JPH11111653A - 半導体ウェーハの製造方法 - Google Patents
半導体ウェーハの製造方法Info
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- JPH11111653A JPH11111653A JP27476097A JP27476097A JPH11111653A JP H11111653 A JPH11111653 A JP H11111653A JP 27476097 A JP27476097 A JP 27476097A JP 27476097 A JP27476097 A JP 27476097A JP H11111653 A JPH11111653 A JP H11111653A
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- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】安価で高平坦度な大口径半導体ウェーハが得ら
れる半導体ウェーハの製造方法を提供することを目的と
する。 【解決手段】半導体インゴットより切断されたスライス
ウェーハの一表面に膜部材の基準面を形成し、研削装置
のロータリーチャックテーブルにスライスウェーハの基
準面が当接するようにスライスウェーハを載置し、しか
るのちスライスウェーハの他表面を研削する。
れる半導体ウェーハの製造方法を提供することを目的と
する。 【解決手段】半導体インゴットより切断されたスライス
ウェーハの一表面に膜部材の基準面を形成し、研削装置
のロータリーチャックテーブルにスライスウェーハの基
準面が当接するようにスライスウェーハを載置し、しか
るのちスライスウェーハの他表面を研削する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェーハの製
造に係わり、特に高平坦度の大口径半導体ウェーハを製
造する半導体ウェーハの製造方法に関する。
造に係わり、特に高平坦度の大口径半導体ウェーハを製
造する半導体ウェーハの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェーハを製造するには、多結晶
シリコンから例えばチョコラルスキー法により単結晶の
インゴットを作り、このインゴットを内周刃式スライシ
ングマシンで所定の厚さに切断し、スライスウェーハを
製造する。
シリコンから例えばチョコラルスキー法により単結晶の
インゴットを作り、このインゴットを内周刃式スライシ
ングマシンで所定の厚さに切断し、スライスウェーハを
製造する。
【０００３】しかるのち、このスライスウェーハを研削
装置により研削し、半導体ウェーハを製造する。しか
し、半導体ウェーハの大口径化によるインゴットの大口
径化に伴い、半導体ウェーハを一枚一枚切断する内周刃
式スライシングマシンでは切断時の材料ロスの増加、量
産性の低下、熟練作業の必要性などの問題から、図１に
示すようなマルチワイヤーソー装置１が普及してきた。
マルチワイヤーソー装置１によるインゴット２の切断は
次のようになる。
装置により研削し、半導体ウェーハを製造する。しか
し、半導体ウェーハの大口径化によるインゴットの大口
径化に伴い、半導体ウェーハを一枚一枚切断する内周刃
式スライシングマシンでは切断時の材料ロスの増加、量
産性の低下、熟練作業の必要性などの問題から、図１に
示すようなマルチワイヤーソー装置１が普及してきた。
マルチワイヤーソー装置１によるインゴット２の切断は
次のようになる。
【０００４】１本のワイヤー３’を溝付きローラー４に
巻き付け、ワイヤー列３を構成し、ワイヤー３’を往復
運動させる。そこへ、スラリー５（ＳｉＣ砥粒を分散さ
せた加工液）を流しながら、接着剤（図示せず）でフィ
ードユニット６のカーボンベース７に接着された例えば
直径３０１ｍｍ、長さ３００ｍｍの長さのインゴット２
をワイヤー列３に押し付けて研磨切断し、約１１００μ
ｍのスライスウェーハ８が一度に約２５０枚得られる。
巻き付け、ワイヤー列３を構成し、ワイヤー３’を往復
運動させる。そこへ、スラリー５（ＳｉＣ砥粒を分散さ
せた加工液）を流しながら、接着剤（図示せず）でフィ
ードユニット６のカーボンベース７に接着された例えば
直径３０１ｍｍ、長さ３００ｍｍの長さのインゴット２
をワイヤー列３に押し付けて研磨切断し、約１１００μ
ｍのスライスウェーハ８が一度に約２５０枚得られる。
【０００５】このスライスウェーハ８は表面に凹凸があ
り、厚さが均一でなく、また表面の平坦度が十分でな
い。また、一方高精度、高品質が要求される大口径ウェ
