JPH08139252A - 半導体装置の製造方法およびそれに用いるリードフレーム - Google Patents
半導体装置の製造方法およびそれに用いるリードフレームInfo
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- JPH08139252A JPH08139252A JP27465494A JP27465494A JPH08139252A JP H08139252 A JPH08139252 A JP H08139252A JP 27465494 A JP27465494 A JP 27465494A JP 27465494 A JP27465494 A JP 27465494A JP H08139252 A JPH08139252 A JP H08139252A
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- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 難しい半導体製造技術を用いることなく、ア
ウターリード部の表面に半田外装処理を施す。 【構成】 QFP構造を有する半導体装置におけるリー
ド3aL のアウターリード部の片面にクラッドされた金
属薄膜2を半田ディップ処理等のようなリード外装処理
に先立って除去する工程を設けた。
ウターリード部の表面に半田外装処理を施す。 【構成】 QFP構造を有する半導体装置におけるリー
ド3aL のアウターリード部の片面にクラッドされた金
属薄膜2を半田ディップ処理等のようなリード外装処理
に先立って除去する工程を設けた。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
およびそれに用いるリードフレーム技術に関し、特に、
QFP(Quad Flat Package)構造を有する半導体装置の
製造方法に適用して有効な技術に関するものである。
およびそれに用いるリードフレーム技術に関し、特に、
QFP(Quad Flat Package)構造を有する半導体装置の
製造方法に適用して有効な技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体装置を構成するリードフレームを
製造する際に、リードパターンをエッチング処理によっ
てパターニングし、リードパターンの先端(インナーリ
ード部)に、ボンディングワイヤとの接合性を良好にす
る等の観点から金属薄膜を蒸着法によって被着する技術
がある。
製造する際に、リードパターンをエッチング処理によっ
てパターニングし、リードパターンの先端(インナーリ
ード部)に、ボンディングワイヤとの接合性を良好にす
る等の観点から金属薄膜を蒸着法によって被着する技術
がある。
【0003】しかし、この方法の場合は、エッチング技
術および蒸着技術が共に高価であるために、リードフレ
ームの価格が高くなってしまう問題がある。
術および蒸着技術が共に高価であるために、リードフレ
ームの価格が高くなってしまう問題がある。
【0004】そこで、リードフレーム形成用の金属板に
金属薄膜をクラッドした後、その金属板をプレス等で打
ち抜き加工することによってリードパターンを形成する
方法がある。この場合、リードパターンのパターニング
および金属薄膜の被着処理を安価にできるので、リード
フレームの価格を低下させることが可能である。
金属薄膜をクラッドした後、その金属板をプレス等で打
ち抜き加工することによってリードパターンを形成する
方法がある。この場合、リードパターンのパターニング
および金属薄膜の被着処理を安価にできるので、リード
フレームの価格を低下させることが可能である。
【0005】クラッドを用いたリードフレームについて
は、例えば日刊工業新聞社、1987年8月20日発
行、「電子技術・臨時増刊号 エレクトロニクス新材料
のすべて Vol.29 No.11 8月号」P73
〜P74に記載があり、スポットクラッド法やストライ
プクラッド法について記載がある。
は、例えば日刊工業新聞社、1987年8月20日発
行、「電子技術・臨時増刊号 エレクトロニクス新材料
のすべて Vol.29 No.11 8月号」P73
〜P74に記載があり、スポットクラッド法やストライ
プクラッド法について記載がある。
【0006】このスポットクラッド法は、金属板におい
て単位フレームの形成領域に部分的に金属薄膜をクラッ
ドした後、その金属板をプレス等で打ち抜き加工するこ
とによりリードパターンを形成する方法である。
て単位フレームの形成領域に部分的に金属薄膜をクラッ
ドした後、その金属板をプレス等で打ち抜き加工するこ
とによりリードパターンを形成する方法である。
