JP3288263B2 - 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム - Google Patents
樹脂封止型半導体装置用リードフレームInfo
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- H01L2924/01046—Palladium [Pd]
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ゲートランナー部
の残留した封止用樹脂を容易に除去できる構造を有した
樹脂封止型半導体装置用リードフレームに関するもので
ある。
の残留した封止用樹脂を容易に除去できる構造を有した
樹脂封止型半導体装置用リードフレームに関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来より、樹脂封止型半導体装置に使用
されるリードフレームは、封止用樹脂リードフレーム間
の隙間から湿気が侵入するのを防止するために封止用樹
脂との密着性が要求される。また、湿気による腐食を防
止するために耐食性も要求される。そこで、このような
要求を満足するものとして、リードフレームの本体上の
最上層に金メッキを施したものが多用されている。
されるリードフレームは、封止用樹脂リードフレーム間
の隙間から湿気が侵入するのを防止するために封止用樹
脂との密着性が要求される。また、湿気による腐食を防
止するために耐食性も要求される。そこで、このような
要求を満足するものとして、リードフレームの本体上の
最上層に金メッキを施したものが多用されている。
【０００３】以下、従来の樹脂封止型半導体装置用リー
ドフレームの構造について、図面を参照しながら説明す
る。
ドフレームの構造について、図面を参照しながら説明す
る。
【０００４】図７は従来の樹脂封止型半導体装置用リー
ドフレームを示す平面図である。同図に示すように、従
来の樹脂封止型半導体装置用リードフレームは、ダイパ
ッド１と、そのダイパッド１を支持する吊りリード２
と、インナーリード３と、各インナーリード間を接続す
るタイバー４と、インナーリード３に接続されるアウタ
ーリード５と、上記各部分を外方から支持するフレーム
枠６とからなる。そして、リードフレームの吊りリード
２の付け根に相当する領域から外方に向かって延びた後
フレーム枠６の外辺に沿って延びる領域は、樹脂封止工
程で封止用樹脂をキャビティーまで流すためのゲートラ
ンナー部７（図中、破線で囲まれた領域）となってい
る。また、ゲートランナー部６には、位置決めや封止用
樹脂を除去するためのパイロットホール８が存在してい
る。ここで、従来の樹脂封止型半導体装置用リードフレ
ームは、本体を構成する下地金属が銅（Ｃｕ）（銅系の
合金）よりなるものであり、その本体の上に、下地メッ
キ層であるニッケル（Ｎｉ）層と、パラジウム（Ｐｄ）
層と、最外層の金（Ａｕ）層とが順に形成されているも
のである。
ドフレームを示す平面図である。同図に示すように、従
来の樹脂封止型半導体装置用リードフレームは、ダイパ
ッド１と、そのダイパッド１を支持する吊りリード２
と、インナーリード３と、各インナーリード間を接続す
るタイバー４と、インナーリード３に接続されるアウタ
ーリード５と、上記各部分を外方から支持するフレーム
枠６とからなる。そして、リードフレームの吊りリード
２の付け根に相当する領域から外方に向かって延びた後
フレーム枠６の外辺に沿って延びる領域は、樹脂封止工
程で封止用樹脂をキャビティーまで流すためのゲートラ
ンナー部７（図中、破線で囲まれた領域）となってい
る。また、ゲートランナー部６には、位置決めや封止用
樹脂を除去するためのパイロットホール８が存在してい
る。ここで、従来の樹脂封止型半導体装置用リードフレ
ームは、本体を構成する下地金属が銅（Ｃｕ）（銅系の
合金）よりなるものであり、その本体の上に、下地メッ
キ層であるニッケル（Ｎｉ）層と、パラジウム（Ｐｄ）
層と、最外層の金（Ａｕ）層とが順に形成されているも
のである。
【０００５】このような樹脂封止型半導体装置用リード
フレームを用いて、半導体装置を製造する場合、通常、
以下の工程で行われる。
フレームを用いて、半導体装置を製造する場合、通常、
以下の工程で行われる。
【０００６】まず、樹脂封止型半導体装置用リードフレ
ームのダイパッド１に半導体素子を搭載し、その半導体
素子とリードフレームのインナーリード３とを金属細線
により電気的に接続した後、半導体素子，ダイパッド
１，インナーリード３，吊りリード２を含む領域を封止
用樹脂により封止する。この封止用樹脂の注入は、リー
ドフレームのゲートランナー部７を通って行われ、樹脂
封止工程の終了後はゲートランナー部７に封止用樹脂が
残留している。そして、その後、リードフレームのゲー
トランナー部７に残留した封止用樹脂がたとえばパイロ
ットホール８の裏側からパンチングを行うことにより剥
がされ、次工程のマーキング、リードカット、リード成
形が行われる。
ームのダイパッド１に半導体素子を搭載し、その半導体
素子とリードフレームのインナーリード３とを金属細線
により電気的に接続した後、半導体素子，ダイパッド
１，インナーリード３，吊りリード２を含む領域を封止
用樹脂により封止する。この封止用樹脂の注入は、リー
ドフレームのゲートランナー部７を通って行われ、樹脂
封止工程の終了後はゲートランナー部７に封止用樹脂が
残留している。そして、その後、リードフレームのゲー
トランナー部７に残留した封止用樹脂がたとえばパイロ
ットホール８の裏側からパンチングを行うことにより剥
がされ、次工程のマーキング、リードカット、リード成
形が行われる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ような樹脂封止型半導体装置用リードフレームにおいて
は、以下のような問題があった。
ような樹脂封止型半導体装置用リードフレームにおいて
は、以下のような問題があった。
【０００８】すなわち、Ｃｕ素材よりなるリードフレー
ムの表面には、Ｎｉ層、Ｐｄ層、Ａｕ層が順に形成され
ており、最外層はＡｕ層である。このＡｕ層があるため
に封止用樹脂との密着性が向上し、湿気の侵入を阻止で
きるという利点がある反面、ゲートランナー部７におい
ては、残留している封止用樹脂をその後の工程で除去す
るのに手間を要していた。これは、Ａｕとエポキシ樹脂
系の封止用樹脂との密着性が良好であることに起因す
る。そして、ゲートランナー部に残留した封止用樹脂と
リードフレームとが強固に密着した状態で封止用樹脂を
除去しようとすると、パイロットホール８の裏面からの