ーハでは図２に示されるようなケミカルメカニカルポリ
ッシング（ＣＭＰ）する研削装置９により研削すること
が必要である。この研削装置９による研削方法は、まず
マルチワイヤーソー装置１の切断で発生した大きなうね
り成分を持つスライスウェーハ８がロータリチャックテ
ーブル１０に載置され、真空吸着装置（図示せず）に連
通する真空路１１を介して真空吸着により強固に保持さ
れる。強力な真空吸引によりスライスウェーハ８はその
厚さが薄く弾性体であるので弾性変形を起こすが、弾性
変形したままロータリーチャックテーブル１０に保持さ
れ砥石軸駆動モータ軸１２に取り付けられたダイヤモン
ドホイール１３に固着されたダイヤモンドチップ１４に
よって、片面づつ同様の方法で両面が研削される。
り、厚さが均一でなく、また表面の平坦度が十分でな
い。また、一方高精度、高品質が要求される大口径ウェ
ーハでは図２に示されるようなケミカルメカニカルポリ
ッシング（ＣＭＰ）する研削装置９により研削すること
が必要である。この研削装置９による研削方法は、まず
マルチワイヤーソー装置１の切断で発生した大きなうね
り成分を持つスライスウェーハ８がロータリチャックテ
ーブル１０に載置され、真空吸着装置（図示せず）に連
通する真空路１１を介して真空吸着により強固に保持さ
れる。強力な真空吸引によりスライスウェーハ８はその
厚さが薄く弾性体であるので弾性変形を起こすが、弾性
変形したままロータリーチャックテーブル１０に保持さ
れ砥石軸駆動モータ軸１２に取り付けられたダイヤモン
ドホイール１３に固着されたダイヤモンドチップ１４に
よって、片面づつ同様の方法で両面が研削される。
【０００６】スライスウェーハ８のような弾性体材料の
場合、スライスにより発生したうねり成分が存在するの
で、スライスウェーハ８をロータリーチャックテーブル
１０に真空吸着し、平面研削すると、ロータリーチャッ
クテーブル１０上では平面に仕上がったスライスウェー
ハ８は真空を開放するとスライスウェーハ８のスライス
粗さ成分は除去できるがうねり成分は元に戻り残留す
る。
場合、スライスにより発生したうねり成分が存在するの
で、スライスウェーハ８をロータリーチャックテーブル
１０に真空吸着し、平面研削すると、ロータリーチャッ
クテーブル１０上では平面に仕上がったスライスウェー
ハ８は真空を開放するとスライスウェーハ８のスライス
粗さ成分は除去できるがうねり成分は元に戻り残留す
る。
【０００７】このスライスウェーハ８の表面の凹凸形状
をモデル的に示したのが図３である。このように残留し
た凹凸形状（うねり成分）は、図４に示すようにスライ
ス方向と直交する方向に残留し、例えば２５６ＤＲＡＭ
で要求されるＳＦＱＲ（Siteflatness Front Surfase a
site least squares Range）：０．２０μｍの高精度
は得られない。ここで、ＳＦＱＲは平坦度測定のためサ
イトに対し、表面基準の平均平面をサイト毎に算出し、
その面に対する凹凸の最大範囲を表すものであり、ウェ
ーハ表面の平坦度でＳ−ＴＩＲ（Site Thickness Ideal
Range）と同じ意味である。
をモデル的に示したのが図３である。このように残留し
た凹凸形状（うねり成分）は、図４に示すようにスライ
ス方向と直交する方向に残留し、例えば２５６ＤＲＡＭ
で要求されるＳＦＱＲ（Siteflatness Front Surfase a
site least squares Range）：０．２０μｍの高精度
は得られない。ここで、ＳＦＱＲは平坦度測定のためサ
イトに対し、表面基準の平均平面をサイト毎に算出し、
その面に対する凹凸の最大範囲を表すものであり、ウェ
ーハ表面の平坦度でＳ−ＴＩＲ（Site Thickness Ideal
Range）と同じ意味である。
【０００８】すなわち、０．２０μｍは半導体デバイス
製造工程における露光で、ステッパーで１セル毎に露光
する際の焦点ボケを防止するために必要な平坦度であ
る。半導体ウェーハの平坦度を得るために、その対策と
してマルチワイヤーソー装置によりインゴット２を切断
し得られたスライスウェーハ８を研削装置９による研削
の前工程として、ラップ盤によるラッピングを行う場合
があるが、ラッピングには大型のラップ盤が必要であ
り、またチャックテーブルに緩衝材を敷く等の方法がと
られる場合には、加工精度の低下をまねき、コストアッ
プになる等の問題がある。
製造工程における露光で、ステッパーで１セル毎に露光
する際の焦点ボケを防止するために必要な平坦度であ
る。半導体ウェーハの平坦度を得るために、その対策と
してマルチワイヤーソー装置によりインゴット２を切断
し得られたスライスウェーハ８を研削装置９による研削
