JP2002181550A

JP2002181550A - 角速度測定装置

Info

Publication number: JP2002181550A
Application number: JP2001253279A
Authority: JP
Inventors: Seiji Ishikawa; 石川　　誠司; Takayuki Kikuchi; 菊池　　尊行
Original assignee: NGK Insulators Ltd
Current assignee: NGK Insulators Ltd
Priority date: 2000-10-02
Filing date: 2001-08-23
Publication date: 2002-06-26
Also published as: US20020046604A1; US6708564B2

Abstract

(57)【要約】【課題】振動子や支持基板をパッケージ内に収容する角
速度測定装置において、振動型ジャイロスコープの機能
に悪影響を与えることなく、パッケージの小型化を達成
する。【解決手段】角速度測定装置１Ａは、所定の回転軸Ｚの
周りの回転角速度を検出するものであり、振動子１２、
振動子１２を支持する振動子支持部材９、支持部材９を
支持する回路基板６、および振動子の信号を制御するた
めの半導体集積回路チップ８を備えており、回路基板６
上にチップ８がフリップチップ実装されており、チップ
８上に支持部材９が設置されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、振動型ジャイロス
コープを使用した角速度測定装置に関するものであるで
ある。

【０００２】

【従来の技術】最近、自動車の車体回転速度フィードバ
ック式の車両制御方法に用いる回転速度センサーに、振
動型ジャイロスコープを使用することが検討されてい
る。振動型ジャイロスコープは、振動子の回転に伴うコ
リオリ力を利用した角速度センサーであり、振動子を電
気的に発振すると同時にコリオリ力によって誘起される
振動を検出することにより角速度を測定する。こうした
システムにおいては、操舵輪の方向自身は、ハンドルの
回転角度によって検出する。これと同時に、実際に車体
が回転している回転速度を振動型ジャイロスコープによ
って検出する。そして、操舵輪の方向と実際の車体の回
転速度を比較して差を求め、この差に基づいて車輪トル
ク、操舵角に補正を加えることによって、安定した車体
制御を実現する。

【０００３】こうした振動型ジャイロスコープでは、振
動子をカンパッケージなどの容器に対して固定し、これ
を回路と共に所定のハウジング内に収容し、ハウジング
を車体へと取り付け可能とする必要がある。この場合に
は、振動子を支持基板へ取り付け，支持基板に半導体集
積回路チップを取りつけた後、支持基板をピンによって
カンパッケージのベースへと取り付けている。

【０００４】例えば、特開２０００−９４７６号公報に
おいては、音叉型振動子を支持基板上に固定し、振動子
と支持基板とをパッケージ内に収容したときに、外部か
らパッケージに加わった振動ないし衝撃によって振動子
が揺動し、破損するのを防止するために、揺動防止部材
を設けている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】こうした振動型ジャイ
ロスコープにおいては、パッケージの平面的な寸法を小
さくすると共に、パッケージの高さを低くすることが要
求されている。しかし、これまで、振動型ジャイロスコ
ープの機能に悪影響を与えることなく、パッケージの小
型化を達成する技術は十分に検討されてきていない。

【０００６】本発明の課題は、振動子や支持基板をパッ
ケージ内に収容する角速度測定装置において、振動型ジ
ャイロスコープの機能に悪影響を与えることなく、パッ
ケージの小型化を達成することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、所定の回転軸
の周りの回転角速度を検出するための角速度測定装置で
あって、振動子、この振動子を支持する振動子支持部
材、前記振動子支持部材を支持する回路基板、および前
記振動子の信号を制御するための半導体集積回路チップ
を備えており、前記回路基板上に前記半導体集積回路チ
ップがフリップチップ実装されており、この半導体集積
回路チップ上に前記振動子支持部材が設置されているこ
とを特徴とする。

