をリード２４（第１の端子部２
４ｂ-1）に配設することができる。また、同様の理由に
より、隣接する帯状半田６０間でブリッジが発生するこ
とを確実に防止することができる。
ード幅Ｗ２よりも小さい幅寸法Ｗ１を有た帯状半田６０
を用いることにより、半導体装置２０Ｍが高密度化し、
これに伴いリードピッチが狭ピッチ化したような場合で
も、確実に帯状半田６０をリード２４（第１の端子部２
４ｂ-1）に配設することができる。また、同様の理由に
より、隣接する帯状半田６０間でブリッジが発生するこ
とを確実に防止することができる。
【０１５３】図２８（Ａ）は、半導体装置ユニットを製
造するため、上記構成とされた半導体装置２０Ｍを積層
した状態を示している。本実施例においても、各半導体
装置２０Ｍには接着剤３１が配設されており、この接着
剤３１により各半導体装置２０Ｍは積層された状態で仮
止めされた状態となる。各半導体装置２０Ｂの仮止めが
行なわれると、続いて接合工程が実施される。この接合
工程では、図２８（Ｂ）に示されるように、積層された
半導体装置２０Ｍに対し前記と同様の加熱処理が行なわ
れる。
造するため、上記構成とされた半導体装置２０Ｍを積層
した状態を示している。本実施例においても、各半導体
装置２０Ｍには接着剤３１が配設されており、この接着
剤３１により各半導体装置２０Ｍは積層された状態で仮
止めされた状態となる。各半導体装置２０Ｂの仮止めが
行なわれると、続いて接合工程が実施される。この接合
工程では、図２８（Ｂ）に示されるように、積層された
半導体装置２０Ｍに対し前記と同様の加熱処理が行なわ
れる。
【０１５４】この加熱処理が行なわれることにより帯状
半田６０は溶融し、よって上下方向に隣接する各半導体
装置２０Ｍは帯状半田６０が溶融することにより形成さ
れた溶融後半田３２（以下、単に半田という）により電
気的及び機械的に接合する。これにより、対向した第１
の端子部２４ｂ-1と第２の端子部２４ｂ-2は接合され、
半導体装置ユニットが完成する。
半田６０は溶融し、よって上下方向に隣接する各半導体
装置２０Ｍは帯状半田６０が溶融することにより形成さ
れた溶融後半田３２（以下、単に半田という）により電
気的及び機械的に接合する。これにより、対向した第１
の端子部２４ｂ-1と第２の端子部２４ｂ-2は接合され、
半導体装置ユニットが完成する。
【０１５５】ところで、上記の加熱処理を実施した際、
本実施例のように帯状半田６０の幅寸法Ｗ１を小さくす
ると、接合に寄与する半田３２の全体量が減ることが考
えられる。この接合に寄与する半田３２の全体量が減る
と、半導体装置２０Ｍ同志の接合力が低下し、半導体装
置ユニットとしての信頼性が低下してしまう。しかる
に、前記したように本実施例では、帯状半田６０はリー
ド２４ばかりではなく、樹脂パッケージ２７Ｂの上部に
も配設された構成とされている。よって加熱時には、こ
の樹脂パッケージ２７Ｂ上の帯状半田６０（図中、延出
部６０ａに相当する部分）は表面張力によりリード２４
に引き寄せられ、接合に寄与する半田３２の全体量を所
定量に保つことができる。
本実施例のように帯状半田６０の幅寸法Ｗ１を小さくす
ると、接合に寄与する半田３２の全体量が減ることが考
えられる。この接合に寄与する半田３２の全体量が減る
と、半導体装置２０Ｍ同志の接合力が低下し、半導体装
置ユニットとしての信頼性が低下してしまう。しかる
に、前記したように本実施例では、帯状半田６０はリー
ド２４ばかりではなく、樹脂パッケージ２７Ｂの上部に
も配設された構成とされている。よって加熱時には、こ
の樹脂パッケージ２７Ｂ上の帯状半田６０（図中、延出
部６０ａに相当する部分）は表面張力によりリード２４
に引き寄せられ、接合に寄与する半田３２の全体量を所
定量に保つことができる。
【０１５６】よって、帯状半田６０の形状を幅狭で長く
形成した構成としても、製造される半導体装置ユニット
の信頼性が低下するようなことはない。尚、この半田３
２の全体量は、帯状半田６０の長さを調整することによ
り制御することができる。尚、上記した実施例では、第
２実施例に係る半導体装置２０Ｂを基本構成する半導体
装置２０Ｍを例に挙げて説明したが、上記した他の実施
例に係る半導体装置に帯状半田６０を配設しても、同様
な作用効果を実現することができる。
形成した構成としても、製造される半導体装置ユニット
の信頼性が低下するようなことはない。尚、この半田３
２の全体量は、帯状半田６０の長さを調整することによ
り制御することができる。尚、上記した実施例では、第
２実施例に係る半導体装置２０Ｂを基本構成する半導体
装置２０Ｍを例に挙げて説明したが、上記した他の実施
例に係る半導体装置に帯状半田６０を配設しても、同様
な作用効果を実現することができる。
【０１５７】続いて、本発明の第１３実施例に係る半導
体装置、及び本発明の第３実施例に係る半導体装置ユニ
ットの製造方法について説明する。図２９は本発明の第
１３実施例である半導体装置２０Ｎの断面図、図３０は
半導体装置２０Ｎの底面図、更に図３１は半導体装置２
０Ｎを積層した構造の半導体装置ユニットの製造方法を
説明するための図である。
体装置、及び本発明の第３実施例に係る半導体装置ユニ
ットの製造方法について説明する。図２９は本発明の第
１３実施例である半導体装置２０Ｎの断面図、図３０は
半導体装置２０Ｎの底面図、更に図３１は半導体装置２
０Ｎを積層した構造の半導体装置ユニットの製造方法を
説明するための図である。
【０１５８】本実施例に係る半導体装置２０Ｎは、樹脂
パッケージ２７Ｉの第１の端子部２４ｂ-1（リード２
４）の近傍位置に凹状の半田溜まり部６１（接合材溜ま
り部）を設けた構成としている。本実施例では、接合材
として半田ボール６２を用いるが、図２９及び図３０に
示すように、半田溜まり部６１は半田ボール６２を装着
しうるよう平面視してた状態で円形状の凹部とされてい
る。
パッケージ２７Ｉの第１の端子部２４ｂ-1（リード２
４）の近傍位置に凹状の半田溜まり部６１（接合材溜ま
り部）を設けた構成としている。本実施例では、接合材
として半田ボール６２を用いるが、図２９及び図３０に
示すように、半田溜まり部６１は半田ボール６２を装着
しうるよう平面視してた状態で円形状の凹部とされてい
る。
【０１５９】この半田溜まり部６１は、接合材配設工程
（即ち、半田ボール６２の配設工程）を実施する前に、
半田溜まり部形成工程（接合材配設工程）を実施するこ
とにより形成される。具体的な半田溜まり部６１の形成
方法としては、樹脂パッケージ２７Ｉをモールド成形し
た際に発生する樹脂バリを除去するのに用いるホーニン
グ装置を利用して形成する。
（即ち、半田ボール６２の配設工程）を実施する前に、
半田溜まり部形成工程（接合材配設工程）を実施するこ
とにより形成される。具体的な半田溜まり部６１の形成
方法としては、樹脂パッケージ２７Ｉをモールド成形し
た際に発生する樹脂バリを除去するのに用いるホーニン
グ装置を利用して形成する。
【０１６０】即ち、半田溜まり部６１の形成位置に開口
部を有したマスクを用い、ホーニング装置からこのマス
クに研磨材を含有する高圧水を噴射する。これにより、
樹脂パッケージ２７Ｉは研削され、半田溜まり部６１が
形成される。このように、半田溜まり部６１は既存の技
術及び設備を利用して形成することが可能であり、よっ
て低コストで形成することが可能である。