【0007】しかし、この方法の場合は、金属薄膜の配
置位置の精度が高くないためにリードパターンと金属薄
膜との間に位置ずれが生じる場合がある。また、この方
法はニーズも少ないので価格的に高価となる。
置位置の精度が高くないためにリードパターンと金属薄
膜との間に位置ずれが生じる場合がある。また、この方
法はニーズも少ないので価格的に高価となる。
【0008】一方、ストライプクラッド法は、金属板上
にその長手方向に延びる帯状の金属薄膜をクラッドした
後、その金属板をプレス等で打ち抜き加工することによ
りリードパターンを形成する方法であり、DIP(Dual
Inline Package)用のリードフレームに用いられてい
る。この場合は、金属薄膜を帯状に配置するのでその配
置位置精度の問題が生じない。また、DIP用のリード
フレームにおいて既に多用されているので価格的にも安
価である。
にその長手方向に延びる帯状の金属薄膜をクラッドした
後、その金属板をプレス等で打ち抜き加工することによ
りリードパターンを形成する方法であり、DIP(Dual
Inline Package)用のリードフレームに用いられてい
る。この場合は、金属薄膜を帯状に配置するのでその配
置位置精度の問題が生じない。また、DIP用のリード
フレームにおいて既に多用されているので価格的にも安
価である。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記したス
トライプクラッド技術においては、以下の問題があるこ
とを本発明者は見い出した。
トライプクラッド技術においては、以下の問題があるこ
とを本発明者は見い出した。
【0010】すなわち、DIP用のリードフレームの製
造時に用いているストライプクラッド法は、リードフレ
ームの長手方向に沿って帯状に金属薄膜をクラッドする
方法なので、この方法をそのままQFP用のリードフレ
ームに用いると、リードフレームの長手方向に沿って延
在するリードの主面側の全面に金属薄膜が被覆されてし
まうことになり、そのリードのアウターリード部分にも
金属薄膜が被覆されることになる結果、アウターリード
部の外装処理に際して、アウターリード部に被覆された
金属薄膜に起因してアウターリード部の表面を半田等に
よって被覆することができないという問題があった。
造時に用いているストライプクラッド法は、リードフレ
ームの長手方向に沿って帯状に金属薄膜をクラッドする
方法なので、この方法をそのままQFP用のリードフレ
ームに用いると、リードフレームの長手方向に沿って延
在するリードの主面側の全面に金属薄膜が被覆されてし
まうことになり、そのリードのアウターリード部分にも
金属薄膜が被覆されることになる結果、アウターリード
部の外装処理に際して、アウターリード部に被覆された
金属薄膜に起因してアウターリード部の表面を半田等に
よって被覆することができないという問題があった。
【0011】本発明の目的は、難しい半導体製造技術を
用いることなく、半導体装置のアウターリード部の表面
に良好に半田外装処理を施すことのできる技術を提供す
ることにある。
用いることなく、半導体装置のアウターリード部の表面
に良好に半田外装処理を施すことのできる技術を提供す
ることにある。
【0012】本発明の他の目的は、半導体装置を高価に
することなく、半導体装置のアウターリード部の表面に
良好に半田外装処理を施すことのできる技術を提供する
ことにある。
することなく、半導体装置のアウターリード部の表面に
良好に半田外装処理を施すことのできる技術を提供する
ことにある。
【0013】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、明細書の記述および添付図面から明らかにな
るであろう。
な特徴は、明細書の記述および添付図面から明らかにな
るであろう。
【0014】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【0015】すなわち、本発明の半導体装置の製造方法
は、リードフレーム形成用の金属板の少なくとも主面上
にその長手方向に沿って帯状に延在するように、また
は、前記金属板の少なくとも主面上の全面に所定の導体
薄膜を圧着する工程と、前記金属板に、4方向に延在す
る複数のリードのパターンを備えてなる複数の単位フレ
ームを形成する単位フレーム形成工程と、前記単位フレ
ームをパッケージに組み込む工程と、前記パッケージの
外周から突出する前記リードに被覆された前記所定の導
体薄膜を除去する工程と、前記所定の導体薄膜を除去し
た後の前記リードの表面に半田を被覆する工程とを有す
るものである。
は、リードフレーム形成用の金属板の少なくとも主面上
にその長手方向に沿って帯状に延在するように、また
