JP2001060647A - リードフレーム - Google Patents

リードフレーム

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JP2001060647A
JP2001060647A JP11235177A JP23517799A JP2001060647A JP 2001060647 A JP2001060647 A JP 2001060647A JP 11235177 A JP11235177 A JP 11235177A JP 23517799 A JP23517799 A JP 23517799A JP 2001060647 A JP2001060647 A JP 2001060647A
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JP
Japan
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lead frame
mount
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circuit board
lead
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JP11235177A
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Inventor
Yasuki Yoshida
泰樹 吉田
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Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
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Publication date
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    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
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    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055Insulated gate bipolar transistor [IGBT]

Abstract

(57)【要約】 【課題】リードフレームの寸法精度向上,後処理工程の
削減に併せて、デバイス製品の薄形化が図れるようにリ
ードフレームの構造を改良する。 【解決手段】フープ材をプレス加工して形成した半導体
デバイス組立用のリードフレームであり、リードフレー
ム1に半導体チップ2のマウント部1a,制御回路基板
3のマウント部1c,および外部リード部1bをパター
ン形成したものにおいて、前記マウント部1cを凹部と
なして半導体チップのマウント部,および外部リード部
との間に段差を形成し、外部リード部はリード曲げ加工
を行わずにそのままワイヤ4をボンディングする。な
お、リードフレーム材料のフープ材は、加工時にマウン
ト部1a,1b,1cに対応する各領域のフレーム厚さ
を、t1 >t3 >t2 の関係に設定してフープ材を圧延
成形する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、IPS(インテリ
ジエントパワースイッチ)などを対象とするTO外形の
樹脂封止形半導体デバイスに適用するデバイス組立用の
リードフレームに関する。
【0002】
【従来の技術】頭記したIPSを例に、従来における半
導体デバイス(TO−3Pフルモールドパッケージタイ
プ)の組立構造を図3に、また該半導体デバイスに用い
るリードフレームを図4に示す。
【0003】まず、図3(a),(b) において、1はリード
フレーム、2は半導体チップ(IGBTなどの半導体ス
イッチング素子)、3は制御回路基板、3aは基板3の
ボンディングパッド、4はボンディングワイヤ、5はモ
ールドパッケージである。
【0004】また、前記リードフレーム1には、半導体
チップ2と制御回路基板3を搭載するマウント部1a、
およびマウント部1aから側方に引出した外部リード部
1bがパターン形成されており、かかるリードフレーム
は図4(a),(b) で示すようにリードフレームのフープ材
6からプレス加工して形成される。なお、図中で6aは
フープ材6の送りピッチ穴である。
【0005】ここで、フープ材6を圧延成形する際に
は、チップマウント部1aのフレーム厚みをt1,外部リ
ード部1bの厚みをt2 に設定しておき、リードフレー
ム1をプレス加工した後に、外部リード部1bの基部に
曲げ加工を施して図3(a) のように上方に起こし、制御
回路基板3との間でワイヤ4をボンディングする際のル
ープ高さをできるだけ低めに抑え、モールドパッケージ
の成形工程でのトラブルを避けるようにしている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記した従
来構造のリードフレームでは、製作面で次記のような問
題点がある。すなわち、 (1) 外部リード部1bに対する曲げ加工のためにタイバ
ーカットなどを含めた後処理工程が増えるほか、曲げ加
工部の寸法精度を確保することが難しい。 (2) 外部リード部1bを曲げ起こす結果、半導体デバイ
ス全体の厚さが増して製品の薄形化が困難である。
【0007】本発明は上記の点に鑑みなされたものであ
り、その目的は前記課題を解決し、リードフレームの寸
法精度向上,後処理工程の削減に併せて、デバイス製品
の薄形化が図れるように構造を改良したリードフレーム
を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によれば、フープ材をプレス加工して形成し
た半導体デバイス組立用のリードフレームであり、フレ
ームに半導体チップのマウント部,制御回路基板のマウ
ント部,および外部リード部をパターン形成したものに
おいて、制御回路基板のマウント部領域を凹部となして
半導体チップのマウント部,および外部リード部との間
に段差を形成する(請求項1)ものとし、具体的には次
記のような態様で構成する。
【0009】(1) フープ材の状態で半導体チップのマウ
ント部,制御回路基板のマウント部,および外部リード
部に対応するそれぞれのフレーム厚さを、半導体チップ
マウント部>制御回路基板マウント部>外部リード部に
設定する(請求項2)。 (2) 制御回路基板のマウント部に相応する凹部をフープ
材の状態で圧延成形する(請求項3)。
【0010】上記のようにリードフレームのフープ材を
加工する際に、制御回路基板のマウント部に相応する凹
部を圧延形成しておき、このフープ材からプレスしたリ
ードフレームに対し、前記の凹部に制御回路基板を嵌入
してマウントすることにより、外部リード部の上面と制
御回路基板のボンディングパッドとが略同じ面に並ぶよ
うになる。したがって外部リード部の曲げ加工が必要な
く、その分だけ後処理工程が少なくなるほか、高い寸法
精度も確保できる。また、外部リード部を曲げ起こさな
いので、半導体デバイスの製品薄形化が可能となる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図
1,図2に基づいて説明する。なお、図示実施例の図中
で、図3,図4に対応する同一部材には同じ符号を付し
てその説明は省略する。
【0012】すなわち、図示実施例においては、リード
フレーム材料であるフープ材6について、フープ材6を
加工する際に図2(a) で表すようにフープ材を幅方向で
6A,6B,6Cの三つの領域に分けた上で、各領域を
図2(b) で表すような断面形状に圧延形成する。ここ
で、前記領域6A,6B,6Cはそれぞれリードフレー
ム1の外部リード部1b,制御回路基板3のマウント部
1c,半導体チップ2のマウント部1aに対応し、かつ
領域6Aと6Cの上面は同一面に並び、領域6Bが一段
引っ込んで領域6A,6Cとの間に段差が形成されてお
り、さらに各領域のフレーム厚さはそれぞれt2 <t3
<t1 に設定されている。
【0013】そして、前記のフープ材6からリードフレ
ーム1をプレス加工した後、図1(a),(b) で示すように
半導体チップ2,制御回路基板3をそれぞれマウント部
1a,凹状のマウント部1cに実装し、さらに制御回路
基板3のボンディングパッド3aと半導体チップ2,お
よび外部リード部1bとの間をワイヤ4でボンディング
する。この場合に、制御回路基板3は外部リード部1b
より一段低い凹部に実装されているので、制御回路基板
3のボンディングパッド3aと外部リード部1b(外部
リード部はプレス加工のままで従来のようなリード曲げ
加工を行わない),および半導体チップ2とは略同じ高
さに並ぶことになり、これによりボンディングワイヤ4
のループ高さを低く抑えてワイヤボンディングが行え
る。
【0014】続くパッケージのモールド工程では、トラ
ンスファーモールドなどによりモールドパッケージ5を
成形し、さらにタイバーカットを施してフープ材6から
切り離し、半導体デバイス製品が完成する。このデバイ
ス製品は、図3の従来製品と比べて外部リード部を曲げ
起こしがない分だけ薄形構成が可能となる。
【0015】
【発明の効果】以上述べたように、本発明のリードフレ
ームによれば、制御回路基板のマウント部領域を凹部と
なして半導体チップのマウント部,および外部リード部
との間に段差を形成したことにより、リードフレームの
後処理工程として外部リード部の曲げ加工が必要なくな
り、これによりリードフレームの寸法精度,後処理工程
の作業性改善と併せて、製品の薄型化が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例による半導体デバイスの構成図
であり、(a) は側視断面図、(b) は平面図
【図2】図1のリードフレームをパターン形成したフー
プ材を示し、(a) は平面図、(b) は断面図
【図3】本発明の実施対象となる半導体デバイスの従来
例の構成図であり、(a) は側視断面図、(b) は平面図
【図4】図3のリードフレームをパターン形成したフー
プ材を示し、(a) は平面図、(b) は断面図
【符号の説明】
1 リードフレーム 1a 半導体チップのマウント部 1b 外部リード部 1c 制御回路基板のマウント部 2 半導体チップ 3 制御回路基板 4 ボンディングワイヤ 5 モールドパッケージ 6 フープ材材