【０００８】本発明者は、回路基板上に半導体集積回路
チップをフリップチップ実装した後に、このチップ上に
振動子支持部材を介して振動子を支持する構造を考案し
た。これによって、振動子、振動子の駆動系および振動
子からの検出信号の処理系に悪影響を与えることなく、
角速度測定装置を著しく小型化することに成功した。

【０００９】好ましくは、振動子が所定面に沿って形成
されており、かつ所定面が振動子の回転軸に対して略垂
直である。

【００１０】ここで、所定面に沿って振動子が形成され
ているとは、振動子に厚みがあることから、幾何学的に
厳密な意味で振動子が所定面上に形成されているという
意味ではない。所定面から見て厚さ１ｍｍ程度の中に振
動子が形成されていれば本発明に包含される。

【００１１】回転軸に対して略垂直な所定面は、幾何学
的に厳密に垂直をなしているという意味ではなく、当
然、製造上の誤差等を含むものであり、現実的には回転
軸に対して厳密に垂直な方向から５°以内であればよ
い。このような振動子は、いわゆる「横置き」の振動子
と呼ばれている。こうした設置方法をとる振動子の場合
に、本発明は、パッケージの高さの低減と横方向寸法の
低減との点で特に優れている。

【００１２】好ましくは、半導体集積回路チップが振動
子に対して略平行に延びている。この場合には、本発明
は特にパッケージの高さの低減と横方向寸法の低減との
点で優れている。

【００１３】半導体集積回路チップの種類は特に限定さ
れないが、振動子の駆動信号および検出信号を制御する
半導体集積回路チップであることが好ましく、例えばＡ
ＳＩＣ（Application Specified Integrated Circuit：
特定用途向け集積回路）が好ましい。

【００１４】半導体集積回路チップをフリップチップ実
装し、チップ上に振動子支持部材を介して振動子を支持
する場合には、振動子、振動子支持部材、回路基板およ
び半導体集積回路チップをカンパッケージ中に収容でき
る。図１は、この実施形態に係る角速度測定装置１Ａを
概略的に示す断面図である。

【００１５】図１の装置を製造する際には、まず回路基
板６の表面６ｂにチップ部品７Ｂを設置し、背面６ｃに
チップ部品７Ａを設置する。また、回路基板６の表面６
ｂの中央付近に半導体集積回路チップ８をフリップチッ
プ実装する。フリップチップ実装それ自体は公知の実装
方法である。まずチップ８の表面を回路基板６の表面に
当接させた状態で配置し、次いでチップ８と回路基板６
との間をプラスチックで充填する。

【００１６】次いで、カンパッケージベース３に対して
回路基板６を接続する。本例においては、カンパッケー
ジベース３に貫通孔３ｂを設け、貫通孔３ｂにピン５を
通す。また、回路基板６に貫通孔６ａを通し、貫通孔６
ａにピン５を通す。そして、回路基板６とピン５とをハ
ンダ付けする。

【００１７】次いで、振動子１２を、半導体集積回路チ
ップ８の上に、支持部材９を介して支持する。支持部材
９は、例えば金属製のピン１０、およびピン１０と振動
子１２の背面１２ｂとを接続する接着剤層１１とを備え
ている。振動子の表面１２ａには、ワイヤー１３の一端
が接続されており、ワイヤー１３の他端が回路基板６の
表面６ｂに接続されている。次いで、カンパッケージ用
の蓋２の端部を、ベース３の端部フランジ３ａに対し
て、溶接部分４を介して抵抗溶接する。

【００１８】振動子１２は、ほぼＸ−Ｙ平面に沿って延
びている。振動子１２の回転軸はＺ軸であり、振動子１
２によって、回転軸Ｚの周りの回転ωの角速度を測定す
る。

【００１９】また、本発明は、所定の回転軸の周りの回
転角速度を検出するための角速度測定装置であって、振
動子、この振動子を支持する振動子支持部材、振動子の
信号を制御するための半導体集積回路チップ、振動子支
持部材を支持するセラミック回路基板、およびセラミッ
ク回路基板と組み合わされるべき蓋を備えており、セラ
ミック回路基板と蓋とによって容器が構成されており、
容器中に振動子および振動子支持部材が収容されている
ことを特徴とする。

