JP6132525B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 181
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 141
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 141
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 42
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 description 248
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 82
- 101000671638 Homo sapiens Vesicle transport protein USE1 Proteins 0.000 description 73
- 102100040106 Vesicle transport protein USE1 Human genes 0.000 description 73
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 description 39
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 30
- 101150104869 SLT2 gene Proteins 0.000 description 27
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 27
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 24
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 23
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000837398 Homo sapiens T-cell leukemia/lymphoma protein 1B Proteins 0.000 description 1
- 102100028678 T-cell leukemia/lymphoma protein 1B Human genes 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
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Description
一実施の形態によれば、半導体装置は、半導体基板と、素子領域と、素子外領域とを備える。素子外領域は、素子外領域に形成される金属配線のうち最上層の最上層金属配線と、最上層金属配線の上面を覆う平坦化膜と、平坦化膜上に形成された保護膜とを含んでいる。素子外領域の少なくとも一部において保護膜が除去された除去部が形成されている。
他の実施の形態によれば、半導体装置の製造方法においては、まず主表面を有する半導体基板が準備される。素子領域と素子外領域とが形成される。上記素子外領域に形成される金属配線のうち最上層の最上層金属配線と、最上層金属配線の上面を覆う平坦化膜と、平坦化膜上に形成される保護膜とが素子外領域に形成される。上記素子外領域の最上層金属配線の上面上に平坦化膜が残存するように保護膜が除去された除去部が形成される。
(実施の形態1)
まず図1を用いて、一実施の形態としてウェハ状態の半導体装置について説明する。
図2(A)を参照して、半導体ウェハSWに配置されるチップ領域IMCの各々は、フォトダイオード領域PDR(素子領域)と、周辺回路領域PCRと、パッド形成領域PARとを有している。フォトダイオード領域PDRは、光電変換素子(受光素子)としてのフォトダイオードが複数、たとえば行列状に配置された領域である。周辺回路領域PCRは、フォトダイオード領域PDRのフォトダイオードを制御するための周辺回路が形成された領域である。パッド形成領域PARは、フォトダイオード領域PDRのフォトダイオードおよび周辺回路領域PCRの制御用素子などを駆動させるための電極として形成される、たとえば矩形状の導電性の薄膜であるパッドが配置され得る領域である。
たとえばダイシングライン領域DLRにおいてパッシベーション膜PASが除去されずに除去部(段差LVL)が形成されない場合には、半導体ウェハSWの半導体チップCHPへのダイシングの際にパッシベーション膜PASが切断される。パッシベーション膜PASがシリコン窒化膜で形成される場合には、パッシベーション膜PASの保護膜としての効果が特に高まるが、同時にパッシベーション膜PASの切断時にクラックまたはチッピングが発生する可能性が高くなる。シリコン窒化膜は硬度が高く、クラックが発生しやすい材料であるためである。このクラックは切断により形成される半導体チップCHPの方へ進行し、半導体チップCHPにクラック不良を来たす可能性がある。
まず図9を用いて、本実施の形態の半導体チップCHPの各部分の構成について説明する。
次に、本実施の形態の作用効果を説明する。本実施の形態は実施の形態1の作用効果に加えて、以下の作用効果を奏する。
まず図13を用いて、本実施の形態の半導体チップCHPの各部分の構成について説明する。
まず図16を用いて、本実施の形態の半導体チップCHPの各部分の構成について説明する。
本実施の形態ではエッジ領域EGRにて、パッシベーション膜PASの除去部として第1の溝SLT1のみが形成され、幅の広い段差LVLは形成されない。また実施の形態2で述べたように第1の溝SLT1は幅が十分に狭いため、溝SLT1による段差が形成されるとしても、エッジ領域EGR全体の平坦性に影響を及ぼさない。つまりエッジ領域EGRには実質的に段差が存在しない。段差LVLが形成されないことから半導体チップCHPの平坦性が上記の各実施の形態よりもいっそう高められる。
まず図19を用いて、本実施の形態の半導体チップCHPの各部分の構成について説明する。
たとえば実施の形態4の半導体チップCHPは、第1の溝SLT1がガードリングGRの最上層金属配線TMLの真上に形成されている。具体的には図22を参照して、個々の半導体チップCHPに切断される前の半導体ウェハSWの、平面視においてチップ領域IMCの外周を取り囲む矩形状のガードリング領域GRR内に、ガードリング領域GRRと同様の矩形状の溝SLT1が形成されている。このように第1の溝は平面視においてチップ領域IMCの縁部(特に外周の縁部)に沿うように延在し、チップ領域IMCの外周と同じ矩形の平面形状を有している。
実施の形態6は第2の溝SLT2を実施の形態4の半導体チップCHPに適用した例であるが、本実施の形態は第2の溝SLT2を実施の形態5の半導体チップCHPに適用した例である。
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
Claims (3)
- 主表面を有する半導体基板と、
前記半導体基板内に受光素子が形成された素子領域と、
前記主表面において前記素子領域の外周側に形成された素子外領域とを備え、
前記素子外領域は、前記素子外領域に形成される金属配線のうち最上層の最上層金属配線と、前記最上層金属配線の上面を覆う平坦化膜と、前記平坦化膜上に形成された保護膜とを含み、
前記素子外領域の少なくとも一部において前記保護膜が除去された除去部が形成され、
前記除去部は、前記平坦化膜の上面が前記最上層金属配線の上面よりも前記半導体基板に対向する側と反対側に位置している段差を含み、
