JP2019160866A - 撮像装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】試作品の評価に要する時間を短縮することが可能な撮像装置を提供する。【解決手段】画素領域および前記画素領域の外側の周辺領域と、前記画素領域に設けられた受光素子と、前記画素領域および前記周辺領域に設けられ、半導体基板と、前記半導体基板と前記受光素子との間に設けられた多層配線層とを含む回路基板と、前記多層配線層に設けられ、前記受光素子に電気的に接続された第1配線と、前記受光素子を間にして前記回路基板に対向する保護部材と、前記周辺領域の前記半導体基板と前記保護部材との間に設けられた拡張配線部とを備え、前記拡張配線部の一端は開放され、他端は前記第1配線に電気的に接続されている撮像装置。【選択図】図3

Description

本開示は、例えばWLCSP(Wafer Level Chip Size Package)等に好適な撮像装置に関する。
近年、WLCSP等の撮像装置の開発が進められている。この撮像装置は、例えば、回路基板と保護部材との間に、受光素子を有している(例えば、特許文献1参照)。即ち、受光素子の光入射側が保護部材で覆われる。回路基板の一方の面(表面)には、受光素子が搭載され、回路基板の他方の面(裏面)に、外部接続用の端子が設けられる。
特開2009−15862号公報
このようなパッケージ化された撮像装置では、試作品の評価に要する時間を短縮することが望まれている。
したがって、試作品の評価に要する時間を短縮することが可能な撮像装置を提供することが望ましい。
本開示の一実施の形態に係る撮像装置は、画素領域および画素領域の外側の周辺領域と、画素領域に設けられた受光素子と、画素領域および周辺領域に設けられ、半導体基板と、半導体基板と受光素子との間に設けられた多層配線層とを含む回路基板と、多層配線層に設けられ、受光素子に電気的に接続された第1配線と、受光素子を間にして回路基板に対向する保護部材と、周辺領域の半導体基板と保護部材との間に設けられた拡張配線部とを備え、拡張配線部の一端は開放され、他端は第1配線に電気的に接続されている
ものである。
本開示の一実施の形態に係る撮像装置では、周辺領域に拡張配線部が設けられている。この拡張配線部の一端に、例えば光入射側からパッド電極が接続され、試作品の評価がなされる。即ち、CSP工程前に試作品の評価を行うことができる。試作後には、拡張配線部の一端が開放された状態で量産される。
本開示の一実施の形態に係る撮像装置によれば、周辺領域に拡張配線部を設けるようにしたので、CSP工程前に試作品の評価を行うことが可能となる。したがって、CSP工程を経てから試作品の評価を行う場合に比べて、より早い段階で試作品の評価を行うことができる。よって、試作品の評価に要する時間を短縮することが可能となる。
尚、上記内容は本開示の一例である。本開示の効果は、上述したものに限らず、他の異なる効果であってもよいし、更に他の効果を含んでいてもよい。
本開示の一実施の形態に係る撮像装置の概略構成を表す平面模式図である。 図1に示したII−II’線に沿った断面構成を表す模式図である。 図1に示した領域Aを拡大して表す平面模式図である。 図3に示した拡張配線部近傍の構成の一例を表す断面模式図である。 図4に示した拡張配線部を介して試作品の評価を行う状態を表す断面模式図である。 図4に示した拡張配線部の他の例(1)を表す断面模式図である。 変形例に係る撮像装置の要部の構成を表す平面模式図である。 図1等に示した撮像装置を含む電子機器の一例を表す機能ブロック図である。 体内情報取得システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。 内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。 カメラヘッド及びCCUの機能構成の一例を示すブロック図である。 車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。 車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。 図4に示した拡張配線部の他の例(2)を表す断面模式図である。
以下、本開示における実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明する順序は、下記の通りである。
1.実施の形態(拡張配線部を有する撮像装置)
2.変形例(隣り合う拡張配線部の間の距離が、隣り合う貫通電極の間の距離に比べて短い例)
3.適用例(電子機器)
4.応用例
<1.実施の形態>
(撮像装置1の構成)
図1は、本開示の一実施の形態に係る撮像装置(撮像装置1)の平面構成の一例を模式的に表したものである。この撮像装置1は、例えば、大判の半導体ウエハに複数配列されたチップ(撮像装置1)を各々に分割して形成されたものであり、例えば四角形状のチップ領域CAとこのチップ領域CAの外側のスクライブ領域LAとを有している。チップ領域CAは、例えば四角形状の画素領域PAと、画素領域PAの外側の周辺領域SAとが設けられている。周辺領域SAは、画素領域PAを囲むように設けられており、画素領域PAを駆動するための周辺回路200と複数の入出力部IOとチップ周辺ガードリングCGとを有している。スクライブ領域LAは、チップ領域CAを囲むように設けられている。
撮像装置1の画素領域PAには、例えば2次元配置された複数の受光単位領域(画素2)が設けられている。周辺領域SAは、画素領域PAとスクライブ領域LAとの間に設けられており、この周辺領域SAの周辺回路200は、例えば行走査部、水平選択部、列走査部およびシステム制御部を含んでいる。
行走査部は、シフトレジスタやアドレスデコーダ等によって構成され、画素領域PAの各画素2を、例えば行単位で駆動する画素駆動部である。行走査部によって選択走査された画素行の各画素2から出力される信号は、垂直信号線の各々を通して水平選択部に供給される。水平選択部は、垂直信号線ごとに設けられたアンプや水平選択スイッチ等によって構成されている。
列走査部は、シフトレジスタやアドレスデコーダ等によって構成され、水平選択部の各水平選択スイッチを走査しつつ順番に駆動するものである。この列走査部による選択走査により、垂直信号線の各々を通して伝送される各画素の信号が順番に水平信号線に出力され、当該水平信号線を通して図示しない信号処理部等へ入力される。
システム制御部は、外部から与えられるクロックや、動作モードを指令するデータなどを受け取り、また、撮像装置1の内部情報などのデータを出力するものである。システム制御部はさらに、各種のタイミング信号を生成するタイミングジェネレータを有し、当該タイミングジェネレータで生成された各種のタイミング信号を基に行走査部、水平選択部および列走査部などの駆動制御を行う。
周辺領域SAに設けられた入出力部IOは、撮像装置1と外部との信号の入出力を行う部分である。この入出力部IOを介して、外部から各画素2または周辺回路200に電気信号が入力される。あるいは、各画素2または周辺回路200から出力された電気信号が、入出力部IOを介して外部に取り出されるようになっている。図1では、四角形状の画素領域PAの外側の対向する2辺に、複数の入出力部IOが配列されている例を示したが、入出力部IOは、隣り合う2辺に設けるようにしてもよく、あるいは、1辺または3辺以上に入出力部IOを設けるようにしてもよい。この入出力部IOを含む領域Aの詳細な構成については、後述する。
周辺回路200の外側に設けられたチップ周辺ガードリングCGは、例えば、チップ領域CAの縁に沿うように配置されている。このチップ周辺ガードリングCGは、例えば周辺領域SAに設けられた配線と同層に設けられた導電層を含んでいる(後述の図4等参照)。このようなチップ周辺ガードリングCGを設けることにより、スクライブ領域LAをブレードでダイシングする際にチッピングの発生が抑えられる。スクライブ領域LAは、隣り合う撮像装置1の間の領域である。このスクライブ領域LAは、複数の撮像装置1を個々に分割する際に、ブレードでダイシングされる領域である。
図2は、図1に示したII−II’線に沿った撮像装置1の断面構成を表すものである。図2を用いて、撮像装置1のチップ領域CAのより具体的な構成を説明する。