パンチングの度合を強くしなければならず、この過大な
パンチング力により、リードフレーム自体が変形してし
まうおそれがあった。
ムの表面には、Ｎｉ層、Ｐｄ層、Ａｕ層が順に形成され
ており、最外層はＡｕ層である。このＡｕ層があるため
に封止用樹脂との密着性が向上し、湿気の侵入を阻止で
きるという利点がある反面、ゲートランナー部７におい
ては、残留している封止用樹脂をその後の工程で除去す
るのに手間を要していた。これは、Ａｕとエポキシ樹脂
系の封止用樹脂との密着性が良好であることに起因す
る。そして、ゲートランナー部に残留した封止用樹脂と
リードフレームとが強固に密着した状態で封止用樹脂を
除去しようとすると、パイロットホール８の裏面からの
パンチングの度合を強くしなければならず、この過大な
パンチング力により、リードフレーム自体が変形してし
まうおそれがあった。
【０００９】そこで、従来より、ゲートランナー部に封
止用樹脂と密着性の悪い樹脂テープを付設したり、密着
性の悪い金属層を形成したりするという手段が用いられ
る場合があったが、このようにリードフレームに他の部
材を新たに付加することは、製造上の制約が生じ、製造
コスト、製造タイム等の増大を招くおそれがある。
止用樹脂と密着性の悪い樹脂テープを付設したり、密着
性の悪い金属層を形成したりするという手段が用いられ
る場合があったが、このようにリードフレームに他の部
材を新たに付加することは、製造上の制約が生じ、製造
コスト、製造タイム等の増大を招くおそれがある。
【００１０】本発明は、上記点に鑑みてなされたもので
あり、リードフレームに新たに他の部材を付加すること
なく、ゲートランナー部に残留する封止用樹脂とリード
フレームとの密着力を弱める手段を講ずることにより、
封止工程の終了後に封止用樹脂の除去が容易な構成を有
する樹脂封止型半導体装置用リードフレームを提供する
ことを目的とする。
あり、リードフレームに新たに他の部材を付加すること
なく、ゲートランナー部に残留する封止用樹脂とリード
フレームとの密着力を弱める手段を講ずることにより、
封止工程の終了後に封止用樹脂の除去が容易な構成を有
する樹脂封止型半導体装置用リードフレームを提供する
ことを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の樹脂封止
型半導体装置用リードフレームは、銅系の材料からなる
本体上に、ニッケル層，パラジウム層及び金層が順に形
成された樹脂封止型半導体装置用リードフレームであっ
て、上記リードフレームは、封止用樹脂により封止され
る封止部と、該封止部まで封止用樹脂を導くためのゲー
トランナー部とを有し、上記リードフレームのうち上記
ゲートランナー部の少なくとも一部を含む領域には、上
記金層が存在せず、上記パラジウム層が露出している。
型半導体装置用リードフレームは、銅系の材料からなる
本体上に、ニッケル層，パラジウム層及び金層が順に形
成された樹脂封止型半導体装置用リードフレームであっ
て、上記リードフレームは、封止用樹脂により封止され
る封止部と、該封止部まで封止用樹脂を導くためのゲー
トランナー部とを有し、上記リードフレームのうち上記
ゲートランナー部の少なくとも一部を含む領域には、上
記金層が存在せず、上記パラジウム層が露出している。
【００１２】本発明の第２の樹脂封止型半導体装置用リ
ードフレームは、銅系の材料からなる本体上に、ニッケ
ル層，パラジウム層及び金層が順に形成された樹脂封止
型半導体装置用リードフレームであって、上記リードフ
レームは、封止用樹脂により封止される封止部と、該封
止部まで封止用樹脂を導くためのゲートランナー部とを
有し、上記リードフレームのうち上記ゲートランナー部
の少なくとも一部を含む領域では、上記金層が粗に形成
されていて、下層の上記パラジウム層が部分的に露出し
ている。
ードフレームは、銅系の材料からなる本体上に、ニッケ
ル層，パラジウム層及び金層が順に形成された樹脂封止
型半導体装置用リードフレームであって、上記リードフ
レームは、封止用樹脂により封止される封止部と、該封
止部まで封止用樹脂を導くためのゲートランナー部とを
有し、上記リードフレームのうち上記ゲートランナー部
の少なくとも一部を含む領域では、上記金層が粗に形成
されていて、下層の上記パラジウム層が部分的に露出し
ている。
【００１３】上記第１，第２の樹脂封止型半導体装置用
リードフレームにより、半導体装置の製造工程におい
て、樹脂封止工程が終了したときにゲートランナー部に
残留する封止用樹脂とリードフレームとの密着力が低減
するので、封止用樹脂の除去が容易になる。たとえば、
リードフレームにパンチング用の穴が設けられている場
合には、リードフレームを変形させない程度のパンチン
グ力で封止用樹脂を除去することが可能となる。
リードフレームにより、半導体装置の製造工程におい
て、樹脂封止工程が終了したときにゲートランナー部に
残留する封止用樹脂とリードフレームとの密着力が低減
するので、封止用樹脂の除去が容易になる。たとえば、
リードフレームにパンチング用の穴が設けられている場
合には、リードフレームを変形させない程度のパンチン
グ力で封止用樹脂を除去することが可能となる。
【００１４】しかも、密着性を低下させるために、リー
ドフレームに対して、別途新たな部材を付加するもので
はないため、製造上の制約を受けず、製造条件に適した
構造となる。たとえば封止用樹脂との密着力の弱い材料
を新たにメッキするよりも、メッキ層を除去あるいは部
分的に粗にする方が工程上製造タイムが短縮できる。特
に、量産においては大量の数のリードフレームが処理さ
れるために、１工程あたりのタクトの影響は大きいから
である。また、単層のメッキ層を有するリードフレーム
ではこのような手段は不具合が生じるおそれがあるが、
本発明のごとく、積層メッキ構造を有するものでは、最
終的に除去される領域の金層を除去（あるいは部分的に
除去）しても不具合は生じない。すなわち、本体上に積
層された金属膜を有するリードフレームにおいて、初め
てこのような手段の発想が可能となる。
ドフレームに対して、別途新たな部材を付加するもので
はないため、製造上の制約を受けず、製造条件に適した
構造となる。たとえば封止用樹脂との密着力の弱い材料
を新たにメッキするよりも、メッキ層を除去あるいは部
分的に粗にする方が工程上製造タイムが短縮できる。特
に、量産においては大量の数のリードフレームが処理さ
れるために、１工程あたりのタクトの影響は大きいから
である。また、単層のメッキ層を有するリードフレーム
ではこのような手段は不具合が生じるおそれがあるが、
本発明のごとく、積層メッキ構造を有するものでは、最
終的に除去される領域の金層を除去（あるいは部分的に