前記段差は、前記最上層金属配線の上方に形成され、
前記段差の一部の領域には、前記最上層金属配線の上面に達する第1の溝を含む、半導体装置。 - 前記最上層金属配線は平面視において前記素子領域を取り囲む、請求項1に記載の半導体装置。
- 主表面を有する半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板内に受光素子が形成された素子領域と、前記主表面における前記素子領域の外周側に素子外領域とを形成する工程と、
前記素子外領域に形成される金属配線のうち最上層の最上層金属配線と、前記最上層金属配線の上面を覆う平坦化膜と、前記平坦化膜上に形成される保護膜とを前記素子外領域に形成する工程と、
前記素子外領域の前記最上層金属配線の上方に前記最上層金属配線の上面を露出することなく、前記平坦化膜が残存するように前記保護膜が除去された除去部を形成することにより、前記平坦化膜の上面が前記最上層金属配線の上面よりも前記半導体基板に対向する側と反対側に位置する段差が形成される工程と、
前記段差の一部の領域には、前記最上層金属配線の上面に達する第1の溝を形成する工程とを備える、半導体装置の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012262828A JP6132525B2 (ja) | 2012-11-30 | 2012-11-30 | 半導体装置およびその製造方法 |
US14/082,303 US9508774B2 (en) | 2012-11-30 | 2013-11-18 | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
CN201310631678.5A CN103855175B (zh) | 2012-11-30 | 2013-11-29 | 半导体器件及其制造方法 |
US15/297,211 US10411056B2 (en) | 2012-11-30 | 2016-10-19 | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012262828A JP6132525B2 (ja) | 2012-11-30 | 2012-11-30 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014110279A JP2014110279A (ja) | 2014-06-12 |
JP6132525B2 true JP6132525B2 (ja) | 2017-05-24 |
Family
ID=50824645
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012262828A Expired - Fee Related JP6132525B2 (ja) | 2012-11-30 | 2012-11-30 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9508774B2 (ja) |
JP (1) | JP6132525B2 (ja) |
CN (1) | CN103855175B (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6132525B2 (ja) * | 2012-11-30 | 2017-05-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
KR20240118897A (ko) * | 2014-06-09 | 2024-08-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 촬상 장치 |
JP6296913B2 (ja) * | 2014-06-17 | 2018-03-20 | キヤノン株式会社 | 半導体装置の製造方法および構造体 |
JP6192598B2 (ja) | 2014-06-19 | 2017-09-06 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 撮像装置およびその製造方法 |
JP2016131179A (ja) | 2015-01-13 | 2016-07-21 | ソニー株式会社 | 半導体装置、および半導体装置の製造方法、固体撮像素子、撮像装置、並びに電子機器 |
JP6671864B2 (ja) * | 2015-05-18 | 2020-03-25 | キヤノン株式会社 | 撮像装置の製造方法および撮像装置 |
JP6967830B2 (ja) | 2015-07-31 | 2021-11-17 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置、レンズモジュール及びその製造方法、並びに、電子機器 |
US9659879B1 (en) * | 2015-10-30 | 2017-05-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Semiconductor device having a guard ring |
JP2017168531A (ja) * | 2016-03-14 | 2017-09-21 | 株式会社リコー | 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法 |
KR102497570B1 (ko) * | 2018-01-18 | 2023-02-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 |
JP2019160866A (ja) * | 2018-03-08 | 2019-09-19 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
US11069729B2 (en) * | 2018-05-01 | 2021-07-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device, and equipment |
JP7103180B2 (ja) * | 2018-11-14 | 2022-07-20 | 株式会社リコー | ラインセンサ及び画像読取装置 |
US10896878B2 (en) * | 2019-06-18 | 2021-01-19 | Nxp B.V. | Integrated circuit saw bow break point |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2777426B2 (ja) * | 1989-10-16 | 1998-07-16 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JPH0677315A (ja) | 1992-08-28 | 1994-03-18 | Nec Corp | 半導体装置 |
JP3129855B2 (ja) | 1992-10-12 | 2001-01-31 | 日立電線株式会社 | 希土類イオン・アルカリ金属添加型ガラス膜付基板の製造方法及び希土類イオン・アルカリ金属添加型ガラス導波路の製造方法 |
JPH0714806A (ja) | 1993-06-15 | 1995-01-17 | Nec Yamaguchi Ltd | 半導体集積回路装置 |