撮像装置1は、回路基板11、受光素子12およびガラス基板13(保護部材)をこの順に有しており、受光素子12は回路基板11とガラス基板13との間に封止されている。即ち、撮像装置1はWCSPである。回路基板11とガラス基板13とは、これらの周縁部(周辺領域SA)において接着層14を介して貼り合わせられ、これらの回路基板11、ガラス基板13および接着層14によって囲まれる領域が、受光素子12を気密封止するためのキャビティとなっている。この領域には、例えば、ガラス基板13の屈折率と略同じ屈折率を有する樹脂材料等が設けられていてもよい。撮像装置1の回路基板11側は、マザーボード等のプリント基板へ実装され、撮像装置1のガラス基板13側は、例えば、レンズユニットに貼り合わされる。
チップ領域CA(画素領域PAおよび周辺領域SA)に設けられた回路基板11は、例えば、半導体基板110Aおよび多層配線層110Bを含み、これらの積層構造を有している。半導体基板110Aは、多層配線層110Bを間にしてガラス基板13に対向している。この半導体基板110Aは、例えば、シリコン(Si)基板により構成されている。
多層配線層110Bは、半導体基板110Aとガラス基板13との間に設けられている。多層配線層110Bと受光素子12の多層配線層との間には、接合面Sが設けられている。多層配線層110Bは、周辺領域SAの入出力部IOにパッド電極15を有している。
図3は、入出力部IO周辺の構成を具体的に表す平面図である。この図3は、図2に示した領域Aを拡大して表した図である。図2とともに、図3を用いて入出力部IO近傍の構成を説明する。なお、図3では、隣り合う撮像装置1に設けられたチップ周辺ガードリングCGと、2つのチップ周辺ガードリングCGの間の分離領域X(ダイシングされる領域)が表されている。入出力部IOに設けられたパッド電極15は、例えば、略四角形状の平面形状を有している。このパッド電極15は、銅(Cu)またはアルミニウム(Al)等の金属により構成されている。
半導体基板110Aおよび多層配線層110B(回路基板11)は、パッド電極15に対応する位置、即ち、入出力部IOに貫通ビア11Vを有している。貫通ビア11Vは、半導体基板110Aの表面から裏面までを貫通しており、これによってパッド電極15の一部が露出している。貫通ビア11Vは、例えば、円状の平面形状を有している。
貫通ビア11Vの側壁および底面には、導電膜16が成膜されている(図2)。この導電膜16は、貫通ビア11Vの底面で露出されたパッド電極15の表面を覆い、かつ、貫通ビア11Vから半導体基板110Aの裏面(多層配線層110Bが設けられた面と反対の面)まで引き出されている。この導電膜16および貫通ビア11Vが、本技術の貫通電極の一具体例に対応する。入出力部IOは、例えば、このようなパッド電極15、導電膜16および貫通ビア11Vにより構成されている。
本実施の形態では、この入出力部IO近傍に、拡張配線部19が設けられている(図3)。この拡張配線部19は、回路基板11の縁近傍に設けられており、例えば、平面(図3のXY平面)視で、貫通ビア11Vとチップ周辺ガードリングCGとの間に配置されている。詳細は後述するが、この拡張配線部19は、検査用パッド電極(後述の図5の検査用パッド電極23)に接続可能に構成されており、拡張配線部19および検査用パッド電極23を介して、半導体基板110Aの光入射面側に、多層配線層110Bの配線(後述の配線21)が引き出されるようになっている。即ち、CSP工程前に、この拡張配線部19を用いて光入射側から試作品の評価を行うことが可能となっている。例えば、複数の入出力部IO各々の近傍に、拡張配線部19が設けられている。隣り合う拡張配線部19の間の距離D2は、隣り合う貫通ビア11Vの間の距離D1と略同じである。換言すれば、拡張配線部19のピッチと、入出力部IOのピッチとは略同じである。
図4は、拡張配線部19周辺の断面構成を模式的に表したものである。拡張配線部19は、例えば、半導体基板110A側から多層配線層110Bの導電層M4,M5,M6およびパッド電極を含む導電層15Aをこの順に含んでおり、拡張配線部19の一端が導電層15A、拡張配線部19の他端が導電層M4により構成されている。即ち、この拡張配線部19は、半導体基板110Aとガラス基板13(図2)との間の多層配線層110Bに設けられている。拡張配線部19は、半導体基板110Aとガラス基板13との間に設けられていればよく、例えば、拡張配線部19の一部または全部が受光素子12の多層配線層に設けられていてもよい。拡張配線部19の一端は開放されており、拡張配線部19の他端は、多層配線層110Bの配線21(第1配線)に接続されている。少なくとも拡張配線部19の一端は、回路基板11の縁近傍に設けられていることが好ましく、チップ周辺ガードリングCGよりも画素領域PAに近い位置に配置されている。
配線21は、例えば、周辺回路200(図1)を構成する配線の一部であり、受光素子12に電気的に接続されている。配線21は、例えば、半導体基板110A側から多層配線層110Bの導電層M1,M2,M3をこの順に含んでおり、配線21の一端が導電層M3、配線21の他端が導電層M1により構成されている。例えば、この配線21の一端は、拡張配線部19の他端(導電層M4)および受光素子12に電気的に接続されており、配線21の他端は、貫通ビア11Vに設けられた導電膜16に接続されている。即ち、拡張配線部19の他端は、配線21を介して貫通電極に接続されている。この配線21には、CSP工程後に、半導体基板110Aの裏面側から信号が入力され得り、かつ、CSP工程前に、拡張配線部19を介して半導体基板110Aの表面側から信号が入力され得る。
拡張配線部19に含まれる導電層M4,M5,M6,15Aは各々、例えば、多層配線層110Bに含まれる配線22(第2配線)と同層に設けられている。この配線22は、例えば、周辺回路200(図1)を構成する配線の一部または全部であり、受光素子12に電気的に接続されている。この配線22は、多層配線層110Bの導電層M4,M5,M6,15Bと、受光素子12の多層配線層に含まれる導電層M1,M2,M3,M4とを含んでいる。配線22は、接合面Sに接合部22Cを有している。この接合部22Cは、例えばCuCu接合により構成されている。導電層15A,15Bは、例えば、パッド電極15と同層に設けられている。
図5は、試作品を評価する際の拡張配線部19の状態を表している。試作品を評価する際には、拡張配線部19の一端(導電層15A)に、接合部19Cを介して検査用パッド電極23を接続する。接合部19Cは、接合面Sに設けられた受光素子12の多層配線層と、回路基板11の多層配線層110Bとの接合部であり、例えば、CuCu接合により構成されている。受光素子12の多層配線層および多層配線層110Bに、この検査用パッド電極23を露出させる開口部を設け、検査用パッド電極23および拡張配線部19を介して、外部と試作品との間で信号の入出力を行う。このようにして、CSP工程前に半導体基板110の光入射面側から多層配線層110Bの配線21が取り出され、試作品の評価がなされるようになっている。上記の検査用パッド電極23および開口部は、評価が必要な試作品のみに設けるようにすればよい。
図6は、拡張配線部19の構成の他の例を表したものである。拡張配線部19は、接合面Sに設けられた接合部19Cの一部を含んでいてもよい。
画素領域PAに設けられた受光素子12は、例えばCCD(Charge Coupled Device)やCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)等の固体撮像素子であり、受光面(光入射面)には、図示しないカラーフィルタが設けられている。この受光素子12では、入出力部IOを通じて入力された電気信号に応じて、露光および受光信号の読み出しが行われ、読み出された受光信号が入出力部IOを通じて外部へ出力されるようになっている。
受光素子12の受光面を覆うガラス基板13は、回路基板11の厚みよりも十分に大きい厚みを有している。ガラス基板13の表面(受光素子12側の面と反対の面)に、例えば、IR(赤外線)カットフィルタなどが設けられていてもよい。ガラス基板13は、受光素子12を間にして、回路基板11に対向している。
半導体基板110Aの裏面には、導電膜16とともに、半田ボール17および封止樹脂層18が配設されている。導電膜16は、半導体基板110Aの裏面の選択的な領域に設けられており、この導電膜16に半田ボール17が接続されている。封止樹脂層18は、導電膜16を覆うとともに、導電膜16を露出させる開口を有している。この封止樹脂層18の開口に半田ボール17が設けられている。