部を有したマスクを用い、ホーニング装置からこのマス
クに研磨材を含有する高圧水を噴射する。これにより、
樹脂パッケージ２７Ｉは研削され、半田溜まり部６１が
形成される。このように、半田溜まり部６１は既存の技
術及び設備を利用して形成することが可能であり、よっ
て低コストで形成することが可能である。
【０１６１】図３１（Ａ）は、半導体装置ユニットを製
造するため、上記構成とされた半導体装置２０Ｎを積層
した状態を示している。本実施例では、上記のように接
合材として半田ボール６２を用いてるため、各半導体装
置２０Ｎを積層する際、予め半田溜まり部６１に半田ボ
ール６２を装着した上で積層を行う。この半田ボール６
２は球状であるため転動し易く、よって半導体装置２０
Ｎから離脱し易いものである。しかるに、本実施例では
半田ボール６２の形状に対応した形状を有した凹状の半
田溜まり部６１が形成されており、半田ボール６２はこ
の半田溜まり部６１内に装着されるため、半田ボール６
２が半導体装置２０Ｎから離脱することを防止すること
ができる。これにより、接合材として半田ボール６２を
用いても、半導体装置ユニットに接合不良部が発生する
ことを防止でき、製造される半導体装置ユニットの信頼
性を向上させることができる。
造するため、上記構成とされた半導体装置２０Ｎを積層
した状態を示している。本実施例では、上記のように接
合材として半田ボール６２を用いてるため、各半導体装
置２０Ｎを積層する際、予め半田溜まり部６１に半田ボ
ール６２を装着した上で積層を行う。この半田ボール６
２は球状であるため転動し易く、よって半導体装置２０
Ｎから離脱し易いものである。しかるに、本実施例では
半田ボール６２の形状に対応した形状を有した凹状の半
田溜まり部６１が形成されており、半田ボール６２はこ
の半田溜まり部６１内に装着されるため、半田ボール６
２が半導体装置２０Ｎから離脱することを防止すること
ができる。これにより、接合材として半田ボール６２を
用いても、半導体装置ユニットに接合不良部が発生する
ことを防止でき、製造される半導体装置ユニットの信頼
性を向上させることができる。
【０１６２】上記のように各半導体装置２０Ｎが半田ボ
ール６２及び接着剤３１を介装した状態で仮止めされる
と、続いて接合工程が実施される。この接合工程では、
図３１（Ｂ）に示されるように、積層された半導体装置
２０Ｎに対し加熱処理が行なわれる。この加熱処理が行
なわれることにより半田ボール６２は溶融し、第１の端
子部２４ｂ-1と第２の端子部２４ｂ-2との間に形成され
た間隙内に進入する。
ール６２及び接着剤３１を介装した状態で仮止めされる
と、続いて接合工程が実施される。この接合工程では、
図３１（Ｂ）に示されるように、積層された半導体装置
２０Ｎに対し加熱処理が行なわれる。この加熱処理が行
なわれることにより半田ボール６２は溶融し、第１の端
子部２４ｂ-1と第２の端子部２４ｂ-2との間に形成され
た間隙内に進入する。
【０１６３】よって、上下方向に隣接する各半導体装置
２０Ｎは半田ボール６２が溶融し第１及び第２の端子部
２４ｂ-1，２４ｂ-2間に進入することにより形成された
溶融後半田３２（以下、単に半田という）により電気的
及び機械的に接合する。これにより、対向した第１の端
子部２４ｂ-1と第２の端子部２４ｂ-2は半田３２により
接合され、半導体装置ユニットが完成する。
２０Ｎは半田ボール６２が溶融し第１及び第２の端子部
２４ｂ-1，２４ｂ-2間に進入することにより形成された
溶融後半田３２（以下、単に半田という）により電気的
及び機械的に接合する。これにより、対向した第１の端
子部２４ｂ-1と第２の端子部２４ｂ-2は半田３２により
接合され、半導体装置ユニットが完成する。
【０１６４】尚、上記の実施例では半田溜まり部６１を
平面視した状態で円形状を有した凹状形状としたが、半
田溜まり部６１の形状はこれに限定されるものではな
く、半田ボール６２の転動を防止できる形状であれば、
他の形状としてもよい。また、凹状とせずに樹脂パッケ
ージ２７Ｉに突起を形成することにより半田ボール６２
の転動を防止することもできる。
平面視した状態で円形状を有した凹状形状としたが、半
田溜まり部６１の形状はこれに限定されるものではな
く、半田ボール６２の転動を防止できる形状であれば、
他の形状としてもよい。また、凹状とせずに樹脂パッケ
ージ２７Ｉに突起を形成することにより半田ボール６２
の転動を防止することもできる。
【０１６５】また、本実施例においては、接合部材とし
て半田ボール６２を用いた例を示したが、接合材は半田
ボール６２に限定されるものではなく、ロウ材等の他の
接合材を用いることも可能である。更に、本実施例の構
成によれば、半田溜まり部６１の大きさを調整すること
により、半田３２の全体量を制御することも可能とな
る。
て半田ボール６２を用いた例を示したが、接合材は半田
ボール６２に限定されるものではなく、ロウ材等の他の
接合材を用いることも可能である。更に、本実施例の構
成によれば、半田溜まり部６１の大きさを調整すること
により、半田３２の全体量を制御することも可能とな
る。
【０１６６】続いて、本発明の第１４実施例に係る半導
体装置、及び本発明の第６実施例に係る半導体装置ユニ
ットについて説明する。図３２は本発明の第１４実施例
である半導体装置２０Ｐの断面図であり、また図３３は
半導体装置２０Ｐを積層した構造の半導体装置ユニット
５０Ｆを示す断面図である。
体装置、及び本発明の第６実施例に係る半導体装置ユニ
ットについて説明する。図３２は本発明の第１４実施例
である半導体装置２０Ｐの断面図であり、また図３３は
半導体装置２０Ｐを積層した構造の半導体装置ユニット
５０Ｆを示す断面図である。
【０１６７】本実施例に係る半導体装置２０Ｐは、リー
ド２４を構成する第１の端子部２４ｂ-1に導電性接着テ
ープ６３（導電性接着部材）を配設すると共に、樹脂パ
ッケージ２７Ａの中央部分に前記した接着剤３１に代え
て高温硬化接着剤６４を配設したことを特徴としてい
る。導電性接着テープ６３は、可撓性を有した導電性金
属をテープベースとし、その両面に樹脂よりなるペース
ト内に導電性金属粒（例えば、半田等）を含有すること
により導電性を持たせた導電性接着剤を塗布した構成と
されている。
ド２４を構成する第１の端子部２４ｂ-1に導電性接着テ
ープ６３（導電性接着部材）を配設すると共に、樹脂パ
ッケージ２７Ａの中央部分に前記した接着剤３１に代え
て高温硬化接着剤６４を配設したことを特徴としてい
る。導電性接着テープ６３は、可撓性を有した導電性金
属をテープベースとし、その両面に樹脂よりなるペース
ト内に導電性金属粒（例えば、半田等）を含有すること
により導電性を持たせた導電性接着剤を塗布した構成と
されている。
【０１６８】また、高温硬化接着剤６４は熱硬化性樹脂
であり、その硬化温度は上記した導電性金属粒の融点よ
りも高いものが選定されている。この高温硬化接着剤６
４は、前記した接着剤３１と同様に放熱性の良好な材料
が選定されており、よって半導体装置ユニット５０Ｆが
形成された際、各半導体装置２０Ｐで発生する熱を効率
よく放熱できるよう構成されている。
であり、その硬化温度は上記した導電性金属粒の融点よ
りも高いものが選定されている。この高温硬化接着剤６
４は、前記した接着剤３１と同様に放熱性の良好な材料
が選定されており、よって半導体装置ユニット５０Ｆが
