JP4184701B2 - 放射線検出器 - Google Patents
放射線検出器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4184701B2 JP4184701B2 JP2002117916A JP2002117916A JP4184701B2 JP 4184701 B2 JP4184701 B2 JP 4184701B2 JP 2002117916 A JP2002117916 A JP 2002117916A JP 2002117916 A JP2002117916 A JP 2002117916A JP 4184701 B2 JP4184701 B2 JP 4184701B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- collimator
- substrate
- opening
- detection unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 134
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 129
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 29
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 55
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 20
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 13
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 12
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 8
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 6
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 4
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
- G01J1/06—Restricting the angle of incident light
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、放射線のエネルギーを電気信号として読み出す放射線検出器に関し、特に、高いエネルギー分解能と高い検出効率を両立させ,実用性の高い放射線検出器を提供するものである。
【0002】
【従来の技術】
放射線検出素子は,可視光,赤外線,紫外線,X線,ガンマ線などの放射線のエネルギーを電気信号に変換する変換素子である。放射線計測において,高いエネルギー分解能と高い検出効率が要求される。高いエネルギー分解能とは,一定のエネルギーをもつ放射線において,得られる信号のばらつきが小さいことである。また,高い検出効率とは,放射線検出素子の検出部に照射され、信号として取り出される確率が高いことである。
【0003】
図13に従来技術による放射線検出素子を用いた放射線計測システムを示す。図13では基板全体が放射線検出素子21として表されている。放射線検出素子21は配線4を介して外部駆動回路3に接続され,放射線1のエネルギーを電気信号として取り出すことができる。放射線検出素子21には検出部22があり、この領域に照射されると電気信号が得られる。また,検出部22以外への照射を防ぐため,開口径Dを持つコリメータ23が備わっている。コリメータ23は,検出部22との距離Hをもって,放射線検出素子21とは独立の支持体によって支持されている。
【0004】
放射線検出素子によって得られる信号波形は放射線の照射位置に依存する。コリメータは検出部以外への照射を遮蔽するため、検出部以外の部分への照射による電気信号のばらつきを抑制する有効な手段となる。しかし,コリメータの開口部と検出部との位置関係により,放射線1Aのようにコリメータに遮られたり,照射線1Bのように検出部22を外して照射されることがある。より多くの放射線を検出部に照射させ、高い検出効率を得るためには,開口径と開口部と検出部との距離によって決定される立体角を大きくする必要がある。さらに、開口部と検出部のアライメント精度とその距離の制御が重要な要素となる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
放射線計測では,高いエネルギー分解能と高い検出効率が要求される。検出部分にコリメータを設置し、照射可能領域を狭くすることにより,検出部へ正確に照射することが可能となる。しかし、その場合、コリメータの開口径と検出部との距離による立体角が小さくなり、検出効率を大きくできないという問題があった。
【0006】
また,検出効率を制限する要素として、コリメータの開口部と検出部とのアライメント精度がある。外部の支持体に支持されたコリメータでは、検出部とのアライメントや距離制御が難しく、検出効率向上はできなかった。
【0007】
【課題を解決するための手段】
前記の問題点を解決するために、本発明は、検出部へ照射するための放射線を透過させる開口を設け、前記検出部以外への放射線照射を防ぐため遮蔽板であるコリメータを、放射線検出素子を形成する同一基板上に設置する。そして,コリメータの開口部と検出部とのアライメントを容易にし,さらに検出部とコリメータの開口部を近接させ検出効率を増大させた構成をとる。
【0008】
基板と開口部と間に一定の距離を保持するスペーサーが設け,接着剤による接合によってそれらを固定する。
【0009】
さらに,エネルギー−電気変換部をSi基板上に形成し,スペーサーにホウケイ酸ガラス,コリメータにSi基板を用い,エネルギー−電気変換部とコリメータでホウケイ酸ガラスのスペーサーをはさみ,温度と荷重をかけて,Si材料にプラス電位を印加する陽極接合を用いて直接接合する。
【0010】
また,基板と開口部と間に一定の距離を保持する空洞部をコリメータに形成し,接着剤による接合によってそれらを固定する。
【0011】
さらに,エネルギー−電気変換部をSi基板上に形成し,コリメータにホウケイ酸ガラスを用い,エネルギー−電気変換部とコリメータで張り合わせ,温度と荷重をかけて,エネルギー−電気変換部にプラス電位を印加する陽極接合を用いて直接接合する。
