JP2010183312A - マイクロホンユニット - Google Patents
マイクロホンユニット Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010183312A JP2010183312A JP2009024439A JP2009024439A JP2010183312A JP 2010183312 A JP2010183312 A JP 2010183312A JP 2009024439 A JP2009024439 A JP 2009024439A JP 2009024439 A JP2009024439 A JP 2009024439A JP 2010183312 A JP2010183312 A JP 2010183312A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microphone unit
- sound
- housing
- sound hole
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 4
- 239000011796 hollow space material Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005520 electrodynamics Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000010255 response to auditory stimulus Effects 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R19/00—Electrostatic transducers
- H04R19/04—Microphones
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R1/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones
- H04R1/20—Arrangements for obtaining desired frequency or directional characteristics
- H04R1/32—Arrangements for obtaining desired frequency or directional characteristics for obtaining desired directional characteristic only
- H04R1/34—Arrangements for obtaining desired frequency or directional characteristics for obtaining desired directional characteristic only by using a single transducer with sound reflecting, diffracting, directing or guiding means
- H04R1/38—Arrangements for obtaining desired frequency or directional characteristics for obtaining desired directional characteristic only by using a single transducer with sound reflecting, diffracting, directing or guiding means in which sound waves act upon both sides of a diaphragm and incorporating acoustic phase-shifting means, e.g. pressure-gradient microphone
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R1/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones
- H04R1/02—Casings; Cabinets ; Supports therefor; Mountings therein
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R2201/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones covered by H04R1/00 but not provided for in any of its subgroups
- H04R2201/003—Mems transducers or their use
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
- Y10T156/1052—Methods of surface bonding and/or assembly therefor with cutting, punching, tearing or severing
Abstract
【課題】製造が容易で高品質なマイクロホンユニットを提供する。
【解決手段】マイクロホンユニット1は、音圧を電気信号に変換する電気音響変換部13と、電気音響変換部13を収容する筐体11と、第1音孔121及び第2音孔122を有して筐体11に被せられる蓋体12と、を備える。筐体11は、積層一体化された積層基板からなり、筐体11には、凹部によって形成されて電気音響変換部13が載置されるとともに第1音孔121と連通する第1空間111と、前記凹部の底面111aと第2音孔122とを連通する中空の第2空間121と、が設けられる。そして、マイクロホンユニット1は、第1音孔121から振動板132の第1の面132aへと至る第1音道2と、第2音孔122から振動板132の第2の面132bへと至る第2音道3と、を備える。