【００２０】このように、セラミック回路基板上に振動
子支持部材を介して振動子を設置することによって、カ
ンパッケージにおいて必要であったマザーボードからの
スタンドオフが不要となり、振動子を実装した後のパッ
ケージの高さを低減できる。その上、カンパッケージの
場合には、ピン５を貫通孔に挿入し、ハンダ付けするこ
とが必要であるが、セラミック回路基板を使用した場合
には、ピンを使用せず、セラミック回路基板の表面の接
続端子（ランド）へのハンダ付けによって接続できる。
このため、ピンの折れや損傷の可能性がない。また、パ
ッケージに対して外部から衝撃が印加されたときには、
例えば直接センサーを打撃したような場合には、ピンの
ねじれが発生し、誤信号が発生する可能性があるが、こ
のような誤信号の発生も防止できる。

【００２１】図２（ａ）は、セラミック回路基板１８Ａ
を使用したパッケージ１５を概略的に示す断面図であ
る。

【００２２】セラミック回路基板１８Ａの平板部１８ｃ
の内壁面１８ｅには、支持部材９が設置されており、支
持部材９に振動子１２が接着されている。１８ｄは平板
部１８ｃの外側面である。平板部１８ｃの外周に沿って
側壁部１８ｂが立ち上がっており、側壁部１８ｂに蓋１
６が被せられており、容器１５を構成している。容器１
５の内側空間１７に振動子１２および支持部材９が収容
されている。平板部１８ｃには更に段差部１８ａが突出
している。振動子１２の表面１２ａ側にはワイヤー１３
の一端が接続されており、ワイヤー１３の他端が段差部
１８ａに接続されている。

【００２３】このように、段差部に対して振動子からの
ワイヤーボンディングを設けることによって、ワイヤー
１３の高低差を、段差部が存在しない場合に比べて小さ
くすることができ、この結果、容器１５の高さを小さく
できる。これと共に、ワイヤーの高低差が小さくなるこ
とによって、ワイヤーの幅も小さくなる。

【００２４】このように、セラミック回路基板のパッケ
ージ内に振動子および支持部材を収容した場合には、好
適な実施形態においては、半導体集積回路チップを設置
する設置部材を設け、設置部材とセラミック回路基板と
によって閉空間を形成し、閉空間内に半導体集積回路チ
ップを収容する。図２（ｂ）はこの実施形態に係るもの
である。

【００２５】図２（ｂ）の角速度測定装置１Ｂは、図２
（ａ）の容器１５に加えて、設置部材１９を備えてい
る。この設置部材１９はセラミック回路基板である。設
置部材１９の回路部１９ｃの外側面１９ｅにはチップ７
Ａが設置されており、内側面１９ｄにもチップ７Ｂが設
置されている。また、内側面１９ｄ上には半導体集積回
路チップ２８が設置されており、チップ２８と図示しな
い電子回路とがワイヤーボンディング１３によって接続
されている。設置部材１９には更に周壁部１９ｂと１９
ａとが設けられている。周壁部１９ａが容器１５に対し
て接合されており、閉空間２０を形成している。

【００２６】本実施形態においては、半導体集積回路チ
ップを設置したセラミック回路基板１９の部分と、振動
子を収容するセラミック回路基板の部分とを分離したの
で、電子回路の設計に対する制約が少ない。

【００２７】好ましくは、半導体集積回路チップ８、２
８と振動子１２とが、Ｚ軸方向に見て重複した位置に存
在している。言い換えると、チップ２８と振動子１２と
を共にＸ−Ｙ平面上に投影して見たときに、重複するよ
うにする。これによって、パッケージの全体の幅を一層
小さくできる。