除去）しても不具合は生じない。すなわち、本体上に積
層された金属膜を有するリードフレームにおいて、初め
てこのような手段の発想が可能となる。
【００１５】本発明の第３の樹脂封止型半導体装置用リ
ードフレームは、銅系の材料からなる本体上に、ニッケ
ル層，パラジウム層及び金層が順に形成された樹脂封止
型半導体装置用リードフレームであって、上記リードフ
レームは、封止用樹脂により封止される封止部と、該封
止部まで封止用樹脂を導くためのゲートランナー部とを
有し、上記リードフレームのうち上記ゲートランナー部
の少なくとも一部を含む領域には、側面が順テーパー状
の凹凸部が形成され、上記金層が形成されずに、上記パ
ラジウム層が露出している。
ードフレームは、銅系の材料からなる本体上に、ニッケ
ル層，パラジウム層及び金層が順に形成された樹脂封止
型半導体装置用リードフレームであって、上記リードフ
レームは、封止用樹脂により封止される封止部と、該封
止部まで封止用樹脂を導くためのゲートランナー部とを
有し、上記リードフレームのうち上記ゲートランナー部
の少なくとも一部を含む領域には、側面が順テーパー状
の凹凸部が形成され、上記金層が形成されずに、上記パ
ラジウム層が露出している。
【００１６】これにより、以下の作用が生じる。樹脂封
止工程の終了後、温度が低下することにより熱収縮する
と、熱膨張率の相違から、リードフレームの方が残留す
る封止用樹脂よりも収縮する度合いが大きい。そして、
この熱応力により、順テーパーを有する凹凸部の側面に
おいて封止用樹脂とリードフレームとが離れようとする
力が生じ、凹凸部に食い込んだ封止用樹脂が剥離する。
したがって、パンチング等によって残留する封止用樹脂
を容易に除去することが可能な構造となる。しかも、密
着性を低下させるために、リードフレームに対して、別
途新たな部材を付加するものではないため、製造上の制
約を受けず、製造条件に適した構造となる。
止工程の終了後、温度が低下することにより熱収縮する
と、熱膨張率の相違から、リードフレームの方が残留す
る封止用樹脂よりも収縮する度合いが大きい。そして、
この熱応力により、順テーパーを有する凹凸部の側面に
おいて封止用樹脂とリードフレームとが離れようとする
力が生じ、凹凸部に食い込んだ封止用樹脂が剥離する。
したがって、パンチング等によって残留する封止用樹脂
を容易に除去することが可能な構造となる。しかも、密
着性を低下させるために、リードフレームに対して、別
途新たな部材を付加するものではないため、製造上の制
約を受けず、製造条件に適した構造となる。
【００１７】本発明の第４の樹脂封止型半導体装置用リ
ードフレームは、銅系の材料からなる本体上に、ニッケ
ル層，パラジウム層及び金層が順に形成された樹脂封止
型半導体装置用リードフレームであって、上記リードフ
レームは、封止用樹脂により封止される封止部と、該封
止部まで封止用樹脂を導くためのゲートランナー部とを
有し、上記リードフレームのうち上記ゲートランナー部
の少なくとも一部を含む領域には、側面が順テーパー状
の凹凸部が形成され、上記金層が粗に形成されていて、
下層の上記パラジウム層が部分的に露出している。
ードフレームは、銅系の材料からなる本体上に、ニッケ
ル層，パラジウム層及び金層が順に形成された樹脂封止
型半導体装置用リードフレームであって、上記リードフ
レームは、封止用樹脂により封止される封止部と、該封
止部まで封止用樹脂を導くためのゲートランナー部とを
有し、上記リードフレームのうち上記ゲートランナー部
の少なくとも一部を含む領域には、側面が順テーパー状
の凹凸部が形成され、上記金層が粗に形成されていて、
下層の上記パラジウム層が部分的に露出している。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の樹脂封止型半導体
装置用リードフレームの実施形態について説明する。
装置用リードフレームの実施形態について説明する。
【００１９】（第１の実施形態） まず、第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置用リード
フレームについて、図１及び図２を参照しながら説明す
る。
フレームについて、図１及び図２を参照しながら説明す
る。
【００２０】図１は、第１の実施形態における樹脂封止
型半導体装置用リードフレームを示す平面図である。同
図に示すように、本実施形態の樹脂封止型半導体装置用
リードフレームは、ダイパッド１と、そのダイパッド１
を支持する吊りリード２と、インナーリード３と、各イ
ンナーリード間を接続するタイバー４と、インナーリー
ド３に接続されるアウターリード５と、上記各部分を外
方から支持するフレーム枠６とからなる。そして、リー
ドフレームの吊りリード２の付け根に相当する領域から
外方に向かって延びた後フレーム枠６の外辺に沿って延
びる領域（図中ハッチングが付された領域）は、樹脂封
止工程で封止用樹脂をキャビティーまで流すためのゲー
トランナー部７となっている。また、ゲートランナー部
６には、位置決めや封止用樹脂を除去するためのパイロ
ットホール８が存在している。
型半導体装置用リードフレームを示す平面図である。同
図に示すように、本実施形態の樹脂封止型半導体装置用
リードフレームは、ダイパッド１と、そのダイパッド１
を支持する吊りリード２と、インナーリード３と、各イ
ンナーリード間を接続するタイバー４と、インナーリー
ド３に接続されるアウターリード５と、上記各部分を外
方から支持するフレーム枠６とからなる。そして、リー
ドフレームの吊りリード２の付け根に相当する領域から
外方に向かって延びた後フレーム枠６の外辺に沿って延
びる領域（図中ハッチングが付された領域）は、樹脂封
止工程で封止用樹脂をキャビティーまで流すためのゲー
トランナー部７となっている。また、ゲートランナー部
６には、位置決めや封止用樹脂を除去するためのパイロ
ットホール８が存在している。
【００２１】そして、リードフレームは、本体を構成す
る下地金属が銅（Ｃｕ）（銅系の合金）よりなるもので
あり、その本体の上に、下地メッキ層である厚さ０．５
（μｍ）のニッケル（Ｎｉ）層と、厚さ０．０３（μ
ｍ）のパラジウム（Ｐｄ）層と、最外層を構成する厚さ
０．００２（μｍ）の金（Ａｕ）層とが順に形成されて
いる。
る下地金属が銅（Ｃｕ）（銅系の合金）よりなるもので
あり、その本体の上に、下地メッキ層である厚さ０．５
（μｍ）のニッケル（Ｎｉ）層と、厚さ０．０３（μ
ｍ）のパラジウム（Ｐｄ）層と、最外層を構成する厚さ
０．００２（μｍ）の金（Ａｕ）層とが順に形成されて
いる。
【００２２】ここで、本実施形態の樹脂封止型半導体装
