JPS5845189B2 - 樹脂封止形半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5845189B2 JPS5845189B2 JP10786178A JP10786178A JPS5845189B2 JP S5845189 B2 JPS5845189 B2 JP S5845189B2 JP 10786178 A JP10786178 A JP 10786178A JP 10786178 A JP10786178 A JP 10786178A JP S5845189 B2 JPS5845189 B2 JP S5845189B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- external
- lead
- semiconductor device
- burr
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は樹脂封止形半導体装置の製造方法に係り、特
にその外部リードのメッキ処理の改良に関する。
にその外部リードのメッキ処理の改良に関する。
樹脂封止形半導体装置は、まず、半導体素子をリードフ
レームの所定位置に装着し、リードとの間のワイヤボン
ディングを行なった後に、この半導体素子およびその周
辺部を樹脂封止し、その後に外部リード関係の加工処理
が施される。
レームの所定位置に装着し、リードとの間のワイヤボン
ディングを行なった後に、この半導体素子およびその周
辺部を樹脂封止し、その後に外部リード関係の加工処理
が施される。
第１図は上記樹脂封止後のリードフレームを示し、第１
図Ａはその平面図、第１図Ｂはその正面図、第１図Ｃは
第１図ＡのＩ Ｃ−Ｉ Ｃでの断面図である。
図Ａはその平面図、第１図Ｂはその正面図、第１図Ｃは
第１図ＡのＩ Ｃ−Ｉ Ｃでの断面図である。
図において、１はリードフレーム、２は半導体素子を封
止した樹脂体、３は外部リード、４はクイバー、５は樹
脂封止によって樹脂体２と外部リード３とタイバー４と
で囲まれた部分を埋めるように形成された「はり」であ
る。
止した樹脂体、３は外部リード、４はクイバー、５は樹
脂封止によって樹脂体２と外部リード３とタイバー４と
で囲まれた部分を埋めるように形成された「はり」であ
る。
ところで、従前は外部リード３への外装メッキは「ぼり
」５を打ち抜き除去した後に行われていたが、近年、樹
脂封止の工程以後の工程の合理化のために、樹脂封止後
の１−ばり１５除去前に外部リード３への外装メッキが
施されるようになっている。
」５を打ち抜き除去した後に行われていたが、近年、樹
脂封止の工程以後の工程の合理化のために、樹脂封止後
の１−ばり１５除去前に外部リード３への外装メッキが
施されるようになっている。
第２図はこの従来の方法を説明するための第１図Ｃにお
けるＰで示した部分の拡大断面図で、第２図Ａ−は外部
リード３への外装メツキロを施した状況を示し、第２図
Ｂは「はり」５を打抜いた後の状況を示す。
けるＰで示した部分の拡大断面図で、第２図Ａ−は外部
リード３への外装メツキロを施した状況を示し、第２図
Ｂは「はり」５を打抜いた後の状況を示す。
「はり］５の除去剤に外部リー ド３に外装メツキロ
を施すために、メッキ金属６が「はり」５の上まで析出
しており、「はり」５の除去後に、第２図Ｂに示すよう
にメッキ金属６の「かえり−１γを生じる。
を施すために、メッキ金属６が「はり」５の上まで析出
しており、「はり」５の除去後に、第２図Ｂに示すよう
にメッキ金属６の「かえり−１γを生じる。
そして、このような半導体装置をプリント基板などに実
装して使用した場合、上記メッキ金属６の１かえり」７
が外部リード３からはがれ落ち、時にはプリント基板Ｅ
の配線間を短絡することがあった。
装して使用した場合、上記メッキ金属６の１かえり」７
が外部リード３からはがれ落ち、時にはプリント基板Ｅ
の配線間を短絡することがあった。
この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、外
部リードの表面に外装メッキを施した際にメッキ金属が
封止樹脂体の「ぼり」の−Ｌまて析出しないようにして
、上記「はり」の除去時にメッキ金属の「かえり」が生
じないようにした樹脂封止形半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。
部リードの表面に外装メッキを施した際にメッキ金属が
封止樹脂体の「ぼり」の−Ｌまて析出しないようにして
、上記「はり」の除去時にメッキ金属の「かえり」が生
じないようにした樹脂封止形半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。
第３図はこの発明の一実施例を説明するための拡大断面
図で、封止樹脂体の「ぼり」５の表面上にまで、外部リ
ード３への外装メツキロの金属が析出しないように、上
記外装メツキロを施す前に、「はり」５と外部リード３
との界面に沿って外部リード３に凹部８を設ける。
図で、封止樹脂体の「ぼり」５の表面上にまで、外部リ
ード３への外装メツキロの金属が析出しないように、上
記外装メツキロを施す前に、「はり」５と外部リード３
との界面に沿って外部リード３に凹部８を設ける。
この方法としては、例えは化学研摩による方法がある。
外部リード３の材質が鉄・ニッケル系合金の場合は硫酸
、硝酸系の化学研摩液が適している。
、硝酸系の化学研摩液が適している。
外部リード３を化学研摩すると、その角ばった部分がエ
ツチングされ易く、外部リード３の外側面が丸みをおび
、従って、外部リード３の「ぼり」５との界面部に凹部
８ができる。
ツチングされ易く、外部リード３の外側面が丸みをおび
、従って、外部リード３の「ぼり」５との界面部に凹部