導電膜16は、貫通ビア11Vの内部から半導体基板110Aの裏面に延設され、半田ボール17の形成領域まで引き出されている。この導電膜16は、半田ボール17とパッド電極15とを電気的に接続するためのものであり、再配線として機能している。
半田ボール17は、プリント基板へ実装するための外部接続端子として機能するものであり、例えばSn−Ag−Cu等の無鉛高融点はんだ等よりなる。例えば、複数の半田ボール17が、半導体基板110Aの裏面に、所定のピッチで規則的に配列して設けられている。この半田ボール17の配列は、実装されるプリント基板(図示せず)側の接合パッドの位置に応じて適宜設定されている。これにより、パッド電極15の配列が半田ボール17の配列に変換され、マザーボード等のプリント基板へ直接実装することが可能となる。この半田ボール17は、導電膜16を介してパッド電極15と電気的に接続されている。
封止樹脂層18は、導電膜16を保護するためのものであり、半田ボール17に対応して開口を有している。この封止樹脂層18は、例えばエポキシ系、ポリイミド系、シリコン系、アクリル系の樹脂等により構成されている。
撮像装置1では、入出力部IOに設けられたパッド電極15が、貫通電極(貫通ビア11Vおよび導電膜16)により、回路基板11の裏面に引き出されているので、回路基板11の裏面側から外部と受光素子12との間で信号の入出力がなされる。このような撮像装置1では、回路基板11の光入射面側に、パッド電極接続用の開口部が不要となるので、チップサイズを縮小化することが可能である。
試作品を評価する際には、拡張配線部19の一端に、検査用パッド電極23が接続される(図5)。この検査用パッド電極23および拡張配線部19を介して、半導体基板110Aの光入射面側から外部と受光素子12との信号の入出力がなされる。このようにして、撮像装置1では、CSP工程前に試作品の評価を行うことが可能である。
(撮像装置1の作用および効果)
本実施の形態の撮像装置1では、周辺領域SAの多層配線層110Bに拡張配線部19が設けられているので、CSP工程前に、半導体基板110Aの光入射面側から拡張配線部19に検査用パッド電極23を接続し、試作品の評価を行うことが可能となる。これにより、CSP工程を経てから試作品の評価を行う場合に比べて、より早い段階で試作品の評価を行うことができる。以下、この作用・効果について説明する。
一般的に、WLCSP構造を有する撮像装置では、CSP工程を経た後に、回路基板の裏面側から外部と受光素子との信号の入出力が可能となる。このため、試作品の段階であっても、CSP工程前に評価を行うことが困難である。これにより、WLCSP構造を有する撮像装置は、他のものと比べて、開発期間および試作品の検討期間、即ち、リードタイムが長期間になりやすい。このリードタイムの長期化は、製品の競争力に大きく影響を及ぼす。
WLCSP構造を有する撮像装置であっても、回路基板の表面(光入射面)側にパッド電極接続用の開口部を設けることは可能である。これにより、CSP工程前に回路基板の光入射面側にパッド電極を接続し、試作品の評価を行うことができる。しかし、回路基板の光入射面側にパッド電極接続用の開口部を設けることにより、チップサイズが大きくなるので、コスト競争力が著しく低下する。試作品の段階でのみ、回路基板の光入射面側にパッド電極接続用の開口部を設ける方法も考え得るが、この方法では、試作品と、量産品との構成の差が大きくなるので、この構成の差に起因した配線容量等の差分が生じ、量産品に不具合が生じるおそれがある。
これに対し、本実施の形態では、周辺領域SAの多層配線層110Bに、拡張配線部19が設けられているので、拡張配線部19の一端に検査用パッド電極23を接続することにより、CSP工程前に試作品の評価を行うことが可能となる。よって、CSP工程を経てから試作品の評価を行う場合に比べて、より早い段階で試作品の評価を行い、リードタイムを短縮することが可能となる。
また、量産された撮像装置1では、回路基板11の裏面側から外部と受光素子12との信号の入出力がなされる。このような撮像装置1では、回路基板11の光入射面側にパッド電極接続用の開口部が不要となる。したがって、チップサイズを縮小化し、コスト競争力を高めることができる。更に、試作後には、拡張配線部19の一端が開放された状態で量産されるので、試作品と量産品との間に構成の差がほとんど生じない。したがって、量産品での不具合の発生を抑えることができる。
以上説明したように、本実施の形態に係る撮像装置1では、周辺領域SAに拡張配線部19を設けるようにしたので、CSP工程前に試作品の評価を行うことが可能となる。したがって、CSP工程を経てから試作品の評価を行う場合に比べて、より早い段階で試作品の評価を行うことができる。よって、試作品の評価に要する時間を短縮することが可能となる。
また、量産された撮像装置1では、回路基板11の裏面側から外部と受光素子12との信号の入出力がなされるので、チップサイズを縮小化し、コスト競争力を高めることができる。更に、試作品と量産品との構成の差を小さくし、量産品での不具合の発生を抑えることができる。
撮像装置の画素開発では、試作サイクルの短期化が開発競争力の重要な要素である。したがって、撮像装置1は、最先端の画素構造を搭載したWLCSP構造の撮像装置として好適に用いられる。
以下、上記実施の形態の変形例について説明するが、以降の説明において上記実施の形態と同一構成部分については同一符号を付してその説明は適宜省略する。
<変形例>
図7は、上記実施の形態の変形例に係る撮像装置(撮像装置1A)の入出力部IO近傍の平面構成を模式的に表したものである。この撮像装置1Aでは、隣り合う貫通ビア11Vの間の距離D1よりも、隣り合う拡張配線部19の間の距離D2が短くなっている。この点を除き、撮像装置1Aは、上記実施の形態の撮像装置1と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
複数のパッド電極15の一部は、例えば、入出力部IOに近傍から、チップ周辺ガードリングCGの延在方向(図7のY方向)に沿って延在して設けられている。このパッド電極15の延在部分に拡張配線部19を設けることにより、隣り合う拡張配線部19の距離D2を、隣り合う貫通ビア11Vの距離D1よりも短くすることが可能となる。したがって、試作品を評価する際に、検査用パッド電極23(図5)の面積を小さくすることが可能となる。
撮像装置1Aでは、上記撮像装置1と同様に、拡張配線部19が設けられているので、CSP工程前に試作品の評価を行うことが可能となる。また、試作品を評価する際に拡張配線部19に接続される検査用パッド電極23の面積を小さくすることができるので、検査用パッド電極23が撮像装置1Aに及ぼす影響を抑えることが可能となる。例えば、検査用パッド電極23と撮像装置1Aに含まれるモニタ素子との干渉や、検査用パッド電極23と撮像装置1Aのウエハ工程で使用するマークとの干渉を抑えることが可能となる。
<適用例>
上述の撮像装置1,1Aは、例えば可視領域の波長の光を撮像可能なカメラなど、様々なタイプの電子機器に適用することができる。図8に、その一例として、電子機器3(カメラ)の概略構成を示す。この電子機器3は、例えば静止画または動画を撮影可能なカメラであり、撮像装置1,1Aと、光学系(光学レンズ)310と、シャッタ装置311と、撮像装置1,1Aおよびシャッタ装置311を駆動する駆動部313と、信号処理部312とを有する。
光学系310は、被写体からの像光(入射光)を撮像装置1,1Aへ導くものである。この光学系310は、複数の光学レンズから構成されていてもよい。シャッタ装置311は、撮像装置1,1Aへの光照射期間および遮光期間を制御するものである。駆動部313は、撮像装置1,1Aの転送動作およびシャッタ装置311のシャッタ動作を制御するものである。信号処理部312は、撮像装置1,1Aから出力された信号に対し、各種の信号処理を行うものである。信号処理後の映像信号Doutは、メモリなどの記憶媒体に記憶されるか、あるいは、モニタ等に出力される。
<体内情報取得システムへの応用例>
更に、本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。
