JP2000260908A - 表面実装型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
表面実装型半導体装置およびその製造方法Info
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- JP2000260908A JP2000260908A JP6005499A JP6005499A JP2000260908A JP 2000260908 A JP2000260908 A JP 2000260908A JP 6005499 A JP6005499 A JP 6005499A JP 6005499 A JP6005499 A JP 6005499A JP 2000260908 A JP2000260908 A JP 2000260908A
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 外部接続リードとパッケージ樹脂体との境に
発生する樹脂バリを完全に排除した表面実装型半導体装
置およびその製造方法を提供すること。 【解決手段】 半導体チップが固着されたダイパッドの
裏面がパッケージ上面に露出するとともに、外部接続リ
ード１７の端部１７−１がパッケージ下面１８部におい
て露出した表面実装型プラスチックパッケージにおい
て、このパッケージ下面１８に近接するリード曲折部１
９に段差２０を設けた状態においてプラスチックモール
ドを行い、パッケージを形成する。
発生する樹脂バリを完全に排除した表面実装型半導体装
置およびその製造方法を提供すること。 【解決手段】 半導体チップが固着されたダイパッドの
裏面がパッケージ上面に露出するとともに、外部接続リ
ード１７の端部１７−１がパッケージ下面１８部におい
て露出した表面実装型プラスチックパッケージにおい
て、このパッケージ下面１８に近接するリード曲折部１
９に段差２０を設けた状態においてプラスチックモール
ドを行い、パッケージを形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面実装型プラス
チックパッケージを有する半導体装置の製造方法に関す
る。
チックパッケージを有する半導体装置の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の表面実装型プラスチックパッケー
ジを有する半導体装置、すなわち、表面実装型半導体装
置の一例を、図４乃至図６を参照して説明する。
ジを有する半導体装置、すなわち、表面実装型半導体装
置の一例を、図４乃至図６を参照して説明する。
【０００３】図４は従来の表面実装型半導体装置の構成
を示す図で、（Ａ）はその一部を示す上面図、（Ｂ）は
その側面図、（Ｃ）はその底面図である。同図におい
て、半導体装置はプラスチックパッケージ１は、パッケ
ージ本体２の上面中心部にダイバット３の裏面が露出し
ている。このパッケージ本体２の内部には、同図（Ｂ）
に示されるように、Ｚ字型に曲折された外部接続リード
４が埋め込まれており、その端部は同図（Ｃ）に示され
るように、パッケージ下面７の端部において露出してい
る。そして、ダイバット３の表面（図の下面）には、同
図（Ｂ）に示されるように、半導体チップ５が固着され
ており、この半導体チップ５と外部接続リード４とは金
線６で接続されている。
を示す図で、（Ａ）はその一部を示す上面図、（Ｂ）は
その側面図、（Ｃ）はその底面図である。同図におい
て、半導体装置はプラスチックパッケージ１は、パッケ
ージ本体２の上面中心部にダイバット３の裏面が露出し
ている。このパッケージ本体２の内部には、同図（Ｂ）
に示されるように、Ｚ字型に曲折された外部接続リード
４が埋め込まれており、その端部は同図（Ｃ）に示され
るように、パッケージ下面７の端部において露出してい
る。そして、ダイバット３の表面（図の下面）には、同
図（Ｂ）に示されるように、半導体チップ５が固着され
ており、この半導体チップ５と外部接続リード４とは金
線６で接続されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構造の従来の表面実装型半導体装置においては、外
部接続リード４の端部は、基板実装側となるパッケージ
下面７と同じ平面を形成するように露出し、かつ、この
リード４の端部９はパッケージ本体２の端部から外に張
り出していないため、樹脂封止時の樹脂の回り込みが発
生しやすい。この結果、図５および図６に示されるよう
に、パッケージ下面７端部において露出した外部接続リ
ード４の端部９とパッケージ下面７との境１１には樹脂
バリ１２が発生し、これが外部接続リード端部９の露出
した表面を覆うため、半導体装置の基板実装時の有効面
を損ない、外部接続リード４と実装基板との密着性を著