【００２８】半導体集積回路チップ２８は、フリップチ
ップ実装しても良いが、通常の実装方法でもよい。

【００２９】また、セラミック回路基板１８の蓋１６と
対向する対向面（内壁面）１８ｅと反対側の背面１８ｄ
上に半導体集積回路チップを設置できる。この実施形態
は、パッケージ全体の高さを小さくできるという点で特
に優れている。

【００３０】図３は、この実施形態に係る装置１Ｃを概
略的に示す断面図である。このセラミック回路基板１８
Ａは、更に周壁部１８ｆを備えている。そして、平板部
１８ｃの外壁部１８ｄに、チップ７Ａの他、半導体集積
回路チップ２８が取り付けられている。このチップ２８
は、フリップチップ実装でもよく、通常の実装方法でも
よい。

【００３１】図４に示す角速度測定装置１Ｄにおいて
は、セラミック回路基板１８Ｂの平板部１８ｃの内壁面
１８ｅ上に、半導体集積回路チップ８がフリップチップ
実装されている。チップ８上に支持部材９を介して振動
子１２が設置されている。なお、１７は、このパッケー
ジの内側空間である。

【００３２】この実施形態によれば、図３の装置と同様
に、パッケージの高さを最小にできる上、平板部１８ｃ
の表面（底面）１８ｄの面積も最小限とできる。

【００３３】図５−図１０は、それぞれ、振動子を載
置、収容するためのセラミック回路基板の斜視図であ
る。ただし、それぞれ蓋は省略してある。

【００３４】図５のセラミック回路基板１８Ａにおいて
は、例えば４箇所に段差部１８ａが設けられている。

【００３５】図６の回路基板１８Ｂにおいては段差部を
設けていない。特に好ましくは、例えば図６に示すよう
に、振動子の駆動振動モードＶｄおよび検出振動モード
ｖｔが、実質的に所定面内にある。

【００３６】図７の回路基板１８Ｃにおいては、例えば
８箇所に段差部１８ｆが設けられている。即ち、図５に
示す段差部１８ａをそれぞれ２つに分割することによっ
て、幅のより狭い段差部１８ｆを得ている。

【００３７】図８のセラミック回路基板１８Ｄにおいて
は、円弧状の段差部１８ｇを設けている。

【００３８】図９のセラミック回路基板１８Ｅには、四
辺形状の段差部１８ｈを設け、段差部１８ｈの先端を太
くしてある。

【００３９】図１０のセラミック回路基板１８ｊにおい
ては、四辺形状の段差部１８ｇを設け、段差部１８ｊの
先端を細くしてある。

【００４０】本発明においては、カンパッケージの代わ
りに、ガラスエポキシ基板と金属シールド板の組合せな
ども使用できる。

【００４１】さらに、本発明は、所定の回転軸の周りの
回転角速度を検出するための角速度測定装置であって、
振動子、この振動子を支持する振動子支持部材、前記振
動子支持部材を支持する回路基板、および前記振動子の
信号を制御するための半導体集積回路チップを備えてお
り、前記回路基板上の表面に前記振動子支持部材を介し
て前記振動子が設置されており、前記回路基板の背面に
前記半導体集積回路チップがベアーダイボンディングお
よびワイヤーボンディングにより実装されており、前記
回路基板とカンパッケージベースに固定したピンとの間
を銀ペーストによって連結し、前記カンパッケージベー
スにカンパッケージ蓋を気密に溶接したことを特徴とす
る。

【００４２】このように、回路基板に半導体集積回路チ
ップをベア−ダイボンディングおよびワイヤーボンディ
ングで実装するが、半導体集積回路チップを回路基板の
背面に実装するので、半導体集積回路チップとワイヤー
ボンディンブの保護のためのポッティングが不要となる
と共に、半導体集積回路チップは回路基板とカンパッケ
ージベースとの間に挟まれているので、カンパッケージ
蓋をカンパッケージベースに溶接するまでの組立作業中
に誤って半導体集積回路チップやボンディングワイヤー
に触れる恐れが少なくなり、損傷から有効に保護される
という利点がある。また、回路基板とカンパッケージベ
ースに固定したピンとの間を銀ペーストによって連結す
るので、洗浄が不要となる。