【選択図】図2
【解決手段】マイクロホンユニット1は、音圧を電気信号に変換する電気音響変換部13と、電気音響変換部13を収容する筐体11と、第1音孔121及び第2音孔122を有して筐体11に被せられる蓋体12と、を備える。筐体11は、積層一体化された積層基板からなり、筐体11には、凹部によって形成されて電気音響変換部13が載置されるとともに第1音孔121と連通する第1空間111と、前記凹部の底面111aと第2音孔122とを連通する中空の第2空間121と、が設けられる。そして、マイクロホンユニット1は、第1音孔121から振動板132の第1の面132aへと至る第1音道2と、第2音孔122から振動板132の第2の面132bへと至る第2音道3と、を備える。
【選択図】図2
Description
本発明は、音圧(例えば音声により生じる)を電気信号に変換するマイクロホンユニットに関する。
従来、例えば、携帯電話やトランシーバ等の音声通信機器、又は音声認証システム等の入力された音声を解析する技術を利用した情報処理システム、或いは録音機器、といった音声入力装置にマイクロホンユニットが適用されている。そして、近年においては電子機器の小型化が進んでおり、小型・薄型化等が可能なマイクロホンユニットの開発が盛んである(例えば、特許文献1〜3参照)。
ところで、電話などによる通話、音声認識、音声録音に際しては、目的の音声(ユーザの音声)のみを収音するのが好ましい。このため、マイクロホンユニットの性能としては、目的の音声を正確に抽出し、目的の音声以外の雑音(背景雑音等)を除去できることが望まれる。
雑音が存在する使用環境で雑音を除去して目的の音声のみを収音するマイクロホンユニットとして、本出願人らは、振動板の両面から音圧が加わるように形成し、音圧差に基づく振動板の振動によって電気信号を発生させるマイクロホンユニットを開発している(特許文献3参照)。
しかしながら、特許文献3に示されるようなマイクロホンユニットの開発(改良)を進める中で、音道を形成する部分の部品点数が増えると音響リークが発生し易く、マイクロホンユニットの品質が劣化することがわかった。また、部品点数の増加は作業性の点からも不利であり、部品点数を低減してマイクロホンユニットを形成することが望まれた。
そこで、本発明の目的は、製造が容易で高品質なマイクロホンユニットを提供することである。
上記目的を達成するために本発明は、音圧により振動する振動板を有して音圧を電気信号に変換する電気音響変換部と、前記電気音響変換部を収容する筐体と、第1音孔及び第2音孔を有して前記筐体に被せられる蓋体と、を備えるマイクロホンユニットであって、前記筐体は、積層一体化された積層基板からなり、前記筐体には、凹部によって形成されて前記電気音響変換部が載置されるとともに前記第1音孔と連通する第1空間と、前記凹部の底面と前記第2音孔とを連通する中空の第2空間と、が設けられ、前記第1音孔から前記振動板の第1の面へと至る第1音道と、前記第2音孔から前記振動板の前記第1の面の裏面である第2の面へと至る第2音道と、を備えることを特徴としている。
本構成によれば、マイクロホンユニットは振動板の両面に加わる音圧差に基づいて音圧を電気信号に変換する構成であり、雑音が存在する使用環境で雑音を除去して目的の音声のみを収音することが可能である。そして、振動板を有する電気音響変換部を収容する筐体を、積層基板によって一体的に形成する構成であるために、マイクロホンユニットを構成する部品点数を低減して、音響リークの発生を低減できる。このため、本構成のマイクロホンユニットによれば、マイク特性を高品質とできる。また、前述の部品点数の低減により、マイクロホンユニットの製造が容易であり、更に製造コストの抑制も可能である。
上記構成のマイクロホンユニットにおいて、前記積層基板は、LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic)基板であるのが好ましい。このように構成することにより、筐体に設けられる配線パターンに使用する導体について、低抵抗の材質を選択しやすい。また、電気音響変換部の線膨張係数と筐体の線膨張係数との差を小さくしやすい。両者の線膨張係数の差を小さくすることにより、電気音響変換部をリフロー実装する場合でも、振動板にかかる不要な応力を低減できる。
上記構成のマイクロホンユニットにおいて、前記積層基板の線膨張係数が3ppm/℃以上、5ppm/℃以下であることとしても良い。例えば、電気音響変換部がシリコンのMEMSチップの場合、このように構成すると、電気音響変換部の線膨張係数と筐体の線膨張係数との差を小さくできる。
上記構成のマイクロホンユニットにおいて、前記電気音響変換部がMEMS(Micro Electro Mechanical System)チップであるのが好ましい。これにより、小型で高特性のマイクロホンユニットを実現しやすい。
上記構成のマイクロホンユニットにおいて、前記電気音響変換部で得られた電気信号を処理する電気回路部を更に備え、前記電気回路部は前記第1空間に載置されていることとしても良い。また、上記構成のマイクロホンユニットにおいて、前記筐体と前記蓋体とが一体形成されていることとしても良い。
本発明によれば、製造が容易で高品質なマイクロホンユニットを提供可能である。
以下、本発明を適用したマイクロホンユニットの実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明するが、その前に、本発明の理解を容易とするため、本発明のマイクロホンユニットを開発するに至った経緯について説明しておく。
(本発明の開発経緯)
図9は、本発明のマイクロホンユニットを開発する前に、本発明者らが開発したマイクロホンユニットの構成を示す分解斜視図である。また、図10は、図9のマイクロホンユニットを組み立てた状態での概略断面図である。以下、図9及び図10に示すマイクロホンユニットのことを「先行開発のマイクロホンユニット100」と表現して説明する。
