JP2014086447A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 基板と、
   前記基板上に配置され、空洞を形成する側壁と、
   前記側壁上に配置され、前記空洞を覆う第１層と、
   前記第１層上に形成され、平面視における前記第１層の輪郭よりも外側に配置された領域を有する第２層と、
   前記第２層の前記平面視における前記第１層の輪郭よりも外側に配置された領域の下に配置された絶縁層と、
   前記空洞内に配置された機能素子と、
   を含む、電子装置。
2. 請求項１において、
   前記第２層の前記平面視における前記第１層の輪郭よりも外側に配置された領域は、平面視において前記空洞を周回している、電子装置。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記第１層の平面視における前記空洞の輪郭よりも外側に配置された領域と、前記第２層との間に、前記絶縁層が存在する、電子装置。
4. 請求項１ないし請求項３のいずれか１項において、
   前記第１層及び前記第２層は、前記空洞に貫通する共通の貫通孔を有する、電子装置。
5. 請求項４において、
   前記第２層上に形成された第３層を有し、
   前記第３層は、前記貫通孔を封止している、電子装置。
6. 請求項５において、
   前記第３層は、Ａｌ、Ｗ及びＣｕよりなる群から選ばれた１種又は２種以上の合金からなる層を含む、電子装置。
7. 請求項１ないし請求項６のいずれか１項において、
   前記第２層は、ＴｉＮ、ＴａＮ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選ばれた１種又は２種以上の合金若しくは複合窒化物からなる層を含む、電子装置。
8. 請求項１ないし請求項７のいずれか１項において、
   前記第１層は、３層以上の積層構造を含み、
   前記積層構造の最上層は、ＴｉＮ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、及びＰｔよりなる群から選ばれた１種又は２種以上の合金からなる層であり、
   前記積層構造の最下層は、ＴｉＮ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、及びＰｔよりなる群から選ばれた１種又は２種以上の合金からなる層であり、
   前記積層構造のうち少なくとも一の層は、Ａｌ−Ｃｕ合金からなる、電子装置。
9. 請求項１ないし請求項８のいずれか１項において、
   前記基板の第１領域に前記機能素子が配置され、
   前記基板の第２領域にトランジスターが配置されている、電子装置。
10. 基板の第１領域に機能素子を形成する工程と、
    前記基板の第２領域に、トランジスターを形成する工程と、
    前記トランジスター及び前記機能素子を覆う層間絶縁層を形成する工程と、
    前記層間絶縁層に、前記機能素子を囲む側壁を形成する工程と、
    前記層間絶縁層を覆い、前記側壁と接続する第１層を形成する工程と、
    前記第１層を覆う絶縁層を形成する工程と、
    前記絶縁層の平面視における前記側壁の内側の領域を除去する工程と、
    前記第１層上及び前記絶縁層上に、ＴｉＮ、ＴａＮ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選ばれた１種又は２種以上の合金若しくは複合窒化物からなる第２層を形成する工程と、
    前記第１領域の前記第１層及び前記第２層に貫通孔を形成する工程と、
    前記貫通孔を通じて、前記側壁に囲まれた前記層間絶縁層をエッチングして除去し、前記機能素子が収容された空洞を形成する工程と、
    を含み、
    前記第２層は、平面視における前記第１層の輪郭よりも外側に配置された領域を有して形成され、前記絶縁層は、前記第２層の前記平面視における前記第１層の輪郭よりも外側に配置された領域の下に配置されている、電子装置の製造方法。
11. 請求項１０において、
    前記第２層上に前記貫通孔を封止する第３層を形成する工程と、
    前記第２層及び前記第３層をパターニングして、前記第２領域の前記第２層及び前記第３層を除去する工程と、
    前記第２領域の前記絶縁層をエッチングする工程と、
    をさらに含む、電子装置の製造方法。