は、前記金属板の少なくとも主面上の全面に所定の導体
薄膜を圧着する工程と、前記金属板に、4方向に延在す
る複数のリードのパターンを備えてなる複数の単位フレ
ームを形成する単位フレーム形成工程と、前記単位フレ
ームをパッケージに組み込む工程と、前記パッケージの
外周から突出する前記リードに被覆された前記所定の導
体薄膜を除去する工程と、前記所定の導体薄膜を除去し
た後の前記リードの表面に半田を被覆する工程とを有す
るものである。
【0016】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
前記単位フレーム形成工程において、前記複数のリード
のパターンを、打ち抜き加工処理によって形成するもの
である。
前記単位フレーム形成工程において、前記複数のリード
のパターンを、打ち抜き加工処理によって形成するもの
である。
【0017】
【作用】上記した本発明の半導体装置の製造方法によれ
ば、リードフレームの製造工程においてリードフレーム
形成用の金属板上に導体薄膜を被覆する際に、蒸着法等
のような高度で難しい方法を用いないで、簡単で安価な
圧着法を用い、一部のアウターリード部が導体薄膜によ
り被覆されたとしても、その導体薄膜をアウターリード
部の半田外装処理に先立って除去することにより、半導
体装置のアウターリード部の表面に良好に半田外装処理
を施すことが可能となる。
ば、リードフレームの製造工程においてリードフレーム
形成用の金属板上に導体薄膜を被覆する際に、蒸着法等
のような高度で難しい方法を用いないで、簡単で安価な
圧着法を用い、一部のアウターリード部が導体薄膜によ
り被覆されたとしても、その導体薄膜をアウターリード
部の半田外装処理に先立って除去することにより、半導
体装置のアウターリード部の表面に良好に半田外装処理
を施すことが可能となる。
【0018】また、上記した本発明の半導体装置の製造
方法によれば、リードフレームの製造工程においてリー
ドフレーム形成用の金属板上にリードパターンを形成す
る際に、エッチング等のような高度で難しい方法を用い
ないで、簡単で安価な打ち抜き加工法を用いることによ
り、リードフレームをさらに簡単に、かつ、さらに安価
に製造することが可能となる。
方法によれば、リードフレームの製造工程においてリー
ドフレーム形成用の金属板上にリードパターンを形成す
る際に、エッチング等のような高度で難しい方法を用い
ないで、簡単で安価な打ち抜き加工法を用いることによ
り、リードフレームをさらに簡単に、かつ、さらに安価
に製造することが可能となる。
【0019】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しながら
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【0020】図1は本発明の一実施例である半導体装置
構成用のリードフレームを形成するための金属板の要部
平面図、図2はリードフレームの要部平面図、図3は図
2のリードフレームにおける単位フレームの平面図、図
4は図3の単位フレームにおけるIVーIV線の断面
図、図5は図3の単位フレームにおけるVーV線の断面
図、図6〜図9は本発明の一実施例である半導体装置の
製造工程中における一部破断側面図である。
構成用のリードフレームを形成するための金属板の要部
平面図、図2はリードフレームの要部平面図、図3は図
2のリードフレームにおける単位フレームの平面図、図
4は図3の単位フレームにおけるIVーIV線の断面
図、図5は図3の単位フレームにおけるVーV線の断面
図、図6〜図9は本発明の一実施例である半導体装置の
製造工程中における一部破断側面図である。
【0021】本実施例の半導体装置を構成するリードフ
レームの製造方法を図1〜図5によって説明する。な
お、本実施例においては、例えばQFP(Quad Flat Pa
ckage)用のリードフレームの製造方法について説明す
る。
レームの製造方法を図1〜図5によって説明する。な
お、本実施例においては、例えばQFP(Quad Flat Pa
ckage)用のリードフレームの製造方法について説明す
る。
【0022】図1は本実施例のリードフレームを形成す
るための金属板1の一部を示している。金属板1は、例
えば平面帯状に形成された42アロイ等からなり、その
片面中央には、例えばアルミニウム(Al)からなる金
属薄膜2が金属板1の長手方向に沿って帯状に圧着され
ている。この金属薄膜2は、比較的安価な圧着法等によ
って金属板1に接合されている。
るための金属板1の一部を示している。金属板1は、例
えば平面帯状に形成された42アロイ等からなり、その
片面中央には、例えばアルミニウム(Al)からなる金