【0012】
コリメータとの材質がガラスやサファイアを主原料とする光透過性の材料とする。
【0013】
また,コリメータを検出する放射線に対する吸収率の異なる2種類の材料からなるバイレイヤー構造とし,吸収率の低い材料が支持部材として基板上に固定され,吸収率の高い材料には放射線を透過する開口を形成する。
さらに,コリメータをエネルギー−電気変換部となる基板上に固定した後,Focused Ion Beam (FIB)エッチング法を用いることにより開口を形成する。また、エネルギー−電気変換部が,熱槽となる基板上に形成され,放射線を吸収し、熱に変換した後,その温度変化を計測することにより電気信号として取り出す超伝導転移端センサー(TES)とする。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
(実施の形態1)図1に本発明の第1実施例を示す放射線検出器を用いた放射線計測システムを示す。放射線検出素子11は,入射放射線のエネルギーを電気信号に変換するエネルギー−電気変換素子である。図1では基板11全体が放射線検出素子として表されてる。放射線検出素子11は配線4を介して外部駆動回路3に接続され,放射線1のエネルギーを電気信号として取り出すことができる。放射線検出素子11には検出部12があり、この領域に照射されると電気信号が得られる。また,検出部12以外への照射を防ぐため,開口径Dを持つコリメータ13が備わっている。コリメータ13は,検出部12との距離をHに保つためのスペーサー16をはさみ,基板11上に設置されている。
【0015】
図2に,放射線検出器の上面図を示す。コリメータ13の開口部15と検出部12の位置関係は,検出部のサイズSに対し,コリメータ13の開口径Dはわずかに小さくなっている。
【0016】
図3に放射線検出器の作製手順を示す。図3(a)では,独立に準備されたコリメータ13,スペーサー16,放射線検出素子を構成する基板11を示す。コリメータの材質は,検出対象となる放射線を吸収する材料が用いられる。そして,その厚みはその吸収率に応じて調整される。X線検出素子の場合,Au,Pt,Pb,Cu,Al,Sn、Si等の金属材料が用いられる。また,ガラスやサファイアを主原料とする光透過性の材料も用いることができる。スペーサーには,薄く,均一な厚さに加工可能な材料,例えばSi等が用いられる。
【0017】
図3(b)では,コリメータ13とスペーサー16,およびスペーサー16と基板11を接合し,コリメータ一体型の放射線検出器を形成している。接合には,エポキシ樹脂やワニス等の接着剤が用いられる。また,放射線検出素子をSi基板上に形成し,スペーサーにホウケイ酸ガラス(パイレックスガラス),コリメータにSi基板を用いることにより,陽極接合法による接合が可能となる。陽極接合では,Siの基板とコリメータでホウケイ酸ガラスのスペーサーをはさみ,温度と荷重をかけて,Si材料にプラス電位を印加することにより,接着剤を用いずに直接接合することができる。
【0018】
放射線検出素子とコリメータを一体化し、さらにSi基板、ガラス基板を用いることができるため、コリメータの開口部と検出部とを近接させることが可能となる。また、開口部と検出部とのアライメントが容易となり、開口径を検出部のサイズに近づけることができる。その結果、コリメータの開口径と開口部の検出部との距離によって決定する立体角を大きくすることができ,高い検出効率を得ることができる。
【0019】
開口部と検出部とのアライメント精度が向上することから、放射線を検出部へ正確に照射させることができ、得られる信号のばらつきが小さくすることができる。その結果,高いエネルギー分解能を得ることができる。
また,コリメータの材質をガラスやサファイア等の光透過性の材料で構成することにより,光学式のアライメント機構を用いることができるため、開口部と検出部とのアライメント精度をさらに向上させることができる。その結果、より高いエネルギー分解能とより高い検出効率を持つ放射線検出器を実現できる。
【0020】
また,陽極接合を用いた作製法により,ウェーハ上に構成した多数の素子と同じサイズのウェーハに形成されたコリメータを接合できるため,量産性の向上が期待できる。この場合,素子,スペーサー,コリメータを光学式アライナーによりアライメントした後,陽極接合し,ダンシングするバッチプロセスでの作製が可能となる。
(実施の形態2)
図4に本発明の第3実施例を示す放射線検出器を用いた放射線計測システムを示す。図4では基板全体が放射線検出素子11として表されている。放射線検出素子11は配線4を介して外部駆動回路3に接続され,放射線1のエネルギーを電気信号として取り出すことができる。放射線検出素子1には検出部12があり、この領域に照射されると電気信号が得られる。また,検出部12以外への照射を防ぐため,開口径Dを持つコリメータ13が備えられ、基板上に直接設置されている。
【0021】
図5に放射線検出器の作製手順を示す。図5(a)では,独立に準備されたコリメータ13,放射線検出素子を構成する基板11を示す。コリメータ13は,検出部12と接触しないように,あらかじめ距離Hを保つように空洞部Aが形成されている。コリメータの材質は,検出対象となる放射線を吸収する材料が用いられる。そして,コリメータの厚みはその吸収率に応じて調整される。X線検出素子の場合,Au,Pt,Pb,Cu,Al,Sn、Si等の金属材料が用いられる。また,ガラスやサファイアを主原料とする光透過性の材料も用いることができる。
【0022】
図5(b)では,コリメータ13と基板11を接合し,コリメータ一体型の放射線検出器を形成している。接合には,エポキシ樹脂やワニス等の接着剤が用いられる。また,放射線検出素子をSi基板上に形成し,コリメータ13にホウケイ酸ガラス(パイレックスガラス)を用いることにより,陽極接合法による接合が可能となる。陽極接合では,Siの放射線検出素子とコリメータを接触させ,温度と荷重をかけて,Si材料にプラス電位を印加することにより,接着剤を用いずに直接接合することができる。
【0023】
本実施例では,第1実施例と同様の効果が得られる。その他,スペーサーが不要となることから,作製が容易になる。特に,Si基板とホウケイ酸ガラス基板との張り合わせとなるため,陽極接合が容易となる。さらに,コリメータと検出部との距離をより近接でき,検出効率の一層の増大が期待できる。
(実施の形態3)