JPH11251458A (ja) | 1998-02-27 | 1999-09-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP3339485B2 (ja) | 2000-01-24 | 2002-10-28 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
JP3872031B2 (ja) | 2003-03-28 | 2007-01-24 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US7199046B2 (en) * | 2003-11-14 | 2007-04-03 | Tokyo Electron Ltd. | Structure comprising tunable anti-reflective coating and method of forming thereof |
TWI227936B (en) * | 2004-01-14 | 2005-02-11 | Taiwan Semiconductor Mfg | Sealed ring for IC protection |
JP2006140404A (ja) * | 2004-11-15 | 2006-06-01 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
JP4699172B2 (ja) * | 2005-10-25 | 2011-06-08 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP2007173325A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP5104317B2 (ja) * | 2006-01-18 | 2012-12-19 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置、半導体ウエハ構造、及び半導体ウエハ構造の製造方法 |
JP5332200B2 (ja) * | 2007-03-22 | 2013-11-06 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
KR100995558B1 (ko) * | 2007-03-22 | 2010-11-22 | 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US8125052B2 (en) * | 2007-05-14 | 2012-02-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Seal ring structure with improved cracking protection |
US8704336B2 (en) * | 2007-08-31 | 2014-04-22 | Intel Corporation | Selective removal of on-die redistribution interconnects from scribe-lines |
US8643147B2 (en) * | 2007-11-01 | 2014-02-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Seal ring structure with improved cracking protection and reduced problems |
JP2009188068A (ja) * | 2008-02-04 | 2009-08-20 | Sharp Corp | 固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器 |
JP5173525B2 (ja) | 2008-03-28 | 2013-04-03 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体ウエハ、半導体チップ、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
JP5532867B2 (ja) * | 2009-11-30 | 2014-06-25 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法、並びに固体撮像素子の製造方法及び半導体装置 |
JP5401301B2 (ja) | 2009-12-28 | 2014-01-29 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP5830843B2 (ja) | 2010-03-24 | 2015-12-09 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体ウエハとその製造方法、及び半導体チップ |
JP2011238652A (ja) * | 2010-05-06 | 2011-11-24 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2010187036A (ja) | 2010-06-02 | 2010-08-26 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2012178496A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-13 | Sony Corp | 固体撮像装置、電子機器、半導体装置、固体撮像装置の製造方法 |
JP2012186396A (ja) * | 2011-03-07 | 2012-09-27 | Panasonic Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP6132525B2 (ja) * | 2012-11-30 | 2017-05-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2012
- 2012-11-30 JP JP2012262828A patent/JP6132525B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-11-18 US US14/082,303 patent/US9508774B2/en active Active
- 2013-11-29 CN CN201310631678.5A patent/CN103855175B/zh active Active
-
2016
- 2016-10-19 US US15/297,211 patent/US10411056B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103855175B (zh) | 2019-02-19 |
US20140151838A1 (en) | 2014-06-05 |
JP2014110279A (ja) | 2014-06-12 |
US9508774B2 (en) | 2016-11-29 |
US20170040356A1 (en) | 2017-02-09 |
CN103855175A (zh) | 2014-06-11 |
US10411056B2 (en) | 2019-09-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160616 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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