形成された際、各半導体装置２０Ｐで発生する熱を効率
よく放熱できるよう構成されている。
【０１６９】本実施例のように、接合材として導電性及
び接着性を共に有する導電性接着テープ６３を用いるこ
とにより、単に半導体装置２０Ｐを導電性接着テープ６
３を介して積層するのみで（仮止め状態で）、積層され
た各半導体装置間２０Ｐの電気的導通を図ることができ
る。よって、仮止め状態で半導体装置ユニット５０Ｆの
試験を実施することも可能となる。
び接着性を共に有する導電性接着テープ６３を用いるこ
とにより、単に半導体装置２０Ｐを導電性接着テープ６
３を介して積層するのみで（仮止め状態で）、積層され
た各半導体装置間２０Ｐの電気的導通を図ることができ
る。よって、仮止め状態で半導体装置ユニット５０Ｆの
試験を実施することも可能となる。
【０１７０】また、本実施例では、高温硬化接着剤６４
を用いて各半導体装置２０Ｐの接合強度を高める構成と
しているが、この高温硬化接着剤６４が硬化する前の状
態においても、積層された各半導体装置２０Ｐに位置ず
れが発生することを防止することができる。よって、半
導体装置ユニット５０Ｆの製造工程の容易化及び効率化
を図ることができる。
を用いて各半導体装置２０Ｐの接合強度を高める構成と
しているが、この高温硬化接着剤６４が硬化する前の状
態においても、積層された各半導体装置２０Ｐに位置ず
れが発生することを防止することができる。よって、半
導体装置ユニット５０Ｆの製造工程の容易化及び効率化
を図ることができる。
【０１７１】また、本実施例では、各半導体装置を仮止
めする接着部材として、硬化温度が接合材の融点よりも
高い高温硬化接着剤６４を用いたことにより、各半導体
装置２０Ｐを接合するために加熱処理を行い接合材を溶
融しても、高温硬化接着剤６４は変化することなく各半
導体装置２０Ｐを積層状態に維持する。よって、加熱時
に積層された各半導体装置２０Ｐに位置ずれが発生する
ことを防止でき、信頼性の高い半導体装置ユニット５０
Ｆを製造することができる。
めする接着部材として、硬化温度が接合材の融点よりも
高い高温硬化接着剤６４を用いたことにより、各半導体
装置２０Ｐを接合するために加熱処理を行い接合材を溶
融しても、高温硬化接着剤６４は変化することなく各半
導体装置２０Ｐを積層状態に維持する。よって、加熱時
に積層された各半導体装置２０Ｐに位置ずれが発生する
ことを防止でき、信頼性の高い半導体装置ユニット５０
Ｆを製造することができる。
【０１７２】続いて、本発明の第４実施例に係る半導体
装置ユニットの製造方法について、図３４及び図３５を
用いて説明する。前記した各半導体装置ユニットの製造
方法（図１０，図１１，図２８，図３１等参照）では、
先ず個々の半導体装置２０Ｂ，２０Ｍ，２０Ｎを完成さ
れた後、この完成された半導体装置２０Ｂ，２０Ｍ，２
０Ｎに接合材配設工程，積層工程，及び接合工程を実施
することにより半導体装置ユニットを製造する方法が採
られていた。即ち、前記した各実施例では、半導体ユニ
ット製造工程を実施する前に、半導体装置２０Ｂ，２０
Ｍ，２０Ｎを製造する際に用いるリードフレームを除去
することとされていた。
装置ユニットの製造方法について、図３４及び図３５を
用いて説明する。前記した各半導体装置ユニットの製造
方法（図１０，図１１，図２８，図３１等参照）では、
先ず個々の半導体装置２０Ｂ，２０Ｍ，２０Ｎを完成さ
れた後、この完成された半導体装置２０Ｂ，２０Ｍ，２
０Ｎに接合材配設工程，積層工程，及び接合工程を実施
することにより半導体装置ユニットを製造する方法が採
られていた。即ち、前記した各実施例では、半導体ユニ
ット製造工程を実施する前に、半導体装置２０Ｂ，２０
Ｍ，２０Ｎを製造する際に用いるリードフレームを除去
することとされていた。
【０１７３】これに対し、本実施例に係る半導体装置ユ
ニットの製造方法では、半導体装置（本実施例では、前
記した第２実施例である半導体装置２０Ｂを例に挙げ説
明する）を製造する際、リードフレーム６５を残したま
まとしておき（即ち、リードフレーム６５を除去しな
い）、このリードフレーム６５を各半導体装置２０Ｂを
積層する際の位置基準として用いる構成としたことを特
徴とするものである。
ニットの製造方法では、半導体装置（本実施例では、前
記した第２実施例である半導体装置２０Ｂを例に挙げ説
明する）を製造する際、リードフレーム６５を残したま
まとしておき（即ち、リードフレーム６５を除去しな
い）、このリードフレーム６５を各半導体装置２０Ｂを
積層する際の位置基準として用いる構成としたことを特
徴とするものである。
【０１７４】図３４は、複数（図では２個）の半導体装
置２０Ｂが形成されたリードフレーム６５を示してい
る。この状態の半導体装置２０Ｂは、リードフレーム６
５を構成するクレドール６６（枠体）に一体的に形成さ
れたサポートバー６８に支持された構成とされている。
即ち、複数の各半導体装置２０Ｂは、リードフレーム６
５を除去されない状態においては、互いに位置規制され
た状態となっている。また、クレドール６６の所定位置
には、半導体装置２０Ｂを製造するの位置決めとして用
いる位置決め孔６７が予め形成されている。
置２０Ｂが形成されたリードフレーム６５を示してい
る。この状態の半導体装置２０Ｂは、リードフレーム６
５を構成するクレドール６６（枠体）に一体的に形成さ
れたサポートバー６８に支持された構成とされている。
即ち、複数の各半導体装置２０Ｂは、リードフレーム６
５を除去されない状態においては、互いに位置規制され
た状態となっている。また、クレドール６６の所定位置
には、半導体装置２０Ｂを製造するの位置決めとして用
いる位置決め孔６７が予め形成されている。
【０１７５】本実施例に係る製造方法では、半田３２を
リード２４に配設する接合材配設工程，半導体装置２０
Ｂを複数積層する積層工程，及び各半導体装置２０Ｂを
半田３２により接合する接合工程を、半導体装置２０Ｂ
がリードフレーム６５に接続された状態のままで行う構
成としている。よって、接合材配設工程においては、例
えば半田ディップを用いることにより、複数の半導体装
置２０Ｂに対し一括的に半田３２を配設することがで
き、接合材配設工程の効率化を図ることができる。
リード２４に配設する接合材配設工程，半導体装置２０
Ｂを複数積層する積層工程，及び各半導体装置２０Ｂを
半田３２により接合する接合工程を、半導体装置２０Ｂ
がリードフレーム６５に接続された状態のままで行う構
成としている。よって、接合材配設工程においては、例
えば半田ディップを用いることにより、複数の半導体装
置２０Ｂに対し一括的に半田３２を配設することがで
き、接合材配設工程の効率化を図ることができる。
【０１７６】また図３５は、積層工程を示している。同
図に示されるように、積層工程では複数の半導体装置２
０Ｂをリードフレーム６５を位置基準として積層する構
成としている。同図に示す例では、夫々２個の半導体装
置２０Ｂが配設されたリードフレーム６５を３層積層し
た状態を示している。また、各層における位置決めは、
前記した位置決め孔６７に位置決めポール６９を挿通す
ることにより一括的に行っている。
図に示されるように、積層工程では複数の半導体装置２
０Ｂをリードフレーム６５を位置基準として積層する構
成としている。同図に示す例では、夫々２個の半導体装