の前工程として、ラップ盤によるラッピングを行う場合
があるが、ラッピングには大型のラップ盤が必要であ
り、またチャックテーブルに緩衝材を敷く等の方法がと
られる場合には、加工精度の低下をまねき、コストアッ
プになる等の問題がある。
【０００９】そこで安価で高平坦度な大口径半導体ウェ
ーハが得られる半導体ウェーハの製造方法が要望されて
いた。
ーハが得られる半導体ウェーハの製造方法が要望されて
いた。
【００１０】本発明は上述した事情を考慮してなされた
もので、大型のラップ盤等を必要とせず安価に半導体ウ
ェーハを製造でき、かつ高平坦度の大口径半導体ウェー
ハが得られる半導体ウェーハの製造方法を提供するを目
的とする。
もので、大型のラップ盤等を必要とせず安価に半導体ウ
ェーハを製造でき、かつ高平坦度の大口径半導体ウェー
ハが得られる半導体ウェーハの製造方法を提供するを目
的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
になされた本願請求項１の発明は、半導体インゴットを
切削装置により切断しスライスウェーハを製作する工程
と、このスライスウェーハの一表面に膜を形成し硬化す
る膜部材を塗布する工程と、この膜部材を押圧しスライ
スウェーハの一表面に平面形状の基準面を形成する工程
と、研削装置のテーブルに前記スライスウェーハの基準
面が当接するように前記スライスウェーハを載置し、し
かるのち前記スライスウェーハの他表面を研削する工程
とよりなることを特徴とする半導体ウェーハの製造方法
であることを要旨としている。
になされた本願請求項１の発明は、半導体インゴットを
切削装置により切断しスライスウェーハを製作する工程
と、このスライスウェーハの一表面に膜を形成し硬化す
る膜部材を塗布する工程と、この膜部材を押圧しスライ
スウェーハの一表面に平面形状の基準面を形成する工程
と、研削装置のテーブルに前記スライスウェーハの基準
面が当接するように前記スライスウェーハを載置し、し
かるのち前記スライスウェーハの他表面を研削する工程
とよりなることを特徴とする半導体ウェーハの製造方法
であることを要旨としている。
【００１２】本願請求項２の発明は、半導体インゴット
を切削装置により切断しスライスウェーハを製作する工
程と、このスライスウェーハの一表面に膜を形成し硬化
する膜部材を塗布する工程と、この膜部材を押圧しスラ
イスウェーハの一表面に平面形状の基準面を形成する工
程と、研削装置のテーブルに前記スライスウェーハの基
準面が当接するように前記スライスウェーハを載置し、
しかるのち前記スライスウェーハの他表面を研削する工
程と、前記工程により研削されたスライスウェーハの他
表面を研削装置のテーブルの基準面に当接するように前
記テーブルに載置し、前記スライスウェーハの未研削の
一表面を研削する工程とよりなることを特徴とする半導
体ウェーハの製造方法であることを要旨としている。
を切削装置により切断しスライスウェーハを製作する工
程と、このスライスウェーハの一表面に膜を形成し硬化
する膜部材を塗布する工程と、この膜部材を押圧しスラ
イスウェーハの一表面に平面形状の基準面を形成する工
程と、研削装置のテーブルに前記スライスウェーハの基
準面が当接するように前記スライスウェーハを載置し、
しかるのち前記スライスウェーハの他表面を研削する工
程と、前記工程により研削されたスライスウェーハの他
表面を研削装置のテーブルの基準面に当接するように前
記テーブルに載置し、前記スライスウェーハの未研削の
一表面を研削する工程とよりなることを特徴とする半導
体ウェーハの製造方法であることを要旨としている。
【００１３】本願請求項３の発明は、切削装置がマルチ
ワイヤーソー装置であることを特徴とする請求項１また
は２記載の半導体ウェーハの製造方法であることを要旨
としている。
ワイヤーソー装置であることを特徴とする請求項１また
は２記載の半導体ウェーハの製造方法であることを要旨
としている。
【００１４】本願請求項４の発明は、切削装置が内周刃
式スライシングマシンであることを特徴とする請求項１
または２記載の半導体ウェーハの製造方法であることを
要旨としている。
式スライシングマシンであることを特徴とする請求項１
または２記載の半導体ウェーハの製造方法であることを
要旨としている。
【００１５】本願請求項５の発明は、膜部材がワックス
であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体
ウェーハの製造方法を要旨としている。
であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体