図9は、本開示に係る技術(本技術)が適用され得る、カプセル型内視鏡を用いた患者の体内情報取得システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。
体内情報取得システム10001は、カプセル型内視鏡10100と、外部制御装置10200とから構成される。
カプセル型内視鏡10100は、検査時に、患者によって飲み込まれる。カプセル型内視鏡10100は、撮像機能及び無線通信機能を有し、患者から自然排出されるまでの間、胃や腸等の臓器の内部を蠕動運動等によって移動しつつ、当該臓器の内部の画像(以下、体内画像ともいう)を所定の間隔で順次撮像し、その体内画像についての情報を体外の外部制御装置10200に順次無線送信する。
外部制御装置10200は、体内情報取得システム10001の動作を統括的に制御する。また、外部制御装置10200は、カプセル型内視鏡10100から送信されてくる体内画像についての情報を受信し、受信した体内画像についての情報に基づいて、表示装置(図示せず)に当該体内画像を表示するための画像データを生成する。
体内情報取得システム10001では、このようにして、カプセル型内視鏡10100が飲み込まれてから排出されるまでの間、患者の体内の様子を撮像した体内画像を随時得ることができる。
カプセル型内視鏡10100と外部制御装置10200の構成及び機能についてより詳細に説明する。
カプセル型内視鏡10100は、カプセル型の筐体10101を有し、その筐体10101内には、光源部10111、撮像部10112、画像処理部10113、無線通信部10114、給電部10115、電源部10116、及び制御部10117が収納されている。
光源部10111は、例えばLED(light emitting diode)等の光源から構成され、撮像部10112の撮像視野に対して光を照射する。
撮像部10112は、撮像素子、及び当該撮像素子の前段に設けられる複数のレンズからなる光学系から構成される。観察対象である体組織に照射された光の反射光(以下、観察光という)は、当該光学系によって集光され、当該撮像素子に入射する。撮像部10112では、撮像素子において、そこに入射した観察光が光電変換され、その観察光に対応する画像信号が生成される。撮像部10112によって生成された画像信号は、画像処理部10113に提供される。
画像処理部10113は、CPU(Central Processing Unit)やGPU(Graphics Processing Unit)等のプロセッサによって構成され、撮像部10112によって生成された画像信号に対して各種の信号処理を行う。画像処理部10113は、信号処理を施した画像信号を、RAWデータとして無線通信部10114に提供する。
無線通信部10114は、画像処理部10113によって信号処理が施された画像信号に対して変調処理等の所定の処理を行い、その画像信号を、アンテナ10114Aを介して外部制御装置10200に送信する。また、無線通信部10114は、外部制御装置10200から、カプセル型内視鏡10100の駆動制御に関する制御信号を、アンテナ10114Aを介して受信する。無線通信部10114は、外部制御装置10200から受信した制御信号を制御部10117に提供する。
給電部10115は、受電用のアンテナコイル、当該アンテナコイルに発生した電流から電力を再生する電力再生回路、及び昇圧回路等から構成される。給電部10115では、いわゆる非接触充電の原理を用いて電力が生成される。
電源部10116は、二次電池によって構成され、給電部10115によって生成された電力を蓄電する。図9では、図面が煩雑になることを避けるために、電源部10116からの電力の供給先を示す矢印等の図示を省略しているが、電源部10116に蓄電された電力は、光源部10111、撮像部10112、画像処理部10113、無線通信部10114、及び制御部10117に供給され、これらの駆動に用いられ得る。
制御部10117は、CPU等のプロセッサによって構成され、光源部10111、撮像部10112、画像処理部10113、無線通信部10114、及び、給電部10115の駆動を、外部制御装置10200から送信される制御信号に従って適宜制御する。
外部制御装置10200は、CPU,GPU等のプロセッサ、又はプロセッサとメモリ等の記憶素子が混載されたマイクロコンピュータ若しくは制御基板等で構成される。外部制御装置10200は、カプセル型内視鏡10100の制御部10117に対して制御信号を、アンテナ10200Aを介して送信することにより、カプセル型内視鏡10100の動作を制御する。カプセル型内視鏡10100では、例えば、外部制御装置10200からの制御信号により、光源部10111における観察対象に対する光の照射条件が変更され得る。また、外部制御装置10200からの制御信号により、撮像条件(例えば、撮像部10112におけるフレームレート、露出値等)が変更され得る。また、外部制御装置10200からの制御信号により、画像処理部10113における処理の内容や、無線通信部10114が画像信号を送信する条件(例えば、送信間隔、送信画像数等)が変更されてもよい。
また、外部制御装置10200は、カプセル型内視鏡10100から送信される画像信号に対して、各種の画像処理を施し、撮像された体内画像を表示装置に表示するための画像データを生成する。当該画像処理としては、例えば現像処理(デモザイク処理)、高画質化処理(帯域強調処理、超解像処理、NR(Noise reduction)処理及び/又は手ブレ補正処理等)、並びに/又は拡大処理(電子ズーム処理)等、各種の信号処理を行うことができる。外部制御装置10200は、表示装置の駆動を制御して、生成した画像データに基づいて撮像された体内画像を表示させる。あるいは、外部制御装置10200は、生成した画像データを記録装置(図示せず)に記録させたり、印刷装置(図示せず)に印刷出力させてもよい。
以上、本開示に係る技術が適用され得る体内情報取得システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、例えば、撮像部10112に適用され得る。これにより、検出精度が向上する。
<内視鏡手術システムへの応用例>
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。
図10は、本開示に係る技術(本技術)が適用され得る内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。
図10では、術者(医師)11131が、内視鏡手術システム11000を用いて、患者ベッド11133上の患者11132に手術を行っている様子が図示されている。図示するように、内視鏡手術システム11000は、内視鏡11100と、気腹チューブ11111やエネルギー処置具11112等の、その他の術具11110と、内視鏡11100を支持する支持アーム装置11120と、内視鏡下手術のための各種の装置が搭載されたカート11200と、から構成される。
内視鏡11100は、先端から所定の長さの領域が患者11132の体腔内に挿入される鏡筒11101と、鏡筒11101の基端に接続されるカメラヘッド11102と、から構成される。図示する例では、硬性の鏡筒11101を有するいわゆる硬性鏡として構成される内視鏡11100を図示しているが、内視鏡11100は、軟性の鏡筒を有するいわゆる軟性鏡として構成されてもよい。
鏡筒11101の先端には、対物レンズが嵌め込まれた開口部が設けられている。内視鏡11100には光源装置11203が接続されており、当該光源装置11203によって生成された光が、鏡筒11101の内部に延設されるライトガイドによって当該鏡筒の先端まで導光され、対物レンズを介して患者11132の体腔内の観察対象に向かって照射される。なお、内視鏡11100は、直視鏡であってもよいし、斜視鏡又は側視鏡であってもよい。
カメラヘッド11102の内部には光学系及び撮像素子が設けられており、観察対象からの反射光(観察光)は当該光学系によって当該撮像素子に集光される。当該撮像素子によって観察光が光電変換され、観察光に対応する電気信号、すなわち観察像に対応する画像信号が生成される。当該画像信号は、RAWデータとしてカメラコントロールユニット(CCU: Camera Control Unit)11201に送信される。
