JP4184701B2 - 放射線検出器 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、放射線のエネルギーを電気信号として読み出す放射線検出器に関し、特に、高いエネルギー分解能と高い検出効率を両立させ,実用性の高い放射線検出器を提供するものである。
【0002】
【従来の技術】
放射線検出素子は,可視光,赤外線,紫外線,X線,ガンマ線などの放射線のエネルギーを電気信号に変換する変換素子である。放射線計測において,高いエネルギー分解能と高い検出効率が要求される。高いエネルギー分解能とは,一定のエネルギーをもつ放射線において,得られる信号のばらつきが小さいことである。また,高い検出効率とは,放射線検出素子の検出部に照射され、信号として取り出される確率が高いことである。
【0003】
図13に従来技術による放射線検出素子を用いた放射線計測システムを示す。図13では基板全体が放射線検出素子21として表されている。放射線検出素子21は配線4を介して外部駆動回路3に接続され,放射線1のエネルギーを電気信号として取り出すことができる。放射線検出素子21には検出部22があり、この領域に照射されると電気信号が得られる。また,検出部22以外への照射を防ぐため,開口径Dを持つコリメータ23が備わっている。コリメータ23は,検出部22との距離Hをもって,放射線検出素子21とは独立の支持体によって支持されている。
【0004】
放射線検出素子によって得られる信号波形は放射線の照射位置に依存する。コリメータは検出部以外への照射を遮蔽するため、検出部以外の部分への照射による電気信号のばらつきを抑制する有効な手段となる。しかし,コリメータの開口部と検出部との位置関係により,放射線1Aのようにコリメータに遮られたり,照射線1Bのように検出部22を外して照射されることがある。より多くの放射線を検出部に照射させ、高い検出効率を得るためには,開口径と開口部と検出部との距離によって決定される立体角を大きくする必要がある。さらに、開口部と検出部のアライメント精度とその距離の制御が重要な要素となる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
放射線計測では,高いエネルギー分解能と高い検出効率が要求される。検出部分にコリメータを設置し、照射可能領域を狭くすることにより,検出部へ正確に照射することが可能となる。しかし、その場合、コリメータの開口径と検出部との距離による立体角が小さくなり、検出効率を大きくできないという問題があった。
【0006】
また,検出効率を制限する要素として、コリメータの開口部と検出部とのアライメント精度がある。外部の支持体に支持されたコリメータでは、検出部とのアライメントや距離制御が難しく、検出効率向上はできなかった。
【0007】
【課題を解決するための手段】
前記の問題点を解決するために、本発明は、検出部へ照射するための放射線を透過させる開口を設け、前記検出部以外への放射線照射を防ぐため遮蔽板であるコリメータを、放射線検出素子を形成する同一基板上に設置する。そして,コリメータの開口部と検出部とのアライメントを容易にし,さらに検出部とコリメータの開口部を近接させ検出効率を増大させた構成をとる。
【0008】
基板と開口部と間に一定の距離を保持するスペーサーが設け,接着剤による接合によってそれらを固定する。
【0009】
さらに,エネルギー−電気変換部をSi基板上に形成し,スペーサーにホウケイ酸ガラス,コリメータにSi基板を用い,エネルギー−電気変換部とコリメータでホウケイ酸ガラスのスペーサーをはさみ,温度と荷重をかけて,Si材料にプラス電位を印加する陽極接合を用いて直接接合する。
【0010】
また,基板と開口部と間に一定の距離を保持する空洞部をコリメータに形成し,接着剤による接合によってそれらを固定する。
【0011】
さらに,エネルギー−電気変換部をSi基板上に形成し,コリメータにホウケイ酸ガラスを用い,エネルギー−電気変換部とコリメータで張り合わせ,温度と荷重をかけて,エネルギー−電気変換部にプラス電位を印加する陽極接合を用いて直接接合する。
【0012】
コリメータとの材質がガラスやサファイアを主原料とする光透過性の材料とする。
【0013】
また,コリメータを検出する放射線に対する吸収率の異なる2種類の材料からなるバイレイヤー構造とし,吸収率の低い材料が支持部材として基板上に固定され,吸収率の高い材料には放射線を透過する開口を形成する。