しく阻害するという問題があった。
うな構造の従来の表面実装型半導体装置においては、外
部接続リード４の端部は、基板実装側となるパッケージ
下面７と同じ平面を形成するように露出し、かつ、この
リード４の端部９はパッケージ本体２の端部から外に張
り出していないため、樹脂封止時の樹脂の回り込みが発
生しやすい。この結果、図５および図６に示されるよう
に、パッケージ下面７端部において露出した外部接続リ
ード４の端部９とパッケージ下面７との境１１には樹脂
バリ１２が発生し、これが外部接続リード端部９の露出
した表面を覆うため、半導体装置の基板実装時の有効面
を損ない、外部接続リード４と実装基板との密着性を著
しく阻害するという問題があった。
【０００５】したがって、本発明の目的は、外部接続リ
ードとパッケージ樹脂体との境に発生する樹脂バリを完
全に排除した表面実装型半導体装置およびその製造方法
を提供することにある。
ードとパッケージ樹脂体との境に発生する樹脂バリを完
全に排除した表面実装型半導体装置およびその製造方法
を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の表面実装型半導
体装置は、半導体チップが固着されたダイパッドと、こ
のダイパッドの裏面が上面に露出するように、前記半導
体チップをモールドするプラスチックパッケージと、一
端が前記プラスチックパッケージ内部において前記半導
体チップに接続され、他端が前記パッケージ下面に露出
するように前記パッケージ下面近傍で曲折された外部接
続リードとを備え、この外部接続リードの前記曲折部に
段差部を形成したことを特徴とするものである。
体装置は、半導体チップが固着されたダイパッドと、こ
のダイパッドの裏面が上面に露出するように、前記半導
体チップをモールドするプラスチックパッケージと、一
端が前記プラスチックパッケージ内部において前記半導
体チップに接続され、他端が前記パッケージ下面に露出
するように前記パッケージ下面近傍で曲折された外部接
続リードとを備え、この外部接続リードの前記曲折部に
段差部を形成したことを特徴とするものである。
【０００７】また、本発明の表面実装型半導体装置にお
いては、前記段差部は、前記プラスチックパッケージの
モールドの際、前記パッケージ裏面に露出した外部接続
リードの表面への樹脂の回り込みを防止することを特徴
とするものである。
いては、前記段差部は、前記プラスチックパッケージの
モールドの際、前記パッケージ裏面に露出した外部接続
リードの表面への樹脂の回り込みを防止することを特徴
とするものである。
【０００８】本発明の表面実装型半導体装置の製造方法
は、半導体チップが固着されたダイパッドと、このダイ
パッドの裏面が上面に露出するように、前記半導体チッ
プをモールドするプラスチックパッケージと、一端が前
記プラスチックパッケージ内部において前記半導体チッ
プに接続され、他端が前記パッケージ下面に露出するよ
うに前記パッケージ下面近傍で曲折された外部接続リー
ドとを備えた表面実装型半導体装置の製造方法におい
て、前記プラスチックパッケージのモールドの際、外部
接続リード部のリード曲折部に段差を予め形成しておく
ことにより、前記パッケージ下面に露出した外部接続リ
ードの表面への樹脂の回り込みを防止することを特徴と
するものである。
は、半導体チップが固着されたダイパッドと、このダイ
パッドの裏面が上面に露出するように、前記半導体チッ
プをモールドするプラスチックパッケージと、一端が前
記プラスチックパッケージ内部において前記半導体チッ
プに接続され、他端が前記パッケージ下面に露出するよ
うに前記パッケージ下面近傍で曲折された外部接続リー
ドとを備えた表面実装型半導体装置の製造方法におい
て、前記プラスチックパッケージのモールドの際、外部
接続リード部のリード曲折部に段差を予め形成しておく
ことにより、前記パッケージ下面に露出した外部接続リ
ードの表面への樹脂の回り込みを防止することを特徴と
するものである。
【０００９】また、本発明の表面実装型半導体装置の製
造方法においては、前記リードに設けた段差部は、前記
リードの曲折前にその表面に形成されたＶ字溝あるいは
Ｕ字溝により構成されることを特徴とするものである。
造方法においては、前記リードに設けた段差部は、前記
リードの曲折前にその表面に形成されたＶ字溝あるいは
Ｕ字溝により構成されることを特徴とするものである。
【００１０】さらに、本発明の表面実装型半導体装置の
製造方法においては、前記Ｖ字溝あるいはＵ字溝は、前
記リードフレームのプレス加工あるいはエッチング加工
により形成することを特徴とするものである。
製造方法においては、前記Ｖ字溝あるいはＵ字溝は、前
記リードフレームのプレス加工あるいはエッチング加工
により形成することを特徴とするものである。
【００１１】さらに、本発明の表面実装型半導体装置の