図9は、本発明のマイクロホンユニットを開発する前に、本発明者らが開発したマイクロホンユニットの構成を示す分解斜視図である。また、図10は、図9のマイクロホンユニットを組み立てた状態での概略断面図である。以下、図9及び図10に示すマイクロホンユニットのことを「先行開発のマイクロホンユニット100」と表現して説明する。
図9及び図10に示すように、先行開発のマイクロホンユニット100は、第1の基板101と、MEMS(Micro Electro Mechanical System)チップ104及びASIC(Application Specific Integrated Circuit)105が搭載される第2の基板102と、MEMSチップ104及びASIC105を覆うように第2の基板102上に配置される蓋部103と、を備える。
第1の基板101には、平面視略矩形状に形成される溝部1011が形成されている。
MEMSチップ104及びASIC105が搭載され、図示しない回路パターンが形成される第2の基板102には、第1の開口1021と第2の開口1022とが形成されている。
蓋部103は、平面視略矩形状の外形をしており、その天板1031には平面視略楕円形状の2つの音孔1032、1033が形成されている。なお、蓋部103の内部側には、第1音孔1032と連通する第1空間部1034と第2音孔1033と連通する第2空間部1035とが形成されている。
先行開発のマイクロホンユニット100は、例えば、第1の基板101にMEMSチップ104及びASIC105が搭載された第2の基板102を接合し、次いで、蓋部103を第2の基板102に被せるように配置して、蓋部103と第2の基板102とを接合することによって得られる。
なお、第1の基板101に設けられる電極端子(図示せず)と第2の基板102の裏面側に形成される電極端子(図示せず)とは半田接合や導電ペースト等によって電気接合される。第2の基板102の上面側に形成される回路パターンと裏面側に形成される回路パターンとは第2の基板102の中を通る貫通配線(図示せず)により電気的に接続されている。
以上のように構成することにより、第1音孔1032及び第1空間部1034からなって、MEMSチップ104の振動板1041の上面1041aに音波を導く第1の音道106が形成される。また、第2音孔1033、第2空間部1035、第1の開口1021、溝部1011及び第2の開口1022からなって、MEMSチップ104の振動板1041の下面1041bに音波を導く第2の音道107が形成される。そして、この構成により、振動板104の両面から音圧が加わるような構成が得られ、雑音が存在する使用環境で雑音を除去して目的の音声のみを収音するマイクロホンユニットを実現できる。
ところで、先行開発のマイクロホンユニット100においては、マイク特性(音響特性)が満足いくレベルでないことがあった。これについて、鋭意検討したところ、第1の基板101、第2の基板102、及び蓋部103の加工精度等のために、隙間なくこれらの部品を組み上げることが難しく、音響リークが発生し易いことがわかった。そして、この音響リークがマイクロホンユニット100の音響特性を劣化させていることがわかった。本発明のマイクロホンユニットは、このような問題点を解消するものである。
(本実施形態のマイクロホンユニット)
本実施形態のマイクロホンユニットの概略構成について、図1〜図7を参照しながら説明する。
本実施形態のマイクロホンユニットの概略構成について、図1〜図7を参照しながら説明する。
図1は、本実施形態のマイクロホンユニットの構成を示す概略斜視図である。図2は、図1におけるA−A位置の概略断面図である。図3は、本実施形態のマイクロホンユニットを、蓋体を取り除いた状態で上から見た場合の概略平面図である。図4は、本実施形態のマイクロホンユニットが備える筐体の製造例を説明するための概略断面図である。図5は、本実施形態のマイクロホンユニットが備える筐体の製造例を説明するための概略平面図である。図6は、本実施形態のマイクロホンユニットが備えるMEMSチップの構成を示す概略断面図である。図7は、本実施形態のマイクロホンユニットが備えるASICの回路構成を説明するための図である。
図1〜図3に示すように、本実施形態のマイクロホンユニット1は、筐体11と、蓋体12と、MEMSチップ13と、ASIC14と、を備える。
筐体11は、上面に開口を有する略直方体状の外形を有し、その内側には、MEMSチップ13及びASIC14を載置でき、且つ、MEMSチップ13の振動膜(振動板)132の上面132a及び下面132bに音波を導けるように空間が形成されている。
詳細には、筐体11には、凹部によって形成されて、上から見た場合に略矩形状に見える第1空間111が形成されている(図2及び図3参照)。この第1空間111にはMEMSチップ13及びASIC14が載置される。また、筐体11には、第1空間111を形成する凹部の底面111a(MEMSチップ13等の載置面)から下方に延びる空間と、この空間と上面とを繋ぐ断面視略L字状の空間と、から成る中空の第2空間112が形成されている(図2参照)。
この筐体11は、積層一体化された積層基板から成っている。本実施形態では、この積層基板はLTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic;低温同時焼結セラミック)基板としている。筐体11を構成する積層基板には、マイクロホンユニット1を作動させる上で必要となる配線パターンも形成されている。
ここで、図4及び図5を参照して、積層基板から成る筐体11の製造例について説明する。図4に示すように、マイクロホンユニット1が備える筐体11は、外形寸法が略同一とされる第1シート(このシートはグリーンシートとも呼ばれる)21、第2シート22、第3シート23、第4シート24を、この順で下から上へと積層し、この積層体を一体化してなる。積層体の一体化は、積層体を例えば800℃〜900℃程度で焼成することによって行われる。各シート21〜24には、積層一体化した状態で第1空間111、第2空間112、及び配線パターンが得られるように、積層前に穴開け、パターン印刷が施される。