置用リードフレームにおいて、ゲートランナー部７の領
域には、Ａｕ層が形成されていない。すなわち、ゲート
ランナー部７の領域では、最外層はＰｄ層となってい
る。
置用リードフレームにおいて、ゲートランナー部７の領
域には、Ａｕ層が形成されていない。すなわち、ゲート
ランナー部７の領域では、最外層はＰｄ層となってい
る。
【００２３】図２は、最外層のＡｕ層を形成する際のリ
ードフレームの断面図である。同図に示すように、銅系
の合金からなる本体２０の上に、Ｎｉ層２１と、Ｐｄ層
２２とを順次メッキにより積層した後、ゲートランナー
部７を覆うフォトレジストマスク２５を形成する。そし
て、フォトレジストマスク２５で覆われていない領域に
金メッキを施して、ゲートランナー部７のみＡｕ層２３
が存在しないリードフレームを形成する。
ードフレームの断面図である。同図に示すように、銅系
の合金からなる本体２０の上に、Ｎｉ層２１と、Ｐｄ層
２２とを順次メッキにより積層した後、ゲートランナー
部７を覆うフォトレジストマスク２５を形成する。そし
て、フォトレジストマスク２５で覆われていない領域に
金メッキを施して、ゲートランナー部７のみＡｕ層２３
が存在しないリードフレームを形成する。
【００２４】そして、本実施形態では、このような樹脂
封止型半導体装置用リードフレームを用いて、以下の工
程により、半導体装置の製造が行われる。
封止型半導体装置用リードフレームを用いて、以下の工
程により、半導体装置の製造が行われる。
【００２５】まず、樹脂封止型半導体装置用リードフレ
ームのダイパッド１に半導体素子を搭載し、その半導体
素子とリードフレームのインナーリード３とを金属細線
により電気的に接続した後、半導体素子，ダイパッド
１，インナーリード３，吊りリード２を含む領域（封止
部）を封止用樹脂により封止する。この封止用樹脂の注
入は、リードフレームのゲートランナー部７を通って行
われ、樹脂封止工程の終了後はゲートランナー部７に封
止用樹脂が残留している。そして、その後、リードフレ
ームのゲートランナー部７に残留した封止用樹脂がたと
えばパイロットホール８の裏側からパンチングを行うこ
とにより剥がされ、次工程のマーキング、リードカッ
ト、リード成形が行われる。
ームのダイパッド１に半導体素子を搭載し、その半導体
素子とリードフレームのインナーリード３とを金属細線
により電気的に接続した後、半導体素子，ダイパッド
１，インナーリード３，吊りリード２を含む領域（封止
部）を封止用樹脂により封止する。この封止用樹脂の注
入は、リードフレームのゲートランナー部７を通って行
われ、樹脂封止工程の終了後はゲートランナー部７に封
止用樹脂が残留している。そして、その後、リードフレ
ームのゲートランナー部７に残留した封止用樹脂がたと
えばパイロットホール８の裏側からパンチングを行うこ
とにより剥がされ、次工程のマーキング、リードカッ
ト、リード成形が行われる。
【００２６】ここで、本実施形態の樹脂封止型半導体装
置用リードフレームにおいて、ゲートランナー部７に
は、上述のようにＡｕ層が形成されておらず、ゲートラ
ンナー部７の表面には、封止用樹脂との密着性があまり
よくないＰｄ層が露出している。したがって、樹脂封止
工程を終了した後、パイロットホール８の裏側から弱い
力でパンチングすることで、ゲートランナー部７に残留
している封止用樹脂を容易に除去することができる。こ
のように、リードフレームに対して無理な力でパンチン
グを行うことがないので、リードフレームの変形を確実
に防止することができる。
置用リードフレームにおいて、ゲートランナー部７に
は、上述のようにＡｕ層が形成されておらず、ゲートラ
ンナー部７の表面には、封止用樹脂との密着性があまり
よくないＰｄ層が露出している。したがって、樹脂封止
工程を終了した後、パイロットホール８の裏側から弱い
力でパンチングすることで、ゲートランナー部７に残留
している封止用樹脂を容易に除去することができる。こ
のように、リードフレームに対して無理な力でパンチン
グを行うことがないので、リードフレームの変形を確実
に防止することができる。
【００２７】しかも、密着性を低下させるために、リー
ドフレームに対して、別途新たな部材を付加するもので
はないため、製造上の制約を受けず、製造条件に適した
構造となる。
ドフレームに対して、別途新たな部材を付加するもので
はないため、製造上の制約を受けず、製造条件に適した
構造となる。
【００２８】特に、単層のメッキ層を有するリードフレ
ームではメッキ層を除去すると工程上の不具合が大きい
ので、本実施形態のような手段を講ずることは困難であ
るが、本実施形態及び次の第２の実施形態は、積層メッ
キ構造を採用したリードフレーム構造では、ゲートラン
ナー部のように最終的に除去される領域の最外層のＡｕ
層を除去しても不具合は生じないことに着目したもので
ある。
ームではメッキ層を除去すると工程上の不具合が大きい
ので、本実施形態のような手段を講ずることは困難であ
るが、本実施形態及び次の第２の実施形態は、積層メッ
キ構造を採用したリードフレーム構造では、ゲートラン
ナー部のように最終的に除去される領域の最外層のＡｕ
層を除去しても不具合は生じないことに着目したもので
ある。
【００２９】なお、ゲートランナー部７のみにＡｕ層を
形成しない方法は、上記図２に示すようなマスクを用い
た部分メッキ法に限定されるものではない。
形成しない方法は、上記図２に示すようなマスクを用い
た部分メッキ法に限定されるものではない。
【００３０】たとえば、リードフレーム全体に亘って金
メッキを施しておき、その後、化学処理やエッチングに
より、ゲートランナー部７のみのＡｕ層を部分的に除去
する方法などがある。これらのいずれの方法を採用する
かは、製造コスト、製造タイムなどを考慮して適宜選択
することができる。
メッキを施しておき、その後、化学処理やエッチングに
より、ゲートランナー部７のみのＡｕ層を部分的に除去
する方法などがある。これらのいずれの方法を採用する
かは、製造コスト、製造タイムなどを考慮して適宜選択
することができる。
【００３１】また、本実施形態では、ゲートランナー部
７のみにＡｕ層を形成しない構造としたが、後述する第
２の実施形態のごとくゲートランナー部７の大部分を含
む領域においてＡｕ層が形成されていなければ、ゲート
ランナー部に残留する封止用樹脂とリードフレームとの
密着強度が低減されて、本実施形態と同じ効果を発揮す
ることができる。
７のみにＡｕ層を形成しない構造としたが、後述する第
２の実施形態のごとくゲートランナー部７の大部分を含
む領域においてＡｕ層が形成されていなければ、ゲート
ランナー部に残留する封止用樹脂とリードフレームとの