CCU11201は、CPU(Central Processing Unit)やGPU(Graphics Processing Unit)等によって構成され、内視鏡11100及び表示装置11202の動作を統括的に制御する。さらに、CCU11201は、カメラヘッド11102から画像信号を受け取り、その画像信号に対して、例えば現像処理(デモザイク処理)等の、当該画像信号に基づく画像を表示するための各種の画像処理を施す。
表示装置11202は、CCU11201からの制御により、当該CCU11201によって画像処理が施された画像信号に基づく画像を表示する。
光源装置11203は、例えばLED(light emitting diode)等の光源から構成され、術部等を撮影する際の照射光を内視鏡11100に供給する。
入力装置11204は、内視鏡手術システム11000に対する入力インタフェースである。ユーザは、入力装置11204を介して、内視鏡手術システム11000に対して各種の情報の入力や指示入力を行うことができる。例えば、ユーザは、内視鏡11100による撮像条件(照射光の種類、倍率及び焦点距離等)を変更する旨の指示等を入力する。
処置具制御装置11205は、組織の焼灼、切開又は血管の封止等のためのエネルギー処置具11112の駆動を制御する。気腹装置11206は、内視鏡11100による視野の確保及び術者の作業空間の確保の目的で、患者11132の体腔を膨らめるために、気腹チューブ11111を介して当該体腔内にガスを送り込む。レコーダ11207は、手術に関する各種の情報を記録可能な装置である。プリンタ11208は、手術に関する各種の情報を、テキスト、画像又はグラフ等各種の形式で印刷可能な装置である。
なお、内視鏡11100に術部を撮影する際の照射光を供給する光源装置11203は、例えばLED、レーザ光源又はこれらの組み合わせによって構成される白色光源から構成することができる。RGBレーザ光源の組み合わせにより白色光源が構成される場合には、各色(各波長)の出力強度及び出力タイミングを高精度に制御することができるため、光源装置11203において撮像画像のホワイトバランスの調整を行うことができる。また、この場合には、RGBレーザ光源それぞれからのレーザ光を時分割で観察対象に照射し、その照射タイミングに同期してカメラヘッド11102の撮像素子の駆動を制御することにより、RGBそれぞれに対応した画像を時分割で撮像することも可能である。当該方法によれば、当該撮像素子にカラーフィルタを設けなくても、カラー画像を得ることができる。
また、光源装置11203は、出力する光の強度を所定の時間ごとに変更するようにその駆動が制御されてもよい。その光の強度の変更のタイミングに同期してカメラヘッド11102の撮像素子の駆動を制御して時分割で画像を取得し、その画像を合成することにより、いわゆる黒つぶれ及び白とびのない高ダイナミックレンジの画像を生成することができる。
また、光源装置11203は、特殊光観察に対応した所定の波長帯域の光を供給可能に構成されてもよい。特殊光観察では、例えば、体組織における光の吸収の波長依存性を利用して、通常の観察時における照射光(すなわち、白色光)に比べて狭帯域の光を照射することにより、粘膜表層の血管等の所定の組織を高コントラストで撮影する、いわゆる狭帯域光観察(Narrow Band Imaging)が行われる。あるいは、特殊光観察では、励起光を照射することにより発生する蛍光により画像を得る蛍光観察が行われてもよい。蛍光観察では、体組織に励起光を照射し当該体組織からの蛍光を観察すること(自家蛍光観察)、又はインドシアニングリーン(ICG)等の試薬を体組織に局注するとともに当該体組織にその試薬の蛍光波長に対応した励起光を照射し蛍光像を得ること等を行うことができる。光源装置11203は、このような特殊光観察に対応した狭帯域光及び/又は励起光を供給可能に構成され得る。
図11は、図10に示すカメラヘッド11102及びCCU11201の機能構成の一例を示すブロック図である。
カメラヘッド11102は、レンズユニット11401と、撮像部11402と、駆動部11403と、通信部11404と、カメラヘッド制御部11405と、を有する。CCU11201は、通信部11411と、画像処理部11412と、制御部11413と、を有する。カメラヘッド11102とCCU11201とは、伝送ケーブル11400によって互いに通信可能に接続されている。
レンズユニット11401は、鏡筒11101との接続部に設けられる光学系である。鏡筒11101の先端から取り込まれた観察光は、カメラヘッド11102まで導光され、当該レンズユニット11401に入射する。レンズユニット11401は、ズームレンズ及びフォーカスレンズを含む複数のレンズが組み合わされて構成される。
撮像部11402を構成する撮像素子は、1つ(いわゆる単板式)であってもよいし、複数(いわゆる多板式)であってもよい。撮像部11402が多板式で構成される場合には、例えば各撮像素子によってRGBそれぞれに対応する画像信号が生成され、それらが合成されることによりカラー画像が得られてもよい。あるいは、撮像部11402は、3D(dimensional)表示に対応する右目用及び左目用の画像信号をそれぞれ取得するための1対の撮像素子を有するように構成されてもよい。3D表示が行われることにより、術者11131は術部における生体組織の奥行きをより正確に把握することが可能になる。なお、撮像部11402が多板式で構成される場合には、各撮像素子に対応して、レンズユニット11401も複数系統設けられ得る。
また、撮像部11402は、必ずしもカメラヘッド11102に設けられなくてもよい。例えば、撮像部11402は、鏡筒11101の内部に、対物レンズの直後に設けられてもよい。
駆動部11403は、アクチュエータによって構成され、カメラヘッド制御部11405からの制御により、レンズユニット11401のズームレンズ及びフォーカスレンズを光軸に沿って所定の距離だけ移動させる。これにより、撮像部11402による撮像画像の倍率及び焦点が適宜調整され得る。
通信部11404は、CCU11201との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部11404は、撮像部11402から得た画像信号をRAWデータとして伝送ケーブル11400を介してCCU11201に送信する。
また、通信部11404は、CCU11201から、カメラヘッド11102の駆動を制御するための制御信号を受信し、カメラヘッド制御部11405に供給する。当該制御信号には、例えば、撮像画像のフレームレートを指定する旨の情報、撮像時の露出値を指定する旨の情報、並びに/又は撮像画像の倍率及び焦点を指定する旨の情報等、撮像条件に関する情報が含まれる。
なお、上記のフレームレートや露出値、倍率、焦点等の撮像条件は、ユーザによって適宜指定されてもよいし、取得された画像信号に基づいてCCU11201の制御部11413によって自動的に設定されてもよい。後者の場合には、いわゆるAE(Auto Exposure)機能、AF(Auto Focus)機能及びAWB(Auto White Balance)機能が内視鏡11100に搭載されていることになる。
カメラヘッド制御部11405は、通信部11404を介して受信したCCU11201からの制御信号に基づいて、カメラヘッド11102の駆動を制御する。
通信部11411は、カメラヘッド11102との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部11411は、カメラヘッド11102から、伝送ケーブル11400を介して送信される画像信号を受信する。
また、通信部11411は、カメラヘッド11102に対して、カメラヘッド11102の駆動を制御するための制御信号を送信する。画像信号や制御信号は、電気通信や光通信等によって送信することができる。
画像処理部11412は、カメラヘッド11102から送信されたRAWデータである画像信号に対して各種の画像処理を施す。
制御部11413は、内視鏡11100による術部等の撮像、及び、術部等の撮像により得られる撮像画像の表示に関する各種の制御を行う。例えば、制御部11413は、カメラヘッド11102の駆動を制御するための制御信号を生成する。