【００４３】図１１は、このような角速度測定装置１Ｅ
の構成を示す断面図であるが、図１に示したものと同様
の部分には同じ符号を付けて示す。図１１の装置を製造
する際には、まず回路基板６の表面６ｂにチップ部品７
Ｂを設置し、背面６ｃにチップ部品７Ａを設置する。ま
た、回路基板６の背面６ｃの中央付近に半導体集積回路
チップ８をベアーダイボンディングし、ワイヤー１３を
ワイヤーボンディングする。図１に示した実施態様で
は、半導体集積回路チップ８の表面を回路基板６の表面
に当接させた状態で配置し、次いでチップ８の露出して
いる背面側をプラスチックで被覆するポッティングを施
したが、本実施態様では、このようなポッティングは不
要である。

【００４４】次いで、カンパッケージベース３に固定し
たピン５を回路基板６にあけた貫通孔６ａに通して、回
路基板６とピン５とを銀ペーストで連結する。このよう
に回路基板６とピン５とはんだではなく、銀ペーストで
連結するので、洗浄処理を省くことができる。このよう
に、ポッティングや洗浄が不要となるので、スループッ
トを向上することができる。

【００４５】次いで、振動子１２を、回路基板６の表面
６ｂのほぼ中央に、金属製のピン１０および接着剤層１
１とを備える支持部材９を介して設置する。このように
半導体集積回路チップ８と振動子１２とは回路基板６の
ほぼ中央に互いに重なるように実装されるので、他の実
施態様と同様に角速度測定装置１Ｅの平面寸法を小さく
することができる。また、図１の実施態様と比較した場
合、回路基板６とカンパッケージベース３との間の空間
を有効に利用しているので、角速度測定装置の高さをよ
り低くすることができる。振動子１２はワイヤー１３を
介して回路基板６にワイヤーボンディングにより接続さ
れている。次いで、カンパッケージ用の蓋２の端部を、
ベース３の端部フランジ３ａに対して、溶接部分４を介
して抵抗溶接して気密に封止する。

【００４６】振動子における駆動手段、検出手段は、振
動型ジャイロスコープ分野において通常のいずれの手段
も採用できる。振動子を圧電性材料によって形成した場
合には、この振動子に駆動手段、検出手段として駆動電
極および検出電極を設ける。圧電性材料としては、圧電
単結晶の他に、ＰＺＴ等の圧電セラミックスがある。ま
た、振動子を恒弾性金属によって形成した場合には、駆
動手段、検出手段として、圧電性セラミックスを振動子
上に貼りつけることができる。

【００４７】振動子を支持する際の支持方法は限定され
ず、接着法の他、粘着材を使用する方法、クランプ等で
機械的に固定する方法、溶接法、固相拡散法などを例示
できる。しかし、振動子の検出感度を高く保持するとい
う観点からは、接着法が最も好ましい。

【００４８】振動子支持部材本体１０と振動子１２との
間に介在する接着剤層１１を構成する接着剤の種類は限
定されず、シリコーン接着剤、ウレタン接着剤などの合
成ゴム系接着剤や、エポキシ接着剤、ポリイミド接着剤
などの合成樹脂系接着剤などがある。

【００４９】接着剤の動的弾性率は、振動子の動的弾性
率の１／１００以下であると、振動子の発振状態への影
響が小さく、好ましい。具体的には、振動子材質が圧電
単結晶、圧電セラミックまたは恒弾性金属の場合には、
接着剤の動的弾性率が１０6 −１０8 Ｐａであることが
好ましい。

【００５０】接着剤層１１の厚さは、振動子を確実に固
定するという観点からは１ｍｍ以下とすることが好まし
く、０．４ｍｍ以下とすることが更に好ましい。支持部
材と振動子との間に介在する接着剤部の厚さは、使用温
度範囲の全体にわたって振動子の駆動振動のＱ値の変化
を一層少なくし、また検出振動の感度を向上させるとい
う観点から、０．０５ｍｍ以上とすることが好ましく、
０．１ｍｍ以上とすることが更に好ましい。

