JP2012026996A - 放射線検出装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】光検出器への放射線の入射量を低減する放射線検出装置を提供する。
【解決手段】放射線が入射する放射線入射面を有し、入射した放射線を光に変換するシンチレータと、前記シンチレータの前記放射線入射面と対向する面側に設置され、前記シンチレータで変換された光を透過し、前記シンチレータを透過した放射線を吸収する光透過板と、前記光透過板の前記シンチレータが設置される面と対向する面側に設置され、前記シンチレータで変換され、前記光透過板を透過した光を、検出する光検出器と、を有する放射線検出装置である。
【選択図】図2

Description

本発明は、放射線を検出する放射線検出装置に関する。
放射線を検出する放射線検出装置として、シンチレータ及び光検出器が使用されるものがある。シンチレータは、シンチレーション現象により、放射線を光に変換する。シンチレーション現象は、放射線が特定の物質に入射するとき、この放射線のエネルギーが当該物質に吸収されて蛍光を発生する現象である。放射線検出装置は、シンチレータで変換された光を光検出器で検出することにより、入射される放射線を検出する。放射線には、アルファ線、ベータ線、ガンマ線、X線、中性子線、荷電粒子線等が含まれる。
特開2003−241329号公報 特表2007−509345号公報
放射線検出装置に入射される放射線の一部は、シンチレータで光に変換されず、光検出器に入射される。そのため、放射線検出装置には、放射線照射による損傷を受けにくい光検出器が使用されることが望ましい。従来、光検出器として、例えば、光電子増倍管が使用されてきた。
光検出器としては、MPPC(Multi-Pixel Photon Counter)等の半導体を使用した光検出器も存在する。MPPCは、光電子増倍管に比べ形状が小さいため、設置位置を自由に選択できるという利点がある。しかし、半導体を使用した光検出器は、放射線照射による損傷を受けやすい。このため、半導体を使用した光検出器は、放射線が照射される環境では使用されにくい。放射線検出装置の光検出器として半導体を使用した光検出器を使用するためには、光検出器への放射線の入射量が低減されることが、求められる。また、放射線は、光検出器におけるノイズの原因となり検出結果に影響を与えることがある。このため、光電子増倍管のような光検出器であっても、光検出器に対する放射線の入射量が少ない環境で使用されることが望ましい。
図1は、放射線検出装置に入射される放射線の例を示す図である。図1の放射線検出装置3は、放射線シンチレータ1及び光検出器2を含む。放射線シンチレータ1は、放射線を光に変換する。光検出器2は、放射線シンチレータ1で変換された光を検出する。放射線検出装置3に入射された放射線は、放射線シンチレータ1で光に変換され、変換された光が光検出器2で検出される。また、放射線検出装置3に入射された放射線の一部は、放射線シンチレータ1で光に変換されずに、光検出器2に入射される。光検出器2は、入射される放射線によりダメージを受ける。
本発明は、光検出器への放射線の入射量を低減する放射線検出装置を提供することを課題とする。
本発明は、上記課題を解決するために、以下の手段を採用する。
即ち、本発明の第1の態様は、
放射線が入射する放射線入射面を有し、入射した放射線を光に変換するシンチレータと、
前記シンチレータの前記放射線入射面と対向する面側に設置され、前記シンチレータで変換された光を透過し、前記シンチレータを透過した放射線を吸収する光透過板と、
前記光透過板の前記シンチレータが設置される面と対向する面側に設置され、前記シンチレータで変換され、前記光透過板を透過した光を、検出する光検出器と、
を有する放射線検出装置である。
本発明の第1の態様によると、シンチレータは入射した放射線を光に変換する。光透過板は、シンチレータで変換された光を透過し、シンチレータを透過した放射線を吸収する。光検出器は、シンチレータで変換された光を検出する。
本発明によれば、光検出器への放射線の入射を低減する放射線検出装置を提供することができる。
図1は、放射線検出装置に入射される放射線の例を示す図である。 図2は、中性子検出装置の構成例を示す図である。 図3は、ホウケイ酸ガラスの中性子吸収特性の例を示す図である。 図4は、光検出器としてMPPCを使用した場合の、光検出器の回路の例を示す図である。 図5は、複数の光検出器が設けられた中性子検出装置の例を示す図である。
以下、図面を参照して実施形態について説明する。実施形態の構成は例示であり、開示の実施形態の構成に限定されない。
〔実施形態〕
(構成例)
図2は、放射線検出装置としての中性子検出装置の構成例を示す図である。中性子検出装置10は、中性子シンチレータ100、光透過板200、光検出器300を含む。