属薄膜2が金属板1の長手方向に沿って帯状に圧着され
ている。この金属薄膜2は、比較的安価な圧着法等によ
って金属板1に接合されている。
【0023】まず、このような金属板1に対して、比較
的安価な打ち抜きせん断加工処理を施すことにより、図
2に示すようなリードフレーム3を形成する。リードフ
レーム3には、複数の単位フレーム3aが長手方向に沿
って繰り返し設けられている。
的安価な打ち抜きせん断加工処理を施すことにより、図
2に示すようなリードフレーム3を形成する。リードフ
レーム3には、複数の単位フレーム3aが長手方向に沿
って繰り返し設けられている。
【0024】単位フレーム3aには、1個の半導体装置
に用いるのに必要な基本的なパターンに形成されてお
り、中央の四角形状の開口部4の四辺からリードフレー
ム3の幅方向および長手方向に延在する複数のリードパ
ターン3aL が形成されている。なお、各々の単位フレ
ーム3aのパターン形状は同一である。
に用いるのに必要な基本的なパターンに形成されてお
り、中央の四角形状の開口部4の四辺からリードフレー
ム3の幅方向および長手方向に延在する複数のリードパ
ターン3aL が形成されている。なお、各々の単位フレ
ーム3aのパターン形状は同一である。
【0025】1個の単位フレーム3aを切り出した図を
図3に示す。また、その長手方向の断面図を図4に示
し、その幅方向の断面図を図5に示す。
図3に示す。また、その長手方向の断面図を図4に示
し、その幅方向の断面図を図5に示す。
【0026】この段階において、リードパターン3aL
のうち、リードフレーム3の幅方向に延在するリードパ
ターン3aL においては、そのインナーリード部の主面
のみに金属薄膜2が被覆されている。すなわち、この方
向に延びるリードパターン3aL においては、パッケー
ジから露出する部分(アウターリード部)に金属薄膜2
が被覆されないようになっている。
のうち、リードフレーム3の幅方向に延在するリードパ
ターン3aL においては、そのインナーリード部の主面
のみに金属薄膜2が被覆されている。すなわち、この方
向に延びるリードパターン3aL においては、パッケー
ジから露出する部分(アウターリード部)に金属薄膜2
が被覆されないようになっている。
【0027】これに対して、リードフレーム1の長手方
向に延在するリードパターン3aLは、その主面の全面
が金属薄膜2によって被覆されている。すなわち、この
方向に延びるリードパターン3aL においては、アウタ
ーリード部にも金属薄膜2が被覆されるようになってい
る。
向に延在するリードパターン3aLは、その主面の全面
が金属薄膜2によって被覆されている。すなわち、この
方向に延びるリードパターン3aL においては、アウタ
ーリード部にも金属薄膜2が被覆されるようになってい
る。
【0028】次に、このリードフレーム3を用いた半導
体装置の製造方法を図6〜図8によって説明する。な
お、本実施例においては、例えばセラミックパッケージ
構造を有する半導体装置の製造方法について説明する。
体装置の製造方法を図6〜図8によって説明する。な
お、本実施例においては、例えばセラミックパッケージ
構造を有する半導体装置の製造方法について説明する。
【0029】まず、図6に示すように、上記した単位フ
レーム3aを、例えばアルミナ(Al2 O3 )のような
セラミックからなるパッケージ基板5の外周に配置しガ
ラス等によってパッケージ基板5と接着する。なお、こ
の際、リードパターン3aLにおける金属薄膜2の被覆
面が上を向くように配置する。
レーム3aを、例えばアルミナ(Al2 O3 )のような
セラミックからなるパッケージ基板5の外周に配置しガ
ラス等によってパッケージ基板5と接着する。なお、こ
の際、リードパターン3aLにおける金属薄膜2の被覆
面が上を向くように配置する。
【0030】続いて、パッケージ基板5の中央のチップ
実装領域6上に半導体チップ7を実装する。この半導体
チップ7は、例えばシリコン(Si)単結晶からなり、
その主面を上に向けた状態でチップ実装領域6上に実装
されている。
実装領域6上に半導体チップ7を実装する。この半導体
チップ7は、例えばシリコン(Si)単結晶からなり、
その主面を上に向けた状態でチップ実装領域6上に実装
されている。
【0031】なお、半導体チップ7は、銀(Ag)入り
エポキシ樹脂等によってチップ実装領域6と接合されて
いる。また、半導体チップ7の主面には、例えばEPR
OM(Erasable Programmable Read Only Memory)回路
等のような半導体メモリ回路が形成されている。
エポキシ樹脂等によってチップ実装領域6と接合されて
いる。また、半導体チップ7の主面には、例えばEPR