図6に本発明の第3実施例を示す放射線検出器を用いた放射線計測システムを示す。図6では基板全体が放射線検出素子11として表されている。放射線検出素子11は配線4を介して外部駆動回路3に接続され,放射線1のエネルギーを電気信号として取り出すことができる。放射線検出素子1には検出部12があり、この領域に照射されると電気信号が得られる。また,検出部12以外への照射を防ぐため,検出部12との距離をHに保つスペーサー16をはさみ,開口径Dを持つコリメータ13が備わっている。コリメータ13は検出する放射線に対する吸収率の異なる2種類の材料13A,13Bからなるバイレイヤー構造を持つ。13Aは放射線を遮蔽する遮蔽部材で,13Bは放射線を透過させ遮蔽部を支持する支持部材である。遮蔽部材13Aは支持部材13Bより吸収率が大きくなるように設計される。遮蔽部材13Aには,放射線を透過する開口が形成され、開口以外の領域で放射線はほとんど吸収される。
【0024】
図7に本実施例の放射線検出素子の作製手順を示す。図7(a)は,独立に準備された放射線を透過する開口をもつコリメータと、放射線検出素子を構成する基板11と、検出部12との距離をHに保つスペーサー16を示している。X線を検出する場合,遮蔽部材13Aには、X線を吸収しやすいAu,Pt,Pb,Cu,Al,Sn、Si等の金属材料が用いられる。一方,支持部材13Bには、遮蔽部材13Aに比べX線を吸収しにくい材質のもの、たとえばガラス、サファイア、ポリマー材料等が用いられる。13Bは吸収率が低いほど、その厚みを増すことができ、丈夫なコリメータを形成させることができる。コリメータ13の作製法として、遮蔽部材13Aと支持部材13Bの張り合わせのほか、遮蔽部材13Aは支持部材13B上にスパッタ,蒸着等による成膜法により形成される。
【0025】
コリメータの開口形成には,マスクを用いて開口部に遮蔽部材13Aを構成する材料を着けない方法がある。そのほか、あらかじめバイレイヤー構造を形成しておき、マスクを用いてのスパッタエッチング,イオンビームエッチング、Focused Ion Beam (FIB)エッチングなどを用いて、遮蔽部材13Aを構成する材料を除去する方法がある。
【0026】
スペーサーには,薄く,均一な厚さに加工可能な材料が用いられる。例えば,Si等である。
【0027】
図7(b)は,コリメータ13とスペーサー16,およびスペーサー16と基板11を接合した後の放射線検出器を示す。接合には,エポキシ樹脂やワニス等の接着剤を用いる。また,放射線検出素子11をSi基板上に形成し,スペーサー16にホウケイ酸ガラス(パイレックスガラス),コイルメータ14にSi基板を用いることにより,Siでスペーサー13をはさみ,熱と加重をかけて,Siにプラス電位を印加することにより,接着剤を用いずに直接接合することができる(陽極接合)。
【0028】
厚みのあるコリメータの開口を精度良く形成することは困難である。しかし、コリメータはある程度の強度が必要とされる。本実施例では、透過性の高い材料で支持体13Bを形成し、その上に吸収性の高い材料で遮蔽部材13Aを構成する。それぞれの膜厚は、支持部材13Bを厚くし、遮蔽部材13Aを薄くできる。そして、開口形成は、薄い遮蔽部材13Aのみを除去すればよい。その結果、丈夫で、かつ、開口形成が容易なコリメータを形成することができる。
【0029】
(実施の形態4)
図8に本発明の第4実施例を示す放射線検出器の作製手順を示す。素子構成は,第3実施例と同じであるが,作製手順が異なる。図8(a)は,独立に準備された開口形成前のコリメータ33と、放射線検出素子を構成する基板11と、検出部12との距離をHに保つスペーサー16を示している。コリメータ33は検出する放射線に対する吸収率の異なる2種類の材料13A,13Bからなるバイレイヤー構造を持つ。
【0030】
図8(b)は,コリメータ33とスペーサー16,およびスペーサー16と基板11の接合工程を示す。接合には,エポキシ樹脂やワニス等の接着剤を用いる。また,放射線検出素子11をSi基板上に形成し,スペーサー13にホウケイ酸ガラス(パイレックスガラス),コイルメータ14にSi基板を用いることにより,Siでスペーサー15をはさみ,熱と加重をかけて,Siにプラス電位を印加することにより,接着剤を用いずに直接接合することができる(陽極接合)。
【0031】
図8(c)は,コリメータの開口形成工程を示す。開口形成は,吸収率の大きな遮蔽部材13Aの一部を除去することにより行う。除去の方法として,マスクを用いてのスパッタエッチング,イオンビームエッチングなどがある。さらに,Focused Ion Beam (FIB)エッチング法を用いることにより,マスク無しで,開口を形成することができる。
【0032】
本実施例により、丈夫で、かつ、開口形成が容易なコリメータを形成することができる他、コリメータの開口部と検出部とのアライメントを基板とコリメータの接合後の行うため、アライメント制度の向上が可能となる。その結果、さらに高いエネルギー分解能と検出効率を実現できる。
(実施の形態5)
図9に本発明の第6実施例を示す放射線検出器を用いた放射線計測システムを示す。本実施例では,放射線検出素子として超伝導転移端センサー(Transition Edge Sensor: TES)を用いている。図10(a)は超伝導転移端センサーの上面構造図を,図10(b)はその断面構造図を示す。図9の超伝導転移端センサーは図10(a)のx-x'断面を示す。また,図10(b)はy-y'断面を示す。
【0033】
超伝導転移端センサーは基板10上に作製され、放射線を吸収し、エネルギーを熱に変換し,その温度Ttを計測する温度変換器として機能する抵抗体19が薄膜メンブレン20上に形成されている。抵抗体19には、電流,または,電圧を供給し、その抵抗値を読み出すための電極14が接続されている。薄膜メンブレン20は、基板の厚さより薄いメンブレン構造を持ち、抵抗体19と熱槽6の間に熱コンダクタンスgを有する熱リンクとして機能する。通常,基板にはSiが用いられ,薄膜メンブレン20には酸化Si,窒化Siが用いられ,その膜厚は1μm程度である。
【0034】
超伝導転移端センサーの検出部である抵抗体以外の部分への照射を防ぐため,開口径Dを持つコリメータ13が備わっている。コリメータ13は,検出部12との距離をHに保つスペーサー16をはさみ,放射線検出素子11を形成する基板上に設置されている。コリメータ13は,メンブレンとは熱的に絶縁されるように熱槽である基板10上に支持されている。
【0035】
