JPS6222551B2 - - Google Patents
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- JPS6222551B2 JPS6222551B2 JP9171680A JP9171680A JPS6222551B2 JP S6222551 B2 JPS6222551 B2 JP S6222551B2 JP 9171680 A JP9171680 A JP 9171680A JP 9171680 A JP9171680 A JP 9171680A JP S6222551 B2 JPS6222551 B2 JP S6222551B2
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- JP
- Japan
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- light
- conductor
- emitting element
- receiving element
- element chip
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- Expired
Links
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 7
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
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- Power Engineering (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は光検知半導体装置の製造方法に関す
る。
る。
従来光検知半導体装置の一例としてフオトイン
タラプタがある。これは発光素子と受光素子とを
対向させて配置し、発光素子の発光が受光素子に
至る導中にこの光を遮断ないし透過を任意に行な
う装置を設けて光信号を電気信号に変換し伝達さ
せる光検知半導体装置で一般にフオトインタラプ
タと称せられ、第１図に組立工程の一部を斜視図
で、また第２図に製品の断面図を示す。図におい
て１は不透光材で形成された外囲器で、発光素子
２と受光素子３とを対向させて収納するとともに
対向面に窓１ａ，１ｂを備えて発光素子の発光を
受光素子に導入させる。また、２ａ，２ｂ，３
ａ，３ｂはそれぞれが発光素子２と受光素子３の
電極導出リード、４，４′はフオトインタラプタ
の取付孔である。そして、窓によつて対向した発
光素子と受光素子との窓間における被検知物の検
知用空間５に、開孔のある円板を回転させて回転
数を制御したり、部材の存在を認知したりするこ
とができる。さらに最近では例えば半導体工業で
オートボンダ、オートマウンタ等において部材の
位置検出や、機械の自動制御等に非常に多く用い
られている。次にインタラプタでは次の事が要求
される。
タラプタがある。これは発光素子と受光素子とを
対向させて配置し、発光素子の発光が受光素子に
至る導中にこの光を遮断ないし透過を任意に行な
う装置を設けて光信号を電気信号に変換し伝達さ
せる光検知半導体装置で一般にフオトインタラプ
タと称せられ、第１図に組立工程の一部を斜視図
で、また第２図に製品の断面図を示す。図におい
て１は不透光材で形成された外囲器で、発光素子
２と受光素子３とを対向させて収納するとともに
対向面に窓１ａ，１ｂを備えて発光素子の発光を
受光素子に導入させる。また、２ａ，２ｂ，３
ａ，３ｂはそれぞれが発光素子２と受光素子３の
電極導出リード、４，４′はフオトインタラプタ
の取付孔である。そして、窓によつて対向した発
光素子と受光素子との窓間における被検知物の検
知用空間５に、開孔のある円板を回転させて回転
数を制御したり、部材の存在を認知したりするこ
とができる。さらに最近では例えば半導体工業で
オートボンダ、オートマウンタ等において部材の
位置検出や、機械の自動制御等に非常に多く用い
られている。次にインタラプタでは次の事が要求
される。
(a) 誤動作の原因となるので外光の影響をうけに
くいこと。
くいこと。
(b) Ｓ／Ｎを悪くする埃や塵の影響をうけにくい
こと。
こと。
(c) 機械的な振動に強いこと。
そして上記各項に対する対策として次のように
している。すなわち、 (a) 外囲器を遮光性のもので形成し、受光部に窓
を設けて発光素子の発光のみを受けるようにし
ている。
している。すなわち、 (a) 外囲器を遮光性のもので形成し、受光部に窓
を設けて発光素子の発光のみを受けるようにし
ている。
(b) 発光素子と受光素子の外形を第３図に断面図
によつて示すように外囲器（１、図ではこの一
部が示されている）の窓１ａまたは１ｂに嵌ま
るような突部２ｃまたは３ｃを有するように改
良し、取付後の窓の凹みをなくする。これは各
素子の樹脂封止の型を改造することで達成され
る。
によつて示すように外囲器（１、図ではこの一
部が示されている）の窓１ａまたは１ｂに嵌ま
るような突部２ｃまたは３ｃを有するように改