密着強度が低減されて、本実施形態と同じ効果を発揮す
ることができる。
【００３２】（第２の実施形態） 次に、第２の実施形態の樹脂封止型半導体装置用リード
フレームについて、図３及び図４を参照しながら説明す
る。
フレームについて、図３及び図４を参照しながら説明す
る。
【００３３】図３は、本実施形態の樹脂封止型半導体装
置用リードフレームを示す平面図である。同図に示すよ
うに、本実施形態の樹脂封止型半導体装置用リードフレ
ームは、ダイパッド１と、そのダイパッド１を支持する
吊りリード２と、インナーリード３と、各インナーリー
ド間を接続するタイバー４と、インナーリード３に接続
されるアウターリード５と、上記各部分を外方から支持
するフレーム枠６とからなる。そして、リードフレーム
の吊りリード２の付け根に相当する領域から外方に向か
って延びた後フレーム枠６の外辺に沿って延びる領域
（図中破線で囲まれる領域）は、樹脂封止工程で封止用
樹脂をキャビティーまで流すためのゲートランナー部７
となっている。また、ゲートランナー部６には、位置決
めや封止用樹脂を除去するためのパイロットホール８が
存在している。
置用リードフレームを示す平面図である。同図に示すよ
うに、本実施形態の樹脂封止型半導体装置用リードフレ
ームは、ダイパッド１と、そのダイパッド１を支持する
吊りリード２と、インナーリード３と、各インナーリー
ド間を接続するタイバー４と、インナーリード３に接続
されるアウターリード５と、上記各部分を外方から支持
するフレーム枠６とからなる。そして、リードフレーム
の吊りリード２の付け根に相当する領域から外方に向か
って延びた後フレーム枠６の外辺に沿って延びる領域
（図中破線で囲まれる領域）は、樹脂封止工程で封止用
樹脂をキャビティーまで流すためのゲートランナー部７
となっている。また、ゲートランナー部６には、位置決
めや封止用樹脂を除去するためのパイロットホール８が
存在している。
【００３４】そして、リードフレームは、本体を構成す
る下地金属が銅（Ｃｕ）（銅系の合金）よりなるもので
あり、その本体の上に、下地メッキ層である厚さ０．５
（μｍ）のニッケル（Ｎｉ）層と、厚さ０．０３（μ
ｍ）のパラジウム（Ｐｄ）層と、最外層を構成する厚さ
０．００２（μｍ）の金（Ａｕ）層とが順に形成されて
いる。
る下地金属が銅（Ｃｕ）（銅系の合金）よりなるもので
あり、その本体の上に、下地メッキ層である厚さ０．５
（μｍ）のニッケル（Ｎｉ）層と、厚さ０．０３（μ
ｍ）のパラジウム（Ｐｄ）層と、最外層を構成する厚さ
０．００２（μｍ）の金（Ａｕ）層とが順に形成されて
いる。
【００３５】ここで、本実施形態の樹脂封止型半導体装
置用リードフレームの特徴は、ゲートランナー部７の大
部分を含む領域Ｒe1のＡｕ層の密度が小さく、すなわち
粗くＡｕ層が形成されている点である。
置用リードフレームの特徴は、ゲートランナー部７の大
部分を含む領域Ｒe1のＡｕ層の密度が小さく、すなわち
粗くＡｕ層が形成されている点である。
【００３６】図４は、最外層のＡｕ層を形成した後のリ
ードフレームの断面図である。同図に示すように、銅系
の合金からなる本体２０の上に、Ｎｉ層２１と、Ｐｄ層
２２と、Ａｕ層２３とを順次メッキにより積層した後、
ゲートランナー部７の大部分を含む領域Ｒe1を開口した
フォトレジストマスク２５を形成する。そして、その上
からレーザ加工処理を行って、領域Ｒe1におけるＡｕ層
２３を部分的に除去して表面を粗くする。
ードフレームの断面図である。同図に示すように、銅系
の合金からなる本体２０の上に、Ｎｉ層２１と、Ｐｄ層
２２と、Ａｕ層２３とを順次メッキにより積層した後、
ゲートランナー部７の大部分を含む領域Ｒe1を開口した
フォトレジストマスク２５を形成する。そして、その上
からレーザ加工処理を行って、領域Ｒe1におけるＡｕ層
２３を部分的に除去して表面を粗くする。
【００３７】そして、本実施形態では、このような樹脂
封止型半導体装置用リードフレームを用いて、以下の工
程により、半導体装置の製造が行われる。
封止型半導体装置用リードフレームを用いて、以下の工
程により、半導体装置の製造が行われる。
【００３８】まず、樹脂封止型半導体装置用リードフレ
ームのダイパッド１に半導体素子を搭載し、その半導体
素子とリードフレームのインナーリード３とを金属細線
により電気的に接続した後、半導体素子，ダイパッド
１，インナーリード３，吊りリード２を含む領域（封止
部）を封止用樹脂により封止する。この封止用樹脂の注
入は、リードフレームのゲートランナー部７を通って行
われ、樹脂封止工程の終了後はゲートランナー部７に封
止用樹脂が残留している。そして、その後、リードフレ
ームのゲートランナー部７に残留した封止用樹脂がたと
えばパイロットホール８の裏側からパンチングを行うこ
とにより剥がされ、次工程のマーキング、リードカッ
ト、リード成形が行われる。
ームのダイパッド１に半導体素子を搭載し、その半導体
素子とリードフレームのインナーリード３とを金属細線
により電気的に接続した後、半導体素子，ダイパッド
１，インナーリード３，吊りリード２を含む領域（封止
部）を封止用樹脂により封止する。この封止用樹脂の注
入は、リードフレームのゲートランナー部７を通って行
われ、樹脂封止工程の終了後はゲートランナー部７に封
止用樹脂が残留している。そして、その後、リードフレ
ームのゲートランナー部７に残留した封止用樹脂がたと
えばパイロットホール８の裏側からパンチングを行うこ
とにより剥がされ、次工程のマーキング、リードカッ
ト、リード成形が行われる。
【００３９】ここで、本実施形態におけるゲートランナ
ー部７の大部分の領域を含む領域Ｒe1には、封止用樹脂
と密着性が良好なＡｕ層が粗に形成されているので、封
止用樹脂は密着性のよくいない下層のＰｄ層２２とも部
分的に接する。したがって、残留している封止用樹脂と
リードフレーム樹脂との全体としての密着性が低減され
るので、封止工程を終了した後、パイロットホール８の
裏側から弱い力でパンチングすることで、ゲートランナ
ー部７に残留ている封止用樹脂を容易に除去することが
できる。このように、リードフレームに対して無理な力
でパンチングを行うことがないので、リードフレームの
変形を確実に防止することができる。
ー部７の大部分の領域を含む領域Ｒe1には、封止用樹脂
と密着性が良好なＡｕ層が粗に形成されているので、封
止用樹脂は密着性のよくいない下層のＰｄ層２２とも部
分的に接する。したがって、残留している封止用樹脂と
リードフレーム樹脂との全体としての密着性が低減され
るので、封止工程を終了した後、パイロットホール８の
裏側から弱い力でパンチングすることで、ゲートランナ
ー部７に残留ている封止用樹脂を容易に除去することが