ウェーハの製造方法を要旨としている。
【００１６】本願請求項６の発明は、膜部材がフェノー
ル樹脂であることを特徴とする請求項１または２記載の
半導体ウェーハの製造方法であることを要旨としてい
る。
ル樹脂であることを特徴とする請求項１または２記載の
半導体ウェーハの製造方法であることを要旨としてい
る。
【００１７】本願請求項７の発明は、膜部材に砥粒を混
入し加熱固着することを特徴とする請求項５または６記
載の半導体ウェーハの製造方法であることを要旨として
いる。
入し加熱固着することを特徴とする請求項５または６記
載の半導体ウェーハの製造方法であることを要旨として
いる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体ウェー
ハの製造方法の実施の形態について添付図面に基づき説
明する。
ハの製造方法の実施の形態について添付図面に基づき説
明する。
【００１９】図５に示す本発明に係る半導体ウェーハの
製造方法の実施態様の工程図に沿い説明すれば、その最
初の工程に例示するように、チョコラルスキー法により
製造された直径３０１ｍｍ、長さ３００ｍｍのシリコン
単結晶のインゴット２を上述図１のマルチワイヤーソー
装置１のワイヤー列３に押し付けて研磨切断し、厚さ１
１００μｍのスライスウェーハ８を例えば約２５０枚得
る。このスライスウェーハ８はその両面の切断表面には
図４で示すようにスライスマークや残留うねりが発生し
ている。
製造方法の実施態様の工程図に沿い説明すれば、その最
初の工程に例示するように、チョコラルスキー法により
製造された直径３０１ｍｍ、長さ３００ｍｍのシリコン
単結晶のインゴット２を上述図１のマルチワイヤーソー
装置１のワイヤー列３に押し付けて研磨切断し、厚さ１
１００μｍのスライスウェーハ８を例えば約２５０枚得
る。このスライスウェーハ８はその両面の切断表面には
図４で示すようにスライスマークや残留うねりが発生し
ている。
【００２０】次に、図５の前半の工程で製作され、従来
行われていたようにスライスウェーハ８をラップ盤でラ
ッピングを行わずマルチワイヤーソー装置１によりイン
ゴト２から切断され残留うねりのあるスライスウェーハ
８（図６ａ）を用い、このスライスウェーハ８の一表面
にスピンコート装置や刷毛塗り等の塗布手段、例えばス
ピンコート装置（図示せず）によりワックス、フェノー
ル系樹脂等の経時硬化性の膜部材１５を塗布し（図６
ｂ）、しかる後、スライスウェーハ８を真空容器（図示
せず）内に入れ、この真空容器内で押し具、スキージ等
の押圧手段、例えば押し具（図示せず）によって膜部材
１５を押圧し、均一平面の基準面Ｌを作る（図６ｃ）。
このとき、真空容器内で膜部材１５が押圧され、膜部材
１５内の気泡が完全に膜部材１５外に放出されるので、
基準面Ｌを形成する膜部材１５は厚さ２０μｍ〜３５μ
ｍ例えば３０μｍの強固かつ完全な均一平面となる。
行われていたようにスライスウェーハ８をラップ盤でラ
ッピングを行わずマルチワイヤーソー装置１によりイン
ゴト２から切断され残留うねりのあるスライスウェーハ
８（図６ａ）を用い、このスライスウェーハ８の一表面
にスピンコート装置や刷毛塗り等の塗布手段、例えばス
ピンコート装置（図示せず）によりワックス、フェノー
ル系樹脂等の経時硬化性の膜部材１５を塗布し（図６
ｂ）、しかる後、スライスウェーハ８を真空容器（図示
せず）内に入れ、この真空容器内で押し具、スキージ等
の押圧手段、例えば押し具（図示せず）によって膜部材
１５を押圧し、均一平面の基準面Ｌを作る（図６ｃ）。
このとき、真空容器内で膜部材１５が押圧され、膜部材
１５内の気泡が完全に膜部材１５外に放出されるので、
基準面Ｌを形成する膜部材１５は厚さ２０μｍ〜３５μ
ｍ例えば３０μｍの強固かつ完全な均一平面となる。
【００２１】スライスウェーハ８を真空容器外に取り出
し、加熱し、基準面Ｌを形成する膜部材１５を硬化させ
る。次に、基準面Ｌが形成されたスライスウェーハ８の
研削工程を図７に基づき説明する。基準面Ｌが形成され
たスライスウェーハ８を研削装置９のロータリチャック
テーブル１０に基準面Ｌを当接して載置し、真空路１１
を介し真空吸着により強固にロータリチャックテーブル
１０に保持する。このとき、従来はスライスウェーハに
膜部材の基準面が形成されていなかったので、真空吸着
装置の真空吸着によりスライスウェーハは弾性変形を起
こし、この弾性変形が保持されたまま研削が行われるた
め、研削後真空吸着を開放するとスライスウェーハはス
プリングバックによって元に戻り、再びスライスウェー
ハの研削済み表面にうねりが残留する。
し、加熱し、基準面Ｌを形成する膜部材１５を硬化させ