【００５１】接着剤層１１の接着剤の損失正接は、使用
温度範囲（通常−３０℃−＋８５℃、特に好ましくは−
４０℃−＋８５℃）の全体において振動子の駆動振動の
Ｑ値を大きくでき、かつその変動を小さくするという観
点から、０．０５以下が好ましい。また、損失正接の下
限は特になく、０．００であってもよい。

【００５２】使用温度範囲内における接着剤の損失正接
の最小値に対する最大値の比率は、３倍以内であること
が好ましい。

【００５３】また、振動子の駆動振動のＱ値を更に一定
にするという観点から、接着剤の比重は１．１以下とす
ることが特に好ましい。このように接着剤の比重を１．
０に近づけるためには、接着剤中の充填剤（フィラー）
の含有量を７重量％以下とすることが好ましい。

【００５４】好適な実施形態においては、半導体集積回
路チップの発熱を利用して振動子の温度を制御できる。
特に、環境温度が−４０℃−＋８５℃といったように広
範囲で変化する場合には、半導体集積回路チップの発熱
を利用することによって、振動子の周囲温度を一定温度
範囲、例えば０℃―＋８５℃、好ましくは＋２５℃―＋
８５℃に制御できる。更にペルチェ素子等を使用して冷
却効果を使用し、冷却と加熱との組合わせにより、一定
温度に保つことも可能である。たとえば０℃―＋８５
℃、好ましくは＋２５℃―＋８５℃の範囲内の一定温
度、更には＋４５℃以下の一定温度に制御することがで
きる。

【００５５】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、振動子や支持基板をパッケージ内に収容する
角速度測定装置において、振動型ジャイロスコープの機
能に悪影響を与えることなく、パッケージの小型化を達
成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】角速度測定装置１Ａを概略的に示す断面図であ
る。

【図２】（ａ）は、振動子１２をセラミックパッケージ
１５内に収容した状態を示す図であり、（ｂ）は、セラ
ミックパッケージ１５と、セラミック回路基板からなる
設置部材１９との積層構造を示す図である。

【図３】角速度測定装置１Ｃを概略的に示す図であり、
セラミック回路基板の平板部１８ｃの背面１８ｄに半導
体集積回路チップ２８が実装されている。

【図４】角速度測定装置１Ｄを概略的に示す図であり、
セラミック回路基板１８Ｂの平板部１８ｃの内側面１８
ｅに半導体集積回路チップ８がフリップチップ実装され
ている。