できる。このように、リードフレームに対して無理な力
でパンチングを行うことがないので、リードフレームの
変形を確実に防止することができる。
【００４０】しかも、密着性を低下させるために、リー
ドフレームに対して、別途新たな部材を付加するもので
はないため、製造上の制約を受けず、製造条件に適した
構造となる。
ドフレームに対して、別途新たな部材を付加するもので
はないため、製造上の制約を受けず、製造条件に適した
構造となる。
【００４１】なお、本実施形態では、ゲートランナー部
７全体のＡｕ層を粗くしていないが、上記第１の実施形
態のごとく、ゲートランナー部７のみを粗くするように
してもよい。ただし、本実施形態の方がフォトレジスト
マスクの形状が単純化されているので、Ａｕ層を粗くす
る処理がより容易になる利点がある。
７全体のＡｕ層を粗くしていないが、上記第１の実施形
態のごとく、ゲートランナー部７のみを粗くするように
してもよい。ただし、本実施形態の方がフォトレジスト
マスクの形状が単純化されているので、Ａｕ層を粗くす
る処理がより容易になる利点がある。
【００４２】また、ゲートランナー部７のＡｕ層を粗く
する方法としては、上述のようなレーザ加工を施す方法
の他に、フォトレジストマスク等のマスクでゲートラン
ナー部を含む領域Ｒe1あるいはゲートランナー部７をＯ
2 アッシングによりする方法や軽くエッチングを行う方
法もあり、いずれの方法を用いるかは、製造コストや製
造タイムなどを考慮して適宜選択して行なうことができ
る。
する方法としては、上述のようなレーザ加工を施す方法
の他に、フォトレジストマスク等のマスクでゲートラン
ナー部を含む領域Ｒe1あるいはゲートランナー部７をＯ
2 アッシングによりする方法や軽くエッチングを行う方
法もあり、いずれの方法を用いるかは、製造コストや製
造タイムなどを考慮して適宜選択して行なうことができ
る。
【００４３】（第３の実施形態） 次に、第３の実施形態の樹脂封止型半導体装置用リード
フレームについて、図５及び図６を参照しながら説明す
る。
フレームについて、図５及び図６を参照しながら説明す
る。
【００４４】図５は、本実施形態の樹脂封止型半導体装
置用リードフレームを示す図である。同図に示すよう
に、本実施形態の樹脂封止型半導体装置用リードフレー
ムは、ダイパッド１と、そのダイパッド１を支持する吊
りリード２と、インナーリード３と、各インナーリード
間を接続するタイバー４と、インナーリード３に接続さ
れるアウターリード５と、上記各部分を外方から支持す
るフレーム枠６とからなる。そして、リードフレームの
吊りリード２の付け根に相当する領域から外方に向かっ
て延びた後フレーム枠６の外辺に沿って延びる領域（図
中破線で囲まれる領域）は、樹脂封止工程で封止用樹脂
をキャビティーまで流すためのゲートランナー部７とな
っている。また、ゲートランナー部６には、位置決めや
封止用樹脂を除去するためのパイロットホール８が存在
している。
置用リードフレームを示す図である。同図に示すよう
に、本実施形態の樹脂封止型半導体装置用リードフレー
ムは、ダイパッド１と、そのダイパッド１を支持する吊
りリード２と、インナーリード３と、各インナーリード
間を接続するタイバー４と、インナーリード３に接続さ
れるアウターリード５と、上記各部分を外方から支持す
るフレーム枠６とからなる。そして、リードフレームの
吊りリード２の付け根に相当する領域から外方に向かっ
て延びた後フレーム枠６の外辺に沿って延びる領域（図
中破線で囲まれる領域）は、樹脂封止工程で封止用樹脂
をキャビティーまで流すためのゲートランナー部７とな
っている。また、ゲートランナー部６には、位置決めや
封止用樹脂を除去するためのパイロットホール８が存在
している。
【００４５】そして、リードフレームは、本体を構成す
る下地金属が銅（Ｃｕ）（銅系の合金）よりなるもので
あり、その本体の上に、下地メッキ層である厚さ０．５
（μｍ）のニッケル（Ｎｉ）層と、厚さ０．０３（μ
ｍ）のパラジウム（Ｐｄ）層と、最外層を構成する厚さ
０．００２（μｍ）の金（Ａｕ）層とが順に形成されて
いる。
る下地金属が銅（Ｃｕ）（銅系の合金）よりなるもので
あり、その本体の上に、下地メッキ層である厚さ０．５
（μｍ）のニッケル（Ｎｉ）層と、厚さ０．０３（μ
ｍ）のパラジウム（Ｐｄ）層と、最外層を構成する厚さ
０．００２（μｍ）の金（Ａｕ）層とが順に形成されて
いる。
【００４６】ここで、本実施形態の樹脂封止型半導体装
置用リードフレームの特徴は、図６に示すように、ゲー
トランナー部７の大部分を含む領域Ｒe1（ハッチングが
施された領域）には、断面形状が台形のつまり順テーパ
ー状の側面を有する凹凸部２６が形成されている点であ
る。このような凹凸部２６を形成する方法としては、リ
ードフレームにメッキ層を形成する前に、銅系の合金に
よって構成されているリードフレーム本体２０の領域Ｒ
e1にプレス加工、ハーフエッチング等の加工を施して凹
凸部２６を形成し、その後、Ｎｉ層２１，Ｐｄ層２２，
Ａｕ層２３を順次積層メッキしていく方法がある。ただ
し、製造コスト、製造タイムなどを考慮して、凹凸部の
形成方法を適宜選択することができる。
置用リードフレームの特徴は、図６に示すように、ゲー
トランナー部７の大部分を含む領域Ｒe1（ハッチングが
施された領域）には、断面形状が台形のつまり順テーパ
ー状の側面を有する凹凸部２６が形成されている点であ
る。このような凹凸部２６を形成する方法としては、リ
ードフレームにメッキ層を形成する前に、銅系の合金に
よって構成されているリードフレーム本体２０の領域Ｒ
e1にプレス加工、ハーフエッチング等の加工を施して凹
凸部２６を形成し、その後、Ｎｉ層２１，Ｐｄ層２２，
Ａｕ層２３を順次積層メッキしていく方法がある。ただ
し、製造コスト、製造タイムなどを考慮して、凹凸部の
形成方法を適宜選択することができる。
【００４７】そして、本実施形態では、このような樹脂
封止型半導体装置用リードフレームを用いて、以下の工
程により、半導体装置の製造が行われる。
封止型半導体装置用リードフレームを用いて、以下の工
程により、半導体装置の製造が行われる。
【００４８】まず、樹脂封止型半導体装置用リードフレ
ームのダイパッド１に半導体素子を搭載し、その半導体
素子とリードフレームのインナーリード３とを金属細線
により電気的に接続した後、半導体素子，ダイパッド
１，インナーリード３，吊りリード２を含む領域（封止
部）を封止用樹脂により封止する。この封止用樹脂の注
入は、リードフレームのゲートランナー部７を通って行
われ、樹脂封止工程の終了後はゲートランナー部７に封
止用樹脂が残留している。その後、リードフレームのゲ