る。次に、基準面Ｌが形成されたスライスウェーハ８の
研削工程を図７に基づき説明する。基準面Ｌが形成され
たスライスウェーハ８を研削装置９のロータリチャック
テーブル１０に基準面Ｌを当接して載置し、真空路１１
を介し真空吸着により強固にロータリチャックテーブル
１０に保持する。このとき、従来はスライスウェーハに
膜部材の基準面が形成されていなかったので、真空吸着
装置の真空吸着によりスライスウェーハは弾性変形を起
こし、この弾性変形が保持されたまま研削が行われるた
め、研削後真空吸着を開放するとスライスウェーハはス
プリングバックによって元に戻り、再びスライスウェー
ハの研削済み表面にうねりが残留する。
【００２２】一方、本発明に係るスライスウェーハ８は
真空吸着装置の真空吸着により強力に吸引されスライス
ウェーハ８に大きな応力がかかるが、スライスウェーハ
８は基準面Ｌがロータリチャックテーブル１０に密着し
ているので、スライスウェーハ８に応力が均一にかかり
スライスウェーハ８に弾性変形が生じない。さらにスラ
イスウェーハ８には剛性を有する膜部材１５が一体的に
強固に形成され保持されているので、スライスウェーハ
８に応力が作用してもスライスウェーハ８に弾性変形は
生じない。スライスウェーハ８がこのような状態に保持
されたロータリチャックテーブル１０を回転させ、上方
からダイヤモンドホイール１３を高速回転させながら降
下させ、スライスウェーハ８が所定の厚さになるまで研
削する（図７ａ）。
真空吸着装置の真空吸着により強力に吸引されスライス
ウェーハ８に大きな応力がかかるが、スライスウェーハ
８は基準面Ｌがロータリチャックテーブル１０に密着し
ているので、スライスウェーハ８に応力が均一にかかり
スライスウェーハ８に弾性変形が生じない。さらにスラ
イスウェーハ８には剛性を有する膜部材１５が一体的に
強固に形成され保持されているので、スライスウェーハ
８に応力が作用してもスライスウェーハ８に弾性変形は
生じない。スライスウェーハ８がこのような状態に保持
されたロータリチャックテーブル１０を回転させ、上方
からダイヤモンドホイール１３を高速回転させながら降
下させ、スライスウェーハ８が所定の厚さになるまで研
削する（図７ａ）。
【００２３】スライスウェーハ８の片面の研削が完了し
研削後真空吸着を開放するがスライスウェーハ８は基準
面を形成する膜部材１５の働きにより、弾性変形し易い
スライスウェーハ８を剛体で支持し、かつ均一に応力を
かけるようにして弾性変形を起こさず、スライスウェー
ハ８にスプリングバックを生じさせない。
研削後真空吸着を開放するがスライスウェーハ８は基準
面を形成する膜部材１５の働きにより、弾性変形し易い
スライスウェーハ８を剛体で支持し、かつ均一に応力を
かけるようにして弾性変形を起こさず、スライスウェー
ハ８にスプリングバックを生じさせない。
【００２４】従って、スライスウェーハ８の研削済みの
表面にうねりは生じず、切削後の高平坦が保たれる。こ
の片面が研削されたスライスウェーハ８の基準面Ｌを形
成していた膜部材１５を有機溶剤により除去する（図７
ｂ）。
表面にうねりは生じず、切削後の高平坦が保たれる。こ
の片面が研削されたスライスウェーハ８の基準面Ｌを形
成していた膜部材１５を有機溶剤により除去する（図７
ｂ）。
【００２５】次に、研削された片面を新たな基準面Ｌ’
とし、スライスウェーハ８を研削装置９のロータリチャ
ックテーブル１０に基準面Ｌ’を当接して載置し、真空
路１１を介し真空吸着により強固にロータリチャックテ
ーブル１０に保持する。
とし、スライスウェーハ８を研削装置９のロータリチャ
ックテーブル１０に基準面Ｌ’を当接して載置し、真空
路１１を介し真空吸着により強固にロータリチャックテ
ーブル１０に保持する。
【００２６】このとき、スライスウェーハ８は真空吸着
装置の真空吸着により強力に吸引されスライスウェーハ
８に大きな応力がかかるが、スライスウェーハ８の新た
な基準面Ｌ’は均一に研削されており、ロータリチャッ
クテーブル１０に密着しているので、スライスウェーハ
８に応力が均一にかかりスライスウェーハ８に弾性変形
が生じない。
装置の真空吸着により強力に吸引されスライスウェーハ
８に大きな応力がかかるが、スライスウェーハ８の新た
な基準面Ｌ’は均一に研削されており、ロータリチャッ
クテーブル１０に密着しているので、スライスウェーハ
８に応力が均一にかかりスライスウェーハ８に弾性変形
が生じない。
【００２７】その後、上述同様スライスウェーハ８が保
持されたロータリチャックテーブル１０を回転させ、上
方からダイヤモンドホイール１３を高速回転させながら
降下させ、当初膜部材１５が塗布され、その後除去され
