CN111758152B - 晶片的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的晶片的制造方法具备第1树脂粘贴磨削工序、第2树脂粘贴磨削工序及第3平面磨削工序，第1树脂粘贴磨削工序具备：第1涂层形成工序，在晶片的整个第二面形成第1涂层；第1平面磨削工序，以第1涂层抵接于工作台的基准面的方式载置晶片并且平面磨削晶片的第一面；以及第1涂层去除工序,去除第1涂层，第2树脂粘贴磨削工序具备：第2涂层形成工序,在整个第一面形成第2涂层；第2平面磨削工序,以第2涂层抵接于工作台的基准面的方式载置晶片并且平面磨削第二面；以及第2涂层去除工序，去除第2涂层，在第3平面磨削工序中，以最后进行平面磨削的面抵接于工作台的基准面的方式载置晶片，并且平面磨削晶片中的与抵接于基准面的面相反的一侧的面。

Description

晶片的制造方法
技术领域
本发明涉及一种晶片的制造方法。
背景技术
以往，关于晶片，为了以照相雕刻制作细微的图案，要求对晶片正面进行平坦化。尤其被称作“纳米形貌”的正面起伏具有波长λ=0.2mm～20mm的成分，是PV值（Peak toValley值：峰谷值）0.1μm～0.2μm以下的起伏，最近，提出通过降低该纳米形貌提高晶片的平坦度的技术（例如，参考专利文献1及专利文献2）。
专利文献1的制造方法包括以树脂覆盖从锭切出的晶片的整个第一面的树脂涂布工序以及保持晶片的第一面且磨削晶片的第二面，然后保持晶片的第二面且磨削晶片的第一面的工序。
专利文献2的制造方法中，在晶片的第二面涂布固化性树脂，将该固化性树脂加工至平坦并使其固化后，保持固化性树脂的平坦面，磨削晶片的第一面，然后，去除固化性树脂。并且，以下，有时将该技术称作“树脂粘贴磨削”。接着，保持树脂粘贴磨削后的晶片的第一面，磨削第二面。然后，反覆进行树脂粘贴磨削以及通过该树脂粘贴磨削未被磨削的面的平面磨削。
另一方面，作为将单晶锭切片的方法，为了可靠地向单晶锭的圆筒中心附近供给磨粒，不采用向线材供给包含磨粒的切削液的游离磨粒方式，而是采用通过线材外周面固定有磨粒的固定磨粒线锯切片的方式（例如，专利文献3）。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平08-066850号公报
专利文献2：日本特开2015-008247号公报
专利文献3：日本特开2010-074056号公报。
发明内容
发明所要解决的技术问题
上述专利文献1所示的基于树脂涂布处理的磨削工序中，由于维持晶片的起伏、弯曲的状态下进行树脂涂布处理，因此有因由树脂厚度差异引起的树脂部的弹性变形量大小而导致起伏残留的问题。
并且，上述专利文献2中，通过将树脂粘贴磨削与平面磨削以该顺序重复进行，虽然可去除起伏，但由于重复进行晶片的双面磨削，因此最低也需要进行4次磨削工序，从而有生产率低的问题。
并且，以往即使在晶片正面残留有起伏，也会以在利用在树脂涂布工序中涂布于晶片正面上的树脂制造出平坦的基准面的状态下去除起伏的方式进行磨削处理，因此未将进行切片时的晶片的正面状态视为问题。但是，根据本发明的发明人的实验，发现即使进行如专利文献1中所记载的树脂涂布处理，镜面抛光处理后的晶片正面的纳米形貌品质也不充分。
而且，发现如专利文献3所示，在切片工序中，当使用固定磨粒线材时，对晶片的加工损伤很大，在切断后的晶片正面上发生的起伏也变得非常大，因此有纳米形貌更恶化的问题。
本发明的目的在于提供一种能够在不降低生产率的条件下制造出纳米形貌特性优异的晶片的晶片制造方法。
用于解决技术问题的方案
本发明的发明人为了达成上述目的而进行深入研讨的结果，发现当在晶片的正面上涂布固化性材料并进行平面磨削时，相较于仅对单面进行涂布固化性材料后的第1次平面磨削，对相反面也进行涂布固化性材料后的第2次平面磨削，进一步进行对于第1次的磨削面的第3次平面磨削，由此生产率高且最终得到的晶片的纳米形貌品质变良好，从而完成了本发明。
