JP2014010131A5 - - Google Patents

Claims (19)

1. センサ素子と、
   前記センサ素子と電気的に接合される第１の接合面と、有機絶縁体を含み電子部品が埋設された基板本体と、前記第１の接合面の変形を規制するための規制部と、を有する配線基板と
   を具備するセンサデバイス。
2. 請求項１に記載のセンサデバイスであって、
   前記第１の接合面は、前記基板本体に配置され、
   前記規制部は、前記基板本体に埋設されたコア部を含む
   センサデバイス。
3. 請求項２に記載のセンサデバイスであって、
   前記コア部は、前記電子部品を取り囲んで環状に配置される
   センサデバイス。
4. 請求項３に記載のセンサデバイスであって、
   前記配線基板は、前記第１の接合面と対向する第２の接合面をさらに有し、
   前記基板本体は、
   前記第１の接合面側に配置される第１の配線層と、
   前記第２の接合面側に配置され前記コア部及び前記電子部品を挟んで前記第１の配線層と対向する第２の配線層と、をさらに有する
   センサデバイス。
5. 請求項２から４のうちのいずれか１項に記載のセンサデバイスであって、
   前記第１の接合面上に配置され、前記センサ素子を被覆するシールド部をさらに具備する
   センサデバイス。
6. 請求項５に記載のセンサデバイスであって、
   前記規制部は、前記シールド部と前記コア部とを接合する第１の接合部をさらに有する
   センサデバイス。
7. 請求項６に記載のセンサデバイスであって、
   前記シールド部は、前記センサ素子との線膨張率の差の絶対値が、前記有機絶縁体と前記センサ素子との線膨張率の差の絶対値よりも小さい
   センサデバイス。
8. 請求項２から７のうちのいずれか１項に記載のセンサデバイスであって、
   前記コア部は、前記センサ素子との線膨張率の差の絶対値が、前記有機絶縁体と前記センサ素子との線膨張率の差の絶対値よりも小さい
   センサデバイス。
9. 請求項１に記載のセンサデバイスであって、
   前記規制部は、前記センサ素子と前記基板本体との間に配置される無機絶縁体製の基材を含み、
   前記第１の接合面は、前記基材に配置される
   センサデバイス。
10. 請求項９に記載のセンサデバイスであって、
    前記規制部は、前記基板本体に埋設されたコア部をさらに含む
    センサデバイス。
11. 請求項１０に記載のセンサデバイスであって、
    前記規制部は、前記基材と前記コア部とを接続する第２の接合部をさらに含む
    センサデバイス。
12. 請求項９から１１のうちのいずれか１項に記載のセンサデバイスであって、
    前記基材は、前記基板本体に実装され、
    前記配線基板は、前記基材と前記基板本体との間に充填される接着層をさらに有する
    センサデバイス。
13. 請求項９から１２のうちのいずれか１項に記載のセンサデバイスであって、
    前記基材は、前記第１の接合面と対向して配置され、前記電子部品と電気的に接合される第３の接合面をさらに有する
    センサデバイス。
14. 請求項９から１３のうちのいずれか１項に記載のセンサデバイスであって、
    前記配線基板に配置され前記センサ素子を被覆するシールド部をさらに具備する
    センサデバイス。
15. 請求項１４に記載のセンサデバイスであって、
    前記シールド部は、前記第１の接合面上に配置される
    センサデバイス。
16. 請求項１５に記載のセンサデバイスであって、
    前記基板本体は、前記基材と対向する第４の接合面を有し、
    前記シールド部は、前記第４の接合面上に配置され、前記基材と前記センサ素子とを被覆する
    センサデバイス。
17. 請求項９から１６のうちのいずれか１項に記載のセンサデバイスであって、
    前記基板本体は、前記基材よりも縦弾性係数が小さい
    センサデバイス。
18. 請求項１から１７のうちのいずれか１項に記載のセンサデバイスであって、
    前記センサ素子は、前記第１の接合面を挟んで前記電子部品と対向する
    センサデバイス。
19. 請求項１から１８のうちのいずれか１項に記載のセンサデバイスであって、
    前記センサ素子は、ジャイロセンサである
    センサデバイス。