た未研削面をスライスウェーハ８が所定の厚さになるま
で研削する。
持されたロータリチャックテーブル１０を回転させ、上
方からダイヤモンドホイール１３を高速回転させながら
降下させ、当初膜部材１５が塗布され、その後除去され
た未研削面をスライスウェーハ８が所定の厚さになるま
で研削する。
【００２８】スライスウェーハ８の他の片面の研削が完
了し研削後真空吸着を開放するが、新たな基準面が高平
坦であるので、均一に応力がかかり、スライスウェーハ
８に弾性変形が生じていないので、スプリングバックも
生じず、加工面の平坦度が保たれる（図７ｃ）。
了し研削後真空吸着を開放するが、新たな基準面が高平
坦であるので、均一に応力がかかり、スライスウェーハ
８に弾性変形が生じていないので、スプリングバックも
生じず、加工面の平坦度が保たれる（図７ｃ）。
【００２９】さらに、超高平坦度の半導体ウェーハを必
要とする場合には、スライスウェーハ８を研磨装置（図
示せず）によって両面研磨しすれば得られる。
要とする場合には、スライスウェーハ８を研磨装置（図
示せず）によって両面研磨しすれば得られる。
【００３０】この半導体ウェーハの製造方法において
は、スライスウェーハの一表面に膜部材の基準面を形成
し、研削装置のロータリーチャックテーブルの基準面と
前記スライスウェーハの基準面が当接するように前記ロ
ータリーチャックテーブルに前記スライスウェーハを載
置し、しかるのち前記スライスウェーハの他表面を研削
することにより、大型のラップ盤を必要とせず、大口径
の半導体ウェーハを安価かつ高平坦度に製造することが
できる。
は、スライスウェーハの一表面に膜部材の基準面を形成
し、研削装置のロータリーチャックテーブルの基準面と
前記スライスウェーハの基準面が当接するように前記ロ
ータリーチャックテーブルに前記スライスウェーハを載
置し、しかるのち前記スライスウェーハの他表面を研削
することにより、大型のラップ盤を必要とせず、大口径
の半導体ウェーハを安価かつ高平坦度に製造することが
できる。
【００３１】なお、本スライスウェーハの製造工程中、
図８のように膜部材１５中に砥粒１６を混入しておき、
膜部材１５の除去を研削によって行えば、研削砥石のド
レッシングを行うドレッシングボードとして機能させる
ことができる。
図８のように膜部材１５中に砥粒１６を混入しておき、
膜部材１５の除去を研削によって行えば、研削砥石のド
レッシングを行うドレッシングボードとして機能させる
ことができる。
【００３２】
［従来例］図９は従来の半導体ウェーハ製造方法により
製造し、後工程で両面研磨した直径３００ｍｍ、厚さ１
１００μｍのスライスウェーハを平坦度測定装置で測定
したときの平坦度測定結果の鳥瞰図であり、後工程で研
磨したにもかかわらず、図９ａ、９ｂからスライスウェ
ーハ８の中央部付近にうねりの残留が存在することが判
る。平坦度測定結果のＳ−ＴＩＲ平均値０．９００μｍ
は、要求値（平均値）Ｓ−ＴＩＲ０．２０μｍを大きく
超えている。
製造し、後工程で両面研磨した直径３００ｍｍ、厚さ１
１００μｍのスライスウェーハを平坦度測定装置で測定
したときの平坦度測定結果の鳥瞰図であり、後工程で研
磨したにもかかわらず、図９ａ、９ｂからスライスウェ
ーハ８の中央部付近にうねりの残留が存在することが判
る。平坦度測定結果のＳ−ＴＩＲ平均値０．９００μｍ
は、要求値（平均値）Ｓ−ＴＩＲ０．２０μｍを大きく
超えている。
【００３３】従って、従来の半導体ウェーハ製造方法に
より製造したスライスウェーハが要求値をクリヤーする
には、マルチワイヤーソー装置１によるスライスウェー
ハ８の製作後、研削装置９による研削前に、ラップ盤に
よるスライスウェーハ８のラッピングが必要なことがわ
かる。
より製造したスライスウェーハが要求値をクリヤーする
には、マルチワイヤーソー装置１によるスライスウェー
ハ８の製作後、研削装置９による研削前に、ラップ盤に
よるスライスウェーハ８のラッピングが必要なことがわ
かる。
【００３４】［本発明］図１０は本発明係る半導体ウェ
ーハ製造方法により製造し、後工程で両面研磨した直径
３００ｍｍ、厚さ１１００μｍの半導体ウェーハを平坦
度測定装置で測定したときの平坦度測定結果の鳥瞰図で
ある。図１０ａ、１０ｂのようにうねりの残留が見られ
ず、Ｓ−ＴＩＲ（平均値）０．１８μｍと要求値（平均
値）Ｓ−ＴＩＲ０．２０μｍをクリヤーする値が得られ
た。従って、本発明に係る半導体ウェーハ製造方法によ
り製造したスライスウェーハは、マルチワイヤーソー装
置１によるスライスウェーハ８の製作後、研削装置９に
よる研削前に、ラップ盤によるスライスウェーハ８のラ
ッピングを行わなくとも、要求値をクリヤーしているこ