中性子検出装置10は、平板状の中性子シンチレータ100と、中性子シンチレータ100の一方の面側に配置された平板状の光透過板200と、光透過板200の中性子シンチレータ100が配置された面と反対側の面側に配置された光検出器300とを有する。中性子シンチレータ100の光透過板200が配置された面と反対側の面に検出対象の中性子が入射される。中性子シンチレータ100と光透過板200とは、接触してもよい。また、光透過板200と光検出器300とは、接触してもよい。
中性子検出装置10に中性子が入射されると、中性子シンチレータ100で中性子が光に変換される。中性子シンチレータ100で変換された光は、光透過板200に入射される。光透過板200は、光を通過させるので、入射された光は、光検出器300に入射される。光検出器300は、入射された光を検出し、電気信号等に変換して出力する。中性子シンチレータ100で光に変換されなかった中性子は、光透過板200で吸収される。光透過板200で吸収されなかった中性子は、光検出器300に入射される。光透過板200を調整することにより、光検出器300に入射する中性子の量を制御できる。
中性子シンチレータ100は、中性子を光に変換する媒体である。中性子シンチレータ
100に入射された中性子は、光に変換される。中性子シンチレータ100に入射された中性子の一部は、光に変換されずに通過する。中性子シンチレータ100で光に変換されなかった中性子は、光透過板200に入射される。中性子シンチレータ100として、例えば、ZnS、Liガラス、LBO単結晶が使用されうる。中性子シンチレータ100は、これらに限定されるものではない。
光透過板200は、入射される光を通過させる。また、光透過板200は、入射される中性子を吸収する。即ち、光透過板200は、中性子に対して遮蔽板として機能する。光透過板200として、例えば、ホウケイ酸ガラスが使用される。ホウケイ酸ガラスは、ボロン入りのガラスである。ボロン入りのガラスは、中性子を吸収し得る。ガラスによる中性子の吸収割合は、ガラス板の厚さに依存する。光透過板200の厚さは、入射される中性子の量と、光検出器300に影響を及ぼす中性子の量とによって決定されうる。光透過板200は、ホウケイ酸ガラスに限定されない。光透過板200は、光検出器300を、中性子から保護する。
図3は、ホウケイ酸ガラスの中性子吸収特性の例を示す図である。図3は、重量比11%の酸化ホウ素(B23)が含まれるホウケイ酸ガラスの中性子吸収特性である。図3の中性子吸収特性は、板状のガラス(ガラス板)の一方の面から所定のレートで中性子を入射し、ガラス板の他方の面から出力される単位時間あたりの中性子の数を測定したものである。測定は、複数のガラス厚(2mm、3mm、5mm、7mm、10mm)で行われている。図3のグラフの横軸は、ガラス板の厚さであり、縦軸は、ガラス板を通過してカウントされる単位時間あたりの中性子の数である。ガラス板の厚さが0mmでの値は、ガラス板を通さない場合にカウントされる単位時間あたりの中性子の数である。即ち、ガラス板の厚さが0mmでの値は、ガラス板の厚さが0mmより大きい場合に、ガラス板に入射する単位時間あたりの中性子の数に相当する。このホウケイ酸ガラスは、ガラス厚が5mmで、入射される中性子をほぼ1/10に減衰する。例えば、中性子シンチレータ100を通過する中性子の量が1000個/秒であって、光検出器300が耐えられる中性子の量が10個/秒である場合、このホウケイ酸ガラスでは、ガラス厚が10mmであるものを使用すればよい。
光検出器300は、中性子シンチレータ100で変換された光を検出する。光検出器300は、入射された光を電気信号等に変換して出力する。光検出器300は、入射された光の量に依存した電気信号等を出力する。光検出器300は、例えば、入射された光の量に比例した電荷を出力する。光検出器300として、例えば、MPPC(Multi-Pixel Photon Counter)といった半導体光検出器、光電子増倍管が使用されうる。
図4は、光検出器としてMPPCを使用した場合の、光検出器の回路の例を示す図である。図4の回路は、抵抗R1及び抵抗R2、コンデンサC1及びコンデンサC2、MPPC(ダイオードD1)を含む。図4の回路には、MPPC(ダイオード)に対する逆方向バイアスとしての逆電圧∨1が印加されている。MPPCに光が入射すると、MPPC内の電子が励起され、回路に電流が流れ、出力を得る。この出力によって、光検出器300は、光を検出する。また、MPPCに光が入射しないと、原則として、回路に電流は流れない。
また、光検出器300として、フォトダイオード、フォトトランジスタ、CCD(Charge Coupled Device)、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)が使用されうる。中性子検出装置10には、複数の光検出器300が設けられてもよい。複数の光検出器300を用いることにより、電荷分割法等により、中性子が入射された位置を算出することが可能となる。