ートランナー部７に残留した封止用樹脂がたとえばパイ
ロットホール８の裏側からパンチングを行うことにより
剥がされ、次工程のマーキング、リードカット、リード
成形が行われる。
ームのダイパッド１に半導体素子を搭載し、その半導体
素子とリードフレームのインナーリード３とを金属細線
により電気的に接続した後、半導体素子，ダイパッド
１，インナーリード３，吊りリード２を含む領域（封止
部）を封止用樹脂により封止する。この封止用樹脂の注
入は、リードフレームのゲートランナー部７を通って行
われ、樹脂封止工程の終了後はゲートランナー部７に封
止用樹脂が残留している。その後、リードフレームのゲ
ートランナー部７に残留した封止用樹脂がたとえばパイ
ロットホール８の裏側からパンチングを行うことにより
剥がされ、次工程のマーキング、リードカット、リード
成形が行われる。
【００４９】ここで、本実施形態におけるゲートランナ
ー部７の大部分の領域を含む領域Ｒe1には、凹凸部２６
が形成されているので、以下の作用が生じる。すなわ
ち、ゲートランナー部７に残留した封止用樹脂及びリー
ドフレームは、樹脂封止工程の終了後、温度の低下にと
もない収縮するが、熱膨張率の相違から、リードフレー
ムの方が残留する封止用樹脂よりも収縮する度合いが大
きい。そして、この熱応力により、順テーパーを有する
凹凸部２６の側面において封止用樹脂とリードフレーム
とが離れようとする力が生じ、凹凸部２６に食い込んだ
封止用樹脂が剥離する。したがって、残留している封止
用樹脂とリードフレームとの密着性は低下し、パイロッ
トホール８の裏側からの比較的小さなパンチングによ
り、残留する封止用樹脂を容易に除去することができ
る。このように、無理な力でリードフレームに対してパ
ンチング処理することがないので、リードフレームの変
形を防止できる。
ー部７の大部分の領域を含む領域Ｒe1には、凹凸部２６
が形成されているので、以下の作用が生じる。すなわ
ち、ゲートランナー部７に残留した封止用樹脂及びリー
ドフレームは、樹脂封止工程の終了後、温度の低下にと
もない収縮するが、熱膨張率の相違から、リードフレー
ムの方が残留する封止用樹脂よりも収縮する度合いが大
きい。そして、この熱応力により、順テーパーを有する
凹凸部２６の側面において封止用樹脂とリードフレーム
とが離れようとする力が生じ、凹凸部２６に食い込んだ
封止用樹脂が剥離する。したがって、残留している封止
用樹脂とリードフレームとの密着性は低下し、パイロッ
トホール８の裏側からの比較的小さなパンチングによ
り、残留する封止用樹脂を容易に除去することができ
る。このように、無理な力でリードフレームに対してパ
ンチング処理することがないので、リードフレームの変
形を防止できる。
【００５０】しかも、密着性を低下させるために、リー
ドフレームに対して、別途新たな部材を付加するもので
はないため、製造上の制約を受けず、製造条件に適した
構造となる。
ドフレームに対して、別途新たな部材を付加するもので
はないため、製造上の制約を受けず、製造条件に適した
構造となる。
【００５１】なお、本実施形態では、ゲートランナー部
７全体に凹凸部を形成していないが、上記第１の実施形
態のごとく、ゲートランナー部７のみに凹凸部を形成す
るようにしてもよい。ただし、本実施形態の方が領域Ｒ
e1の形状が単純化されているので、凹凸の形成がより容
易になる利点がある。
７全体に凹凸部を形成していないが、上記第１の実施形
態のごとく、ゲートランナー部７のみに凹凸部を形成す
るようにしてもよい。ただし、本実施形態の方が領域Ｒ
e1の形状が単純化されているので、凹凸の形成がより容
易になる利点がある。
【００５２】また、ゲートランナー部７を含む領域Ｒe1
に形成される凹凸部２６の形状は、上記実施形態のよう
な台形状でなくても、例えば凹部が逆三角形をしている
ようなものでもよい。また、多くの孤立した山状の凸部
を設けるようにしてもよい。要するに、樹脂封止工程の
終了後に熱収縮したときに、熱膨張率の相違から封止用
樹脂が剥離するように、側面が順テーパー状を有してい
ればよい。
に形成される凹凸部２６の形状は、上記実施形態のよう
な台形状でなくても、例えば凹部が逆三角形をしている
ようなものでもよい。また、多くの孤立した山状の凸部
を設けるようにしてもよい。要するに、樹脂封止工程の
終了後に熱収縮したときに、熱膨張率の相違から封止用
樹脂が剥離するように、側面が順テーパー状を有してい
ればよい。
【００５３】なお、本実施形態のように領域Ｒe1に凹凸
部を形成することに加えて、この領域Ｒe1あるいはゲー
トランナー部７において、第１の実施形態のごとくＡｕ
層を除去したり、第２の実施形態のごとくＡｕ層を粗に
形成する構成を組み合わせても同様の効果が得られる。
部を形成することに加えて、この領域Ｒe1あるいはゲー
トランナー部７において、第１の実施形態のごとくＡｕ
層を除去したり、第２の実施形態のごとくＡｕ層を粗に
形成する構成を組み合わせても同様の効果が得られる。
【００５４】
【発明の効果】本発明によれば、樹脂封止型半導体装置
用リードフレームの構造として、リードフレームのゲー
トランナー部の少なくとも一部を含む領域においてパラ
ジウム層の少なくとも一部が露出する構造としたので、
樹脂封止工程の終了後においてゲートランナー部に残留
する封止用樹脂を容易に除去しうる構造となり、製造上
の制約を生じることなく、品質の良好な樹脂封止型半導
体装置を製造しうるリードフレームの提供を図ることが
できる。
用リードフレームの構造として、リードフレームのゲー
トランナー部の少なくとも一部を含む領域においてパラ
ジウム層の少なくとも一部が露出する構造としたので、
樹脂封止工程の終了後においてゲートランナー部に残留
する封止用樹脂を容易に除去しうる構造となり、製造上
の制約を生じることなく、品質の良好な樹脂封止型半導
体装置を製造しうるリードフレームの提供を図ることが
できる。
【図１】第１の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置用
リードフレームを示す平面図である。
リードフレームを示す平面図である。
【図２】第１の実施形態においてゲートランナー部のみ
にＡｕ層を形成しないための金メッキを施す工程を説明
するための断面図である。
にＡｕ層を形成しないための金メッキを施す工程を説明
するための断面図である。
【図３】第２の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置用
リードフレームを示す平面図である。
リードフレームを示す平面図である。
【図４】第２の実施形態においてゲートランナー部の大