OM(Erasable Programmable Read Only Memory)回路
等のような半導体メモリ回路が形成されている。
【0032】その後、半導体チップ7のボンディングパ
ッド(図示せず)と、リードパターン3aL のインナー
リード部とをアルミニウム(Al)等からなるボンディ
ングワイヤ8によって接合する。この際、インナーリー
ド部の上面には、金属薄膜2が被覆されているので、ボ
ンディングワイヤ8とインナーリード部とを良好に接続
することが可能となっている。
ッド(図示せず)と、リードパターン3aL のインナー
リード部とをアルミニウム(Al)等からなるボンディ
ングワイヤ8によって接合する。この際、インナーリー
ド部の上面には、金属薄膜2が被覆されているので、ボ
ンディングワイヤ8とインナーリード部とを良好に接続
することが可能となっている。
【0033】次いで、図7に示すように、例えばAl2
O3 のようなセラミックからなるキャップ9の脚部の下
面をパッケージ基板5の外周面に対向させ、その脚部下
面とパケージ基板5の外周面とをその間にリードパター
ン3aL を挟み込んだ状態でガラス等からなる接着層1
0により接合することにより、半導体チップ7を気密封
止する。
O3 のようなセラミックからなるキャップ9の脚部の下
面をパッケージ基板5の外周面に対向させ、その脚部下
面とパケージ基板5の外周面とをその間にリードパター
ン3aL を挟み込んだ状態でガラス等からなる接着層1
0により接合することにより、半導体チップ7を気密封
止する。
【0034】続いて、リードパターン3aL のアウター
リード部を、例えばJ字状に成形する。この段階では、
一方向に延在するアウターリード部の表面には金属薄膜
2が被覆されている。
リード部を、例えばJ字状に成形する。この段階では、
一方向に延在するアウターリード部の表面には金属薄膜
2が被覆されている。
【0035】その後、本実施例においては、リードパタ
ーン3aL のアウターリード部に被着された金属薄膜2
をAl除去剤等によって除去する。この処理後の半導体
装置を図8に示す。このような処理を行う理由は、リー
ドパターン3aL のアウターリード部に金属薄膜2が被
覆されていると、鉛(Pb)−錫(Sn)等からなる半
田をアウターリード部の表面に良好に被覆することがで
きないからである。
ーン3aL のアウターリード部に被着された金属薄膜2
をAl除去剤等によって除去する。この処理後の半導体
装置を図8に示す。このような処理を行う理由は、リー
ドパターン3aL のアウターリード部に金属薄膜2が被
覆されていると、鉛(Pb)−錫(Sn)等からなる半
田をアウターリード部の表面に良好に被覆することがで
きないからである。
【0036】最後に、半導体装置のリードパターン3a
L に対して半田ディップ処理を施すことにより、図9に
示すように、そのアウターリード部の表面に、例えばP
b−Sn等のような半田等からなる金属膜11を被覆す
る。その後、半導体装置に対して電気的な検査および外
観検査等を経てQFP−G(Glass)構造を有する半導体
装置を製造する。
L に対して半田ディップ処理を施すことにより、図9に
示すように、そのアウターリード部の表面に、例えばP
b−Sn等のような半田等からなる金属膜11を被覆す
る。その後、半導体装置に対して電気的な検査および外
観検査等を経てQFP−G(Glass)構造を有する半導体
装置を製造する。
【0037】このように、本実施例によれば、以下の効
果を得ることが可能となる。
果を得ることが可能となる。
【0038】(1).QFP構造を有する半導体装置の製造
に際して、そのアウターリード部の表面に半田等の金属
膜を被覆するための半田ディップ処理等に先立って、そ
のアウターリード部に被覆された金属薄膜2を除去する
ことにより、そのリードフレーム形成母体として、比較
的大量生産が可能な帯状の金属薄膜2の圧着された金属
板1を用いることが可能となる。
に際して、そのアウターリード部の表面に半田等の金属
膜を被覆するための半田ディップ処理等に先立って、そ
のアウターリード部に被覆された金属薄膜2を除去する
ことにより、そのリードフレーム形成母体として、比較
的大量生産が可能な帯状の金属薄膜2の圧着された金属
板1を用いることが可能となる。
【0039】(2).帯状の金属薄膜2が被着された金属板
1の場合、金属薄膜2を金属板1に圧着法によって接合
し、かつ、リードフレーム3の形成に際してリードパタ
ーン3aL を打ち抜き加工によって形成することが可能
となる。
1の場合、金属薄膜2を金属板1に圧着法によって接合
し、かつ、リードフレーム3の形成に際してリードパタ
ーン3aL を打ち抜き加工によって形成することが可能
となる。
【0040】(3).上記(1),(2) により、QFP構造を有