抵抗体19は超伝導体単体,もしくは超伝導体と常伝導体による2層構造で構成される。抵抗体19の抵抗値Rtは温度Ttにより,超伝導状態と常伝導状態と中間の転移状態を持ち、その関係は図11に示す抵抗-温度(R-T)曲線で表される。温度Tc以下で超伝導状態となり抵抗値はゼロとなる。
【0036】
超伝導転移端センサーは抵抗体が超伝導状態となる温度Tb(<Tc)に冷却されたコールドヘッド40上に設置する。抵抗体19に供給される電力による発熱(ジュール熱)で,抵抗体の温度を中間の転移状態にしておく。動作点OP(動作温度To)でX線が照射されると、温度Ttが上昇し、抵抗値Rtが変化する。外部駆動回路3によって、抵抗変化が読みとられ、入射放射線のエネルギーが求められる。
【0037】
抵抗体での熱拡散は位置依存性がある。そのため,放射線の照射位置により,取り出される電気信号の波形が変化する。通常,放射線検出器では,放射線によるパルスの波高値によってエネルギーを求める。照射位置を一定にするか,照射される位置での熱拡散課程を同じにする必要がある。例えば,抵抗体の中央部と端部では熱の拡散は明らかに異なり,異なる波形が検出される。
【0038】
放射線検出素子とコリメータを一体化し、さらにSi基板、ガラス基板を用いることができるため、コリメータの開口部と検出部とを近接させることが可能となる。また、開口部と検出部とのアライメントが容易となり、開口径を検出部のサイズに近づけることができる。その結果、コリメータの開口径と開口部の検出部との距離によって決定する立体角を大きくすることができ,高い検出効率を得ることができる。
【0039】
開口部と検出部とのアライメント精度が向上することから、放射線を検出部へ正確に照射させることができ、得られる信号のばらつきが小さくすることができる。超伝導転移端センサーの特徴である低いバックグラウンドノイズに加え,照射位置依存性による検出信号のばらつきを抑制できるため,非常に高いエネルギー分解能,およびSNを有する放射線検出器が実現できる。
【0040】
コリメータ13を熱槽である基板10上に支持することにより,コリメータ13が吸収した熱エネルギーを抵抗体に影響させることなく,すばやく熱槽に逃がすことができる。
(実施の形態6)
図12に本発明の第7実施例を示す放射線検出素子を示す。本実施例でも,放射線検出素子として超伝導転移端センサーを用いている。超伝導転移端センサーには,放射線エネルギーの吸収確立を増加させるため,抵抗体19上に吸収体18を設けることがある。図12(a)は吸収体付きの超伝導転移端センサーで構成された放射線検出素子の上面構造図を,図12(b)は断面構造図示す。吸収体18は放射線を吸収し、エネルギーを熱に変換し,その熱を抵抗体に伝達する機能を持つ。この場合,吸収体18が検出部となる。
【0041】
吸収確立は低いものの,吸収体以外の部分(抵抗体19本体等)へ照射されると,吸収体18で吸収された信号の波形の異なる信号が生ずる。コリメータはこの信号を防ぐものである。本実施例により,検出確立を高く、かつ、高いエネルギー分解能と高い検出効率を実現する放射線検出器を実現できる。
【0042】
【発明の効果】
本発明は,以上説明したような形態で実施され,以下に記載される効果を有する。
【0043】
基板上に形成された放射線検出部を含むエネルギー−電気変換部、および外部駆動回路と接続するための電極からなる放射線検出素子において、同一基板上に検出部照射用に放射線を透過させる開口を設けた遮蔽板であるコリメータを設置することにより,放射線検出素子とコリメータを一体化し、さらにSi基板、ガラス基板を用いることができるため、コリメータの開口部と検出部とを近接させることが可能となる。また、開口部と検出部とのアライメントが容易となり、開口径を検出部のサイズに近づけることができる。その結果、コリメータの開口径と開口部の検出部との距離によって決定する立体角を大きくすることができ,高い検出効率を得ることができる。
【0044】
そして、開口部と検出部とのアライメント精度が向上することから、放射線を検出部へ正確に照射させることができ、得られる信号のばらつきが小さくすることができる。その結果,高いエネルギー分解能を得ることができる。
【0045】
また,コリメータの材質をガラスやサファイア等の光透過性の材料で構成することにより,光学式のアライメント機構を用いることができるため、開口部と検出部とのアライメント精度をさらに向上させることができる。その結果、より高いエネルギー分解能とより高い検出効率を持つ放射線検出器を実現できる。
【0046】
放射線検出素子をSi基板上に形成し,スペーサーにホウケイ酸ガラス,コリメータにSi基板を用いることにより,陽極接合法による接合が可能となる。陽極接合を用いた作製法により,ウェーハ上に構成した多数の素子と同じサイズのウェーハに形成されたコリメータを接合できるため,量産性の向上が期待できる。
【0047】
また、基板とコリメータと間に一定の距離を保持する空洞部をコリメータに形成することにより,スペーサーが不要となることから,作製が容易になる。特に,Si基板とホウケイ酸ガラスとの張り合わせとなる陽極接合が容易となる。そして,コリメータと検出部との距離をより一層近接でき,検出効率の一層の増大が期待できる。
【0048】
コリメータを検出する放射線に対する吸収率の異なる2種類の材料からなるバイレイヤー構造とし,吸収率の低い材料が支持部材として基板上に固定され,吸収率の高い材料には放射線を透過する開口を形成する方法により、丈夫で、かつ、開口形成が容易なコリメータを形成することができる他、コリメータの開口部と検出部とのアライメントを基板とコリメータの接合後の行うため、アライメント制度の向上が可能となる。その結果、さらに高いエネルギー分解能と検出効率を実現できる。
【0049】
さらに、放射線検出素子とコリメータを接合した後,検出部に位置あわせしながら開口を設けることができるため,開口と検出部とのアライメントを容易かつ精度良くできる。特に,Focused Ion Beam (FIB)エッチング法を用いることにより,マスク無しで開口の形成が可能となる。
【0050】
エネルギー−電気変換部が,熱槽となる基板上に形成され,放射線を吸収し、熱に変換した後,その温度変化を計測することにより電気信号として取り出す超伝導転移端センサー(TES)とし,超伝導転移端センサー(TES)とコリメータを一体化することで,開口部と検出部とのアライメント精度が向上することから、放射線を検出部へ正確に照射させることができ、得られる信号のばらつきが小さくすることができる。超伝導転移端センサー(TES)の特徴である低いバックグラウンドノイズに加え,照射位置依存性による検出信号のばらつきを抑制できるため,非常に高いエネルギー分解能,およびSNを有する放射線検出器が実現できる。