製造方法においては、前記リードに設けた段差部は、前
記リードの曲折後にその表面に形成されたＶ字溝あるい
はＵ字溝により構成されることを特徴とするものであ
る。
製造方法においては、前記リードに設けた段差部は、前
記リードの曲折後にその表面に形成されたＶ字溝あるい
はＵ字溝により構成されることを特徴とするものであ
る。
【００１２】さらに、本発明の表面実装型半導体装置の
製造方法においては、前記Ｖ字溝あるいはＵ字溝は、前
記段差をリード曲げ後にプレス加工にて形成したリード
フレームを備えたことを特徴とするものである。
製造方法においては、前記Ｖ字溝あるいはＵ字溝は、前
記段差をリード曲げ後にプレス加工にて形成したリード
フレームを備えたことを特徴とするものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図１
乃至図３に基づいて説明する。本発明の表面実装型半導
体装置の基本的な構成は図４に示した従来の装置と同じ
であるため、共通する構成部分の説明は省略し、異なる
部分について以下に説明する。
乃至図３に基づいて説明する。本発明の表面実装型半導
体装置の基本的な構成は図４に示した従来の装置と同じ
であるため、共通する構成部分の説明は省略し、異なる
部分について以下に説明する。
【００１４】図１は本発明による表面実装型半導体装置
の外部接続リードを含む部分を拡大して示す断面図、図
２は本発明に用いられる外部接続リードの製造方法を示
す図で、（Ａ）及び（Ｂ）は曲げ加工前の上面図及び側
面図をそれぞれ示しており、（Ｃ）及び（Ｄ）は曲げ加
工後の上面図及び側面図をそれぞれ示している。
の外部接続リードを含む部分を拡大して示す断面図、図
２は本発明に用いられる外部接続リードの製造方法を示
す図で、（Ａ）及び（Ｂ）は曲げ加工前の上面図及び側
面図をそれぞれ示しており、（Ｃ）及び（Ｄ）は曲げ加
工後の上面図及び側面図をそれぞれ示している。
【００１５】先ず、本発明の表面実装型半導体装置は、
図１に示すように、外部接続リード１７の端部１７−１
はパッケージ下面１８との交差部において曲折され、外
部接続リード１７の端部１７−１下面はパッケージ下面
１８と同一平面を成すように露出している。そして外部
接続リード１７の曲折部１９には、予め段差２０を形成
した状態で樹脂封止される。
図１に示すように、外部接続リード１７の端部１７−１
はパッケージ下面１８との交差部において曲折され、外
部接続リード１７の端部１７−１下面はパッケージ下面
１８と同一平面を成すように露出している。そして外部
接続リード１７の曲折部１９には、予め段差２０を形成
した状態で樹脂封止される。
【００１６】このように外部接続リード１７の曲折部１
９に予め段差２０を形成した状態で樹脂封止すると、パ
ッケージ下面１８を形成するモールド樹脂は、段差２０
によりその流れが塞き止められ、外部接続リード１７の
端部１７−１下面への回り込みが防止される。したがっ
て図６に示したような、パッケージ下面１８と外部接続
リード端部１７−１との境界部における樹脂バリの発生
を抑制することができる。
９に予め段差２０を形成した状態で樹脂封止すると、パ
ッケージ下面１８を形成するモールド樹脂は、段差２０
によりその流れが塞き止められ、外部接続リード１７の
端部１７−１下面への回り込みが防止される。したがっ
て図６に示したような、パッケージ下面１８と外部接続
リード端部１７−１との境界部における樹脂バリの発生
を抑制することができる。
【００１７】次に、上記外部接続リード１７の曲折部１
９に段差２０を形成する工程を図２により説明する。同
図（Ａ）および（Ｂ）に示されるように、曲げ加工前の
平板状のリードフレーム２１において、曲げ加工を施す
位置２３にＶ字溝２２をプレス加工により形成する。そ
の後、同図（Ｃ）（Ｄ）に示されるように、外部接続リ
ード１７を位置２３および２４においてプレス加工によ
りＺ字型に曲折する。なお、このＶ字溝２２の形成方法
としてはプレス加工を用いたが、場合によってはエッチ
ング加工を用いることも可能である。また、Ｖ字溝２２
に限らずＵ字溝出もよい。
９に段差２０を形成する工程を図２により説明する。同
図（Ａ）および（Ｂ）に示されるように、曲げ加工前の
平板状のリードフレーム２１において、曲げ加工を施す
位置２３にＶ字溝２２をプレス加工により形成する。そ
の後、同図（Ｃ）（Ｄ）に示されるように、外部接続リ
ード１７を位置２３および２４においてプレス加工によ
りＺ字型に曲折する。なお、このＶ字溝２２の形成方法
としてはプレス加工を用いたが、場合によってはエッチ
ング加工を用いることも可能である。また、Ｖ字溝２２
に限らずＵ字溝出もよい。
【００１８】また、上記外部接続リード１７の曲折部１
９への段差２０の形成は、外部接続リード１７の曲げ加
工後に行うことも可能である。