さらに,コリメータをエネルギー−電気変換部となる基板上に固定した後,Focused Ion Beam (FIB)エッチング法を用いることにより開口を形成する。また、エネルギー−電気変換部が,熱槽となる基板上に形成され,放射線を吸収し、熱に変換した後,その温度変化を計測することにより電気信号として取り出す超伝導転移端センサー(TES)とする。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
(実施の形態1)図1に本発明の第1実施例を示す放射線検出器を用いた放射線計測システムを示す。放射線検出素子11は,入射放射線のエネルギーを電気信号に変換するエネルギー−電気変換素子である。図1では基板11全体が放射線検出素子として表されてる。放射線検出素子11は配線4を介して外部駆動回路3に接続され,放射線1のエネルギーを電気信号として取り出すことができる。放射線検出素子11には検出部12があり、この領域に照射されると電気信号が得られる。また,検出部12以外への照射を防ぐため,開口径Dを持つコリメータ13が備わっている。コリメータ13は,検出部12との距離をHに保つためのスペーサー16をはさみ,基板11上に設置されている。
【0015】
図2に,放射線検出器の上面図を示す。コリメータ13の開口部15と検出部12の位置関係は,検出部のサイズSに対し,コリメータ13の開口径Dはわずかに小さくなっている。
【0016】
図3に放射線検出器の作製手順を示す。図3(a)では,独立に準備されたコリメータ13,スペーサー16,放射線検出素子を構成する基板11を示す。コリメータの材質は,検出対象となる放射線を吸収する材料が用いられる。そして,その厚みはその吸収率に応じて調整される。X線検出素子の場合,Au,Pt,Pb,Cu,Al,Sn、Si等の金属材料が用いられる。また,ガラスやサファイアを主原料とする光透過性の材料も用いることができる。スペーサーには,薄く,均一な厚さに加工可能な材料,例えばSi等が用いられる。
【0017】
図3(b)では,コリメータ13とスペーサー16,およびスペーサー16と基板11を接合し,コリメータ一体型の放射線検出器を形成している。接合には,エポキシ樹脂やワニス等の接着剤が用いられる。また,放射線検出素子をSi基板上に形成し,スペーサーにホウケイ酸ガラス(パイレックスガラス),コリメータにSi基板を用いることにより,陽極接合法による接合が可能となる。陽極接合では,Siの基板とコリメータでホウケイ酸ガラスのスペーサーをはさみ,温度と荷重をかけて,Si材料にプラス電位を印加することにより,接着剤を用いずに直接接合することができる。
【0018】
放射線検出素子とコリメータを一体化し、さらにSi基板、ガラス基板を用いることができるため、コリメータの開口部と検出部とを近接させることが可能となる。また、開口部と検出部とのアライメントが容易となり、開口径を検出部のサイズに近づけることができる。その結果、コリメータの開口径と開口部の検出部との距離によって決定する立体角を大きくすることができ,高い検出効率を得ることができる。
【0019】
開口部と検出部とのアライメント精度が向上することから、放射線を検出部へ正確に照射させることができ、得られる信号のばらつきが小さくすることができる。その結果,高いエネルギー分解能を得ることができる。
また,コリメータの材質をガラスやサファイア等の光透過性の材料で構成することにより,光学式のアライメント機構を用いることができるため、開口部と検出部とのアライメント精度をさらに向上させることができる。その結果、より高いエネルギー分解能とより高い検出効率を持つ放射線検出器を実現できる。
【0020】
また,陽極接合を用いた作製法により,ウェーハ上に構成した多数の素子と同じサイズのウェーハに形成されたコリメータを接合できるため,量産性の向上が期待できる。この場合,素子,スペーサー,コリメータを光学式アライナーによりアライメントした後,陽極接合し,ダンシングするバッチプロセスでの作製が可能となる。
(実施の形態2)
図4に本発明の第3実施例を示す放射線検出器を用いた放射線計測システムを示す。図4では基板全体が放射線検出素子11として表されている。放射線検出素子11は配線4を介して外部駆動回路3に接続され,放射線1のエネルギーを電気信号として取り出すことができる。放射線検出素子1には検出部12があり、この領域に照射されると電気信号が得られる。また,検出部12以外への照射を防ぐため,開口径Dを持つコリメータ13が備えられ、基板上に直接設置されている。