【0051】
コリメータ15を熱槽である基板上に支持することにより,コリメータ15か吸収した熱エネルギーを抵抗体に影響させることなく,すばやく熱槽に逃がすことができる。
【0052】
吸収体付きの超伝導転移端センサー(TES)へ適応することにより,検出確立を高く、かつ、高いエネルギー分解能と高い検出効率を実現する放射線検出器を実現できる。
【0053】
素子上へのコリメータの設置により,検出部を保護する効果が得られる。特に,機械的に弱い薄膜メンブレンを有する超伝導転移端センサー(TES)の信頼性,操作性の向上には大変有効である。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施例を示す放射線検出器を用いた放射線計測システム。
【図2】第1実施例の放射線検出器の上面図。
【図3】第1実施例の放射線検出器の作製手順。
【図4】第2実施例を示す放射線検出器を用いた放射線計測システム。
【図5】第2実施例の放射線検出器の作製手順。
【図6】第3実施例を示す放射線検出器を用いた放射線計測システム。
【図7】第3実施例の放射線検出器の作製手順。
【図8】第4実施例を示す放射線検出器の作製手順。
【図9】第5実施例を示す放射線検出器を用いた放射線計測システム。
【図10】 (a)超伝導転移端センサー(TES)を用いた放射線検出器の上面図。
(b)超伝導転移端センサー(TES)を用いた放射線検出器の断面構造図。
【図11】超伝導転移端センサー(TES)の温度-抵抗特性。
【図12】第7実施例を示す放射線検出器の構造図。(a)上面図。(b)断面図。
【図13】従来技術による放射線検出器を用いた放射線計測システム。
【符号の説明】
1、 1A、1B・・・放射線
3・・・外部駆動回路
4・・・配線
10・・・基板
11,21・・・放射線検出素子
12,22・・・検出部
13,23・・・コリメータ
13A・・・遮蔽部材
13B・・・指示部材
14・・・電極
15・・・開口部
16・・・スペーサー
18・・・吸収体
19・・・抵抗体
20・・・薄膜メンブレン
33・・・開口形成前のコリメータ
40・・・コールドヘッド
Claims (1)
- 放射線を検出する検出部と、
前記検出部で検出された放射線のエネルギーを電気信号に変換する放射線検出素子と、
前記検出部と一定の距離を保ち放射線が通過する開口部を有する光透過性材料からなるコリメータとを備え、
前記コリメータは、前記放射線検出素子上に直接またはスペーサーを介して固定することを特徴とする放射線検出器。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002117916A JP4184701B2 (ja) | 2002-04-19 | 2002-04-19 | 放射線検出器 |
GB0308707A GB2391064B (en) | 2002-04-19 | 2003-04-15 | Radiation detector |
US10/417,907 US6974952B2 (en) | 2002-04-19 | 2003-04-17 | Radiation detector |
KR10-2003-0024743A KR20030083612A (ko) | 2002-04-19 | 2003-04-18 | 방사선 검출기 |
CN03130791A CN1451952A (zh) | 2002-04-19 | 2003-04-19 | 辐射线探测器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002117916A JP4184701B2 (ja) | 2002-04-19 | 2002-04-19 | 放射線検出器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003315466A JP2003315466A (ja) | 2003-11-06 |
JP4184701B2 true JP4184701B2 (ja) | 2008-11-19 |
Family
ID=19194049
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002117916A Expired - Lifetime JP4184701B2 (ja) | 2002-04-19 | 2002-04-19 | 放射線検出器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6974952B2 (ja) |
JP (1) | JP4184701B2 (ja) |
KR (1) | KR20030083612A (ja) |
CN (1) | CN1451952A (ja) |
GB (1) | GB2391064B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11417554B2 (en) | 2017-08-10 | 2022-08-16 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | Substrate storage container and method of manufacturing the same |
EP4057319A1 (en) | 2021-03-12 | 2022-09-14 | Jeol Ltd. | X-ray detector and method of manufacturing window portion |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4676737B2 (ja) * | 2004-10-08 | 2011-04-27 | ウシオ電機株式会社 | 電子ビーム管 |
US7310036B2 (en) | 2005-01-10 | 2007-12-18 | International Business Machines Corporation | Heat sink for integrated circuit devices |
CA2600414C (en) * | 2005-03-07 | 2011-12-20 | Japan Science And Technology Agency | Neutron detector and neutron imaging sensor |