具体而言，切片后以固化性材料涂布晶片的第二面，平面磨削第一面，去除第二面的固化性材料后，以固化性材料涂布第一面，平面磨削第二面。进一步去除第一面的固化性材料后，平面磨削第一面。通过进行这种工序，能够在不降低生产率的条件下改善纳米形貌品质。
本发明的第1观点是磨削使用线锯装置将单晶锭切片而得到的晶片的晶片的制造方法，该晶片的制造方法具备第1树脂粘贴磨削工序、第2树脂粘贴磨削工序及第3平面磨削工序，所述第1树脂粘贴磨削工序具备：第1涂层形成工序，在所述晶片的整个第二面涂布固化性材料而形成平坦的第1涂层；第1平面磨削工序，以所述第1涂层抵接于磨削装置的工作台的基准面的方式，将所述晶片载置于所述工作台，接着通过所述磨削装置平面磨削所述晶片的第一面；以及第1涂层去除工序，从所述晶片的第2面去除所述第1平面磨削工序后的所述第1涂层，所述第2树脂粘贴磨削工序具备：第2涂层形成工序，在所述晶片的整个第一面涂布固化性材料而形成平坦的第2涂层；第2平面磨削工序，以所述第2涂层抵接于磨削装置的工作台的基准面的方式，将所述晶片载置于所述工作台，接着以所述磨削装置平面磨削所述晶片的第二面；以及第2涂层去除工序，从所述晶片的第一面去除所述第2平面磨削工序后的所述第2涂层，在所述第3平面磨削工序中，以最后进行平面磨削的面抵接于磨削装置的工作台的基准面的方式，将所述晶片载置于所述工作台，接着通过所述磨削装置平面磨削所述晶片中的与抵接于所述基准面的面相反的一侧的面。
根据本发明的第1观点，能够在不降低生产率的条件下制造出纳米形貌品质优异的晶片。
本发明的第2观点是基于第1观点的发明，是在所述第2树脂粘贴磨削工序与所述第3平面磨削工序之间，进一步仅进行所述第1树脂粘贴磨削工序，或进一步将所述第1树脂粘贴磨削工序以及所述第2树脂粘贴磨削工序以该顺序至少重复进行1次，或进一步将所述第1树脂粘贴磨削工序以及所述第2树脂粘贴磨削工序以该顺序至少重复进行1次，最后进行所述第1树脂粘贴磨削工序的晶片的制造方法。
根据本发明的第2观点，通过进行多次第1树脂粘贴磨削工序、第2树脂粘贴磨削工序，能够制造出纳米形貌品质更优异的晶片。
本发明的第3观点是所述第1树脂粘贴磨削工序中的磨削量为所述第3平面磨削工序中的磨削量以上的晶片的制造方法。
本发明的第3观点中，通过将所述第1树脂粘贴磨削工序中的磨削量设为所述第3平面磨削工序中的磨削量以上，即使总磨削的余量少也能够制造出纳米形貌品质优异的晶片。
本发明的第4观点是基于第1～第3观点的发明，是所述线锯装置是使用固定磨粒线材的切片方式的晶片的制造方法。
根据本发明的第4观点，尤其即使在使用利用固定磨粒方式的线锯装置而切断的起伏大的晶片的情况下，也能够通过本制造方法尽量降低起伏，并且能够制造出纳米形貌品质优异的晶片。
本发明的第5观点是基于第1～第4观点的发明，是所述晶片的直径为300mm以上，尤其是450mm以上的晶片的制造方法。
根据本发明的第5观点，在晶片的直径为300mm以上，尤其为450mm以上时，也通过本发明所涉及的晶片的制造方法，即使总磨削的余量少也能够制造出纳米形貌品质优异的晶片。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式所涉及的晶片的制造方法的概略工序的流程图。
图2是所述晶片的制造方法的说明图。
图3是所述晶片的制造方法的说明图，表示后续于图2的状态。
图4是本发明的实施例1所涉及的晶片的制造方法的说明图。
图5是本发明的比较例1及比较例2所涉及的晶片的制造方法的说明图。
图6是所述比较例2中的晶片的制造方法的说明图，表示后续于图5的状态。
图7是实施例1以及比较例1、2的镜面抛光后的纳米形貌图。
图8是示出实施例1以及比较例1、2的纳米形貌结果的图。
具体实施方式