【0021】
図5に放射線検出器の作製手順を示す。図5(a)では,独立に準備されたコリメータ13,放射線検出素子を構成する基板11を示す。コリメータ13は,検出部12と接触しないように,あらかじめ距離Hを保つように空洞部Aが形成されている。コリメータの材質は,検出対象となる放射線を吸収する材料が用いられる。そして,コリメータの厚みはその吸収率に応じて調整される。X線検出素子の場合,Au,Pt,Pb,Cu,Al,Sn、Si等の金属材料が用いられる。また,ガラスやサファイアを主原料とする光透過性の材料も用いることができる。
【0022】
図5(b)では,コリメータ13と基板11を接合し,コリメータ一体型の放射線検出器を形成している。接合には,エポキシ樹脂やワニス等の接着剤が用いられる。また,放射線検出素子をSi基板上に形成し,コリメータ13にホウケイ酸ガラス(パイレックスガラス)を用いることにより,陽極接合法による接合が可能となる。陽極接合では,Siの放射線検出素子とコリメータを接触させ,温度と荷重をかけて,Si材料にプラス電位を印加することにより,接着剤を用いずに直接接合することができる。
【0023】
本実施例では,第1実施例と同様の効果が得られる。その他,スペーサーが不要となることから,作製が容易になる。特に,Si基板とホウケイ酸ガラス基板との張り合わせとなるため,陽極接合が容易となる。さらに,コリメータと検出部との距離をより近接でき,検出効率の一層の増大が期待できる。
(実施の形態3)
図6に本発明の第3実施例を示す放射線検出器を用いた放射線計測システムを示す。図6では基板全体が放射線検出素子11として表されている。放射線検出素子11は配線4を介して外部駆動回路3に接続され,放射線1のエネルギーを電気信号として取り出すことができる。放射線検出素子1には検出部12があり、この領域に照射されると電気信号が得られる。また,検出部12以外への照射を防ぐため,検出部12との距離をHに保つスペーサー16をはさみ,開口径Dを持つコリメータ13が備わっている。コリメータ13は検出する放射線に対する吸収率の異なる2種類の材料13A,13Bからなるバイレイヤー構造を持つ。13Aは放射線を遮蔽する遮蔽部材で,13Bは放射線を透過させ遮蔽部を支持する支持部材である。遮蔽部材13Aは支持部材13Bより吸収率が大きくなるように設計される。遮蔽部材13Aには,放射線を透過する開口が形成され、開口以外の領域で放射線はほとんど吸収される。
【0024】
図7に本実施例の放射線検出素子の作製手順を示す。図7(a)は,独立に準備された放射線を透過する開口をもつコリメータと、放射線検出素子を構成する基板11と、検出部12との距離をHに保つスペーサー16を示している。X線を検出する場合,遮蔽部材13Aには、X線を吸収しやすいAu,Pt,Pb,Cu,Al,Sn、Si等の金属材料が用いられる。一方,支持部材13Bには、遮蔽部材13Aに比べX線を吸収しにくい材質のもの、たとえばガラス、サファイア、ポリマー材料等が用いられる。13Bは吸収率が低いほど、その厚みを増すことができ、丈夫なコリメータを形成させることができる。コリメータ13の作製法として、遮蔽部材13Aと支持部材13Bの張り合わせのほか、遮蔽部材13Aは支持部材13B上にスパッタ,蒸着等による成膜法により形成される。
【0025】
コリメータの開口形成には,マスクを用いて開口部に遮蔽部材13Aを構成する材料を着けない方法がある。そのほか、あらかじめバイレイヤー構造を形成しておき、マスクを用いてのスパッタエッチング,イオンビームエッチング、Focused Ion Beam (FIB)エッチングなどを用いて、遮蔽部材13Aを構成する材料を除去する方法がある。
【0026】
スペーサーには,薄く,均一な厚さに加工可能な材料が用いられる。例えば,Si等である。
【0027】
図7(b)は,コリメータ13とスペーサー16,およびスペーサー16と基板11を接合した後の放射線検出器を示す。接合には,エポキシ樹脂やワニス等の接着剤を用いる。また,放射線検出素子11をSi基板上に形成し,スペーサー16にホウケイ酸ガラス(パイレックスガラス),コイルメータ14にSi基板を用いることにより,Siでスペーサー13をはさみ,熱と加重をかけて,Siにプラス電位を印加することにより,接着剤を用いずに直接接合することができる(陽極接合)。