図5に、各シート21〜24に形成される穴及び配線が示されている。図5(a)は第1シート21の上面、図5(b)は第2シート22の上面、図5(c)は第3シート23の上面、図5(d)は第4シート24の上面を示している。なお、図5(b)〜図5(d)においては、筐体11に載置されるMEMSチップ13及び振動膜132との位置関係がわかりやすくなるように、それらを破線で示している。
図5(a)に示すように、第1シート21にはスルーホール211、電極パッド212、及び配線213が形成されている。スルーホール211は、第1シート21の上下に形成される電極パッド212(第1シート21の下に形成される電極パッドは図示せず)をビアによって接続するために形成されている。電極パッド212及び配線213は、MESMチップ13とASIC14との接続、ASIC14への電力の供給、ASIC14からの電気信号の出力、及びGND接続を行えるように設けられている。
図5(b)に示すように、第2シート22にはスルーホール221及び平面視略矩形状の貫通孔222が形成されている。スルーホール221は、立体回路を形成するために設けられている。また、貫通孔222は第2空間112を形成するために設けられている。
図5(c)に示すように、第3シート23には、スルーホール231と、電極パッド232と、配線233と、平面視略矩形状の貫通孔234、235と、が形成されている。スルーホール231は、立体回路を形成するために設けられている。電極パッド232は、MEMSチップ13やASIC14に形成される電極パッドとの接続や立体回路形成のために設けられている。貫通孔234、235は第2空間112を形成するために設けられている。
図5(d)に示すように、第4シート24には平面視略矩形状の貫通孔241、242が形成されている。このうち、貫通孔241は第2空間112を形成するために設けられており、貫通孔242は第1空間111を形成するために設けられている。
なお、4つのシート21〜24を積層一体化してなる積層基板は、その線膨張係数がMEMSチップ13の線膨張係数になるべく近い値となるように設計するのが好ましい。これは、例えばMEMSチップ13をリフロー実装する場合に、リフロー時の加熱冷却によるMEMSチップ13に対して加わる残留応力を低減するためである。本実施形態では、MEMSチップ13をシリコンによって形成しているために、積層基板の線膨張係数は、3ppm/℃以上、5ppm/℃以下とするのが好ましい。
また、シート21〜24に形成される電極パッドや配線は低抵抗の導体である銀(Ag)や銅(Cu)で形成するのが好ましい。
蓋体12は、図1及び図2示すように平面視略矩形状の平板であって、上面と下面の間を貫通する2つの貫通孔121、122が形成されている。蓋体12の材質は特に限定されるものではないが、本実施形態では例えば金属やセラミック等が使用される。また、筐体11に蓋体12を被せた場合に、第1貫通孔121は筐体11の第1空間111と連通し、第2貫通孔122は筐体11の第2空間112と連通するようになっている。
2つの貫通孔121、122は音孔として設けられるものであり、一方を第1音孔121、他方を第2音孔として以下表現する。この第1音孔121及び第2音孔122の形状は、本実施形態では略楕円形状の長孔としているが、これに限定されるものではなく、適宜変更して構わない。
なお、第1音孔121と第2音孔122との中心間距離L(図1参照)が短すぎると振動膜132の上面132aと下面132bに加わる音圧の差が小さくなって振動膜132の振幅が小さくなり、ASIC14から出力される電気信号のSNR(Signal to Noise Ratio)が悪くなる。このため、第1音孔121と第2音孔122との間の距離はある程度大きいのが好ましい。一方で、この中心間距離Lが大きく成りすぎると、音源から発せられた音波が、第1音孔121及び第2音孔122を通って振動膜132に到達するまでの時間差すなわち位相差が大きくなり、雑音除去性能が低下してしまう。このため、第1音孔121と第2音孔122との中心間距離Lは、4mm以上6mm以下とするのが好ましく、更には5mm程度が好ましい。
筐体11の第1空間111に載置されるMEMSチップ13の構成について図6を参照して説明する。MEMSチップ13は、絶縁性のベース基板131と、振動膜132と、絶縁膜133と、固定電極134と、を有し、コンデンサ型のマイクロホンを形成している。なお、このMEMSチップ13は半導体製造技術を用いて製造され、本実施形態ではシリコンを用いて形成されている。なお、このMEMSチップ13は本発明の電気音響変換部の実施形態である。
ベース基板131には平面視略円形状の開口131aが形成され、これにより振動膜132の下部側から来る音波は振動膜132に到達するようになっている。ベース基板131の上に形成される振動膜132は、音波を受けて振動(上下方向に振動)する薄膜で、導電性を有し、電極の一端を形成している。
固定電極134は、絶縁膜133を挟んで振動膜132と対向するように配置されている。これにより、振動膜132と固定電極134とは容量を形成する。なお、固定電極134には音波が通過できるように複数の音孔134aが形成されており、振動膜132の上部側から来る音波が振動膜132に到達するようになっている。
このようにMEMSチップ13は、振動膜132の上面132aに音圧pf、下面132bに音圧pbが各々加わるようになっている。その結果、音圧pfと音圧pbとの差に応じて振動膜132が振動して振動膜132と固定電極134との間隔Gpが変化し、振動膜132と固定電極134との間の静電容量が変化する。すなわち、コンデンサ型のマイクロホンとして機能するMEMSチップ13によって、入射した音波を電気信号として取り出せるようになっている。
なお、本実施形態では振動膜132の方が固定電極134よりも下となっているが、これとは逆の関係(振動膜が上で、固定電極が下となる関係)となるように構成しても構わない。