とがわかる。
ーハ製造方法により製造し、後工程で両面研磨した直径
３００ｍｍ、厚さ１１００μｍの半導体ウェーハを平坦
度測定装置で測定したときの平坦度測定結果の鳥瞰図で
ある。図１０ａ、１０ｂのようにうねりの残留が見られ
ず、Ｓ−ＴＩＲ（平均値）０．１８μｍと要求値（平均
値）Ｓ−ＴＩＲ０．２０μｍをクリヤーする値が得られ
た。従って、本発明に係る半導体ウェーハ製造方法によ
り製造したスライスウェーハは、マルチワイヤーソー装
置１によるスライスウェーハ８の製作後、研削装置９に
よる研削前に、ラップ盤によるスライスウェーハ８のラ
ッピングを行わなくとも、要求値をクリヤーしているこ
とがわかる。
【００３５】
【発明の効果】以上に述べたように本発明に係る半導体
ウェーハの製造方法において、切断表面に凹凸、うねり
のあるスライスウェーハの表面に膜部材で基準面を形成
し、スライスウェーハ研削時、スライスウェーハ保持の
ためスライスウェーハにかかる応力をなくして応力変形
をなくし、加工後に高平坦度を得ることができ、大型の
ラップ盤等を必要とせず安価に半導体ウェーハを製造で
き、かつ高平坦度の大口径半導体ウェーハが得られる半
導体ウェーハの製造方法を提供することができる。
ウェーハの製造方法において、切断表面に凹凸、うねり
のあるスライスウェーハの表面に膜部材で基準面を形成
し、スライスウェーハ研削時、スライスウェーハ保持の
ためスライスウェーハにかかる応力をなくして応力変形
をなくし、加工後に高平坦度を得ることができ、大型の
ラップ盤等を必要とせず安価に半導体ウェーハを製造で
き、かつ高平坦度の大口径半導体ウェーハが得られる半
導体ウェーハの製造方法を提供することができる。
【００３６】またさらに、膜部材中に砥粒を混入してお
き、膜部材の除去を研削によって行えば、研削砥石のド
レッシングを行うドレッシングボードとして機能させる
ことができ効率的に半導体ウェーハの製造をすることが
できる。
き、膜部材の除去を研削によって行えば、研削砥石のド
レッシングを行うドレッシングボードとして機能させる
ことができ効率的に半導体ウェーハの製造をすることが
できる。
【図１】マルチワイヤーソー装置の概略図。
【図２】研削装置による従来のスライスウェーハの研磨
工程示す概略図。
工程示す概略図。
【図３】半導体ウェーハの凹凸形状のモデル図。
【図４】従来の製造方法により製造され平面測定装置に
より測定されたスライスウェーハの研削後の残留うねり
を示す鳥瞰図。
より測定されたスライスウェーハの研削後の残留うねり
を示す鳥瞰図。
【図５】本発明に係る半導体ウェーハの製造方法の実施
態様の工程図。
態様の工程図。
【図６】本発明に係る半導体ウェーハの製造方法の主要
部分の一表面の概念図。
部分の一表面の概念図。
【図７】本発明に係る半導体ウェーハの製造方法の概略
図。
図。
【図８】本発明に係る半導体ウェーハの製造方法の要部
の他の実施形態を示す断面図。
の他の実施形態を示す断面図。
【図９】従来の半導体ウェーハの製造方法により製造さ
れ研磨された半導体ウェーハの鳥瞰図及び平面図。
れ研磨された半導体ウェーハの鳥瞰図及び平面図。
【図１０】本発明に係る半導体ウェーハの製造方法によ
り製造され研磨された半導体ウェーハの鳥瞰図及び平面
図。
り製造され研磨された半導体ウェーハの鳥瞰図及び平面
図。
１ マルチワイヤーソー装置装置 ２ インゴット ３ ワイヤー列 ３’ ワイヤー ４ ローラー ５ スラリー ６ フィードユニット ７ カーボンベース ８ スライスウェーハ ９ 研削装置 １０ ロータリチャックテーブル １１ 真空路 １２ 砥石軸駆動モータ軸 １３ ダイヤモンドホイール １４ ダイヤモンドチップ １５ 膜部材 １６ 砥粒 Ｌ 基準面 Ｌ’ 基準面
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体インゴットを切削装置により切断
しスライスウェーハを製作する工程と、このスライスウ
ェーハの一表面に膜を形成し硬化する膜部材を塗布する
工程と、 この膜部材を押圧しスライスウェーハの一表面に平面形
状の基準面を形成する工程と、 研削装置のテーブルの基準面と前記スライスウェーハの
基準面が当接するように前記テーブルに前記スライスウ
ェーハを載置し、しかるのち前記スライスウェーハの他
表面を研削する工程とよりなることを特徴とする半導体
ウェーハの製造方法。 - 【請求項２】 半導体インゴットを切削装置により切断
しスライスウェーハを製作する工程と、このスライスウ
ェーハの一表面に膜を形成し硬化する膜部材を塗布する
工程と、 この膜部材を押圧しスライスウェーハの一表面に平面形