接着根据附图对用于实施本发明的方式进行说明。
如图1所示，晶片的制造方法具备：切片工序S1，利用线锯装置将单晶锭切片而得到薄圆板状的晶片；第1树脂粘贴磨削工序S2；第2树脂粘贴磨削工序S3；以及第3平面磨削工序S4。第1树脂粘贴磨削工序S2具备：第1涂层形成工序S21，在晶片的整个第二面涂布固化性材料而形成平坦的第1涂层；第1平面磨削工序S22，以第1涂层抵接于磨削装置的工作台的基准面的方式，将晶片载置于工作台，接着以磨削装置平面磨削晶片的第一面；以及第1涂层去除工序S23，从晶片的第2面去除第1平面磨削工序S22后的第1涂层。第2树脂粘贴磨削工序S3具备：第2涂层形成工序S31，在晶片的整个第一面涂布固化性材料而形成平坦的第2涂层；第2平面磨削工序S32，以第2涂层抵接于磨削装置的工作台的基准面的方式，将晶片载置于工作台，接着以磨削装置平面磨削晶片的第二面；以及第2涂层去除工序S33，从晶片的第一面去除第2平面磨削工序S32后的第2涂层。在所述第3平面磨削工序S4中，以最后进行平面磨削的面抵接于磨削装置的工作台的基准面的方式，将晶片载置于工作台，接着以磨削装置平面磨削晶片中的与抵接于基准面的面相反的一侧的面。
另外，有时在切片工序S1与第1树脂粘贴磨削工序S2之间还进行研磨工序。并且，虽然并未示出在晶片的外缘上进行倒角的工序，但倒角的工序可以在从切片工序S1后到第3平面磨削工序S4后之间的任何工序之间进行，并且进行多次（例如在切片工序S1后进行一次倒角，在第3平面磨削工序S4后进行倒角量大于一次倒角的2次倒角等）。
并且，本实施方式的晶片的制造方法中，优选第1树脂粘贴磨削工序S2与第2树脂粘贴磨削工序S3至少各进行1次。例如，在第2树脂粘贴磨削工序S3与第3平面磨削工序S4之间，可以进一步仅进行第1树脂粘贴磨削工序S2，也可以进一步将第1树脂粘贴磨削工序S2及第2树脂粘贴磨削工序S3以该顺序至少重复进行1次，也可以进一步将第1树脂粘贴磨削工序S2及第2树脂粘贴磨削工序S3以该顺序至少重复进行1次，最后进行第1树脂粘贴磨削工序S2。另外，在第3平面磨削工序S4中平面磨削在即将进行该第3平面磨削工序S4之前进行的第1树脂粘贴磨削工序S2或第2树脂粘贴磨削工序S3中未被平面磨削的面。
通过对晶片的正面及背面分开进行多次树脂粘贴磨削工序，满足晶片正面的纳米形貌特性。即，发现为了以1次树脂粘贴磨削改善纳米形貌，虽然难以去除在晶片上存在的所有的起伏成分，但通过重复进行树脂粘贴磨削，每次重复进行时纳米形貌特性得到改善。如此，通过重复实施树脂粘贴磨削，减轻晶片正面的起伏，能够提高晶片正面的纳米形貌特性。
接着，参考图2对晶片的制造方法进行详细说明。
图2（A）表示利用固定磨粒线锯切片的晶片W的状态。
切片使用未图示的众所周知的多线锯装置，能够从锭一次制造出多片晶片W。多线锯装置中，跨设置有多个引导线材的槽的导辊与用于旋转线材的滚轮地缠绕有多个极细纲线的线材。多线锯装置是使滚轮高速旋转，将被切断物推到导辊与滚轮之间露出的多个线材上，从而将被切断物切断成多片的装置。
关于多线锯装置，根据用于切断的磨粒的使用方法，有固定磨粒方式与游离磨粒方式。固定磨粒方式中，将通过气相沉积等附着钻石磨粒的钢线用作线材。游离磨粒方式中，一边使混合有磨粒与油剂的浆附着在线材上一边使用该线材。固定磨粒方式中，由于固定有磨粒的线材本身切断被切断物，因此切断时间短而生产率优异。并且，由于不使用浆，因此无需废弃进行切断后混合有碎屑的浆，从而环保且经济。
本实施方式中虽然能够使用任一种方式，但优选使用在环境方面、经济方面有利的固定磨粒方式。另外，当使用固定磨粒线锯时，对晶片正面施加的加工损伤很大，在切断后的晶片正面发生的起伏也变大，因此有纳米形貌更恶化的问题，但通过使用本发明的加工方法，能够制造出纳米形貌特性优异即纳米形貌值小的晶片。