US7446314B2 (en) * | 2005-09-30 | 2008-11-04 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Superconducting gamma and fast-neutron spectrometers with high energy resolution |
JP5026006B2 (ja) * | 2006-07-05 | 2012-09-12 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 超伝導放射線分析装置 |
US7651270B2 (en) * | 2007-08-31 | 2010-01-26 | Rigaku Innovative Technologies, Inc. | Automated x-ray optic alignment with four-sector sensor |
JP5436879B2 (ja) * | 2009-02-12 | 2014-03-05 | 日立コンシューマエレクトロニクス株式会社 | 放射線検出器 |
CN102033239B (zh) * | 2009-09-28 | 2013-07-10 | 同方威视技术股份有限公司 | 加速器x射线能量测量系统 |
JP2010048821A (ja) * | 2009-11-30 | 2010-03-04 | Sii Nanotechnology Inc | 超伝導x線検出装置及びそれを用いた超伝導x線分析装置 |
CN102741708A (zh) * | 2009-12-01 | 2012-10-17 | 国立大学法人德岛大学 | 癌治疗用小密封放射源的辐射强度测定装置 |
JP2012026996A (ja) * | 2010-07-28 | 2012-02-09 | High Energy Accelerator Research Organization | 放射線検出装置 |
US8571615B2 (en) * | 2010-09-10 | 2013-10-29 | California Institute Of Technology | Superconducting metallic glass transition-edge-sensors |
KR101958886B1 (ko) * | 2010-10-15 | 2019-03-15 | 오토믹 에너지 오브 캐나다 리미티드 | 방향성 방사선 검출 장치 및 역 콜리메이션을 사용하는 방법 |
JP5636265B2 (ja) * | 2010-11-15 | 2014-12-03 | 新光電気工業株式会社 | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
DE102010062133B4 (de) * | 2010-11-29 | 2017-02-23 | Siemens Healthcare Gmbh | Kollimator für einen Strahlendetektor und Verfahren zur Herstellung eines solchen Kollimators sowie Verfahren zur Herstellung eines Kollimatoren aufweisenden Strahlendetektors |
KR101221001B1 (ko) * | 2011-07-07 | 2013-01-10 | 한국원자력연구원 | 분산각을 조절하기 위한 코팅물질 또는 초거울을 증착한 Si 웨이퍼를 이용한 고효율 중성자 콜리메이터 |
US9161727B2 (en) | 2011-09-01 | 2015-10-20 | Hologic Inc | Independently rotatable detector plate for medical imaging device |
JP5877691B2 (ja) * | 2011-11-17 | 2016-03-08 | 株式会社日立メディコ | X線検出器、及びx線撮像装置 |
JP5815488B2 (ja) | 2012-08-28 | 2015-11-17 | ジーイー・メディカル・システムズ・グローバル・テクノロジー・カンパニー・エルエルシー | 放射線検出装置および放射線撮影装置 |
CN103015974B (zh) * | 2012-12-25 | 2015-09-23 | 中国海洋石油总公司 | 一种油基泥浆测井仪测量探头 |
KR101495440B1 (ko) * | 2013-08-06 | 2015-02-23 | 가톨릭대학교 산학협력단 | 저항열을 이용한 방사선 치료용 콜리메이터 |
JP6324060B2 (ja) * | 2013-12-24 | 2018-05-16 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | X線分析装置 |
CN104090291A (zh) * | 2014-07-24 | 2014-10-08 | 重庆大学 | 准直器阵列、工业ct设备线性探测器串扰校正装置及方法 |
WO2016093857A1 (en) * | 2014-12-12 | 2016-06-16 | Halliburton Energy Services, Inc. | Drilling tool bearing and drivetrain assembly |
JP6422791B2 (ja) * | 2015-02-05 | 2018-11-14 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | X線分析装置 |
JP7141264B2 (ja) * | 2018-07-02 | 2022-09-22 | キヤノンメディカルシステムズ株式会社 | X線検出器及びx線コンピュータ断層撮影装置 |
CN110444658B (zh) * | 2019-08-13 | 2020-08-11 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 基于AlMn合金超导薄膜的TES微量能器及制备方法 |
CN112007877B (zh) * | 2020-09-21 | 2024-04-30 | 中国兵器装备集团自动化研究所有限公司 | 一种放射性污染物在线式检测分选系统及方法 |