筐体11の第1空間111に載置されるASIC14について図7を参照して説明する。ASIC14は、本発明の電気回路部の実施形態で、MEMSチップ13における静電容量の変化に基づいて発生する電気信号を信号増幅回路143で増幅処理する集積回路である。本実施形態においては、MEMSチップ13における静電容量の変化を精密に取得できるように、チャージポンプ回路141とオペアンプ142とを含む構成としている。また、信号増幅回路143の増幅率(ゲイン)を調整できるようにゲイン調整回路144を含む構成としている。ASIC14で増幅処理された電気信号は、例えばマイクロホンユニット1が実装される図示しない実装基板の音声処理部に出力されて処理される。
以上のような部品から構成されるマイクロホンユニット1は、積層基板によって一体成形された筐体11に、MEMSチップ13及びASIC14をフリップチップ実装し、その後、筐体11に蓋体12を被せて接合することによって完成する。蓋体12は、例えば接着剤によって筐体11と接合しても良いし、かしめて筐体11と接合しても良い。また、MEMSチップ13及びASIC14をフリップチップ実装するのではなく、例えばワイヤボンディングを用いて実装する構成等としても構わない。
なお、筐体11に実装されるMEMSチップ13は、第1空間111の底面111a(凹部の底面111a)に形成される開口(これは、第2空間112を形成するための開口を指している)を覆うように配置される。そして、これにより、図2の矢印で模式的に示すように、第1音孔121から振動膜132の上面(第1の面)132aへと至る第1音道2と、第2音孔122から振動膜132の下面(第2の面)132bへと至る第2音道3と、が形成される。第1音道2と第2音道3とは、音波が第1音孔121から振動膜132の上面132aへと至る時間と、音波が第2音孔122から振動膜132の下面132bへと至る時間と、が同じとなるように形成されるのが好ましい。
次に、マイクロホンユニット1の動作について説明する。動作の説明に先立って音波の性質について述べておく。音波の音圧(音波の振幅)は、音源からの距離に反比例する。そして、音圧は、音源に近い位置では急激に減衰し、音源から離れる程、なだらかに減衰する。
例えば、マイクロホンユニット1を接話型の音声入力装置に適用する場合、ユーザの音声はマイクロホンユニット1の近傍で発生する。そのため、ユーザの音声は、第1音孔121と第2音孔122との間で大きく減衰し、振動膜132の上面132aに入射する音圧と、振動膜132の下面132bに入射する音圧との間には、大きな差が現れる。
一方、背景雑音等の雑音成分は、ユーザの音声に比べて音源がマイクロホンユニット1から遠い位置に存在する。そのため、雑音の音圧は、第1音孔121と第2音孔122との間でほとんど減衰せず、振動膜132の上面132aに入射する音圧と、振動膜132の下面132bに入射する音圧との間には、ほとんど差が現れない。
マイクロホンユニット1の振動膜132は、第1音孔121と第2音孔122に同時に入射する音波の音圧差によって振動する。上述のように、振動膜132の上面132aと下面132bに入射する雑音の音圧の差は非常に小さいために、振動膜132で打ち消される。これに対して、振動膜132の上面132aと下面132bに入射するユーザ音声の音圧の差は大きいために、ユーザ音声は振動膜132で打ち消されずに振動膜132を振動させる。
このことから、本実施形態のマイクロホンユニット1によると、振動膜132はユーザの音声のみによって振動しているとみなすことができる。そのため、マイクロホンユニット1のASIC14から出力される電気信号は、雑音(背景雑音等)が除去された、ユーザ音声のみを示す信号とみなすことができる。すなわち、本実施形態のマイクロホンユニット1によると、簡易な構成で、雑音が除去されたユーザ音声のみを示す電気信号を取得することが可能である。
また、マイクロホンユニット1は、筐体11を積層一体化した積層基板から成る構成としている。このために、先行開発のマイクロホンユニット100(図9及び図10参照)に比べて音響リークが発生する可能性が低減し、高品質なマイク特性を得ることが可能である。また、筐体11を構成する部品点数の低減により、材料コストが低減されるとともに、製造工程が簡易となり製造コストも低減できる。
また、筐体11を第2音道3も含む積層一体化構造とすることで、筐体11の機械的強度を増すことができる。このため、筐体11を構成する複数のシート21〜24(図4参照)の一部或いは全部の厚みを薄く抑えることも可能である。その結果、マイクロホンユニット1の薄型化を図れる。
(その他)
以上に示した実施形態は一例であり、本発明のマイクロホンユニットは以上に示した実施形態の構成に限定されるものではない。すなわち、本発明の目的を逸脱しない範囲で、以上に示した実施形態の構成について種々の変更を行っても構わない。
以上に示した実施形態は一例であり、本発明のマイクロホンユニットは以上に示した実施形態の構成に限定されるものではない。すなわち、本発明の目的を逸脱しない範囲で、以上に示した実施形態の構成について種々の変更を行っても構わない。
例えば、図8に示すような変形が可能である。すなわち、図8に示すマイクロホンユニットでは、略直方体状に形成されるMEMSチップ13の外面を取り囲むように、MEMSチップ13の外面と当接する位置決め壁31を設ける構成としている。この位置決め壁31は、筐体11に一体的に形成されるものである。そして、この構成によれば、筐体11内にMEMSチップ13を実装する場合に位置決めが容易となり、マイクロホンユニットの製造が更に容易となる。
また、以上に示した実施形態では、筐体11と蓋体12とを別々の部品とした。しかし、これに限らず、蓋体についても積層基板で構成して、筐体と蓋体とを一体形成する構成としても構わない。
また、以上に示した実施形態では、筐体11を構成する積層基板(積層一体化かれている)がLTCC基板であることとした。しかし、この構成に限定される趣旨ではなく、筐体を構成する積層基板は、例えばアルミナ基板やガラスエポキシ基板等であっても構わない。ただし、筐体を構成する積層基板をLTCC基板とした場合には、配線パターンを構成する導体として低抵抗の導体(AgやCu等)を使用可能となる。また、LTCC基板を用いる場合には、筐体11の線膨張係数をシリコンで形成されるMEMSチップ13の線膨張係数に近づけ易い。そして、このように両者の線膨張係数の差を小さくすると、リフロー時の加熱冷却によってMEMSチップ13に加わる残留応力を低減でき、振動膜132に不要な応力が加わる可能性を低減できる。これらの点等から、本実施形態のように、筐体11を構成する積層基板はLTCC基板であるのが好ましい。