良し、取付後の窓の凹みをなくする。これは各
素子の樹脂封止の型を改造することで達成され
る。
(c) 各素子を外囲器にエポキシ樹脂、シリコーン
樹脂等で固着させ、あるいは外囲器で機械的に
抑えるようにする。
樹脂等で固着させ、あるいは外囲器で機械的に
抑えるようにする。
上に述べたように、従来の製造方法は各素子を
個別に封止したのち、外囲器に装入し固着させる
もので、工程が長くなり形状も小さくできなかつ
た。また、個々の部品も多くなり廉価にできない
等の欠点があつた。
個別に封止したのち、外囲器に装入し固着させる
もので、工程が長くなり形状も小さくできなかつ
た。また、個々の部品も多くなり廉価にできない
等の欠点があつた。
この発明は上に述べた従来の欠点を改良するた
めの製造方法を提供するものである。
めの製造方法を提供するものである。
この発明の光検知半導体装置の製造方法は、発
光素子チツプと受光素子チツプを対向させて取着
したリードフレームを用意し、前記両素子チツプ
を個々に透明樹脂にて被覆するとともに、これら
夫々の被覆部の対向面の所定の一部分のみにこれ
らの被覆部を連結する光の伝導体を形成したの
ち、前記光の伝導体を遮光体で被覆形成し、その
後、遮光体の上面中央付近より切込みを入れ、か
つこの切込みを伝導体よりも深く形成しこの伝導
体よりも広い被検知物の検知用空間を形成するこ
とを特徴とする。
光素子チツプと受光素子チツプを対向させて取着
したリードフレームを用意し、前記両素子チツプ
を個々に透明樹脂にて被覆するとともに、これら
夫々の被覆部の対向面の所定の一部分のみにこれ
らの被覆部を連結する光の伝導体を形成したの
ち、前記光の伝導体を遮光体で被覆形成し、その
後、遮光体の上面中央付近より切込みを入れ、か
つこの切込みを伝導体よりも深く形成しこの伝導
体よりも広い被検知物の検知用空間を形成するこ
とを特徴とする。
次にこの発明を１実施例のフオトインタラプタ
につき図面を参照して詳細に説明する。まず１つ
のリードフレーム１１に発光素子チツプ１２、受
光素子チツプ１３をそれぞれマウント、ボンデイ
ングを施し（第４図）、前記両素子チツプの間を
たとえばエポキシのような透明樹脂体で第１次モ
ールドを施して光の伝導帯１４を形成する（第５
図）。なお、図における１４ａ，１４a′はいずれ
も光の反射面である。次に前記光の伝導帯を黒色
のエポキシ樹脂体１５で被覆する第２次モールド
を施し、モールド樹脂による２重構造の外囲器を
形成する（第６図）。なお、上記第２次モールド
の際、次に施される光の伝導帯切断における「逃
げ」１５ａを黒色のエポキシ樹脂に設けておく。
そして、この「逃げ」はフオトインタラプタの取
付孔を兼ねるものである。次いで光の伝導帯であ
る透明樹脂体を光の進行方向と垂直方向に切断を
施す（第７図）。第７図における２０はたとえば
ブレードソーで、切断を施して第８図に示すよう
に透明樹脂体に所定間隙の対向面２１，２１を形
成する。この対向面間は被検知物の検知用空間１
６になる。また、上記切断にはブレードソーに限
らず、ワイヤーソーでもよいことはいうまでもな
い。第８図は上記光の伝導体の切断を例えば「逃
げ」まで施して達成し、さらにリードフレームの
橋絡部切除等も施して形成されたフオトインタラ
プタを断面図で示すものである。
につき図面を参照して詳細に説明する。まず１つ
のリードフレーム１１に発光素子チツプ１２、受
光素子チツプ１３をそれぞれマウント、ボンデイ
ングを施し（第４図）、前記両素子チツプの間を
たとえばエポキシのような透明樹脂体で第１次モ
ールドを施して光の伝導帯１４を形成する（第５
図）。なお、図における１４ａ，１４a′はいずれ
も光の反射面である。次に前記光の伝導帯を黒色
のエポキシ樹脂体１５で被覆する第２次モールド
を施し、モールド樹脂による２重構造の外囲器を
形成する（第６図）。なお、上記第２次モールド
の際、次に施される光の伝導帯切断における「逃
げ」１５ａを黒色のエポキシ樹脂に設けておく。
そして、この「逃げ」はフオトインタラプタの取
付孔を兼ねるものである。次いで光の伝導帯であ
る透明樹脂体を光の進行方向と垂直方向に切断を
施す（第７図）。第７図における２０はたとえば
ブレードソーで、切断を施して第８図に示すよう
に透明樹脂体に所定間隙の対向面２１，２１を形
成する。この対向面間は被検知物の検知用空間１
６になる。また、上記切断にはブレードソーに限
らず、ワイヤーソーでもよいことはいうまでもな
い。第８図は上記光の伝導体の切断を例えば「逃
げ」まで施して達成し、さらにリードフレームの
橋絡部切除等も施して形成されたフオトインタラ
プタを断面図で示すものである。
この発明の方法によれば発光素子チツプ、受光
素子チツプとも個個に外囲器封止を施す必要がな
いので工程が短かく、部品も少なくできる。さら
に小形化できるため例えばフオトインタラプタに
ついて廉価に製造できるなど多くの利点がある。
素子チツプとも個個に外囲器封止を施す必要がな
いので工程が短かく、部品も少なくできる。さら
に小形化できるため例えばフオトインタラプタに
ついて廉価に製造できるなど多くの利点がある。
なお、この発明は光の伝導帯の切断を省けばフ