９への段差２０の形成は、外部接続リード１７の曲げ加
工後に行うことも可能である。
【００１９】図３は、外部接続リード１７の曲げ加工後
に段差を形成する工程を示す図で、（Ａ）はリードフレ
ームの上面図、（Ｂ）はリードフレームの側面図であ
る。同図（Ｂ）に示すように、外部接続リード２７はＺ
字型に曲げ加工され、この後、プレス加工によりリード
曲折部２８に段差２９を形成する。このように、リード
の曲加工後に段差を設けることにより、リードの曲折位
置と段差形成位置とを容易に合致できるため、段差形成
のための位置決めを正確に行うことができる。
に段差を形成する工程を示す図で、（Ａ）はリードフレ
ームの上面図、（Ｂ）はリードフレームの側面図であ
る。同図（Ｂ）に示すように、外部接続リード２７はＺ
字型に曲げ加工され、この後、プレス加工によりリード
曲折部２８に段差２９を形成する。このように、リード
の曲加工後に段差を設けることにより、リードの曲折位
置と段差形成位置とを容易に合致できるため、段差形成
のための位置決めを正確に行うことができる。
【００２０】すなわち、前記した図２の実施形態では、
リード曲げ時に、そのリード曲げコーナー部にＶ字溝を
配置しているため、その配置位置を事前に計算しなけれ
ばならなかったが、本実施形態では事前の計算を行う必
要はなくなり、それだけ段差作成の作業効率を向上させ
ることになる。
リード曲げ時に、そのリード曲げコーナー部にＶ字溝を
配置しているため、その配置位置を事前に計算しなけれ
ばならなかったが、本実施形態では事前の計算を行う必
要はなくなり、それだけ段差作成の作業効率を向上させ
ることになる。
【００２１】
【発明の効果】上記した本発明によれば、パッケージの
実装時に障害となるリード面への樹脂バリの発生を防止
でき、基板ヘの実装が安定に行うことができる。
実装時に障害となるリード面への樹脂バリの発生を防止
でき、基板ヘの実装が安定に行うことができる。
【００２２】また、外部接続リードのリード曲げ部に段
差部を設けたことによって、樹脂部とリード部との境界
が鮮明となり、リード長さの測定が容易になり、基板へ
の実装が容易となる。
差部を設けたことによって、樹脂部とリード部との境界
が鮮明となり、リード長さの測定が容易になり、基板へ
の実装が容易となる。
【図１】本発明による表面実装型半導体装置の外部接続
リードを含む部分を拡大して示す断面図である。
リードを含む部分を拡大して示す断面図である。
【図２】本発明に用いられる外部接続リードの製造方法
を示す図で、（Ａ）及び（Ｂ）は曲げ加工前の上面図及
び側面図、（Ｃ）及び（Ｄ）は曲げ加工後の上面図及び
側面図である。
を示す図で、（Ａ）及び（Ｂ）は曲げ加工前の上面図及
び側面図、（Ｃ）及び（Ｄ）は曲げ加工後の上面図及び
側面図である。
【図３】本発明の外部接続リードの他の製造方法を示す
図で、（Ａ）はリードフレームの上面図、（Ｂ）はリー
ドフレームの側面図である。
図で、（Ａ）はリードフレームの上面図、（Ｂ）はリー
ドフレームの側面図である。
【図４】従来の表面実装型半導体装置の構成を示す断面
図である。
図である。
【図５】従来の表面実装型半導体装置の構成を示す要部
下面図である。
下面図である。
【図６】従来の表面実装型半導体装置の構成を示す要部
断面図である。
断面図である。
１ パッケージ上面 ２ パッケージ本体 ３ ダイパッド ４，９ 外部接続リード ５ 半導体チップ ６ 金線 ７、８、１５、１８ パッケージ下面 １０ パッケージ本体 １１ 境堺部 １２、１６ 樹脂バリ １３、１７、２１、２７ 外部接続リード １４、２５、２８ リード曲折部 １９ 曲折部 ２０、２６、２９ 段差 ２２ Ｖ字溝 ２３ 曲折位置 ２４ 曲折位置
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体チップが固着されたダイパッド
と、このダイパッドの裏面が上面に露出するように、前
記半導体チップをモールドするプラスチックパッケージ
と、一端が前記プラスチックパッケージ内部において前
記半導体チップに接続され、他端が前記パッケージ下面
に露出するように前記パッケージ下面近傍で曲折された
外部接続リードとを備え、この外部接続リードの前記曲
折部に段差部を形成したことを特徴とする表面実装型半
導体装置。 - 【請求項２】 前記段差部は、前記プラスチックパッケ
ージのモールドの際、前記パッケージ裏面に露出した外
部接続リードの表面への樹脂の回り込みを防止すること
を特徴とする請求項１記載の表面実装型半導体装置。 - 【請求項３】 半導体チップが固着されたダイパッド
と、このダイパッドの裏面が上面に露出するように、前
記半導体チップをモールドするプラスチックパッケージ
と、一端が前記プラスチックパッケージ内部において前
記半導体チップに接続され、他端が前記パッケージ下面