また、以上に示した実施形態では、MEMSチップ13とASIC14とは別チップで構成したが、ASIC14に搭載される集積回路はMEMSチップ13を形成するシリコン基板上にモノリシックで形成するものであっても構わない。
また、以上に示した実施形態では、音圧を電気信号に変換する音響電気変換部が、半導体製造技術を利用して形成されるMEMSチップ13である構成としたが、この構成に限定される趣旨ではない。例えば、電気音響変換部はエレクトレック膜を使用したコンデンサマイクロホン等であっても構わない。
また、以上の実施形態では、マイクロホンユニット1が備える電気音響変換部(本実施形態のMEMSチップ13が該当)の構成として、いわゆるコンデンサ型マイクロホンを採用した。しかし、本発明はコンデンサ型マイクロホン以外の構成を採用したマイクロホンユニットにも適用できる。例えば、動電型(ダイナミック型)、電磁型(マグネティック型)、圧電型等のマイクロホン等が採用されたマイクロホンユニットにも本発明は適用できる。
その他、マイクロホンユニットの形状は本実施形態の形状に限定される趣旨ではなく、種々の形状に変更可能であるのは勿論である。
本発明のマイクロホンユニットは、例えば携帯電話、トランシーバ等の音声通信機器や、入力された音声を解析する技術を採用した音声処理システム(音声認証システム、音声認識システム、コマンド生成システム、電子辞書、翻訳機、音声入力方式のリモートコントローラ等)、或いは録音機器やアンプシステム(拡声器)、マイクシステムなどに好適である。
1 マイクロホンユニット
2 第1音道
3 第2音道
11 筐体
12 蓋体
13 MEMSチップ(電気音響変換部)
14 ASIC(電気回路部)
31 位置決め壁
111 第1空間
111a 凹部の底面
112 第2空間
121 第1音孔
122 第2音孔
132 振動膜(振動板)
132a 振動膜の上面(第1の面)
132b 振動膜の下面(第2の面)
2 第1音道
3 第2音道
11 筐体
12 蓋体
13 MEMSチップ(電気音響変換部)
14 ASIC(電気回路部)
31 位置決め壁
111 第1空間
111a 凹部の底面
112 第2空間
121 第1音孔
122 第2音孔
132 振動膜(振動板)
132a 振動膜の上面(第1の面)
132b 振動膜の下面(第2の面)
Claims (7)
- 音圧により振動する振動板を有して音圧を電気信号に変換する電気音響変換部と、
前記電気音響変換部を収容する筐体と、
第1音孔及び第2音孔を有して前記筐体に被せられる蓋体と、を備えるマイクロホンユニットであって、
前記筐体は、積層一体化された積層基板からなり、
前記筐体には、凹部によって形成されて前記電気音響変換部が載置されるとともに前記第1音孔と連通する第1空間と、前記凹部の底面と前記第2音孔とを連通する中空の第2空間と、が設けられ、
前記第1音孔から前記振動板の第1の面へと至る第1音道と、前記第2音孔から前記振動板の前記第1の面の裏面である第2の面へと至る第2音道と、を備えることを特徴とするマイクロホンユニット。 - 前記積層基板は、LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic)基板であることを特徴とする請求項1に記載のマイクロホンユニット。
- 前記積層基板の線膨張係数が3ppm/℃以上、5ppm/℃以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載のマイクロホンユニット。
- 前記電気音響変換部がMEMS(Micro Electro Mechanical System)チップであることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のマイクロホンユニット。
- 前記筐体には、前記電気音響変換部の位置を位置決めする位置決め壁が設けられていることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のマイクロホンユニット。
- 前記電気音響変換部で得られた電気信号を処理する電気回路部を更に備え、
前記電気回路部は前記第1空間に載置されていることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のマイクロホンユニット。 - 前記筐体と前記蓋体とが一体形成されていることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載のマイクロホンユニット。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009024439A JP2010183312A (ja) | 2009-02-05 | 2009-02-05 | マイクロホンユニット |
US13/147,938 US20120020510A1 (en) | 2009-02-05 | 2010-01-20 | Microphone unit |
CN2010800068358A CN102308593A (zh) | 2009-02-05 | 2010-01-20 | 麦克风单元 |
EP10738408.3A EP2378789A4 (en) | 2009-02-05 | 2010-01-20 | MICROPHONE UNIT |
PCT/JP2010/050588 WO2010090070A1 (ja) | 2009-02-05 | 2010-01-20 | マイクロホンユニット |
KR1020117018251A KR20110112834A (ko) | 2009-02-05 | 2010-01-20 | 마이크로폰 유닛 |