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】フープ材をプレス加工して形成した半導体
    デバイス組立用のリードフレームであり、フレームに半
    導体チップのマウント部,制御回路基板のマウント部,
    および外部リード部をパターン形成したものにおいて、
    制御回路基板のマウント部領域を凹部となして半導体チ
    ップのマウント部,および外部リード部との間に段差を
    形成したことを特徴とするリードフレーム。
  2. 【請求項2】請求項1記載のリードフレームにおいて、
    フープ材の状態で半導体チップのマウント部,制御回路
    基板のマウント部,および外部リード部に対応するそれ
    ぞれのフレーム厚さを、半導体チップマウント部>制御
    回路基板マウント部>外部リード部に設定したことを特
    徴とするリードフレーム。
  3. 【請求項3】請求項1記載のリードフレームにおいて、
    制御回路基板のマウント部に相応する凹部をフープ材の
    状態で圧延成形したことを特徴とするリードフレーム。
JP11235177A 1999-08-23 1999-08-23 リードフレーム Pending JP2001060647A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101894822A (zh) * 2010-05-28 2010-11-24 日月光封装测试(上海)有限公司 半导体封装用导线架条构造
JP2016004887A (ja) * 2014-06-17 2016-01-12 Shマテリアル株式会社 リードフレーム、およびリードフレームの製造方法

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