図5は、複数の光検出器が設けられた中性子検出装置の例を示す図である。図5の例では、中性子検出装置10は、中性子シンチレータ100、光透過板200、複数の光検出器300、複数の抵抗400を含む。中性子シンチレータ100と光透過板200とは、接触してもよい。また、光透過板200と光検出器300とは、接触してもよい。ここで、光透過板200は、入射された光を拡散する形態(例えば、光拡散ガラス)としてもよい。光透過板200が光拡散ガラスであるとき、光透過板200に入射された光は、光透過板200によって拡散される。光が拡散されると、光が、複数の光検出器300によって、検出され易くなる。また、中性子を吸収するホウケイ酸ガラスを光拡散ガラスにすることで、光透過板200は、光を拡散しつつ、中性子を吸収することができる。
中性子シンチレータ100で変換された光が拡散されず1つの光検出器300のみで光が検出される場合、光が入射された位置(中性子が照射された位置)を算出する際の位置分解能は、光検出器300の設置間隔程度に留まる。一方、光が拡散され複数の光検出器300で光が検出される場合、光が入射された位置の位置分解能は、光検出器300の設置間隔よりも小さくなる。
各光検出器300の出力は、抵抗400と交互に直列に接続される。図5のように、光検出器300と抵抗400とが交互に接続されたものの両端から出力が得られる。これらの出力に基づいて、電荷分割法等により、中性子が入射された位置を算出することができる。
(実施形態の作用効果)
中性子検出装置10は、入射される中性子を光に変換して検出する。また、複数の光検出器300を有する中性子検出装置10は、入射される中性子の入射された位置を検出しうる。中性子検出装置10は、中性子シンチレータ100で変換されなかった中性子(中性子シンチレータ100を透過した中性子)を、中性子を吸収する光透過板200に吸収させる。中性子が光透過板200に吸収されるため、光検出器300に入射される中性子が低減する。
実施形態の構成によれば、光検出器300に入射される中性子が減少するため、中性子によってダメージを受けやすいMPPC等の半導体を使用した光検出器を、中性子検出装置10の光検出器300として用いることができる。また、光検出器300に入射される中性子が減少するため、光検出器300が劣化しにくくなり、また、光検出器300における放射線によるノイズが低減する。
〔変形例〕
上記の実施形態では、中性子を検出する中性子検出装置10について説明した。中性子検出装置10の構成は、中性子線以外の他の放射線を検出する放射線検出装置に適用されうる。他の放射線には、例えば、アルファ線、ベータ線、ガンマ線、X線、荷電粒子線等が含まれる。
放射線検出装置では、中性子シンチレータ100の代わりに、検出対象の他の放射線に対応する放射線シンチレータが使用される。放射線シンチレータは、入射された放射線を光に変換する。放射線シンチレータとして、検出対象の放射線に対応するものが選択される。
放射線検出装置では、光透過板200として、例えば、鉛ガラス、アクリルガラスが使用される。光透過板200は、検出対象の放射線を吸収するものが選択される。鉛ガラスは、光を通過させ、アルファ線、ベータ線、ガンマ線、X線、荷電粒子線等の放射線を吸収する。アクリルガラスは、光を通過させ、アルファ線等の放射線を吸収する。また、光
透過板200として、可視光を通過し、可視光より高い周波数を有するX線、ガンマ線を遮蔽する、ローパスフィルタ、バンドパスフィルタが使用されうる。光透過板200として、光を拡散するものが使用されてもよい。
放射線検出装置は、放射線シンチレータで変換されなかった放射線を、放射線を吸収する光透過板に吸収させる。光透過板に放射線が吸収されるため、光検出器に入射される放射線が低減する。これにより、放射線による光検出器の損傷を低減させることができ、光検出器として放射線による影響を受けやすいものを使用できる。
1 放射線シンチレータ
2 光検出器
3 放射線検出装置
10 中性子検出装置
100 中性子シンチレータ
200 光透過板
300 光検出器
400 抵抗
C1 コンデンサ
C2 コンデンサ
D1 ダイオード(MPPC)
R1 抵抗
R2 抵抗

Claims (4)

  1. 放射線が入射する放射線入射面を有し、入射した放射線を光に変換するシンチレータと、
    前記シンチレータの前記放射線入射面と対向する面側に設置され、前記シンチレータで変換された光を透過し、前記シンチレータを透過した放射線を吸収する光透過板と、
    前記光透過板の前記シンチレータが設置される面と対向する面側に設置され、前記シンチレータで変換され、前記光透過板を透過した光を、検出する光検出器と、
    を有する放射線検出装置。
  2. 前記シンチレータは、中性子を光に変換する中性子シンチレータであり、
    前記光透過板は、ホウケイ酸ガラスである、
    請求項1に記載の放射線検出装置。
  3. 前記光検出部は、半導体光検出器である、
    請求項1又は2に記載の放射線検出装置。
  4. 前記半導体光検出器は、MPPC(Multi-Pixel Photon Counter)である、
    請求項3に記載の放射線検出装置。
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