【図５】セラミック回路基板１８Ａを示す斜視図であ
る。

【図６】セラミック回路基板１８Ｂを示す斜視図であ
る。

【図７】セラミック回路基板１８Ｃを示す斜視図であ
る。

【図８】セラミック回路基板１８Ｄを示す斜視図であ
る。

【図９】セラミック回路基板１８Ｅを示す斜視図であ
る。

【図１０】セラミック回路基板１８Ｆを示す斜視図であ
る。

【図１１】角速度測定装置１Ｅを概略的に示す図であ
り、回路基板６の背面６ｃに半導体集積回路チップ８が
実装されている。

【符号の説明】

１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ角速度測定装置２、
１６蓋３カンパッケージベース５ピン
８フリップチップ実装された半導体集積回路チ
ップ９支持部材１０支持部材本体
１１接着剤層１２振動子
１３ワイヤー１５容器（セラミックパッケージ）１８Ａ、
１８Ｂ、１８Ｃ、１８Ｄ、１８Ｅ、１８Ｆセラミック
回路基板１９設置部材（セラミック回路基
板）２０閉空間２８半導体集積回
路チップ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】所定の回転軸の周りの回転角速度を検出す
るための角速度測定装置であって、振動子、この振動子を支持する振動子支持部材、前記振動子支持部材を支持する回路基板、および前記振
動子の信号を制御するための半導体集積回路チップを備
えており、前記回路基板上に前記半導体集積回路チップ
がフリップチップ実装されており、この半導体集積回路
チップ上に前記振動子支持部材が設置されていることを
特徴とする、角速度測定装置。
【請求項２】前記振動子、前記振動子支持部材、前記回
路基板および前記半導体集積回路チップが、カンパッケ
ージ中に収容されていることを特徴とする、請求項１記
載の装置。
【請求項３】前記回路基板がセラミック回路基板であ
り、前記角速度測定装置が更に蓋を備えており、前記セ
ラミック回路基板と前記蓋とによって容器が構成されて
おり、この容器中に前記振動子、前記振動子支持部材お
よび前記半導体集積回路チップが収容されていることを
特徴とする、請求項１記載の装置。
【請求項４】前記セラミック回路基板の前記半導体集積
回路チップを実装する実装面に前記蓋側へと向かって突
出する段差部が設けられており、この段差部に対して前
記振動子からのワイヤーボンディングが設けられている
ことを特徴とする、請求項３記載の装置。
【請求項５】所定の回転軸の周りの回転角速度を検出す
るための角速度測定装置であって、振動子、この振動子を支持する振動子支持部材、前記振動子の信号を制御するための半導体集積回路チッ
プ、前記振動子支持部材を支持するセラミック回路基板、お
よび前記セラミック回路基板と組み合わされるべき蓋を
備えており、前記セラミック回路基板と前記蓋とによっ
て容器が構成されており、この容器中に前記振動子およ
び前記振動子支持部材が収容されていることを特徴とす
る、角速度測定装置。
【請求項６】前記セラミック回路基板上に前記半導体集
積回路チップがフリップチップ実装されており、この半
導体集積回路チップ上に前記振動子支持部材が支持され
ていることを特徴とする、請求項５記載の装置。
【請求項７】前記セラミック回路基板の前記蓋と対向す
る対向面と反対側の背面上に前記半導体集積回路チップ
が設置されていることを特徴とする、請求項５記載の装
置。
【請求項８】前記半導体集積回路チップを設置する設置
部材を備えており、この設置部材と前記セラミック回路
基板とによって閉空間が形成されており、この閉空間内
に前記半導体集積回路チップが収容されていることを特
徴とする、請求項５記載の装置。
【請求項９】前記セラミック回路基板の前記半導体集積
回路チップを実装する実装面に前記蓋側へと向かって突
出する段差部が設けられており、この段差部に対して前
記振動子からのワイヤーボンディングが設けられている
ことを特徴とする、請求項５−８のいずれか一つの請求
項に記載の装置。
【請求項１０】所定の回転軸の周りの回転角速度を検出
するための角速度測定装置であって、振動子、この振動子を支持する振動子支持部材、前記振動子支持部材を支持する回路基板、および前記振
動子の信号を制御するための半導体集積回路チップを備
えており、前記回路基板上の表面に前記振動子支持部材
を介して前記振動子が設置されており、前記回路基板の
背面に前記半導体集積回路チップがベアーダイボンディ
ングおよびワイヤーボンディングにより実装されてお
り、前記回路基板とカンパッケージベースに固定したピ
ンとの間を銀ペーストによって連結し、前記カンパッケ
ージベースにカンパッケージ蓋を気密に溶接したことを
特徴とする、角速度想定装置。
【請求項１１】前記振動子が所定面に沿って形成されて
おり、かつこの所定面が前記回転軸に対して略垂直であ
ることを特徴とする、請求項１−１０のいずれか一つの
請求項に記載の装置。
【請求項１２】前記半導体集積回路チップが前記振動子
に対して略平行に延びていることを特徴とする、請求項
１１記載の装置。
【請求項１３】前記半導体集積回路チップの発熱を利用
して前記振動子の温度を制御することを特徴とする、請
求項１−１２のいずれか一つの請求項に記載の装置。