TW099103337A TW201034476A (en) | 2009-02-05 | 2010-02-04 | Microphone unit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009024439A JP2010183312A (ja) | 2009-02-05 | 2009-02-05 | マイクロホンユニット |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010183312A true JP2010183312A (ja) | 2010-08-19 |
Family
ID=42541974
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009024439A Pending JP2010183312A (ja) | 2009-02-05 | 2009-02-05 | マイクロホンユニット |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120020510A1 (ja) |
EP (1) | EP2378789A4 (ja) |
JP (1) | JP2010183312A (ja) |
KR (1) | KR20110112834A (ja) |
CN (1) | CN102308593A (ja) |
TW (1) | TW201034476A (ja) |
WO (1) | WO2010090070A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5633493B2 (ja) * | 2011-09-16 | 2014-12-03 | オムロン株式会社 | 半導体装置及びマイクロフォン |
US20130284537A1 (en) * | 2012-04-26 | 2013-10-31 | Knowles Electronics, Llc | Acoustic Assembly with Supporting Members |
CN103200497A (zh) * | 2012-12-31 | 2013-07-10 | 哈尔滨固泰电子有限责任公司 | 硅麦克传感器的电子随频喇叭的发声方法 |
JP2014158140A (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-28 | Funai Electric Co Ltd | 音声入力装置 |
KR101369464B1 (ko) * | 2013-06-27 | 2014-03-06 | 주식회사 비에스이 | 멤스 마이크로폰 |
CN103663352B (zh) * | 2013-12-30 | 2017-11-07 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种mems麦克风封装结构及封装方法 |
TWI594940B (zh) | 2014-04-30 | 2017-08-11 | 鑫創科技股份有限公司 | 微機電系統麥克風 |
KR101609118B1 (ko) * | 2014-11-17 | 2016-04-05 | (주)파트론 | 마이크로폰 패키지 |
CN113226853A (zh) * | 2018-12-19 | 2021-08-06 | 派卡阿库斯蒂克有限公司 | 用于车辆的顶部结构 |
CN109889967B (zh) * | 2019-03-28 | 2020-10-30 | 百度在线网络技术(北京)有限公司 | 麦克风和智能语音设备 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005295278A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Hosiden Corp | マイクロホン装置 |
JP2005340686A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-08 | Fujitsu Ltd | 積層基板及びその製造方法、かかる積層基板を有する電子機器 |
JP2007150507A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Matsushita Electric Works Ltd | マイクロホンパッケージ |
JP2008092561A (ja) * | 2006-09-04 | 2008-04-17 | Yamaha Corp | 半導体マイクユニット、その製造方法、及び、半導体マイクユニットの搭載方法 |
US20080279407A1 (en) * | 2005-11-10 | 2008-11-13 | Epcos Ag | Mems Microphone, Production Method and Method for Installing |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7166910B2 (en) * | 2000-11-28 | 2007-01-23 | Knowles Electronics Llc | Miniature silicon condenser microphone |
US7434305B2 (en) * | 2000-11-28 | 2008-10-14 | Knowles Electronics, Llc. | Method of manufacturing a microphone |
JP3829115B2 (ja) | 2002-12-16 | 2006-10-04 | 佳樂電子股▲分▼有限公司 | コンデンサーマイクロホン及びその製造方法 |
KR100868593B1 (ko) * | 2005-12-06 | 2008-11-13 | 야마하 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법과 반도체 장치에 사용되는 덮개 부재와 반도체 장치를 제조하기 위한 반도체 유닛 |
EP1795496A2 (en) * | 2005-12-08 | 2007-06-13 | Yamaha Corporation | Semiconductor device for detecting pressure variations |