如图2（A）所示，利用固定磨粒线锯进行切片，研磨后的晶片W的第一面W1以及第二面W2上产生如周期性地波动的起伏W11、W12。
图2（B）中示出在第1涂层形成工序S21中所使用的保持按压装置10的一例。首先，在保持按压装置10的被高平坦化的平板11上滴下成为涂层的固化性材料R。另一方面，晶片W中，第一面W1被吸引保持在保持机构12的保持面121，使保持面121移动至下方来将晶片W的第二面W2按压于固化性材料R。然后，在解除保持面121的压力而对在晶片W上残留的起伏W11、W21不施加弹性变形的状态下，在晶片W的第二面W2上使固化性材料R固化，从而形成第1涂层RH1。通过进行该工序，与平板11接触的第1涂层RH1的面成为高平坦化的面，能够作为磨削晶片W的第一面W1时的基准面RH11。
除了利用在晶片W上涂布固化性材料R的方法（将晶片W的第二面W2作为上表面，在第二面W2上滴下固化性材料R，旋转晶片W，在整个第二面W2扩展固化性材料R的旋转涂布法，或在第二面W2上设置网版膜，在网版膜上载置固化性材料R，以刮板塞入的丝网印刷的方法，进而以电喷涂沉积法喷涂整个第二面W2的方法等）进行涂布后，将涂布面接触、按压于高平坦化的平板11上的方法之外（不限于上述方法），能够应用以固化性材料R高平坦化晶片W的一面的方法。关于固化性材料R，从加工后容易进行剥离的观点考虑，优选热固性树脂、热可逆性树脂、感光性树脂等固化性材料R。尤其，感光性树脂从不施加由热引起的压力的观点考虑也优选。本实施例中，作为固化性材料R，使用了基于UV固化的树脂。并且，作为其他具体的固化性材料R的材质，可举出合成橡胶、粘接剂（蜡等）等。
图2（C）中示出了第1平面磨削工序S22中所使用的平面磨削装置20的一例。首先，将在第1涂层形成工序S21中所制作的第1涂层RH1的基准面RH11设置并吸引保持于平面磨削装置20的真空卡盘工作台21的被高平坦化的基准面211。接着，在所设置的晶片W上表面设置在一面设置有磨石22的磨削砂轮23。接着，在磨石22与晶片W的第一面W1接触的状态下，通过旋转磨削砂轮23与真空卡盘工作台21，磨削晶片W的第一面W1。
图3（D）中示出第1涂层去除工序S23。从在第1平面磨削工序S22中平面磨削第一面W1的晶片W，剥下第1涂层RH1。第1涂层RH1可以利用溶剂化学性地去除。
此时，关于平面磨削后的晶片W的第一面W1，虽然通过进行平面磨削有所改善，但依然残留有起伏W11。推断这是因为第1涂层RH1的厚度根据起伏W21的大小在晶片面内局部地不同而导致由平面磨削的加工压力引起的弹性变形量也不同，因此该每一部分的变形量差成为起伏W11而残留。
然后，进行第2涂层形成工序S31，使用图2（B）所示的与第1涂层形成工序S21相同的装置，在第一面W1形成第2涂层；第2平面磨削工序S32，使用图2（C）所示的与第1平面磨削工序S22相同的装置，平面磨削第二面W2；以及第2涂层去除工序S33，与图3（D）所示的第1涂层去除工序S23相同地剥下第一面W1的第2涂层。即，进行第2树脂粘贴磨削工序S3。
图3（E）中示出第3平面磨削工序S4的一例。平面磨削的装置为与第1平面磨削工序S22中所使用的平面磨削装置20相同的装置。例如，当即将进行第3平面磨削工序S4之前进行第2树脂粘贴磨削工序S3时，将在第2平面磨削工序S32中被平面磨削的晶片W的第二面W2直接设置并吸引保持于真空卡盘工作台21的基准面211，磨削晶片W的第一面W1。由此，如图3（F）所示，能够得到双面均被高平坦化的晶片W。
另外，在第2树脂粘贴磨削工序S3与第3平面磨削工序S4之间，也可以进一步进行第1树脂粘贴磨削工序S2、第2树脂粘贴磨削工序S3。