また、制御部11413は、画像処理部11412によって画像処理が施された画像信号に基づいて、術部等が映った撮像画像を表示装置11202に表示させる。この際、制御部11413は、各種の画像認識技術を用いて撮像画像内における各種の物体を認識してもよい。例えば、制御部11413は、撮像画像に含まれる物体のエッジの形状や色等を検出することにより、鉗子等の術具、特定の生体部位、出血、エネルギー処置具11112の使用時のミスト等を認識することができる。制御部11413は、表示装置11202に撮像画像を表示させる際に、その認識結果を用いて、各種の手術支援情報を当該術部の画像に重畳表示させてもよい。手術支援情報が重畳表示され、術者11131に提示されることにより、術者11131の負担を軽減することや、術者11131が確実に手術を進めることが可能になる。
カメラヘッド11102及びCCU11201を接続する伝送ケーブル11400は、電気信号の通信に対応した電気信号ケーブル、光通信に対応した光ファイバ、又はこれらの複合ケーブルである。
ここで、図示する例では、伝送ケーブル11400を用いて有線で通信が行われていたが、カメラヘッド11102とCCU11201との間の通信は無線で行われてもよい。
以上、本開示に係る技術が適用され得る内視鏡手術システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、撮像部11402に適用され得る。撮像部11402に本開示に係る技術を適用することにより、検出精度が向上する。
なお、ここでは、一例として内視鏡手術システムについて説明したが、本開示に係る技術は、その他、例えば、顕微鏡手術システム等に適用されてもよい。
<移動体への応用例>
本開示に係る技術は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット、建設機械、農業機械(トラクター)などのいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
図12は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。
車両制御システム12000は、通信ネットワーク12001を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図12に示した例では、車両制御システム12000は、駆動系制御ユニット12010、ボディ系制御ユニット12020、車外情報検出ユニット12030、車内情報検出ユニット12040、及び統合制御ユニット12050を備える。また、統合制御ユニット12050の機能構成として、マイクロコンピュータ12051、音声画像出力部12052、及び車載ネットワークI/F(interface)12053が図示されている。
駆動系制御ユニット12010は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット12010は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。
ボディ系制御ユニット12020は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット12020は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット12020には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット12020は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
車外情報検出ユニット12030は、車両制御システム12000を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット12030には、撮像部12031が接続される。車外情報検出ユニット12030は、撮像部12031に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット12030は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。
撮像部12031は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部12031は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部12031が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。
車内情報検出ユニット12040は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット12040には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部12041が接続される。運転者状態検出部12041は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット12040は、運転者状態検出部12041から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。
マイクロコンピュータ12051は、車外情報検出ユニット12030又は車内情報検出ユニット12040で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット12010に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ12051は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むADAS(Advanced Driver Assistance System)の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。
また、マイクロコンピュータ12051は、車外情報検出ユニット12030又は車内情報検出ユニット12040で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
また、マイクロコンピュータ12051は、車外情報検出ユニット12030で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット12020に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ12051は、車外情報検出ユニット12030で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。
音声画像出力部12052は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図12の例では、出力装置として、オーディオスピーカ12061、表示部12062及びインストルメントパネル12063が例示されている。表示部12062は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。
図13は、撮像部12031の設置位置の例を示す図である。
図13では、撮像部12031として、撮像部12101,12102,12103,12104,12105を有する。
撮像部12101,12102,12103,12104,12105は、例えば、車両12100のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部12101及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部12105は、主として車両12100の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部12102,12103は、主として車両12100の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部12104は、主として車両12100の後方の画像を取得する。車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部12105は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。