US7579678B2 (en) * | 2006-09-04 | 2009-08-25 | Yamaha Corporation | Semiconductor microphone unit |
JP2008187607A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Yamaha Corp | 半導体装置 |
JP4293378B2 (ja) * | 2007-04-04 | 2009-07-08 | 株式会社船井電機新応用技術研究所 | マイクロフォンユニット、及び、接話型の音声入力装置、並びに、情報処理システム |
-
2009
- 2009-02-05 JP JP2009024439A patent/JP2010183312A/ja active Pending
-
2010
- 2010-01-20 CN CN2010800068358A patent/CN102308593A/zh active Pending
- 2010-01-20 EP EP10738408.3A patent/EP2378789A4/en not_active Withdrawn
- 2010-01-20 KR KR1020117018251A patent/KR20110112834A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-01-20 US US13/147,938 patent/US20120020510A1/en not_active Abandoned
- 2010-01-20 WO PCT/JP2010/050588 patent/WO2010090070A1/ja active Application Filing
- 2010-02-04 TW TW099103337A patent/TW201034476A/zh unknown
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005295278A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Hosiden Corp | マイクロホン装置 |
JP2005340686A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-08 | Fujitsu Ltd | 積層基板及びその製造方法、かかる積層基板を有する電子機器 |
US20080279407A1 (en) * | 2005-11-10 | 2008-11-13 | Epcos Ag | Mems Microphone, Production Method and Method for Installing |
JP2007150507A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Matsushita Electric Works Ltd | マイクロホンパッケージ |
JP2008092561A (ja) * | 2006-09-04 | 2008-04-17 | Yamaha Corp | 半導体マイクユニット、その製造方法、及び、半導体マイクユニットの搭載方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2378789A1 (en) | 2011-10-19 |
EP2378789A4 (en) | 2013-12-18 |
US20120020510A1 (en) | 2012-01-26 |
KR20110112834A (ko) | 2011-10-13 |
CN102308593A (zh) | 2012-01-04 |
TW201034476A (en) | 2010-09-16 |
WO2010090070A1 (ja) | 2010-08-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2010090070A1 (ja) | マイクロホンユニット | |
JP5834383B2 (ja) | マイクロホンユニット及びそれを備えた音声入力装置 | |
JP5434798B2 (ja) | マイクロホンユニット、及び、それを備えた音声入力装置 | |
US8818010B2 (en) | Microphone unit | |
JP5691181B2 (ja) | マイクロホンユニット、及び、それを備えた音声入力装置 | |
JP5481852B2 (ja) | マイクロホンユニット及びそれを備えた音声入力装置 | |
JP5636796B2 (ja) | マイクロホンユニット | |
JP4850086B2 (ja) | Memsマイクロホン装置 | |
JP5022261B2 (ja) | マイクロホンユニット | |
JP2010187076A (ja) | マイクロホンユニット | |
KR100797443B1 (ko) | 멤스 마이크로폰 패키징 구조 | |
JP2011114506A (ja) | マイクロホンユニット | |
JP5636795B2 (ja) | マイクロホンユニット | |
JP5402320B2 (ja) | マイクロホンユニット | |
JP5097603B2 (ja) | マイクロホンユニット | |
JP2011124748A (ja) | マイクロホンユニット | |
JP5515700B2 (ja) | マイクロホンユニット | |
JP2019110377A (ja) | マイクロフォン用パッケージおよびマイクロフォン装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111208 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130507 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20131001 |