JP6003605B2 - 赤外線検知装置 - Google Patents
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 115
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 81
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 41
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 39
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 67
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 27
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 13
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 10
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000013041 optical simulation Methods 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910016928 MnNiCo Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
実施例1の、赤外線検知装置1を作製し、評価を行った。実施例1の具体的な製造方法について説明する。
orthosilicate:TEOS)という有機金属を用いたCVD(TEOS−CVD)法により、SiO2膜を成膜する。
比較例として、図10のように、実施例1と同じ構成の赤外線検知装置1において、赤外線反射層5、および赤外線吸収層6が形成されていないものを示す。すなわち、第2の開口部9A、第3の開口部9Bが存在しないため、第1の開口部26により視野角が決定される。開口はパッケージ3と光学フィルタ4を接着する部分の内周と同じ形状となり、パッケージ3の開口と同じ大きさである。比較例の、第1の開口部は、実施例1と同じ正方形であり、大きさは、1.8×1.8mmであり、面積は、3.24mm2である。
図2により実施例1、および比較例の赤外線検知装置1のモデルを使用して光学シミュレーションを実施した。図11は光学シミュレーションの位置関係を示したもので、光源には、波長5〜10μmの光を発生する10mm×10mmの平面光源30を用いた。赤外線検知装置1と平面光源30との距離は2mmに設定した。各々のモデルにおける赤外線検知素子2に入射される赤外線10の照度を求めて比較した。シミュレーションでは平面光源30から多量の赤外線がランダムに放出される。放出された各赤外線1本毎に同じエネルギーが定義されており、赤外線検知素子2に到達した本数から照度を計算している。つまり、赤外線が到達した本数が多いほど照度が高くなる。よって、赤外線の反射成分11も照度として加算されることになる。
図8は本発明に係る他の赤外線検知装置1を示す断面図である。図に示すように、赤外線吸収層6に形成された第2の開口部9Aが、赤外線反射層5に形成された第3の開口部9Bよりも小さくなっている。
図9は本発明に係る他の赤外線検知装置1を示す断面図である。図に示すように、赤外線吸収層6が、パッケージ3と光学フィルタ4の接合される部分にも形成されている。
2、102 赤外線検知素子
3、103 パッケージ
4、104 光学フィルタ
5 赤外線反射層
6 赤外線吸収層
7 ワイヤ
8 端子電極
9A 第2の開口部
9B 第3の開口部
10 赤外線
11、111 赤外線の反射成分
12 接着層
13 ダイペースト
14 基板
15 絶縁膜
16 キャビティ
17 赤外線検知膜
18 取り出し電極
18A、20 Ti金属薄膜
18B Pt金属薄膜
19 パッド電極
21 保護膜
22 赤外線吸収膜
23 メンブレン構造
24 基板(フィルタ)
25 多層膜
26 第1の開口部
30 平面光源
Claims (3)
- 赤外線を電気的信号に変換する赤外線検知素子と、前記赤外線検知素子を収容するパッケージと、前記パッケージに接合され所定の波長の赤外線のみを通過させる光学フィルタを備え、
前記光学フィルタの赤外線入射面側に赤外線反射層が形成され、前記赤外線入射面とは反対側の面には赤外線吸収層が形成され、
前記パッケージは第1の開口部を有し、前記赤外線吸収層には第2の開口部、及び前記赤外線反射層には第3の開口部が形成され、前記第3の開口部の大きさは、前記第1の開口部の大きさよりも小さいことを特徴とする赤外線検知装置。 - 前記第2の開口部の大きさは、前記第3の開口部よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の赤外線検知装置。
- 前記赤外線吸収層と前記パッケージの間に接着層が形成されていることを特徴とする請求項1から2のいずれかに記載の赤外線検知装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012271365A JP6003605B2 (ja) | 2012-12-12 | 2012-12-12 | 赤外線検知装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012271365A JP6003605B2 (ja) | 2012-12-12 | 2012-12-12 | 赤外線検知装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014115244A JP2014115244A (ja) | 2014-06-26 |
JP6003605B2 true JP6003605B2 (ja) | 2016-10-05 |
Family
ID=51171385
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012271365A Expired - Fee Related JP6003605B2 (ja) | 2012-12-12 | 2012-12-12 | 赤外線検知装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6003605B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6671860B2 (ja) | 2015-04-28 | 2020-03-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置 |
JP6054569B1 (ja) * | 2016-07-25 | 2016-12-27 | 浜崎商工株式会社 | 塵芥収集車の火災検知装置およびこれを備えた塵芥収集車 |
JP7015285B2 (ja) * | 2019-09-10 | 2022-02-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置 |
CN114823939B (zh) * | 2022-04-28 | 2024-01-09 | 欧梯恩智能科技(苏州)有限公司 | 可调光电探测器、制造方法及波长解调系统 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62201325A (ja) * | 1986-02-07 | 1987-09-05 | Fujitsu Ltd | 赤外線検知器 |
JPS6420656A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-24 | Fujitsu Ltd | Cold shield for infrared ray detector |
JPH0385418A (ja) * | 1989-08-29 | 1991-04-10 | Fujitsu Ltd | 赤外線検知素子用コールドシールド |
JPH03243834A (ja) * | 1990-02-21 | 1991-10-30 | Fujitsu Ltd | 赤外線検知装置 |
JPH06194229A (ja) * | 1992-10-27 | 1994-07-15 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線センサ |
JPH06241890A (ja) * | 1993-02-22 | 1994-09-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線センサ |
US5434413A (en) * | 1993-10-01 | 1995-07-18 | Texas Instruments Incorporated | Virtual cold shield and cold filter for infrared detector arrays |
JP4758118B2 (ja) * | 2005-03-10 | 2011-08-24 | 三菱電機株式会社 | 赤外線検出器および赤外線検出器のガス吸着手段活性化方法 |
JP5260858B2 (ja) * | 2006-11-22 | 2013-08-14 | パナソニック株式会社 | 赤外線検出装置の製造方法 |
-
2012
- 2012-12-12 JP JP2012271365A patent/JP6003605B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014115244A (ja) | 2014-06-26 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150824 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160711 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
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