する半導体装置用のリードフレーム3の製造を簡単化す
ることができ、その半導体装置の製造を簡単化すること
が可能となる。
する半導体装置用のリードフレーム3の製造を簡単化す
ることができ、その半導体装置の製造を簡単化すること
が可能となる。
【0041】(4).上記(1) 〜(3) により、難しい半導体
製造方法を用いることなく、半導体装置のアウターリー
ド部に良好に半田外装処理を施すことが可能となる。
製造方法を用いることなく、半導体装置のアウターリー
ド部に良好に半田外装処理を施すことが可能となる。
【0042】(5).上記(1) 〜(4) により、金属薄膜2を
高価な蒸着法によって形成し、かつ、リードパターン3
aL を高価なエッチング法によってパターニングする技
術に比べて、そのリードフレーム3の製造コストを低下
させることができ、そのリードフレーム3を安価にする
ことができるので、QFP構造を有する半導体装置のコ
ストを低下させることが可能となる。
高価な蒸着法によって形成し、かつ、リードパターン3
aL を高価なエッチング法によってパターニングする技
術に比べて、そのリードフレーム3の製造コストを低下
させることができ、そのリードフレーム3を安価にする
ことができるので、QFP構造を有する半導体装置のコ
ストを低下させることが可能となる。
【0043】(6).上記(5) により、半導体装置を高価に
することなく、半導体装置のアウターリード部に良好に
半田外装処理を施すことが可能となる。
することなく、半導体装置のアウターリード部に良好に
半田外装処理を施すことが可能となる。
【0044】(7).帯状の金属薄膜2を圧着する金属板1
の場合、金属薄膜2の位置合わせが簡単にできるので、
金属薄膜2とリード3aL のインナーリード部との位置
ずれを防止することが可能となる。
の場合、金属薄膜2の位置合わせが簡単にできるので、
金属薄膜2とリード3aL のインナーリード部との位置
ずれを防止することが可能となる。
【0045】(8).上記(4),(6),(7) により、半導体装置
の信頼性および歩留りを向上させることが可能となる。
の信頼性および歩留りを向上させることが可能となる。
【0046】(9).上記(1) 〜(5) により、樹脂モールド
パッケージに比べて高価となってしまうセラミックパッ
ケージ構造を有する半導体装置のコストを低下させるこ
とが可能となる。
パッケージに比べて高価となってしまうセラミックパッ
ケージ構造を有する半導体装置のコストを低下させるこ
とが可能となる。
【0047】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
【0048】例えば前記実施例においては、金属薄膜を
帯状に形成した場合について説明したが、これに限定さ
れるものではなく、例えば金属薄膜を金属板の片面の全
面に被覆しても良い。この場合は、半導体装置の製造工
程において、パッケージの四辺から突出する全てのアウ
ターリード部の片面に金属薄膜が被覆されるようになる
が、この場合も半田ディップ処理等に先立って金属薄膜
を除去することにより、そのアウターリード部に半田等
のような所定の金属膜を被覆することができる。
帯状に形成した場合について説明したが、これに限定さ
れるものではなく、例えば金属薄膜を金属板の片面の全
面に被覆しても良い。この場合は、半導体装置の製造工
程において、パッケージの四辺から突出する全てのアウ
ターリード部の片面に金属薄膜が被覆されるようになる
が、この場合も半田ディップ処理等に先立って金属薄膜
を除去することにより、そのアウターリード部に半田等
のような所定の金属膜を被覆することができる。
【0049】また、前記実施例においては、リードフレ
ームを42アロイとした場合について説明したが、これ
に限定されるものではなく種々変更可能であり、例えば
鉄(Fe)、銅(Cu)、コバルトニッケル(CoN
i)合金等でも良い。
ームを42アロイとした場合について説明したが、これ
に限定されるものではなく種々変更可能であり、例えば
鉄(Fe)、銅(Cu)、コバルトニッケル(CoN
i)合金等でも良い。
【0050】また、前記実施例においては、リードパタ
ーンのアウタリード部の形状をJ字状とした場合につい
て説明したが、これに限定されるものではなく種々変更
可能であり、例えばガルウィング状やバット状にしても
良い。
ーンのアウタリード部の形状をJ字状とした場合につい
て説明したが、これに限定されるものではなく種々変更
可能であり、例えばガルウィング状やバット状にしても
良い。
【0051】また、前記実施例においては、アウターリ
ード部の表面に金属膜を被覆する方法として半田ディッ
プ法を用いた場合について説明したが、これに限定され