例如，当在将第1树脂粘贴磨削工序S2与第2树脂粘贴磨削工序S3以该顺序重复进行3次后，进行第3平面磨削工序S4时，以第1次的第1平面磨削工序S22中的余量为15～30μm、第1次的第2平面磨削工序S32中的余量为20～40μm、第2次的第1平面磨削工序S22中的余量为5～10μm、第2次以及第3次的第2平面磨削工序S32、第3次的第1平面磨削工序S22中的余量为5～10μm的方式分别进行磨削即可。经过第3平面磨削工序S4的晶片W的双面均被高平坦化，每重复一次都可改善纳米形貌特性。树脂粘贴磨削的次数为3次（2次第1树脂粘贴磨削工序S2、1次第2树脂粘贴磨削工序S3）以上，只要根据所需的纳米形貌特性决定即可。
实施例
接着将本发明的实施例与比较例一同进行详细说明。另外，实施例1及比较例1、2中所使用的晶片W使用了从单晶硅锭利用固定磨粒方式线锯装置以相同条件切出的直径为300mm的晶片W。
＜实施例1＞
图4中示出本发明的实施例1所涉及的各工序中的晶片的状态。根据图4说明实施例1的加工工序。
如图4（A）所示，在切片工序S1后的晶片W的第二面W2上，如图4（B）所示，涂布UV固化性树脂并使其固化，从而形成了具有平坦的基准面RH11的第1涂层RH1（第1涂层形成工序S21）。另外，虽然在第二面W2形成了第1涂层RH1，但也可以一开始形成于第一面W1。当在第一面W1形成第1涂层RH1时，在以下说明中，替换第二面W2与第一面W1。
接着，将第1涂层RH1的基准面RH11被真空卡盘工作台21吸引保持的晶片W的第一面W1，作为第1次的余量，平面磨削至15μm（虚线P1的面）（第1平面磨削工序S22）后，如图4（C）所示，剥下第1涂层RH1（第1涂层去除工序S23）。
接着，如图4（D）所示，翻转进行第1树脂粘贴磨削工序S2的晶片W（第1翻转工序），如图4（E）所示，在晶片W的第一面W1涂布UV固化性树脂并使其固化，从而形成具有平坦的基准面RH21的第2涂层RH2（第2涂层形成工序S31）。然后，将基准面RH21被真空卡盘工作台21吸引保持的晶片W的第二面W2，作为第2次的余量，平面磨削至20μm（虚线P2的面）（第2平面磨削工序S32）后，如图4（F）所示，剥下第2涂层RH2（第2涂层去除工序S33）。
接着，如图4（G）所示，翻转进行第2树脂粘贴磨削工序S3的晶片W（第2翻转工序），将进行第2树脂粘贴磨削工序S3的第二面W2被真空卡盘工作台21吸引保持的晶片W的第一面W1，作为第3次的余量，平面磨削至5μm（虚线P3的面）（第3平面磨削工序S4）。
通过以上结束全部工序，如图4（H）所示，得到了双面均被高平坦化的实施例1的晶片W。
＜比较例1＞
图5中示出比较例1所涉及的各工序中的晶片的状态。在比较例1中进行了在实施例1中进行的第1树脂粘贴磨削工序S2、第2树脂粘贴磨削工序S3以及第3平面磨削工序S4中的除了第2涂层形成工序S31、第2涂层去除工序S33及第3平面磨削工序S4以外的工序。
关于图5（A）～图5（D），在第2树脂粘贴磨削工序S3中，不进行第2涂层形成工序S31，除此之外，对应于图4（A）～图4（D）。在进行图5（A）～图5（D）的工序后，如图5（D）所示，将进行第1平面磨削工序S22的第一面W1被真空卡盘工作台21吸引保持的晶片W的第二面W2，平面磨削至虚线P2的面为止（第2平面磨削工序S32），从而得到了如图5（E）所示的比较例1的晶片W。以第1平面磨削工序S22中的余量为20μm、第2平面磨削工序S32中的余量为20μm的方式进行了磨削。
＜比较例2＞
图6中示出比较例2所涉及的各工序中的晶片的状态。比较例2是重复进行2次比较例1的情况，也可以进一步重复进行。
首先，进行图5（A）～图5（E）所示的比较例1的工序。另外，比较例2中，将第1平面磨削工序S22以及第2平面磨削工序S32中的余量设为15μm。
然后，如图6（F）所示，翻转晶片W（翻转工序），如图6（G）所示，在晶片W的第二面W2以UV固化性树脂形成了第2涂层RH2（第2涂层形成工序）。然后，将第2涂层RH2的基准面RH21被真空卡盘工作台21吸引保持的晶片W的第一面W1，作为第3次的余量，平面磨削至5μm（虚线P3的面）（第3平面磨削工序）后，如图6（H）所示，剥下了第2涂层RH2（第2涂层去除工序）。然后，如图6（I）所示，将进行第3平面磨削的第一面W1被真空卡盘工作台21吸引保持的晶片W的第二面W2，作为第4次的余量，平面磨削至5μm（虚线P4的面）（第4磨削工序），从而得到了如图6（J）所示的比较例2的晶片W。
＜评价试验1＞
调查了实施例1与比较例1、2中得到的各晶片W的正面形状对在之后进行的镜面抛光处理后的晶片正面中的纳米形貌产生何种影响。
具体而言，首先，分别对在实施例1与比较例1、2中得到的各晶片W，作为共同的镜面抛光处理，使用双面抛光装置对各晶片的正面和背面实施相同条件的粗抛处理后，使用单面抛光装置对各晶片正面实施相同条件的精抛处理，从而制作了各晶片W的正面被镜面抛光的晶片。图7是使用光学干涉式的平坦度测量装置（KLA Tencor公司：Wafersight2）对镜面抛光后的各晶片正面测量各晶片正面的高度分布（高低差）的纳米形貌图，是将镜面抛光处理后的各晶片的测量结果进行滤除处理而去除长波长成分后，将纳米形貌的测量结果以浓淡色图示化的图。图7中记载的高低差图是表示纳米形貌的高低差的图，颜色越浓高度越低，最浓的部分距离中心高度距离为-20nm，颜色越淡高度越高，最淡的部分距离中心高度距离为+20nm。自最低高度到最高高度为止的高低差为40nm。另外，关于纳米形貌的测量，固定晶片外缘的任意3点进行了测量。因此，纳米形貌表示在未吸附晶片的状态下的正面的高低差。
如图7所示，可知实施例1是大致均匀的浓度，并且在整个面高低差少。认为其理由在于，虽然在第1树脂粘贴磨削工序中没有磨削所有的弯曲及起伏，但晶片正面的纳米形貌特性得到改善，在第2树脂粘贴磨削工序中，充分地减轻晶片正面的弯曲及起伏，在第3平面磨削工序中，由于将已充分减轻弯曲及起伏的晶片正面作为基准面而进行平面磨削，因此能够以较少的余量得到纳米形貌特性得到改善且被高平坦化的正面。
在比较例1中，在整个晶片能够确认浓淡的条纹花纹的高低差。由此，可知在整体留下较多的由起伏引起的高低差。
比较例2是大致均匀的浓度，可知与实施例1相同地，在整个面高低差少。根据比较例2，也能够得到如实施例1的被高平坦化的正面。但是相对于在实施例1中将平面磨削工序实施3次，当实施比较例2时，将平面磨削工序实施4次，比较例2有生产率变低的问题。
＜评价试验2＞
与评价试验1相同地，调查了各晶片W的正面形状对镜面抛光处理后的晶片正面的纳米形貌产生何种影响。
本试验中，分别制造多片与实施例1及比较例1、2相同条件的晶片W，分别对该多片晶片W，实施与评价试验1相同条件的镜面抛光处理（使用双面抛光装置的粗抛处理+使用单面抛光装置的精抛处理），制作了各晶片W的正面被镜面抛光的晶片W。图8是，使用光学干涉式的平坦度测量装置（KLA Tencor公司：Wafersight2）对镜面抛光后的各晶片W的正面测量各晶片正面的视窗尺寸10mm的纳米形貌，并示于各图表中的图。
根据图8，可知实例例1中高低差成为9～11nm的范围，比较例1中高低差成为17～28nm的范围、比较例2中高低差成为9～11nm的范围。实施例1及比较例2的晶片W能够得到整个正面的纳米形貌为11nm以下的被高平坦化的正面。
附图标记说明
W-晶片，W1-第一面，W2-第二面。

Claims (5)

1.一种晶片的制造方法，磨削使用线锯装置将单晶锭切片而得到的晶片，所述晶片的制造方法具备：
第1树脂粘贴磨削工序、第2树脂粘贴磨削工序以及第3平面磨削工序，
所述第1树脂粘贴磨削工序具备：
第1涂层形成工序，在所述晶片的整个第二面涂布固化性材料而形成平坦的第1涂层；
第1平面磨削工序，以所述第1涂层抵接于磨削装置的工作台的基准面的方式，将所述晶片载置于所述工作台，接着通过所述磨削装置平面磨削所述晶片的第一面；以及
