JP2013033900A5 - - Google Patents
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- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N tin hydride Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Claims (14)
- 接合界面側の表面に形成された第１金属膜を有する第１半導体部と、
前記接合界面で前記第１金属膜と接合されかつ前記接合界面側の表面面積が前記第１金属膜の前記接合界面側の表面面積より小さい第２金属膜を有し、前記接合界面で前記第１半導体部と貼り合わせて設けられた第２半導体部と、
前記第１金属膜の前記接合界面側の面領域のうち前記第２金属膜と接合しない面領域を含む領域に設けられた界面バリア部と
を備える半導体装置。 - 前記第２半導体部が、前記第１金属膜の前記接合界面側の面領域のうち前記第２金属膜と接合しない面領域を含む領域に設けられた界面バリア膜を有し、
前記界面バリア膜により前記界面バリア部が構成される
請求項１に記載の半導体装置。 - 前記第２半導体部が、前記第２金属膜の側部を覆うように設けられた絶縁膜を有し、
前記界面バリア膜が、前記絶縁膜の前記接合界面側の表面に形成される
請求項２に記載の半導体装置。 - 前記界面バリア膜が、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＣＮ、及び、有機系樹脂材料のいずれかで形成される
請求項２に記載の半導体装置。 - 前記第１半導体部が、前記第１金属膜の側部を覆うように設けられた第１酸化膜と、該第１酸化膜及び前記第１金属膜間に設けられかつ所定の金属材料を含むシード層とを有し、
前記第２半導体部が、前記第２金属膜の側部を覆うように設けられた第２酸化膜を有し、
前記界面バリア膜が、前記所定の金属材料の酸化膜で構成される
請求項２に記載の半導体装置。 - 前記所定の金属材料が、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｔｉ、及び、Ａｌのいずれかである
請求項５に記載の半導体装置。 - 前記第２半導体部が、前記第２金属膜の側部及び前記第２金属膜の前記接合界面とは反対側の表面を覆うように設けられたバリア本体部、並びに、該バリア本体部の前記接合界面側の端部から前記接合界面に沿って延在して形成された界面層部を含むバリアメタル層を有し、
前記界面バリア部が、前記バリアメタル層の前記界面層部で構成される
請求項１又は２に記載の半導体装置。 - 前記バリアメタル層が、Ｔｉ、Ｔａ、Ｒｕ、ＴｉＮ、ＴａＮ、及び、ＲｕＮのいずれかで形成される
請求項７に記載の半導体装置。 - 前記第１半導体部の前記接合界面側の面領域のうち、前記第１金属膜の前記第２金属膜と接合しない面領域に凹部が設けられ、
前記界面バリア部が、前記第１金属膜の前記凹部と、前記凹部と対向する前記第２半導体部の前記接合界面側の面領域部とにより構成され、前記界面バリア部に前記凹部及び前記面領域部により画成されかつ密封された空隙が形成される
請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記第２半導体部が、前記第２金属膜の側部を覆うように設けられた絶縁膜を有し、
前記凹部と対向する前記第２半導体部の前記接合界面側の面領域部が前記絶縁膜で構成される
請求項９に記載の半導体装置。 - 前記第２半導体部が、前記第１金属膜の前記接合界面側の面領域のうち前記第２金属膜と接合しない面領域を含む領域に設けられた界面バリア膜を有し、
前記凹部と対向する前記第２半導体部の前記接合界面側の面領域部が前記界面バリア膜で構成される
請求項９に記載の半導体装置。 - 前記第１金属膜及び第２金属膜がともに、Ｃｕ膜である
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 接合界面側の表面に形成された第１金属膜を有する第１半導体部と、前記接合界面で前記第１金属膜と接合されかつ前記接合界面側の表面面積が前記第１金属膜の前記接合界面側の表面面積より小さい第２金属膜を有し、前記接合界面で前記第１半導体部と貼り合わせて設けられた第２半導体部と、前記第１金属膜の前記接合界面側の面領域のうち前記第２金属膜と接合しない面領域を含む領域に設けられた界面バリア部とを有する半導体装置と、
前記半導体装置の出力信号を処理する信号処理回路と
を備える電子機器。 - 接合界面側の表面に形成された第１金属膜を有する第１半導体部を作製するステップと、
前記接合界面側の表面面積が前記第１金属膜の前記接合界面側の表面面積より小さい第２金属膜を有する第２半導体部を作製するステップと、
前記第１半導体部の前記第１金属膜側の表面と前記第２半導体部の前記第２金属膜側の表面とを貼り合わせて、前記第１金属膜と前記第２金属膜とを接合するとともに、前記第１金属膜の前記接合界面側の面領域のうち前記第２金属膜と接合しない面領域を含む領域に界面バリア部を設けるステップと
を含む半導体装置の製造方法。
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