FI20225453A1 (en) * | 2022-05-24 | 2023-11-25 | Ametek Finland Oy | Method for producing a radiation window with an edge reinforcement structure and radiation window with an edge reinforcement structure |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL8402927A (nl) * | 1984-09-26 | 1986-04-16 | Philips Nv | Geintegreerde stralingsdetektor. |
US4734988A (en) * | 1986-02-25 | 1988-04-05 | General Electric Company | Method of aligning a collimator to a linear array X-ray detector |
US4809314A (en) * | 1986-02-25 | 1989-02-28 | General Electric Company | Method of aligning a linear array X-ray detector |
DE3900245A1 (de) * | 1988-01-06 | 1989-07-20 | Hitachi Ltd | Mehrelement-strahlungsdetektor |
US5682415A (en) * | 1995-10-13 | 1997-10-28 | O'hara; David B. | Collimator for x-ray spectroscopy |
US5641961A (en) * | 1995-12-28 | 1997-06-24 | Stanford University | Application of electrothermal feedback for high resolution cryogenic particle detection using a transition edge sensor |
US5880468A (en) * | 1996-08-26 | 1999-03-09 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Superconducting transition-edge sensor |
US6823693B1 (en) * | 1998-03-06 | 2004-11-30 | Micron Technology, Inc. | Anodic bonding |
US6211519B1 (en) * | 1998-09-14 | 2001-04-03 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Transition-edge sensor with enhanced electrothermal feedback for cryogenic particle detection |
US6239431B1 (en) * | 1998-11-24 | 2001-05-29 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Superconducting transition-edge sensor with weak links |
US6528797B1 (en) * | 1999-04-16 | 2003-03-04 | The Regents Of The University Of Michigan | Method and system for determining depth distribution of radiation-emitting material located in a source medium and radiation detector system for use therein |
US6722788B2 (en) * | 2001-06-29 | 2004-04-20 | Xanoptix Inc. | Integration of fused glass collimated coupler for use in opto-electronic modules |
-
2002
- 2002-04-19 JP JP2002117916A patent/JP4184701B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-04-15 GB GB0308707A patent/GB2391064B/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-04-17 US US10/417,907 patent/US6974952B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-04-18 KR KR10-2003-0024743A patent/KR20030083612A/ko not_active Application Discontinuation
- 2003-04-19 CN CN03130791A patent/CN1451952A/zh active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11417554B2 (en) | 2017-08-10 | 2022-08-16 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | Substrate storage container and method of manufacturing the same |
EP4057319A1 (en) | 2021-03-12 | 2022-09-14 | Jeol Ltd. | X-ray detector and method of manufacturing window portion |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6974952B2 (en) | 2005-12-13 |