部分を含む領域でＡｕ層を粗くするための工程を説明す
るための断面図である。
部分を含む領域でＡｕ層を粗くするための工程を説明す
るための断面図である。
【図５】第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置用
リードフレームを示す平面図である。
リードフレームを示す平面図である。
【図６】第３の実施形態においてゲートランナー部の大
部分を含む領域のみに凹凸部を形成するための工程を説
明するための断面図である。
部分を含む領域のみに凹凸部を形成するための工程を説
明するための断面図である。
【図７】従来の樹脂封止型半導体装置用リードフレーム
を示す平面図である。
を示す平面図である。
１ ダイパッド ２ 吊りリード ３ インナーリード ４ タイバー ５ アウターリード ６ フレーム枠 ７ ゲートランナー部 ８ パイロットホール ２０ 本体 ２１ Ｎｉ層 ２２ Ｐｄ層 ２３ Ａｕ層 ２５ フォトレジストマスク ２６ 凹凸部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 相羽 正彦 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工 業株式会社内 (72)発明者 吉田 重夫 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工 業株式会社内 (56)参考文献 特開 平４−25055（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−337657（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−13620（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−46118（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50 H01L 23/28
Claims (4)
- 【請求項１】 銅系の材料からなる本体上に、ニッケル
層，パラジウム層及び金層が順に形成された樹脂封止型
半導体装置用リードフレームであって、 上記リードフレームは、封止用樹脂により封止される封
止部と、該封止部まで封止用樹脂を導くためのゲートラ
ンナー部とを有し、 上記リードフレームのうち上記ゲートランナー部の少な
くとも一部を含む領域には、上記金層が存在せず、上記
パラジウム層が露出していることを特徴とする樹脂封止
型半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項２】 銅系の材料からなる本体上に、ニッケル
層，パラジウム層及び金層が順に形成された樹脂封止型
半導体装置用リードフレームであって、 上記リードフレームは、封止用樹脂により封止される封
止部と、該封止部まで封止用樹脂を導くためのゲートラ
ンナー部とを有し、 上記リードフレームのうち上記ゲートランナー部の少な
くとも一部を含む領域では、上記金層が粗に形成されて
いて、下層の上記パラジウム層が部分的に露出している
ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置用リードフレー
ム。 - 【請求項３】 銅系の材料からなる本体上に、ニッケル
層，パラジウム層及び金層が順に形成された樹脂封止型
半導体装置用リードフレームであって、 上記リードフレームは、封止用樹脂により封止される封
止部と、該封止部まで封止用樹脂を導くためのゲートラ
ンナー部とを有し、 上記リードフレームのうち上記ゲートランナー部の少な
くとも一部を含む領域には、側面が順テーパー状の凹凸
部が形成され、上記金層が形成されずに、上記パラジウ
ム層が露出していることを特徴とする樹脂封止型半導体
装置用リードフレーム。 - 【請求項４】 銅系の材料からなる本体上に、ニッケル
層，パラジウム層及び金層が順に形成された樹脂封止型
半導体装置用リードフレームであって、 上記リードフレームは、封止用樹脂により封止される封
止部と、該封止部まで封止用樹脂を導くためのゲートラ
ンナー部とを有し、 上記リードフレームのうち上記ゲートランナー部の少な
くとも一部を含む領域には、側面が順テーパー状の凹凸
部が形成され、上記金層が粗に形成されていて、下層の
上記パラジウム層が部分的に露出している ことを特徴と
する樹脂封止型半導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16714197A JP3288263B2 (ja) | 1996-07-15 | 1997-06-24 | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18461696 | 1996-07-15 | ||
| JP8-184616 | 1996-07-15 | ||
| JP16714197A JP3288263B2 (ja) | 1996-07-15 | 1997-06-24 | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1084066A JPH1084066A (ja) | 1998-03-31 |
| JP3288263B2 true JP3288263B2 (ja) | 2002-06-04 |
Family
ID=26491279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16714197A Expired - Fee Related JP3288263B2 (ja) | 1996-07-15 | 1997-06-24 | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3288263B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3871820B2 (ja) * | 1998-10-23 | 2007-01-24 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
-
1997
- 1997-06-24 JP JP16714197A patent/JP3288263B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1084066A (ja) | 1998-03-31 |
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