オトカプラが得られる。
オトカプラが得られる。
第１図は従来のフオトインタラプタの製造工程
の一部を示す斜視図、第２図は従来のフオトイン
タラプタの断面図、第３図は従来のフオトインタ
ラプタの一部を示す断面図、第４図ないし第８図
はこの発明の１実施例のフオトインタラプタの製
造を工程順に示すいずれも断面図である。 １１…リードフレーム、１２…発光素子チツ
プ、１３…受光素子チツプ、１４…光の伝導帯、
１４ａ，１４a′…光の伝導帯における光の反射
面、１５…黒色（遮光性）のエポキシ樹脂、１５
ａ…逃げ、１６…被検知物の検知用空間。
の一部を示す斜視図、第２図は従来のフオトイン
タラプタの断面図、第３図は従来のフオトインタ
ラプタの一部を示す断面図、第４図ないし第８図
はこの発明の１実施例のフオトインタラプタの製
造を工程順に示すいずれも断面図である。 １１…リードフレーム、１２…発光素子チツ
プ、１３…受光素子チツプ、１４…光の伝導帯、
１４ａ，１４a′…光の伝導帯における光の反射
面、１５…黒色（遮光性）のエポキシ樹脂、１５
ａ…逃げ、１６…被検知物の検知用空間。
Claims (1)
- １ 発光素子チツプと受光素子チツプを対向させ
て取着したリードフレームを用意し、前記両素子
チツプを個々に透明樹脂にて被覆するとともに、
これら夫々の被覆部の対向面の所定の一部分のみ
にこれらの被覆部を連結する光の伝導体を形成し
たのち、前記光の伝導体を遮光体で被覆形成し、
その後、遮光体の上面中央付近より切込みを入
れ、かつこの切込みを伝導体よりも深く形成しこ
の伝導体よりも広い被検知物の検知用空間を形成
することを特徴とする光検知半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9171680A JPS5717187A (en) | 1980-07-07 | 1980-07-07 | Manufacture of semiconductor device for detecting light |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9171680A JPS5717187A (en) | 1980-07-07 | 1980-07-07 | Manufacture of semiconductor device for detecting light |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5717187A JPS5717187A (en) | 1982-01-28 |
| JPS6222551B2 true JPS6222551B2 (ja) | 1987-05-19 |
Family
ID=14034228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9171680A Granted JPS5717187A (en) | 1980-07-07 | 1980-07-07 | Manufacture of semiconductor device for detecting light |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5717187A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59195882A (ja) * | 1983-04-20 | 1984-11-07 | Nec Corp | インタラプタ |
| JPS6193682A (ja) * | 1984-10-15 | 1986-05-12 | Sharp Corp | ホトインタラプタの製造法 |
| JP3339332B2 (ja) * | 1996-11-06 | 2002-10-28 | 三菱電機株式会社 | アキュムレータ、冷凍サイクル装置 |
| JP2004006753A (ja) * | 2002-04-05 | 2004-01-08 | Canon Inc | 光半導体用パッケージ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4969095A (ja) * | 1972-11-08 | 1974-07-04 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS578203Y2 (ja) * | 1975-12-29 | 1982-02-17 |
-
1980
- 1980-07-07 JP JP9171680A patent/JPS5717187A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4969095A (ja) * | 1972-11-08 | 1974-07-04 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5717187A (en) | 1982-01-28 |
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