なお、図13には、撮像部12101ないし12104の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲12111は、フロントノーズに設けられた撮像部12101の撮像範囲を示し、撮像範囲12112,12113は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部12102,12103の撮像範囲を示し、撮像範囲12114は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部12104の撮像範囲を示す。例えば、撮像部12101ないし12104で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両12100を上方から見た俯瞰画像が得られる。
撮像部12101ないし12104の少なくとも1つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部12101ないし12104の少なくとも1つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。
例えば、マイクロコンピュータ12051は、撮像部12101ないし12104から得られた距離情報を基に、撮像範囲12111ないし12114内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化(車両12100に対する相対速度)を求めることにより、特に車両12100の進行路上にある最も近い立体物で、車両12100と略同じ方向に所定の速度(例えば、0km/h以上)で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ12051は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御(追従停止制御も含む)や自動加速制御(追従発進制御も含む)等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
例えば、マイクロコンピュータ12051は、撮像部12101ないし12104から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、2輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ12051は、車両12100の周辺の障害物を、車両12100のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ12051は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ12061や表示部12062を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット12010を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。
撮像部12101ないし12104の少なくとも1つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ12051は、撮像部12101ないし12104の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部12101ないし12104の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ12051が、撮像部12101ないし12104の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部12052は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部12062を制御する。また、音声画像出力部12052は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部12062を制御してもよい。
以上、本開示に係る技術が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、撮像部12031に適用され得る。撮像部12031に本開示に係る技術を適用することにより、より見やすい撮影画像を得ることができるため、ドライバの疲労を軽減することが可能になる。
本開示に係る技術は、上記の他、スマートフォン等にも適用可能である。
以上、実施の形態および変形例を挙げて説明したが、本開示内容は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態において説明した撮像装置の構成は一例であり、更に他の層を備えていてもよい。また、各層の材料や厚みも一例であって、上述のものに限定されるものではない。
また、上記実施の形態等では、拡張配線部19を構成する全ての導電層(導電層M4,M5,M6,15A)が、配線22の導電層M4,M5,M6,15Bと同層に設けられている例を示したが、拡張配線部19を構成する一部の導電層が、配線22の導電層と同層に設けられていてもよい。
また、上記実施の形態等では、拡張配線部19が、導電層M4,M5,M6,15Aを含み、配線21が、導電層M1,M2,M3を含む場合について説明したが、拡張配線部19および配線21の構成は、自由に設計可能である。例えば、拡張配線部19が、導電層M3,M4,M5,M6,15Aを含み、配線21が、導電層M1,M2を含んでいてもよい。あるいは、拡張配線部19が、導電層M5,M6,15Aを含み、配線21が、導電層M1,M2,M3,M4を含んでいてもよい。
また、図14に示したように、例えば、配線21が、多層配線層110Bの導電層M4,M5,M6,15Bを含んでいてもよい。即ち、拡張配線部19を構成する導電層M4,M5,M6,15Aが、配線21の導電層と同層に設けられていてもよい。
上記実施の形態等において説明した効果は一例であり、他の効果であってもよいし、更に他の効果を含んでいてもよい。
尚、本開示は、以下のような構成であってもよい。
(1)
画素領域および前記画素領域の外側の周辺領域と、
前記画素領域に設けられた受光素子と、
前記画素領域および前記周辺領域に設けられ、半導体基板と、前記半導体基板と前記受光素子との間に設けられた多層配線層とを含む回路基板と、
前記多層配線層に設けられ、前記受光素子に電気的に接続された第1配線と、
前記受光素子を間にして前記回路基板に対向する保護部材と、
前記周辺領域の前記半導体基板と前記保護部材との間に設けられた拡張配線部と
を備え、
前記拡張配線部の一端は開放され、他端は前記第1配線に電気的に接続されている
撮像装置。
(2)
更に、前記回路基板の前記周辺領域に設けられた入出力部を有し、
前記拡張配線部は、前記入出力部近傍に設けられている
前記(1)に記載の撮像装置。
(3)
更に、前記入出力部は貫通電極を有し、
前記拡張配線部は、前記貫通電極に電気的に接続されている
前記(2)に記載の撮像装置。
(4)
前記拡張配線部および前記貫通電極が各々複数設けられ、
隣り合う前記拡張配線部の間の距離は、隣り合う前記貫通電極の間の距離よりも短い
前記(3)に記載の撮像装置。
(5)
前記拡張配線部および前記貫通電極が各々複数設けられ、
隣り合う前記拡張配線部の間の距離は、隣り合う前記貫通電極の間の距離と略同じである
前記(3)に記載の撮像装置。
(6)
前記拡張配線部の前記一端は、前記回路基板の縁近傍に配置されている
前記(1)ないし(5)のうちいずれか1つに記載の撮像装置。
(7)
更に、前記周辺領域に設けられたガードリングを含み、
前記拡張配線部の前記一端は、前記ガードリングよりも前記画素領域に近い位置に配置されている
前記(1)ないし(6)のうちいずれか1つに記載の撮像装置。
(8)
前記多層配線層は、前記受光素子に電気的に接続された第2配線を有し、
前記拡張配線部の少なくとも一部は、前記第2配線と同層に設けられた配線層を含む
前記(1)ないし(7)のうちいずれか1つに記載の撮像装置。
(9)
更に、前記受光素子と前記多層配線層との接合面に設けられた接合部を有し、
前記接合部は、CuCu接合により構成されている
前記(1)ないし(8)のうちいずれか1つに記載の撮像装置。
(10)
前記拡張配線部が前記接合部を含む
前記(9)に記載の撮像装置。