GB2391064A (en) | 2004-01-28 |
GB0308707D0 (en) | 2003-05-21 |
JP2003315466A (ja) | 2003-11-06 |
KR20030083612A (ko) | 2003-10-30 |
US20040011960A1 (en) | 2004-01-22 |
CN1451952A (zh) | 2003-10-29 |
GB2391064B (en) | 2005-10-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4184701B2 (ja) | 放射線検出器 | |
US9528879B2 (en) | Infrared detection element, infrared detector, and infrared type gas sensor | |
CA2557903C (en) | Method for production of a device for thermal detection of radiation comprising an active microbolometer and a passive microbolometer | |
KR100704518B1 (ko) | 마이크로-브리지 구조체 | |
WO2005083374A1 (ja) | 赤外線センサ及びその製造方法 | |
US20120097853A1 (en) | Device for detecting electromagnetic radiation | |
KR101922119B1 (ko) | 적외선 검출기 및 이를 사용하는 적외선 검출 방법 | |
JP3097591B2 (ja) | 熱型赤外線検出素子 | |
JP6350933B2 (ja) | 赤外線検出器 | |
US9097579B2 (en) | Electrical calibrated radiometer | |
JPH07209089A (ja) | 赤外線センサ | |
JP6225564B2 (ja) | 赤外線センサモジュール | |
JP6003605B2 (ja) | 赤外線検知装置 | |
EP3346296B1 (en) | A semiconductor radiation detector | |
JP2010261908A (ja) | レーザーパワーセンサ | |
JP5633195B2 (ja) | 熱検知デバイス | |
JP6179858B2 (ja) | 赤外線検出素子、赤外線検出器及び赤外線式ガスセンサ | |
JP6218070B2 (ja) | 赤外線検出器 | |
KR100339395B1 (ko) | 적층형 볼로메터 센서 및 제조 방법 | |
JP3071817B2 (ja) | 半導体放射線検出器 | |
RU80995U1 (ru) | Болометрический приемник, учитывающий изменения температуры внешней среды | |
JPH0476235B2 (ja) | ||
KR100643708B1 (ko) | 높은 응답도를 갖는 볼로 미터 구조 | |
JPH05209786A (ja) | 焦電素子及びその製造方法 | |
JPH0450519Y2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040304 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20040526 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041118 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071203 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071218 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080215 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080715 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080807 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080902 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080904 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110912 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4184701 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091108 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110912 Year of fee payment: 3 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120912 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130912 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130912 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130912 Year of fee payment: 5 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130912 Year of fee payment: 5 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130912 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130912 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |