JPWO2019163017A1 - ウェーハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
また、上記特許文献2では、樹脂貼り研削と平面研削とをこの順序で繰り返すことで、うねりは除去されるが、ウェーハの両面の研削を繰り返すため、最低でも4回の研削工程が必要であり、生産性が低いという問題があった。
具体的には、スライス後にウェーハの第二面を硬化性材料でコーティングして第一面を平面研削し、第二面の硬化性材料を除去した後に、第一面を硬化性材料でコーティングして第二面を平面研削する。さらに第一面の硬化性材料を除去した後、第一面を平面研削する。このような工程により、生産性を落とすことなくナノトポグラフィーの品質が改善できる。
なお、スライス工程S1と第1の樹脂貼り研削工程S2との間には、ラッピング工程が行われることもある。また、ウェーハの外縁上を面取りする工程は特に示していないが、面取りする工程は、スライス工程S1の後に一次面取りを行い、第3の平面研削工程S4の後に一次面取りより面取り量の大きな2次面取りを行うなどスライス工程S1の後から第3の平面研削工程S4の後までの間どこの工程の間で行っても、また、複数回行ってもよい。
樹脂貼り研削工程をウェーハの表面、裏面に複数回に分けることで、ウェーハ表面のナノトポグラフィー特性が満足される。すなわち、1回の樹脂貼り研削でナノトポグラフィーを改善するためには、ウェーハに存在するうねり成分を全て除去することは困難であるが、樹脂貼り研削を繰り返すことにより、繰り返す毎にナノトポグラフィー特性が改善されることを知見した。このように、繰り返し樹脂貼り研削を施すことにより、ウェーハ表面のうねりが軽減され、ウェーハ表面のナノトポグラフィー特性を向上させることができる。
図2(A)は、固定砥粒ワイヤーソーでスライスされたウェーハWの状態を示す。
スライスには、図示しない公知のマルチワイヤーソー装置が用いられ、インゴットから一度に複数枚のウェーハWを製造することができる。マルチワイヤーソー装置は、ワイヤーをガイドする溝が複数設けられたガイドローラとワイヤーを回転させるためのローラにまたがり、極細鋼線のワイヤーが複数巻き付けてある。ローラを高速回転させて、ガイドローラとローラの間に露出した複数のワイヤーに被切断物を押しあてて被切断物を複数枚に切断する装置である。
マルチワイヤーソー装置には、切断するための砥粒の使い方によって固定砥粒方式と遊離砥粒方式とがある。固定砥粒方式は、ダイヤモンド砥粒などを蒸着などにより付着させた鋼線をワイヤーに使用する。遊離砥粒方式は、ワイヤーに砥粒と油剤を混ぜたスラリーをかけながら使用する。固定砥粒方式は、砥粒を固着させたワイヤー自体が被切断物を切断するため、切断時間が短く生産性にすぐれる。また、スラリーを使用しないために切断後の切り屑の混じったスラリーを廃棄する必要がないため、環境にも優しく経済的である。
本実施形態には、どちらの方式を使用しても可能であるが、環境面、経済面で有利な固定砥粒方式が望ましい。なお、固定砥粒ワイヤーソーを用いた場合、ウェーハ表面に与える加工ダメージが大きく、切断後のウェーハ表面に発生するうねりも大きくなるため、よりナノトポグラフィーが悪化する問題があるが、本発明の加工方法を用いることにより、ナノトポグラフィー特性に優れる、すなわち、ナノトポグラフィーの値が小さいウェーハを製造することができる。
例えば、第1の樹脂貼り研削工程S2と第2の樹脂貼り研削工程S3とをこの順序で3回繰り返してから、第3の平面研削工程S4を行う場合、それぞれの研削での取代は、1回目の第1の平面研削工程S22では15〜30μm、1回目の第2の平面研削工程S32では20〜40μm、2回目の第1の平面研削工程S22では5〜10μm、2回目および3回目の第2の平面研削工程S32、3回目の第1の平面研削工程S22では5〜10μmそれぞれ研削すればよい。第3の平面研削工程S4を経たウェーハWは両面とも高平坦化され、回を重ねる毎にナノトポグラフィー特性が改善される。樹脂貼り研削の回数は、3回(第1の樹脂貼り研削工程S2を2回、第2の樹脂貼り研削工程S3を1回)以上、必要とされるナノトポグラフィー特性に応じて決定すればよい。
本発明の実施例1に係る各工程でのウェーハの状態を図4に示す。図4を基に実施例1の加工工程を説明する。
図4(A)に示すように、スライス工程S1後のウェーハWの第二面W2に、図4(B)に示すように、UV硬化性樹脂を塗布して硬化させ、平坦な基準面RH11を有する第1の塗布層RH1を形成した(第1の塗布層形成工程S21)。なお、第1の塗布層RH1を第二面W2に形成したが、最初に、第一面W1に形成してもかまわない。第1の塗布層RH1を第一面W1に形成した場合は、以下の説明で、第二面W2と第一面W1とが入れ替わることとする。
次に、第1の塗布層RH1の基準面RH11が真空チャックテーブル21で吸引保持されたウェーハWの第一面W1を、1回目の取代として15μm(破線P1の面)まで平面研削した(第1の平面研削工程S22)後、図4(C)に示すように、第1の塗布層RH1を引き剥がした(第1の塗布層除去工程S23)。
以上、全工程を終了し、図4(H)に示すように、両面ともに高平坦化された実施例1のウェーハWが得られた。
比較例1に係る各工程でのウェーハの状態を図5に示す。比較例1は実施例1で行った第1の樹脂貼り研削工程S2、第2の樹脂貼り研削工程S3および第3の平面研削工程S4のうち、第2の塗布層形成工程S31、第2の塗布層除去工程S33および第3の平面研削工程S4を除く工程を行ったものである。
図5(A)から図5(D)は、第2の樹脂貼り研削工程S3のうち、第2の塗布層形成工程S31を行わない以外、図4(A)から図4(D)に対応する。図5(A)から図5(D)の工程の後、図5(D)に示すように、第1の平面研削工程S22を行った第一面W1が真空チャックテーブル21で吸引保持されたウェーハWの第二面W2を、破線P2の面まで平面研削し(第2の平面研削工程S32)、図5(E)に示すような比較例1のウェーハWが得られた。取代は、第1の平面研削工程S22で20μm、第2の平面研削工程S32で20μmとして研削した。
比較例2に係る各工程でのウェーハの状態を図6に示す。比較例2は比較例1を2回繰り返す場合であり、さらに繰り返してもよい。
まず、図5(A)から図5(E)に示すような比較例1の工程を行う。なお、比較例2では、第1の平面研削工程S22および第2の平面研削工程S32での取代を15μmとした。
その後、図6(F)に示すように、ウェーハWを反転し(反転工程)、図6(G)に示すように、ウェーハWの第二面W2にUV硬化性樹脂で第2の塗布層RH2を形成した(第2の塗布層形成工程)。そして、第2の塗布層RH2の基準面RH21が真空チャックテーブル21で吸引保持されたウェーハWの第一面W1を、3回目の取代として5μm(破線P3の面)まで平面研削した(第3の平面研削工程)後、図6(H)に示すように第2の塗布層RH2を引き剥がした(第2の塗布層除去工程)。この後、図6(I)に示すように、第3の平面研削を行った第一面W1が真空チャックテーブル21で吸引保持されたウェーハWの第二面W2を、4回目の取代として5μm(破線P4の面)まで平面研削し(第4の平面研削工程)、図6(J)にしめすような比較例2のウェーハWが得られた。
実施例1と比較例1,2で得られた各ウェーハWの表面形状が、その後に行われる鏡面研磨処理後のウェーハ表面におけるナノトポグラフィーにどのような影響を与えるのかを調査した。