【0028】
厚みのあるコリメータの開口を精度良く形成することは困難である。しかし、コリメータはある程度の強度が必要とされる。本実施例では、透過性の高い材料で支持体13Bを形成し、その上に吸収性の高い材料で遮蔽部材13Aを構成する。それぞれの膜厚は、支持部材13Bを厚くし、遮蔽部材13Aを薄くできる。そして、開口形成は、薄い遮蔽部材13Aのみを除去すればよい。その結果、丈夫で、かつ、開口形成が容易なコリメータを形成することができる。
【0029】
(実施の形態4)
図8に本発明の第4実施例を示す放射線検出器の作製手順を示す。素子構成は,第3実施例と同じであるが,作製手順が異なる。図8(a)は,独立に準備された開口形成前のコリメータ33と、放射線検出素子を構成する基板11と、検出部12との距離をHに保つスペーサー16を示している。コリメータ33は検出する放射線に対する吸収率の異なる2種類の材料13A,13Bからなるバイレイヤー構造を持つ。
【0030】
図8(b)は,コリメータ33とスペーサー16,およびスペーサー16と基板11の接合工程を示す。接合には,エポキシ樹脂やワニス等の接着剤を用いる。また,放射線検出素子11をSi基板上に形成し,スペーサー13にホウケイ酸ガラス(パイレックスガラス),コイルメータ14にSi基板を用いることにより,Siでスペーサー15をはさみ,熱と加重をかけて,Siにプラス電位を印加することにより,接着剤を用いずに直接接合することができる(陽極接合)。
【0031】
図8(c)は,コリメータの開口形成工程を示す。開口形成は,吸収率の大きな遮蔽部材13Aの一部を除去することにより行う。除去の方法として,マスクを用いてのスパッタエッチング,イオンビームエッチングなどがある。さらに,Focused Ion Beam (FIB)エッチング法を用いることにより,マスク無しで,開口を形成することができる。
【0032】
本実施例により、丈夫で、かつ、開口形成が容易なコリメータを形成することができる他、コリメータの開口部と検出部とのアライメントを基板とコリメータの接合後の行うため、アライメント制度の向上が可能となる。その結果、さらに高いエネルギー分解能と検出効率を実現できる。
(実施の形態5)
図9に本発明の第6実施例を示す放射線検出器を用いた放射線計測システムを示す。本実施例では,放射線検出素子として超伝導転移端センサー(Transition Edge Sensor: TES)を用いている。図10(a)は超伝導転移端センサーの上面構造図を,図10(b)はその断面構造図を示す。図9の超伝導転移端センサーは図10(a)のx-x'断面を示す。また,図10(b)はy-y'断面を示す。
【0033】
超伝導転移端センサーは基板10上に作製され、放射線を吸収し、エネルギーを熱に変換し,その温度Ttを計測する温度変換器として機能する抵抗体19が薄膜メンブレン20上に形成されている。抵抗体19には、電流,または,電圧を供給し、その抵抗値を読み出すための電極14が接続されている。薄膜メンブレン20は、基板の厚さより薄いメンブレン構造を持ち、抵抗体19と熱槽6の間に熱コンダクタンスgを有する熱リンクとして機能する。通常,基板にはSiが用いられ,薄膜メンブレン20には酸化Si,窒化Siが用いられ,その膜厚は1μm程度である。
【0034】
超伝導転移端センサーの検出部である抵抗体以外の部分への照射を防ぐため,開口径Dを持つコリメータ13が備わっている。コリメータ13は,検出部12との距離をHに保つスペーサー16をはさみ,放射線検出素子11を形成する基板上に設置されている。コリメータ13は,メンブレンとは熱的に絶縁されるように熱槽である基板10上に支持されている。
【0035】
抵抗体19は超伝導体単体,もしくは超伝導体と常伝導体による2層構造で構成される。抵抗体19の抵抗値Rtは温度Ttにより,超伝導状態と常伝導状態と中間の転移状態を持ち、その関係は図11に示す抵抗-温度(R-T)曲線で表される。温度Tc以下で超伝導状態となり抵抗値はゼロとなる。
【0036】
超伝導転移端センサーは抵抗体が超伝導状態となる温度Tb(<Tc)に冷却されたコールドヘッド40上に設置する。抵抗体19に供給される電力による発熱(ジュール熱)で,抵抗体の温度を中間の転移状態にしておく。動作点OP(動作温度To)でX線が照射されると、温度Ttが上昇し、抵抗値Rtが変化する。外部駆動回路3によって、抵抗変化が読みとられ、入射放射線のエネルギーが求められる。