置２０Ｂが配設されたリードフレーム６５を３層積層し
た状態を示している。また、各層における位置決めは、
前記した位置決め孔６７に位置決めポール６９を挿通す
ることにより一括的に行っている。
【０１７７】このように本実施例では、積層工程におい
て半導体装置２０Ｂを複数積層する際、リードフレーム
６５に接続された状態の半導体装置２０Ｂを、リードフ
レーム６５を位置基準として積層する構成としている。
これにより、リードフレーム６５に複数接続されている
半導体装置２０Ｂを一括的に位置決めして積層すること
が可能となる。
て半導体装置２０Ｂを複数積層する際、リードフレーム
６５に接続された状態の半導体装置２０Ｂを、リードフ
レーム６５を位置基準として積層する構成としている。
これにより、リードフレーム６５に複数接続されている
半導体装置２０Ｂを一括的に位置決めして積層すること
が可能となる。
【０１７８】このため、製造される半導体装置ユニット
単位で個々の半導体装置に対し位置決め処理を行う必要
がなくなるため、積層工程の効率化を図ることができ
る。尚、リードフレーム６５は積層工程が終了した後、
除去工程で除去されるため、半導体装置ユニットにリー
ドフレームが残存するようなことはない。
単位で個々の半導体装置に対し位置決め処理を行う必要
がなくなるため、積層工程の効率化を図ることができ
る。尚、リードフレーム６５は積層工程が終了した後、
除去工程で除去されるため、半導体装置ユニットにリー
ドフレームが残存するようなことはない。
【０１７９】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、下記の種々
の効果を奏するものである。請求項１記載の発明によれ
ば、樹脂パッケージの上面及び底面の各面で電気的接続
を取ることが可能となため、半導体装置を上下方向に複
数個積層することが可能となり、半導体装置の実装効率
を向上させることができる。
の効果を奏するものである。請求項１記載の発明によれ
ば、樹脂パッケージの上面及び底面の各面で電気的接続
を取ることが可能となため、半導体装置を上下方向に複
数個積層することが可能となり、半導体装置の実装効率
を向上させることができる。
【０１８０】また、半導体装置の組み立て時或いは実装
時等においてアウターリード部に外力が印加されても、
アウターリード部は位置決め機構により位置決めされて
いるため、変形が発生したり、また隣接するアウターリ
ード部間で短絡が発生するようなことはない。更に、ア
ウターリード部は位置決め機構により位置決めされつ
つ、変形或いは短絡が発生しない範囲において変位或い
は変形しうる構成とされているため、加熱時等に発生す
る応力はアウターリード部が変位或いは変形することに
より逃がされ、よって樹脂パッケージにクラックが発生
したり、また実装位置において半田の剥離が発生するこ
とを確実に防止することができる。
時等においてアウターリード部に外力が印加されても、
アウターリード部は位置決め機構により位置決めされて
いるため、変形が発生したり、また隣接するアウターリ
ード部間で短絡が発生するようなことはない。更に、ア
ウターリード部は位置決め機構により位置決めされつ
つ、変形或いは短絡が発生しない範囲において変位或い
は変形しうる構成とされているため、加熱時等に発生す
る応力はアウターリード部が変位或いは変形することに
より逃がされ、よって樹脂パッケージにクラックが発生
したり、また実装位置において半田の剥離が発生するこ
とを確実に防止することができる。
【０１８１】また、請求項２記載の発明によれば、位置
決め機構を樹脂パッケージに形成されると共にアウター
リード部の一部が係合される溝部により構成したことに
より、簡単かつ確実にアウターリード部の変形或いは短
絡の発生を防止することができる。また、請求項３記載
の発明によれば、アウターリード部の一部が溝部に係合
された際、アウターリード部の一部が樹脂パッケージの
表面から突出するよう構成したことにより、積層時にお
いて各アウターリード部間の電気的接続を確実に行なう
ことができる。
決め機構を樹脂パッケージに形成されると共にアウター
リード部の一部が係合される溝部により構成したことに
より、簡単かつ確実にアウターリード部の変形或いは短
絡の発生を防止することができる。また、請求項３記載
の発明によれば、アウターリード部の一部が溝部に係合
された際、アウターリード部の一部が樹脂パッケージの
表面から突出するよう構成したことにより、積層時にお
いて各アウターリード部間の電気的接続を確実に行なう
ことができる。
【０１８２】また、請求項４記載の発明によれば、応力
発生時においては、主に半導体装置の側面に位置するア
ウターリード部が変位或いは変形し、上下位置における
アウターリード部は変位或いは変形しないため、特に半
導体装置を上下方向に積層する場合に各半導体装置を確
実に接合することができる。また、請求項５記載の発明
によれば、応力発生時においては、主に半導体装置の上
面に位置するアウターリード部が変位或いは変形し、側
面位置におけるアウターリード部は変位或いは変形しな
いため、特に半導体装置を水平方向にスタックする場合
に各半導体装置を確実に接合することができる。
発生時においては、主に半導体装置の側面に位置するア
ウターリード部が変位或いは変形し、上下位置における
アウターリード部は変位或いは変形しないため、特に半
導体装置を上下方向に積層する場合に各半導体装置を確
実に接合することができる。また、請求項５記載の発明
によれば、応力発生時においては、主に半導体装置の上
面に位置するアウターリード部が変位或いは変形し、側
面位置におけるアウターリード部は変位或いは変形しな
いため、特に半導体装置を水平方向にスタックする場合
に各半導体装置を確実に接合することができる。
【０１８３】また、請求項６記載の発明によれば、半導
体装置を上下方向に積層した際、各リード間における接
触面積を大きくすることができ、信頼性の高い接合を行
なうことが可能となる。また、半導体装置を積層した際
の安定性がよいため、正式な接合を行なう前に通常実施
される仮止めの安定性を向上することができる。また、
請求項７記載の発明によれば、下に位置する半導体装置
のアウターリード部の角部は、上に位置する半導体装置
のアウターリード部と直接接触した状態となるため、積
層される上下の各半導体装置のアウターリード部は直接
接触し、よって半導体装置を積層した際の全体高さを均
一化することができる。
体装置を上下方向に積層した際、各リード間における接
触面積を大きくすることができ、信頼性の高い接合を行
なうことが可能となる。また、半導体装置を積層した際
の安定性がよいため、正式な接合を行なう前に通常実施
される仮止めの安定性を向上することができる。また、
請求項７記載の発明によれば、下に位置する半導体装置
のアウターリード部の角部は、上に位置する半導体装置
のアウターリード部と直接接触した状態となるため、積
層される上下の各半導体装置のアウターリード部は直接
接触し、よって半導体装置を積層した際の全体高さを均
一化することができる。
【０１８４】また、請求項８記載の発明によれば、アウ
ターリード部はより確実に溝部に係合（固定）するた
め、アウターリード部に変形及び短絡が発生するのを確
実に防止することができる。また、請求項９記載の発明