具体的には、まず、実施例1と比較例1、2で得られた各ウェーハWそれぞれに対して、共通の鏡面研磨処理として、両面研磨装置を用いて各ウェーハの表裏面に同一条件の粗研磨処理を施した後、片面研磨装置を用いて各ウェーハ表面に同一条件の仕上げ研磨処理を施して、各ウェーハWの表面が鏡面研磨されたウェーハを作成した。図7は、鏡面研磨された各ウェーハ表面を光学干渉式の平坦度測定装置(KLA Tencor社:Wafersight2)を用いて各ウェーハ表面の高さ分布(高低差)を測定したナノトポグラフィーマップであり、鏡面研磨処理後の各ウェーハの測定結果をフィルタリング処理して長波長成分を除去した後、ナノトポグラフィーの測定結果を濃淡色で図示化したものである。図7に記載される高低差の図は、ナノトポグラフィーの高低差を表す図であって、濃い色になるほど高度が低く、一番濃い部分は中心高度から−20nmになり、薄い色になるほど高度は高く、一番薄い部分は中心高度から+20nmになっている。最低高度から最高高度までの高低差は40nmとなる。なお、ナノトポグラフィーの測定は、ウェーハの外縁の任意の3点を固定して測定した。従って、ナノトポグラフィーマップは、ウェーハを非吸着の状態での表面の高低差を表している。
評価試験1と同様に、各ウェーハWの表面形状が鏡面研磨処理後のウェーハ表面のナノトポグラフィーにどのような影響を与えるのかを調査した。
本試験では、実施例1、比較例1,2と同条件のウェーハWをそれぞれ複数枚製造し、その複数のウェーハWそれぞれについて、評価試験1と同条件の鏡面研磨処理(両面研磨装置を用いた粗研磨処理+片面研磨装置を用いた仕上げ研磨処理)を施して、各ウェーハWの表面が鏡面研磨されたウェーハWを作成した。図8は、鏡面研磨された各ウェーハWの表面を光学干渉式の平坦度測定装置(KLA Tencor社:Wafersight2)を用いて各ウェーハWの表面のウィンドウサイズ10mmのナノトポグラフィーを測定し、個々のグラフに表したものである。
Claims (5)
- 単結晶インゴットをワイヤーソー装置を用いてスライスして得られたウェーハを研削するウェーハの製造方法であって、
第1の樹脂貼り研削工程と、第2の樹脂貼り研削工程と、第3の平面研削工程とを備え、
前記第1の樹脂貼り研削工程は、
前記ウェーハの第二面全体に硬化性材料を塗布して平坦な第1の塗布層を形成する第1の塗布層形成工程と、
前記第1の塗布層が研削装置のテーブルの基準面に当接するように前記ウェーハを前記テーブルに載置し、続いて前記研削装置により前記ウェーハの第一面を平面研削する第1の平面研削工程と、
前記第1の平面研削工程後の前記第1の塗布層を前記ウェーハの第二面から除去する第1の塗布層除去工程とを備え、
前記第2の樹脂貼り研削工程は、
前記ウェーハの第一面全体に硬化性材料を塗布して平坦な第2の塗布層を形成する第2の塗布層形成工程と、
前記第2の塗布層が研削装置のテーブルの基準面に当接するように前記ウェーハを前記テーブルに載置し、続いて前記研削装置により前記ウェーハの第二面を平面研削する第2の平面研削工程と、
前記第2の平面研削工程後の前記第2の塗布層を前記ウェーハの第一面から除去する第2の塗布層除去工程とを備え、
前記第3の平面研削工程は、
最後に平面研削を行った面が研削装置のテーブルの基準面に当接するように前記ウェーハを前記テーブルに載置し、続いて前記研削装置により前記ウェーハにおける前記基準面に当接している面の反対側の面を平面研削するウェーハの製造方法。 - 前記第2の樹脂貼り研削工程と前記第3の平面研削工程との間に、
さらに前記第1の樹脂貼り研削工程のみを行うか、または、
さらに前記第1の樹脂貼り研削工程および前記第2の樹脂貼り研削工程を当該順序で少なくとも1回繰り返して行うか、または、
さらに前記第1の樹脂貼り研削工程および前記第2の樹脂貼り研削工程を当該順序で少なくとも1回繰り返して行い、最後に前記第1の樹脂貼り研削工程を行う請求項1に記載のウェーハの製造方法。 - 前記第1の樹脂貼り研削工程での研削量が前記第3の平面研削工程での研削量以上である請求項1に記載のウェーハの製造方法。
- 前記ワイヤーソー装置が固定砥粒ワイヤーを用いたスライス方式である請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のウェーハの製造方法。
- 前記ウェーハの直径が300mm以上である請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のウェーハの製造方法。
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