状の基準面を形成する工程と、 研削装置のテーブルの基準面と前記スライスウェーハの
基準面が当接するように前記テーブルに前記スライスウ
ェーハを載置し、しかるのち前記スライスウェーハの他
表面を研削する工程と、前記工程により研削されたスラ
イスウェーハの他表面を研削装置のテーブルの基準面に
当接するように前記テーブルに載置し、前記スライスウ
ェーハの未研削の一表面を研削する工程とよりなること
を特徴とする半導体ウェーハの製造方法。 - 【請求項３】 切削装置がマルチワイヤーソー装置であ
ることを特徴とする請求項１または２記載の半導体ウェ
ーハの製造方法。 - 【請求項４】 切削装置が内周刃式スライシングマシン
であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体
ウェーハの製造方法。 - 【請求項５】 膜部材がワックスであることを特徴とす
る請求項１または２記載の半導体ウェーハの製造方法。 - 【請求項６】 膜部材がフェノール樹脂であることを特
徴とする請求項１または２記載の半導体ウェーハの製造
方法。 - 【請求項７】 膜部材に砥粒を混入し加熱固着すること
を特徴とする請求項５または６記載の半導体ウェーハの
製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27476097A JP3924641B2 (ja) | 1997-10-07 | 1997-10-07 | 半導体ウェーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27476097A JP3924641B2 (ja) | 1997-10-07 | 1997-10-07 | 半導体ウェーハの製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11111653A true JPH11111653A (ja) | 1999-04-23 |
| JP3924641B2 JP3924641B2 (ja) | 2007-06-06 |
Family
ID=17546205
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27476097A Expired - Fee Related JP3924641B2 (ja) | 1997-10-07 | 1997-10-07 | 半導体ウェーハの製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3924641B2 (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001176828A (ja) * | 1999-12-15 | 2001-06-29 | Fujitsu Ltd | 半導体基板及び半導体装置の製造方法 |
| WO2002035593A1 (fr) * | 2000-10-26 | 2002-05-02 | Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. | Procede de production de plaquettes, appareil de polissage et plaquette |
| JP2002203828A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Lintec Corp | ウエハの裏面研削方法 |
| US6987054B2 (en) | 1998-02-27 | 2006-01-17 | Fujitsu Limited | Method of fabricating a semiconductor device having a groove formed in a resin layer |
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| CN110465846A (zh) * | 2019-07-25 | 2019-11-19 | 江苏吉星新材料有限公司 | 一种大尺寸蓝宝石衬底晶圆片的面型修复方法 |
| JPWO2019163017A1 (ja) * | 2018-02-21 | 2021-02-04 | 株式会社Sumco | ウェーハの製造方法 |
-
1997
- 1997-10-07 JP JP27476097A patent/JP3924641B2/ja not_active Expired - Fee Related
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