JP2012109297A5 - - Google Patents

Description

本半導体パッケージの一の形態は、一方の面に凹部が形成された支持体と、回路形成面が前記一方の面側に露出するように前記凹部に収容された半導体チップと、前記半導体チップの前記回路形成面上及び前記支持体の前記一方の面上に形成された、前記半導体チップと電気的に接続される配線層を含む配線構造体と、を有し、前記支持体は、貫通孔を有する第１部材及び平板状の第２部材を備え、前記第１部材を前記第２部材の表面に直接接合してなり、前記凹部は、前記貫通孔の内側面及び前記貫通孔内に露出する前記第２部材の表面により形成されており、前記第１部材は硼珪酸ガラスからなり、前記第２部材はシリコン又は金属からなり、前記第１部材と前記第２部材とが陽極接合されていることを要件とする。
又、本半導体パッケージの他の形態は、一方の面に凹部が形成された支持体と、回路形成面が前記一方の面側に露出するように前記凹部に収容された半導体チップと、前記半導体チップの前記回路形成面上及び前記支持体の前記一方の面上に形成された、前記半導体チップと電気的に接続される配線層を含む配線構造体と、を有し、前記支持体は、貫通孔を有する第１部材及び平板状の第２部材を備え、前記第１部材を前記第２部材の表面に直接接合してなり、前記凹部は、前記貫通孔の内側面及び前記貫通孔内に露出する前記第２部材の表面により形成されており、前記第１部材はシリコンからなり、前記第２部材は硼珪酸ガラスからなり、前記第１部材と前記第２部材とが陽極接合されていることを要件とする。
又、本半導体パッケージの更に他の形態は、一方の面に凹部が形成された支持体と、回路形成面が前記一方の面側に露出するように前記凹部に収容された半導体チップと、前記半導体チップの前記回路形成面上及び前記支持体の前記一方の面上に形成された、前記半導体チップと電気的に接続される配線層を含む配線構造体と、を有し、前記支持体は、貫通孔を有する第１部材及び平板状の第２部材を備え、前記第１部材を前記第２部材の表面に直接接合してなり、前記凹部は、前記貫通孔の内側面及び前記貫通孔内に露出する前記第２部材の表面により形成されており、前記第１部材はシリコン又は硼珪酸ガラスからなり、前記第２部材はシリコン、硼珪酸ガラス、又は金属からなり、前記第１部材と前記第２部材とがプラズマ接合されていることを要件とする。

本半導体パッケージの製造方法は、一方の面に凹部が形成された支持体を作製する第１工程と、半導体チップを、回路形成面が前記一方の面側に露出するように前記凹部に収容する第２工程と、前記半導体チップの前記回路形成面上及び前記支持体の前記一方の面上に、前記半導体チップと電気的に接続される配線層を含む配線構造体を形成する第３工程と、を有し、前記支持体の前記一方の面を含む部分の材料は、シリコン又は硼珪酸ガラスであり、前記第１工程では、シリコン又は硼珪酸ガラスからなる第１部材に貫通孔を設け、前記第１部材を平板状の第２部材の表面に直接接合して前記支持体を形成し、前記貫通孔の内側面及び前記貫通孔内に露出する前記第２部材の表面により前記凹部を形成することを要件とする。

Claims (10)

1. 一方の面に凹部が形成された支持体と、
   回路形成面が前記一方の面側に露出するように前記凹部に収容された半導体チップと、
   前記半導体チップの前記回路形成面上及び前記支持体の前記一方の面上に形成された、前記半導体チップと電気的に接続される配線層を含む配線構造体と、を有し、
   前記支持体は、貫通孔を有する第１部材及び平板状の第２部材を備え、前記第１部材を前記第２部材の表面に直接接合してなり、
   前記凹部は、前記貫通孔の内側面及び前記貫通孔内に露出する前記第２部材の表面により形成されており、
   前記第１部材は硼珪酸ガラスからなり、前記第２部材はシリコン又は金属からなり、前記第１部材と前記第２部材とが陽極接合されている半導体パッケージ。
2. 一方の面に凹部が形成された支持体と、
   回路形成面が前記一方の面側に露出するように前記凹部に収容された半導体チップと、
   前記半導体チップの前記回路形成面上及び前記支持体の前記一方の面上に形成された、前記半導体チップと電気的に接続される配線層を含む配線構造体と、を有し、
   前記支持体は、貫通孔を有する第１部材及び平板状の第２部材を備え、前記第１部材を前記第２部材の表面に直接接合してなり、
   前記凹部は、前記貫通孔の内側面及び前記貫通孔内に露出する前記第２部材の表面により形成されており、
   前記第１部材はシリコンからなり、前記第２部材は硼珪酸ガラスからなり、前記第１部材と前記第２部材とが陽極接合されている半導体パッケージ。
3. 一方の面に凹部が形成された支持体と、
   回路形成面が前記一方の面側に露出するように前記凹部に収容された半導体チップと、
   前記半導体チップの前記回路形成面上及び前記支持体の前記一方の面上に形成された、前記半導体チップと電気的に接続される配線層を含む配線構造体と、を有し、
   前記支持体は、貫通孔を有する第１部材及び平板状の第２部材を備え、前記第１部材を前記第２部材の表面に直接接合してなり、
   前記凹部は、前記貫通孔の内側面及び前記貫通孔内に露出する前記第２部材の表面により形成されており、
   前記第１部材はシリコン又は硼珪酸ガラスからなり、前記第２部材はシリコン、硼珪酸ガラス、又は金属からなり、前記第１部材と前記第２部材とがプラズマ接合されている半導体パッケージ。
4. 前記配線構造体は、前記半導体チップの前記回路形成面上及び前記支持体の前記一方の面上に形成された絶縁層を有し、
   前記配線層は前記絶縁層上に形成され、前記絶縁層上に設けられたビアにより、前記半導体チップの電極パッドと電気的に接続されている請求項１乃至３の何れか一項記載の半導体パッケージ。
5. 前記半導体チップの側面と前記凹部の内側面との間に樹脂部が設けられている請求項１乃至４の何れか一項記載の半導体パッケージ。
6. 前記凹部の内側面は、前記凹部の内底面側から開口端側に向かって広がるテーパ状である請求項１乃至５の何れか一項記載の半導体パッケージ。
7. 一方の面に凹部が形成された支持体を作製する第１工程と、
   半導体チップを、回路形成面が前記一方の面側に露出するように前記凹部に収容する第２工程と、
   前記半導体チップの前記回路形成面上及び前記支持体の前記一方の面上に、前記半導体チップと電気的に接続される配線層を含む配線構造体を形成する第３工程と、を有し、
   前記支持体の前記一方の面を含む部分の材料は、シリコン又は硼珪酸ガラスであり、
   前記第１工程では、シリコン又は硼珪酸ガラスからなる第１部材に貫通孔を設け、前記第１部材を平板状の第２部材の表面に直接接合して前記支持体を形成し、
   前記貫通孔の内側面及び前記貫通孔内に露出する前記第２部材の表面により前記凹部を形成する半導体パッケージの製造方法。
8. 前記第１工程では、内側面が内底面側から開口端側に向かって広がるテーパ状の凹部を形成する請求項７記載の半導体パッケージの製造方法。
9. 前記第１部材と前記第２部材の何れか一方は硼珪酸ガラスであり、
   前記第１工程では、前記第１部材と前記第２部材とを陽極接合する請求項７又は８記載の半導体パッケージの製造方法。
10. 前記第１工程では、前記第１部材と前記第２部材とをプラズマ接合する請求項７又は８記載の半導体パッケージの製造方法。