1,1A…撮像装置、2…画素、3…電子機器、11…回路基板、110A…半導体基板、110B…多層配線層、11V…貫通ビア、12…受光素子、13…ガラス基板、14…接着層、15…パッド電極、16…導電膜、17…半田ボール、18…封止樹脂層、19…拡張配線部、19C,22C…接合部、21,22…配線、23…検査用パッド電極、200…周辺回路、D1,D2…距離、PA…画素領域、SA…周辺領域、CA…チップ領域、LA…スクライブ領域、IO…入出力部、CG…チップ周辺ガードリング。

Claims (10)

  1. 画素領域および前記画素領域の外側の周辺領域と、
    前記画素領域に設けられた受光素子と、
    前記画素領域および前記周辺領域に設けられ、半導体基板と、前記半導体基板と前記受光素子との間に設けられた多層配線層とを含む回路基板と、
    前記多層配線層に設けられ、前記受光素子に電気的に接続された第1配線と、
    前記受光素子を間にして前記回路基板に対向する保護部材と、
    前記周辺領域の前記半導体基板と前記保護部材との間に設けられた拡張配線部と
    を備え、
    前記拡張配線部の一端は開放され、他端は前記第1配線に電気的に接続されている
    撮像装置。
  2. 更に、前記回路基板の前記周辺領域に設けられた入出力部を有し、
    前記拡張配線部は、前記入出力部近傍に設けられている
    請求項1に記載の撮像装置。
  3. 更に、前記入出力部は貫通電極を有し、
    前記拡張配線部は、前記貫通電極に電気的に接続されている
    請求項2に記載の撮像装置。
  4. 前記拡張配線部および前記貫通電極が各々複数設けられ、
    隣り合う前記拡張配線部の間の距離は、隣り合う前記貫通電極の間の距離よりも短い
    請求項3に記載の撮像装置。
  5. 前記拡張配線部および前記貫通電極が各々複数設けられ、
    隣り合う前記拡張配線部の間の距離は、隣り合う前記貫通電極の間の距離と略同じである
    請求項3に記載の撮像装置。
  6. 前記拡張配線部の前記一端は、前記回路基板の縁近傍に配置されている
    請求項1に記載の撮像装置。
  7. 更に、前記周辺領域に設けられたガードリングを含み、
    前記拡張配線部の前記一端は、前記ガードリングよりも前記画素領域に近い位置に配置されている
    請求項1に記載の撮像装置。
  8. 前記多層配線層は、前記受光素子に電気的に接続された第2配線を有し、
    前記拡張配線部の少なくとも一部は、前記第2配線と同層に設けられた配線層を含む
    請求項1に記載の撮像装置。
  9. 更に、前記受光素子と前記多層配線層との接合面に設けられた接合部を有し、
    前記接合部は、CuCu接合により構成されている
    請求項1に記載の撮像装置。
  10. 前記拡張配線部が前記接合部を含む
    請求項9に記載の撮像装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023105921A1 (ja) * 2021-12-06 2023-06-15 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 イメージセンサ装置、機器及びイメージセンサ装置の製造方法
WO2024185480A1 (ja) * 2023-03-08 2024-09-12 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220181369A1 (en) * 2019-03-08 2022-06-09 Dexerials Corporation Method of manufacturing connection structure, connection structure, film structure, and method of manufacturing film structure
CN116884985B (zh) * 2023-09-08 2024-05-28 无锡鉴微华芯科技有限公司 一种像素探测器的读出像素芯片

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3865636B2 (ja) 2002-01-09 2007-01-10 松下電器産業株式会社 半導体装置および半導体チップ
JP4403424B2 (ja) 2006-11-30 2010-01-27 ソニー株式会社 固体撮像装置
JP5102721B2 (ja) 2008-08-28 2012-12-19 京セラ株式会社 携帯型電子装置
JP5609144B2 (ja) 2010-02-19 2014-10-22 ソニー株式会社 半導体装置および貫通電極のテスト方法
KR20160142897A (ko) 2010-03-19 2016-12-13 인비사지 테크놀로지스, 인크. 감지성 반도체 다이오드를 채용한 이미지 센서
JP6031765B2 (ja) * 2011-07-05 2016-11-24 ソニー株式会社 半導体装置、電子機器、及び、半導体装置の製造方法
US8896125B2 (en) 2011-07-05 2014-11-25 Sony Corporation Semiconductor device, fabrication method for a semiconductor device and electronic apparatus
TWI495041B (zh) 2011-07-05 2015-08-01 Sony Corp 半導體裝置、用於半導體裝置之製造方法及電子設備
JP5794002B2 (ja) 2011-07-07 2015-10-14 ソニー株式会社 固体撮像装置、電子機器
US8836626B2 (en) * 2011-07-15 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
JP2013089871A (ja) * 2011-10-20 2013-05-13 Sony Corp 固体撮像素子ウエハ、固体撮像素子の製造方法、および固体撮像素子
WO2013179765A1 (ja) 2012-05-30 2013-12-05 オリンパス株式会社 撮像装置の製造方法および半導体装置の製造方法
JP6132525B2 (ja) * 2012-11-30 2017-05-24 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
TWI655753B (zh) 2015-03-11 2019-04-01 日商新力股份有限公司 Solid-state imaging device and manufacturing method, semiconductor wafer, and electronic device
JP6555468B2 (ja) 2015-04-02 2019-08-07 パナソニックIpマネジメント株式会社 撮像装置
US20190006331A1 (en) * 2017-06-30 2019-01-03 Intel Corporation Electronics package devices with through-substrate-vias having pitches independent of substrate thickness
EP3734659B1 (en) * 2017-12-28 2024-09-11 Sony Semiconductor Solutions Corporation Light receiving element and electronic apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023105921A1 (ja) * 2021-12-06 2023-06-15 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 イメージセンサ装置、機器及びイメージセンサ装置の製造方法
WO2024185480A1 (ja) * 2023-03-08 2024-09-12 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置

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