によれば、第１及び第２の係合部が係合することにより
アウターリード部はより積極的に樹脂パッケージに係合
するため、アウターリード部に変形及び短絡が発生する
のを確実に防止することができる。
ターリード部はより確実に溝部に係合（固定）するた
め、アウターリード部に変形及び短絡が発生するのを確
実に防止することができる。また、請求項９記載の発明
によれば、第１及び第２の係合部が係合することにより
アウターリード部はより積極的に樹脂パッケージに係合
するため、アウターリード部に変形及び短絡が発生する
のを確実に防止することができる。
【０１８５】また、請求項１０記載の発明によれば、第
１の係合部を樹脂部材とし、第２の係合部を樹脂パッケ
ージに形成された凹部としたことにより、第１及び第２
の係合部を容易に形成することができる。また、請求項
１１記載の発明によれば、樹脂部材と樹脂パッケージを
一括的に形成することが可能となり、第１及び第２の係
合部の成形を更に容易化するとができる。
１の係合部を樹脂部材とし、第２の係合部を樹脂パッケ
ージに形成された凹部としたことにより、第１及び第２
の係合部を容易に形成することができる。また、請求項
１１記載の発明によれば、樹脂部材と樹脂パッケージを
一括的に形成することが可能となり、第１及び第２の係
合部の成形を更に容易化するとができる。
【０１８６】また、請求項１２記載の発明によれば、側
部から外力が印加された場合に突起部によりこの外力を
受けることができ、よって各アウターリード部に外力が
印加されることを防止でき、アウターリード部な変形及
び短絡が発生することを防止することができる。更に、
例えば半導体チップが高密度化し、これに伴いリード数
が増大してリードピッチが狭ピッチ化しても、各アウタ
ーリード部に対応して溝等を形成する必要はないため、
これに対応することができる。
部から外力が印加された場合に突起部によりこの外力を
受けることができ、よって各アウターリード部に外力が
印加されることを防止でき、アウターリード部な変形及
び短絡が発生することを防止することができる。更に、
例えば半導体チップが高密度化し、これに伴いリード数
が増大してリードピッチが狭ピッチ化しても、各アウタ
ーリード部に対応して溝等を形成する必要はないため、
これに対応することができる。
【０１８７】また、請求項１３記載の発明によれば、複
数の半導体装置を上下方向に積層することができ、よっ
て容易に半導体装置の積層体を形成することができ、半
導体装置の実装密度を向上させることができる。また、
請求項１４記載の発明によれば、半導体装置は立設され
た状態で実装されることとなり、一つの半導体装置に必
要とされる実装スペースは少なくて済み、よって半導体
装置の実装密度を向上させることができる。
数の半導体装置を上下方向に積層することができ、よっ
て容易に半導体装置の積層体を形成することができ、半
導体装置の実装密度を向上させることができる。また、
請求項１４記載の発明によれば、半導体装置は立設され
た状態で実装されることとなり、一つの半導体装置に必
要とされる実装スペースは少なくて済み、よって半導体
装置の実装密度を向上させることができる。
【０１８８】また、請求項１５記載の発明によれば、各
半導体装置で発生する熱は接着部材を介して実装基板に
逃げるため、複数個の半導体装置が積層された半導体装
置ユニットであっても、放熱効率を向上させることがで
きる。また、請求項１６記載の発明によれば、個々の半
導体装置の外部接続端子として機能する部位に接合材を
配設した後に接合工程を実施することにより、半導体装
置を積層した後に接合部材を配設する構成に比べて接合
材の配設処理及び接合処理を容易に行なうことができ
る。
半導体装置で発生する熱は接着部材を介して実装基板に
逃げるため、複数個の半導体装置が積層された半導体装
置ユニットであっても、放熱効率を向上させることがで
きる。また、請求項１６記載の発明によれば、個々の半
導体装置の外部接続端子として機能する部位に接合材を
配設した後に接合工程を実施することにより、半導体装
置を積層した後に接合部材を配設する構成に比べて接合
材の配設処理及び接合処理を容易に行なうことができ
る。
【０１８９】また、請求項１７記載の発明によれば、複
数の半導体装置装置に対し一括的に半田を配設すること
が可能となり、よって接合材配設工程の効率化を図るこ
とができる。また、請求項１８記載の発明によれば、積
層工程において複数の半導体装置を積層した際、接着部
材により各半導体装置は仮止めされているため、取扱を
容易とするとができる。
数の半導体装置装置に対し一括的に半田を配設すること
が可能となり、よって接合材配設工程の効率化を図るこ
とができる。また、請求項１８記載の発明によれば、積
層工程において複数の半導体装置を積層した際、接着部
材により各半導体装置は仮止めされているため、取扱を
容易とするとができる。
【０１９０】また、接着部材は放熱性を有しているた
め、半導体装置ユニットが形成された後において、各半
導体装置で発生した熱は接着部材を介して実装基板に放
熱されるため、半導体装置ユニットの放熱効率の向上を
図ることができる。また、請求項１９記載の発明によれ
ば、半導体装置の高密度化によりリードピッチが狭ピッ
チ化しても、帯状半田の幅寸法はリード幅よりも狭いた
め確実にリードに帯状半田を配設することができ、また
隣接する帯状半田間でブリッジが発生することを防止す
ることができる。
め、半導体装置ユニットが形成された後において、各半
導体装置で発生した熱は接着部材を介して実装基板に放
熱されるため、半導体装置ユニットの放熱効率の向上を
図ることができる。また、請求項１９記載の発明によれ
ば、半導体装置の高密度化によりリードピッチが狭ピッ
チ化しても、帯状半田の幅寸法はリード幅よりも狭いた
め確実にリードに帯状半田を配設することができ、また
隣接する帯状半田間でブリッジが発生することを防止す
ることができる。
【０１９１】また、請求項２０及び請求項２４記載の発
明によれば、例えば接合材として球状接合材（例えば、
半田ボール等）の様な転動し易いものを用いた場合で
も、接合工程実施前に接合材が半導体装置から離脱する
ことを防止することができる。また、この接合材溜まり
部の大きさを調整することにより、接合材の全体量を容
易に制御することが可能となる。
明によれば、例えば接合材として球状接合材（例えば、
半田ボール等）の様な転動し易いものを用いた場合で
も、接合工程実施前に接合材が半導体装置から離脱する
ことを防止することができる。また、この接合材溜まり
部の大きさを調整することにより、接合材の全体量を容
易に制御することが可能となる。
【０１９２】また、請求項２１記載の発明によれば、単
に半導体装置を導電性接着部材を介して積層するのみ
で、積層された各半導体装置間の電気的導通を図ること
ができ、よって半導体装置ユニットの製造工程の容易化
及び効率化を図ることが可能となる。また、請求項２２
記載の発明によれば、加熱時に積層された各半導体装置
にずれが発生することを防止でき、信頼性の高い半導体
装置ユニットを製造することができる。
に半導体装置を導電性接着部材を介して積層するのみ
で、積層された各半導体装置間の電気的導通を図ること
ができ、よって半導体装置ユニットの製造工程の容易化
及び効率化を図ることが可能となる。また、請求項２２