るものではなく種々変更可能であり、例えばメッキ法を
用いても良い。
ード部の表面に金属膜を被覆する方法として半田ディッ
プ法を用いた場合について説明したが、これに限定され
るものではなく種々変更可能であり、例えばメッキ法を
用いても良い。
【0052】また、前記実施例においては、本発明を半
導体チップにEPROM回路が形成された半導体装置に
適用した場合について説明したが、これに限定されるも
のではなく種々適用可能であり、半導体チップにDRA
M(Dynamic RAM)やSRAM(Static RAM)等のようは
他の半導体メモリ回路または論理回路が形成された半導
体装置にも適用可能である。
導体チップにEPROM回路が形成された半導体装置に
適用した場合について説明したが、これに限定されるも
のではなく種々適用可能であり、半導体チップにDRA
M(Dynamic RAM)やSRAM(Static RAM)等のようは
他の半導体メモリ回路または論理回路が形成された半導
体装置にも適用可能である。
【0053】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるセラミ
ックパッケージ構造を有する半導体装置に適用した場合
について説明したが、これに限定されず種々適用可能で
あり、例えば樹脂モールドパッケージ構造を有する半導
体装置等のような他の半導体装置に適用することも可能
である。
なされた発明をその背景となった利用分野であるセラミ
ックパッケージ構造を有する半導体装置に適用した場合
について説明したが、これに限定されず種々適用可能で
あり、例えば樹脂モールドパッケージ構造を有する半導
体装置等のような他の半導体装置に適用することも可能
である。
【0054】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【0055】(1).本発明の半導体装置の製造方法によれ
ば、リードフレームの製造工程においてリードフレーム
形成用の金属板上に導体薄膜を被覆する際に、蒸着法等
のような高度で難しい方法を用いないで、簡単で安価な
圧着法を用い、一部のアウターリード部が導体薄膜によ
り被覆されたとしても、その導体薄膜をアウターリード
部の半田外装処理に先立って除去することにより、半導
体装置のアウターリード部の表面に良好に半田外装処理
を施すことが可能となる。
ば、リードフレームの製造工程においてリードフレーム
形成用の金属板上に導体薄膜を被覆する際に、蒸着法等
のような高度で難しい方法を用いないで、簡単で安価な
圧着法を用い、一部のアウターリード部が導体薄膜によ
り被覆されたとしても、その導体薄膜をアウターリード
部の半田外装処理に先立って除去することにより、半導
体装置のアウターリード部の表面に良好に半田外装処理
を施すことが可能となる。
【0056】すなわち、難しい半導体製造技術を用いる
ことなく、半導体装置のアウターリード部の表面に良好
に半田外装処理を施すことが可能となる。また、半導体
装置を高価にすることなく、半導体装置のアウターリー
ド部の表面に良好に半田外装処理を施すことが可能とな
る。
ことなく、半導体装置のアウターリード部の表面に良好
に半田外装処理を施すことが可能となる。また、半導体
装置を高価にすることなく、半導体装置のアウターリー
ド部の表面に良好に半田外装処理を施すことが可能とな
る。
【0057】(2).上記した本発明の半導体装置の製造方
法によれば、リードフレームの製造工程においてリード
フレーム形成用の金属板上にリードパターンを形成する
際に、エッチング等のような高度で難しい方法を用いな
いで、簡単で安価な打ち抜き加工法を用いることによ
り、リードフレームをさらに簡単に、かつ、さらに安価
に製造することが可能となる。したがって、半導体装置
をさらに簡単に、かつ、安価に製造することが可能とな
る。
法によれば、リードフレームの製造工程においてリード
フレーム形成用の金属板上にリードパターンを形成する
際に、エッチング等のような高度で難しい方法を用いな
いで、簡単で安価な打ち抜き加工法を用いることによ
り、リードフレームをさらに簡単に、かつ、さらに安価
に製造することが可能となる。したがって、半導体装置
をさらに簡単に、かつ、安価に製造することが可能とな
る。
【図1】本発明の一実施例である半導体装置構成用のリ
ードフレームを形成するための金属板の要部平面図であ
る。
ードフレームを形成するための金属板の要部平面図であ
る。
【図2】リードフレームの要部平面図である。
【図3】図2のリードフレームにおける単位フレームの
平面図である。
平面図である。
【図4】図3の単位フレームにおけるIVーIV線の断
面図である。
面図である。
【図5】図3の単位フレームにおけるVーV線の断面図