８ができる。
この状態で外部リード３に外装メツキロを施すと、「ぼ
り」５の外部リード３に対向する段差面がダムのような
役割りを果たし、外装メツキロの金属は「ばり」５−Ｌ
には析出しなくなる。
り」５の外部リード３に対向する段差面がダムのような
役割りを果たし、外装メツキロの金属は「ばり」５−Ｌ
には析出しなくなる。
従って、後の工程で「ぼり」５を打抜いても、メッキ金
属の「かえり」７を生じることもなく、更には、この「
かえり」７が脱落して、回路短絡などの事故を発生する
おそれもなくなる。
属の「かえり」７を生じることもなく、更には、この「
かえり」７が脱落して、回路短絡などの事故を発生する
おそれもなくなる。
以−ヒ詳述したように、この発明では樹脂対ｌ）、シて
外部リード間に封止樹脂の「はり」の出来たリードフレ
ームの上記「ぼり」を除去に先立って外部リー ドに外
装メッキを施す際に、この外部リードの「ぼり」に接す
る表面部を穿って、１−はり」の表面との間に段差を形
成するので、その後に施される外装メッキの金属が「ぼ
り」の上に析出することがない。
外部リード間に封止樹脂の「はり」の出来たリードフレ
ームの上記「ぼり」を除去に先立って外部リー ドに外
装メッキを施す際に、この外部リードの「ぼり」に接す
る表面部を穿って、１−はり」の表面との間に段差を形
成するので、その後に施される外装メッキの金属が「ぼ
り」の上に析出することがない。
従って、後に「はり−１を打抜いても、メッキ金属の１
かえり−１は生ぜず、回路組立後これが脱落して回路短
絡などの事故の発生が防止される。
かえり−１は生ぜず、回路組立後これが脱落して回路短
絡などの事故の発生が防止される。
第１図は一般的な樹脂封止後のリードフレームを示し、
第１図Ａ−は平面図、第１図Ｂは正面図、第１図Ｃは第
１図ＡのＩＣ−ＩＣの断面図、第２図は従来の方法を説
明するための第１図ＣにＰで示した部分の拡大断面図で
、第２図Ａ−は外部ＩＪ−ドに外装メッキを施した状況
、第２図Ｂは「ばり」を除去した状況を示す。 第３図はこの発明の一実施例を説明するための第１図Ｃ
にＰで示した部分の拡大断面図である。 図において、１はリードフレーム、２は封止樹脂体、３
は外部リード、５は「ばり−」、６は外装メッキ、７は
「かえり」、８は凹部（段差部）である。 なお、図中同一符号は同一もしくは相当部分を示す。
第１図Ａ−は平面図、第１図Ｂは正面図、第１図Ｃは第
１図ＡのＩＣ−ＩＣの断面図、第２図は従来の方法を説
明するための第１図ＣにＰで示した部分の拡大断面図で
、第２図Ａ−は外部ＩＪ−ドに外装メッキを施した状況
、第２図Ｂは「ばり」を除去した状況を示す。 第３図はこの発明の一実施例を説明するための第１図Ｃ
にＰで示した部分の拡大断面図である。 図において、１はリードフレーム、２は封止樹脂体、３
は外部リード、５は「ばり−」、６は外装メッキ、７は
「かえり」、８は凹部（段差部）である。 なお、図中同一符号は同一もしくは相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ リードフレームに装着された半導体素子を包み込み
上記リードフレームの外部リードを外部へ出すように樹
脂封止する第１の工程、−上記外部リード相互間に生じ
た封止樹脂の「ばり」に接する上記外部リードの表面部
を穿ち、上記「ばり」の表面との間に段差を形成する第
２の工程、この第２の工程の後に上記外部、リードに外
装メッキを施す第３の工程、およびこの第３の工程の後
に上記［−ばり」を除去する第４の工程を備えた樹脂封
止形半導体装置の製造方法。 ２ 第２の工程において化学研摩によって「ば伽に接す
る外部リードの表面部を除去することを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の樹脂封止形半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10786178A JPS5845189B2 (ja) | 1978-09-01 | 1978-09-01 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10786178A JPS5845189B2 (ja) | 1978-09-01 | 1978-09-01 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5534485A JPS5534485A (en) | 1980-03-11 |
| JPS5845189B2 true JPS5845189B2 (ja) | 1983-10-07 |
Family
ID=14469923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10786178A Expired JPS5845189B2 (ja) | 1978-09-01 | 1978-09-01 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5845189B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2554879B2 (ja) * | 1987-04-30 | 1996-11-20 | 京セラ株式会社 | プラグイン型半導体素子収納用パツケ−ジの製造方法 |
-
1978
- 1978-09-01 JP JP10786178A patent/JPS5845189B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5534485A (en) | 1980-03-11 |
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