記載の発明によれば、加熱時に積層された各半導体装置
にずれが発生することを防止でき、信頼性の高い半導体
装置ユニットを製造することができる。
【０１９３】更に、請求項２３記載の発明によれば、製
造される半導体装置ユニット単位で位置決めする必要が
なくなるため、積層工程の効率化を図ることができる。
造される半導体装置ユニット単位で位置決めする必要が
なくなるため、積層工程の効率化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例である半導体装置の斜視図
である。
である。
【図２】本発明の第１実施例である半導体装置の断面図
である。
である。
【図３】本発明の第１実施例である半導体装置の断面図
であり、アウターリード部と溝部との高さ関係を説明す
るための図である。
であり、アウターリード部と溝部との高さ関係を説明す
るための図である。
【図４】本発明の第２実施例である半導体装置の断面図
である。
である。
【図５】本発明の第３実施例である半導体装置の断面図
である。
である。
【図６】本発明の第４実施例である半導体装置の断面図
である。
である。
【図７】本発明の第１実施例である半導体装置ユニット
の断面図である。
の断面図である。
【図８】本発明の第２実施例である半導体装置ユニット
の断面図である。
の断面図である。
【図９】本発明の第１実施例である半導体装置ユニット
の製造方法を説明するためのフローチャートである。
の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図１０】本発明の第１実施例である半導体装置ユニッ
トの製造方法を説明するための図である。
トの製造方法を説明するための図である。
【図１１】本発明の第１実施例である半導体装置ユニッ
トの製造方法の変形例を説明するための図である。
トの製造方法の変形例を説明するための図である。
【図１２】本発明の第５実施例である半導体装置の斜視
図である。
図である。
【図１３】本発明の第５実施例である半導体装置の断面
図である。
図である。
【図１４】本発明の第５実施例である半導体装置の断面
図であり、アウターリード部と溝部との高さ関係を説明
するための図である。
図であり、アウターリード部と溝部との高さ関係を説明
するための図である。
【図１５】本発明の第６実施例である半導体装置の断面
図である。
図である。
【図１６】本発明の第３実施例である半導体装置ユニッ
トの断面図である。
トの断面図である。
【図１７】本発明の第７実施例である半導体装置の断面
図である。
図である。
【図１８】本発明の第７実施例である半導体装置の製造
方法を説明するための図である。
方法を説明するための図である。
【図１９】本発明の第８実施例である半導体装置の断面
図である。
図である。
【図２０】本発明の第９実施例である半導体装置の断面
図である。
図である。
【図２１】本発明の第１０実施例である半導体装置の斜
視図である。
視図である。
【図２２】本発明の第１１実施例である半導体装置の断
面図である。
面図である。
【図２３】本発明の第４実施例である半導体装置ユニッ
トの断面図である。
トの断面図である。
【図２４】本発明の第１１実施例である半導体装置の断
面図である。
面図である。
【図２５】本発明の第５実施例である半導体装置ユニッ
トの断面図である。
トの断面図である。
【図２６】本発明の第１２実施例である半導体装置の断
面図である。
面図である。
【図２７】本発明の第１２実施例である半導体装置の底
面図である。
面図である。
【図２８】本発明の第２実施例である半導体装置ユニッ
トの製造方法を説明するための図である。
トの製造方法を説明するための図である。
【図２９】本発明の第１３実施例である半導体装置の断
面図である。
面図である。
【図３０】本発明の第１３実施例である半導体装置の底
面図である。
面図である。
【図３１】本発明の第３実施例である半導体装置ユニッ
トの製造方法を説明するための図である。
トの製造方法を説明するための図である。
【図３２】本発明の第１４実施例である半導体装置の底
面図である。
面図である。
【図３３】本発明の第６実施例である半導体装置ユニッ
トの断面図である。
トの断面図である。
【図３４】本発明の第４実施例である半導体装置ユニッ
トの製造方法を説明するための図である（その１）。
トの製造方法を説明するための図である（その１）。
【図３５】本発明の第３実施例である半導体装置ユニッ
トの製造方法を説明するための図である（その２）。
トの製造方法を説明するための図である（その２）。
【図３６】従来の半導体装置の一例を説明するための図
である（その１）。
である（その１）。
【図３７】従来の半導体装置の一例を説明するための図
である（その２）。
である（その２）。
【図３８】従来の半導体装置の一例を説明するための図
である（その３）。
である（その３）。
【図３９】従来の半導体装置の一例を説明するための図
である（その４）。
である（その４）。
【図４０】従来の半導体装置の一例を説明するための図
である（その５）。
である（その５）。
２０Ａ〜２０Ｐ 半導体装置 ２１ 半導体チップ ２４，４８ リード ２４ａ，４８ａ インナーリード部 ２４ｂ，４８ｂ アウターリード部 ２４ｂ-1，４８ｂ-1 第１の端子部 ２４ｂ-2，４８ｂ-2 第２の端子部 ２４ｂ-3 第３の端子部 ２５ ワイヤ ２７Ａ〜２７Ｉ 樹脂パッケージ ２７ａ 底面 ２７ｂ 上面 ２７ｃ 側面 ２８Ａ，２８Ｂ 上面溝部 ２９ 側面溝部 ３０，３１ 接着剤 ３１Ａ テープ状接着剤 ３２，４７ 半田 ３３ 半田槽 ３４ トレー ３５ 半田ペースト ３６ 印刷マスク ３７Ａ〜３７Ｃ 係合部材 ３８Ａ〜３８Ｃ 係合凹部 ４０ 金型 ４４ 突起部 ４５ 実装基板 ４６Ａ，４６Ｂ 放熱板 ５０Ａ〜５０Ｆ 半導体装置ユニット ６０ 帯状半田 ６０ａ 延出部 ６１ 半田溜まり部 ６２ 半田ボール ６３ 導電性接着テープ ６４ 高温硬化接着剤 ６５ リードフレーム ６６ クレドール ６７ 位置決め孔 ６８ サポートバー ６９ 位置決めポール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 織茂 政一 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 水戸部 一彦 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 関 正明 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 脇 政樹 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 浜野 寿夫 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 林田 勝大 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 井上 広司 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内
Claims (24)
- 【請求項１】 半導体素子が封止される樹脂パッケージ
と、 前記半導体素子に接続されるインナーリード部と、前記