である。
である。
【図6】本発明の一実施例である半導体装置の製造工程
中における一部破断側面図である。
中における一部破断側面図である。
【図7】本発明の一実施例である半導体装置の図6に続
く製造工程中における一部破断側面図である。
く製造工程中における一部破断側面図である。
【図8】本発明の一実施例である半導体装置の図7に続
く製造工程中における一部破断側面図である。
く製造工程中における一部破断側面図である。
【図9】本発明の一実施例である半導体装置の図8に続
く製造工程中における一部破断側面図である。
く製造工程中における一部破断側面図である。
1 金属板 2 金属薄膜(導体薄膜) 3 リードフレーム 3a 単位フレーム 3aL リードパターン 4 開口部 5 パッケージ基板 6 チップ実装領域 7 半導体チップ 8 ボンディングワイヤ 9 キャップ 10 接着層 11 金属膜
Claims (5)
- 【請求項1】 リードフレーム形成用の金属板の少なく
とも主面上にその長手方向に沿って帯状に延在するよう
に、または、前記金属板の少なくとも主面上の全面に所
定の導体薄膜を圧着する工程と、前記金属板に、4方向
に延在する複数のリードのパターンを備えてなる複数の
単位フレームを形成する単位フレーム形成工程と、前記
単位フレームをパッケージに組み込む工程と、前記パッ
ケージの外周から突出する前記リードに被覆された前記
所定の導体薄膜を除去する工程と、前記所定の導体薄膜
を除去した後の前記リードの表面に半田を被覆する工程
とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項2】 請求項1記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記単位フレーム形成工程において、前記複数
のリードのパターンを打ち抜き加工処理によって形成す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項3】 請求項1または2記載の半導体装置の製
造方法において、前記パッケージから突出するリードを
ガルウィング状、J字状またはバット状に成形する工程
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項4】 請求項1、2または3記載の半導体装置
の製造方法において、前記リードフレームが42合金、
鉄、銅またはコバルト・ニッケル合金からなり、前記導
体膜がアルミニウムからなることを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項5】 請求項1〜4のいずれか一項に記載の半
導体装置の製造方法に用いられるリードフレームにおい
て、4方向に延在する複数のリードのパターンを備えて
なる複数の単位フレームが形成されたフレーム本体の少
なくとも主面上に、その長手方向に沿って帯状に延在す
るように、または、前記フレーム本体の少なくとも主面
上の全面に、所定の導体薄膜が被覆されてなることを特
徴とするリードフレーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27465494A JPH08139252A (ja) | 1994-11-09 | 1994-11-09 | 半導体装置の製造方法およびそれに用いるリードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27465494A JPH08139252A (ja) | 1994-11-09 | 1994-11-09 | 半導体装置の製造方法およびそれに用いるリードフレーム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08139252A true JPH08139252A (ja) | 1996-05-31 |
Family
ID=17544708
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27465494A Pending JPH08139252A (ja) | 1994-11-09 | 1994-11-09 | 半導体装置の製造方法およびそれに用いるリードフレーム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08139252A (ja) |
-
1994
- 1994-11-09 JP JP27465494A patent/JPH08139252A/ja active Pending
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