【0037】
抵抗体での熱拡散は位置依存性がある。そのため,放射線の照射位置により,取り出される電気信号の波形が変化する。通常,放射線検出器では,放射線によるパルスの波高値によってエネルギーを求める。照射位置を一定にするか,照射される位置での熱拡散課程を同じにする必要がある。例えば,抵抗体の中央部と端部では熱の拡散は明らかに異なり,異なる波形が検出される。
【0038】
放射線検出素子とコリメータを一体化し、さらにSi基板、ガラス基板を用いることができるため、コリメータの開口部と検出部とを近接させることが可能となる。また、開口部と検出部とのアライメントが容易となり、開口径を検出部のサイズに近づけることができる。その結果、コリメータの開口径と開口部の検出部との距離によって決定する立体角を大きくすることができ,高い検出効率を得ることができる。
【0039】
開口部と検出部とのアライメント精度が向上することから、放射線を検出部へ正確に照射させることができ、得られる信号のばらつきが小さくすることができる。超伝導転移端センサーの特徴である低いバックグラウンドノイズに加え,照射位置依存性による検出信号のばらつきを抑制できるため,非常に高いエネルギー分解能,およびSNを有する放射線検出器が実現できる。
【0040】
コリメータ13を熱槽である基板10上に支持することにより,コリメータ13が吸収した熱エネルギーを抵抗体に影響させることなく,すばやく熱槽に逃がすことができる。
(実施の形態6)
図12に本発明の第7実施例を示す放射線検出素子を示す。本実施例でも,放射線検出素子として超伝導転移端センサーを用いている。超伝導転移端センサーには,放射線エネルギーの吸収確立を増加させるため,抵抗体19上に吸収体18を設けることがある。図12(a)は吸収体付きの超伝導転移端センサーで構成された放射線検出素子の上面構造図を,図12(b)は断面構造図示す。吸収体18は放射線を吸収し、エネルギーを熱に変換し,その熱を抵抗体に伝達する機能を持つ。この場合,吸収体18が検出部となる。
【0041】
吸収確立は低いものの,吸収体以外の部分(抵抗体19本体等)へ照射されると,吸収体18で吸収された信号の波形の異なる信号が生ずる。コリメータはこの信号を防ぐものである。本実施例により,検出確立を高く、かつ、高いエネルギー分解能と高い検出効率を実現する放射線検出器を実現できる。
【0042】
【発明の効果】
本発明は,以上説明したような形態で実施され,以下に記載される効果を有する。
【0043】
基板上に形成された放射線検出部を含むエネルギー−電気変換部、および外部駆動回路と接続するための電極からなる放射線検出素子において、同一基板上に検出部照射用に放射線を透過させる開口を設けた遮蔽板であるコリメータを設置することにより,放射線検出素子とコリメータを一体化し、さらにSi基板、ガラス基板を用いることができるため、コリメータの開口部と検出部とを近接させることが可能となる。また、開口部と検出部とのアライメントが容易となり、開口径を検出部のサイズに近づけることができる。その結果、コリメータの開口径と開口部の検出部との距離によって決定する立体角を大きくすることができ,高い検出効率を得ることができる。
【0044】
そして、開口部と検出部とのアライメント精度が向上することから、放射線を検出部へ正確に照射させることができ、得られる信号のばらつきが小さくすることができる。その結果,高いエネルギー分解能を得ることができる。
【0045】
また,コリメータの材質をガラスやサファイア等の光透過性の材料で構成することにより,光学式のアライメント機構を用いることができるため、開口部と検出部とのアライメント精度をさらに向上させることができる。その結果、より高いエネルギー分解能とより高い検出効率を持つ放射線検出器を実現できる。
【0046】
放射線検出素子をSi基板上に形成し,スペーサーにホウケイ酸ガラス,コリメータにSi基板を用いることにより,陽極接合法による接合が可能となる。陽極接合を用いた作製法により,ウェーハ上に構成した多数の素子と同じサイズのウェーハに形成されたコリメータを接合できるため,量産性の向上が期待できる。
【0047】