樹脂パッケージの外部に位置し外部接続端子として機能
するアウターリード部とを有するリードとを具備し、 前記アウターリード部を前記樹脂パッケージの外形に沿
って折曲することにより前記樹脂パッケージの側面また
は上面に引き出した構成とされた半導体装置において、 前記リード或いは前記樹脂パッケージの少なくとも一方
に、前記アウターリード部の一部と係合することによ
り、前記アウターリード部の位置決めを行なう位置決め
機構を設けたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置において、 前記位置決め機構を、 前記樹脂パッケージに形成され、前記アウターリード部
の一部が係合される溝部により構成したことを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項３】 請求項２記載の半導体装置において、 前記アウターリード部の一部が前記溝部に係合された
際、前記アウターリード部の一部が前記樹脂パッケージ
の表面から突出するよう構成したことを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項４】 請求項２または請求項３記載の半導体装
置において、 前記溝部が、前記樹脂パッケージの上面にのみ形成され
ていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項５】 請求項２または請求項３記載の半導体装
置において、 前記溝部が、前記樹脂パッケージの側面に形成されてい
ることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項６】 請求項２乃至請求項４のいずれかに記載
の半導体装置において、 前記アウターリード部の前記樹脂パッケージの上面に位
置する部分が、水平方向に延在することを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項７】 請求項２乃至請求項４のいずれかに記載
の半導体装置において、 前記アウターリード部の前記樹脂パッケージの上面に位
置する部分が、斜め方向に延在することを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項８】 請求項２乃至請求項７のいずれかに記載
の半導体装置において、 前記アウターリード部と前記溝部との対向する部分の一
部に、前記アウターリード部を前記溝部に固定する接着
剤を設けたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項９】 請求項１記載の半導体装置において、 前記位置決め機構を、 前記アウターリード部の一部に形成された第１の係合部
と、 前記樹脂パッケージに形成され、前記第１の係合部と係
合することにより前記アウターリード部の位置決めを行
なう第２の係合部とにより構成したことを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項１０】 請求項９記載の半導体装置において、 前記第１の係合部は樹脂部材であり、前記第２の係合部
は前記樹脂パッケージに形成された凹部であることを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項１１】 請求項１０記載の半導体装置におい
て、 前記樹脂部材を前記樹脂パッケージと同一材料により形
成したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項１２】 半導体素子が封止される樹脂パッケー
ジと、 前記半導体素子に接続されるインナーリード部と、前記
樹脂パッケージの外部に位置し外部接続端子として機能
するアウターリード部とを有するリードとを具備し、 前記アウターリード部を前記樹脂パッケージの外形に沿
って折曲することにより前記樹脂パッケージの上面に引
き出した構成とされた半導体装置において、 前記樹脂パッケージの四隅位置に、前記樹脂パッケージ
の表面より高く、かつ前記アウターリード部の厚さより
も低い突起部を形成したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項１３】 請求項１乃至請求項１２のいずれかに
記載の半導体装置を複数個上下方向に積層した構造を有
し、 上記複数個積層した状態において、上部の前記半導体装
置の底面に位置するアウターリード部と、下部に配設さ
れた前記半導体装置の上面に位置するアウターリード部
とが電気的に接続される構成としたことを特徴とする半
導体装置ユニット。 - 【請求項１４】 請求項１３記載の半導体装置ユニット
において、 前記複数個積層された各半導体装置の、前記樹脂パッケ
ージの側面と対向する位置における前記アウターリード
部を外部接続端子として実装基板に接合する構成とした
ことを特徴とする半導体装置ユニット。 - 【請求項１５】 請求項１３または請求項１４記載の半
導体装置ユニットにおいて、 前記積層される隣接する半導体装置間に、放熱機能を有
した接着部材を配設したことを特徴とする半導体装置ユ
ニット。 - 【請求項１６】 請求項１乃至請求項１２のいずれかに
記載の半導体装置を複数個上下方向に積層した構造を有
した半導体装置ユニットの製造方法であって、 前記半導体装置の外部接続端子として機能する部位に接
合材を配設する接合材配設工程と、 前記接合材が配設された前記半導体装置を複数個積層す
る積層工程と、 前記積層された複数の半導体装置に熱処理を実施するこ
とにより、前記接合材により隣接する前記各半導体装置
同志を電気的及び機械的に接合する接合工程とを具備す
ることを特徴とする半導体装置ユニットの製造方法。 - 【請求項１７】 請求項１６記載の半導体装置ユニット
の製造方法において、 前記接合材配設工程で、前記接合材として半田を用いる
と共に、半田ディプまたは半田ペースト印刷を用いて前
記接合材を配設することを特徴とする半導体装置ユニッ
トの製造方法。 - 【請求項１８】 請求項１６または請求項１７記載の半
導体装置ユニットの製造方法において、 前記接合材配設工程の実施後でかつ前記積層工程の実施
前に、隣接する前記半導体装置を仮止めすると共に放熱
性を有する接着部材を配設する接着部材配設工程を行な
うことを特徴とする半導体装置ユニットの製造方法。 - 【請求項１９】 請求項１６または請求項１８記載の半
導体装置ユニットの製造方法において、 前記接合材配設工程で、前記接合材として前記リードの
リード幅よりも小さい幅寸法を有し、かつ前記リードか
ら前記樹脂パッケージまで延在する帯状半田を用いたこ
とを特徴とする半導体装置ユニットの製造方法。 - 【請求項２０】 請求項１６または請求項１８または請
求項１９記載の半導体装置ユニットの製造方法におい
て、 前記接合材配設工程を実施する前に、前記半導体装置の
接合材配設位置近傍に凹状とされた接合材溜まり部を形
成する接合材溜まり部形成工程を行うことを特徴とする
半導体装置ユニットの製造方法。 - 【請求項２１】 請求項１６記載の半導体装置ユニット
の製造方法において、 前記接合材配設工程で、前記接合材として導電性及び接
着性を共に有する導電性接着部材を用いたことを特徴と
する半導体装置ユニットの製造方法。 - 【請求項２２】 請求項１８記載の半導体装置ユニット