に露出するように前記パッケージ下面近傍で曲折された
外部接続リードとを備えた表面実装型半導体装置の製造
方法において、前記プラスチックパッケージのモールド
の際、外部接続リード部のリード曲折部に段差を予め形
成しておくことにより、前記パッケージ下面に露出した
外部接続リードの表面への樹脂の回り込みを防止するこ
とを特徴とする表面実装型半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記リードに設けた段差部は、前記リー
ドの曲折前にその表面に形成されたＶ字溝あるいはＵ字
溝により構成されることを特徴とする請求項３記載の表
面実装型半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記Ｖ字溝あるいはＵ字溝は、前記リー
ドフレームのプレス加工あるいはエッチング加工により
形成することを特徴とする請求項４記載の表面実装型半
導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記リードに設けた段差部は、前記リー
ドの曲折後にその表面に形成されたＶ字溝あるいはＵ字
溝により構成されることを特徴とする請求項３に記載の
表面実装型半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記Ｖ字溝あるいはＵ字溝は、前記段差
をリード曲げ後にプレス加工にて形成したリードフレー
ムを備えたことを特徴とする請求項５に記載の表面実装
型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6005499A JP2000260908A (ja) | 1999-03-08 | 1999-03-08 | 表面実装型半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6005499A JP2000260908A (ja) | 1999-03-08 | 1999-03-08 | 表面実装型半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000260908A true JP2000260908A (ja) | 2000-09-22 |
Family
ID=13130998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6005499A Pending JP2000260908A (ja) | 1999-03-08 | 1999-03-08 | 表面実装型半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000260908A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8193091B2 (en) | 2002-01-09 | 2012-06-05 | Panasonic Corporation | Resin encapsulated semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP2017168553A (ja) * | 2016-03-15 | 2017-09-21 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1999
- 1999-03-08 JP JP6005499A patent/JP2000260908A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8193091B2 (en) | 2002-01-09 | 2012-06-05 | Panasonic Corporation | Resin encapsulated semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP2017168553A (ja) * | 2016-03-15 | 2017-09-21 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060210 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Effective date: 20060221 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080422 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20080520 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080930 |