また、基板とコリメータと間に一定の距離を保持する空洞部をコリメータに形成することにより,スペーサーが不要となることから,作製が容易になる。特に,Si基板とホウケイ酸ガラスとの張り合わせとなる陽極接合が容易となる。そして,コリメータと検出部との距離をより一層近接でき,検出効率の一層の増大が期待できる。
【0048】
コリメータを検出する放射線に対する吸収率の異なる2種類の材料からなるバイレイヤー構造とし,吸収率の低い材料が支持部材として基板上に固定され,吸収率の高い材料には放射線を透過する開口を形成する方法により、丈夫で、かつ、開口形成が容易なコリメータを形成することができる他、コリメータの開口部と検出部とのアライメントを基板とコリメータの接合後の行うため、アライメント制度の向上が可能となる。その結果、さらに高いエネルギー分解能と検出効率を実現できる。
【0049】
さらに、放射線検出素子とコリメータを接合した後,検出部に位置あわせしながら開口を設けることができるため,開口と検出部とのアライメントを容易かつ精度良くできる。特に,Focused Ion Beam (FIB)エッチング法を用いることにより,マスク無しで開口の形成が可能となる。
【0050】
エネルギー−電気変換部が,熱槽となる基板上に形成され,放射線を吸収し、熱に変換した後,その温度変化を計測することにより電気信号として取り出す超伝導転移端センサー(TES)とし,超伝導転移端センサー(TES)とコリメータを一体化することで,開口部と検出部とのアライメント精度が向上することから、放射線を検出部へ正確に照射させることができ、得られる信号のばらつきが小さくすることができる。超伝導転移端センサー(TES)の特徴である低いバックグラウンドノイズに加え,照射位置依存性による検出信号のばらつきを抑制できるため,非常に高いエネルギー分解能,およびSNを有する放射線検出器が実現できる。
【0051】
コリメータ15を熱槽である基板上に支持することにより,コリメータ15か吸収した熱エネルギーを抵抗体に影響させることなく,すばやく熱槽に逃がすことができる。
【0052】
吸収体付きの超伝導転移端センサー(TES)へ適応することにより,検出確立を高く、かつ、高いエネルギー分解能と高い検出効率を実現する放射線検出器を実現できる。
【0053】
素子上へのコリメータの設置により,検出部を保護する効果が得られる。特に,機械的に弱い薄膜メンブレンを有する超伝導転移端センサー(TES)の信頼性,操作性の向上には大変有効である。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施例を示す放射線検出器を用いた放射線計測システム。
【図2】第1実施例の放射線検出器の上面図。
【図3】第1実施例の放射線検出器の作製手順。
【図4】第2実施例を示す放射線検出器を用いた放射線計測システム。
【図5】第2実施例の放射線検出器の作製手順。
【図6】第3実施例を示す放射線検出器を用いた放射線計測システム。
【図7】第3実施例の放射線検出器の作製手順。
【図8】第4実施例を示す放射線検出器の作製手順。
【図9】第5実施例を示す放射線検出器を用いた放射線計測システム。
【図10】 (a)超伝導転移端センサー(TES)を用いた放射線検出器の上面図。
(b)超伝導転移端センサー(TES)を用いた放射線検出器の断面構造図。
【図11】超伝導転移端センサー(TES)の温度-抵抗特性。
【図12】第7実施例を示す放射線検出器の構造図。(a)上面図。(b)断面図。
【図13】従来技術による放射線検出器を用いた放射線計測システム。
【符号の説明】
1、 1A、1B・・・放射線
3・・・外部駆動回路
4・・・配線
10・・・基板
11,21・・・放射線検出素子
12,22・・・検出部
13,23・・・コリメータ
13A・・・遮蔽部材
13B・・・指示部材
14・・・電極
15・・・開口部
16・・・スペーサー
18・・・吸収体
19・・・抵抗体
20・・・薄膜メンブレン
33・・・開口形成前のコリメータ
40・・・コールドヘッド

Claims (1)

  1. 放射線を検出する検出部と、
    前記検出部で検出された放射線のエネルギーを電気信号に変換する放射線検出素子と、
    前記検出部と一定の距離を保ち放射線が通過する開口部を有する光透過性材料からなるコリメータとを備え、
    前記コリメータは、前記放射線検出素子上に直接またはスペーサーを介して固定することを特徴とする放射線検出器。
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