の製造方法において、 前記接着部材として、硬化温度が前記接合材の融点より
も高い高温硬化接着剤を用いたことを特徴とする半導体
装置ユニットの製造方法。 - 【請求項２３】 請求項１６乃至請求項２２のいずれか
に記載の半導体装置ユニットの製造方法において、 前記半導体装置の外部接続端子として機能する部位に接
合材を配設する接合材配設工程と、 前記接合材が配設され、かつリードフレームに接続され
た状態の前記半導体装置を該リードフレームを位置基準
として複数個積層する積層工程と、 前記積層された複数の半導体装置に熱処理を実施するこ
とにより、前記接合材により隣接する前記各半導体装置
同志を電気的及び機械的に接合する接合工程と、 前記リードフレームを除去する除去工程とを具備するこ
とを特徴とする半導体装置ユニットの製造方法。 - 【請求項２４】 請求項１記載の半導体装置において、 前記樹脂パッケージの前記リードが被接続部材と接合さ
れる接合位置或いはその近傍位置に、凹状とされた接合
材溜まり部を設けたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10069041A JPH1187601A (ja) | 1997-07-08 | 1998-03-18 | 半導体装置及び半導体装置ユニット及び半導体装置ユニットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18282797 | 1997-07-08 | ||
| JP9-182827 | 1997-07-08 | ||
| JP10069041A JPH1187601A (ja) | 1997-07-08 | 1998-03-18 | 半導体装置及び半導体装置ユニット及び半導体装置ユニットの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1187601A true JPH1187601A (ja) | 1999-03-30 |
Family
ID=26410220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10069041A Pending JPH1187601A (ja) | 1997-07-08 | 1998-03-18 | 半導体装置及び半導体装置ユニット及び半導体装置ユニットの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1187601A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006287131A (ja) * | 2005-04-04 | 2006-10-19 | Sony Corp | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
| KR100677404B1 (ko) | 2004-11-30 | 2007-02-02 | 엘지전자 주식회사 | 접합형 회로소자를 구비한 이동통신 단말기 |
| JP2010534936A (ja) * | 2007-07-24 | 2010-11-11 | マイクロン テクノロジー， インク． | 積層型ダイパッケージ用の金属リードを含む、金属リードを有するマイクロ電子ダイパッケージ、ならび関連するシステムおよび方法 |
-
1998
- 1998-03-18 JP JP10069041A patent/JPH1187601A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100677404B1 (ko) | 2004-11-30 | 2007-02-02 | 엘지전자 주식회사 | 접합형 회로소자를 구비한 이동통신 단말기 |
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| US8198720B2 (en) | 2007-07-24 | 2012-06-12 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic die packages with metal leads, including metal leads for stacked die packages, and associated systems and methods |
| KR101199224B1 (ko) * | 2007-07-24 | 2012-11-07 | 마이크론 테크놀로지, 인크 | 스택드 다이 패키지용 금속 리드를 포함하는 금속 리드를 가진 마이크로전자 다이 패키지, 관련 시스템 및 방법 |
| US8906744B2 (en) | 2007-07-24 | 2014-12-09 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic die packages with metal leads, including metal leads for stacked die packages, and associated systems and methods |
| US9165910B2 (en) | 2007-07-24 | 2015-10-20 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic die packages with metal leads, including metal leads for stacked die packages, and associated systems and methods |
| US9653444B2 (en) | 2007-07-24 | 2017-05-16 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic die packages with metal leads, including metal leads for stacked die packages, and associated systems and methods |
| US10056359B2 (en) | 2007-07-24 | 2018-08-21 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic die packages with metal leads, including metal leads for stacked die packages, and associated systems and methods |
| US10396059B2 (en) | 2007-07-24 | 2019-08-27 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic die packages with metal leads, including metal leads for stacked die packages, and associated systems and methods |
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