第1涂层去除工序，从所述晶片的第二面去除所述第1平面磨削工序后的所述第1涂层，
所述第2树脂粘贴磨削工序具备：
第2涂层形成工序，在所述晶片的整个第一面涂布固化性材料而形成平坦的第2涂层；
第2平面磨削工序，以所述第2涂层抵接于磨削装置的工作台的基准面的方式，将所述晶片载置于所述工作台，接着通过所述磨削装置平面磨削所述晶片的第二面；以及
第2涂层去除工序，从所述晶片的第一面去除所述第2平面磨削工序后的所述第2涂层，
所述第3平面磨削工序中，
以最后进行平面磨削的面抵接于磨削装置的工作台的基准面的方式，将所述晶片载置于所述工作台，接着通过所述磨削装置平面磨削所述晶片中的与抵接于所述基准面的面相反的一侧的面。
2.根据权利要求1所述的晶片的制造方法，其中，
在所述第2树脂粘贴磨削工序与所述第3平面磨削工序之间，
进一步仅进行所述第1树脂粘贴磨削工序，或
进一步将所述第1树脂粘贴磨削工序及所述第2树脂粘贴磨削工序以进行第1树脂粘贴磨削工序后进行第2树脂粘贴磨削工序的顺序至少重复进行1次，或
进一步将所述第1树脂粘贴磨削工序及所述第2树脂粘贴磨削工序以进行第1树脂粘贴磨削工序后进行第2树脂粘贴磨削工序的顺序至少重复进行1次，最后进行所述第1树脂粘贴磨削工序。
3.根据权利要求1所述的晶片的制造方法，其中，
所述第1树脂粘贴磨削工序中的磨削量为所述第3平面磨削工序中的磨削量以上。
4.根据权利要求1所述的晶片的制造方法，其中，
所述线锯装置是使用固定磨粒线材的切片方式。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的晶片的制造方法，其中，
所述晶片的直径为300mm以上。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7208759B2 (ja) * 2018-10-16 2023-01-19 株式会社ディスコ ウエーハ保持装置を用いたウエーハの加工方法
US11415971B2 (en) 2020-02-10 2022-08-16 Globalwafers Co., Ltd. Systems and methods for enhanced wafer manufacturing
CN112621557B (zh) * 2020-12-17 2022-08-09 江苏集萃精凯高端装备技术有限公司 Yag晶片的抛光方法
CN112658974A (zh) * 2020-12-17 2021-04-16 江苏集萃精凯高端装备技术有限公司 Yag晶片的研磨加工方法
JP2023172169A (ja) * 2022-05-23 2023-12-06 信越半導体株式会社 研削ウェーハの製造方法及びウェーハの製造方法
CN116276405A (zh) * 2023-05-18 2023-06-23 扬州韩思半导体科技有限公司 一种晶圆片加工用抛光装置

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0866850A (ja) * 1994-08-29 1996-03-12 Shin Etsu Handotai Co Ltd ワークの平面研削方法及び装置
JPH10286750A (ja) * 1997-04-14 1998-10-27 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの研磨方法
JP2006269761A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Disco Abrasive Syst Ltd ウェハの製造方法
JP2011098414A (ja) * 2009-11-06 2011-05-19 Dainippon Printing Co Ltd 研磨フィルム、その製造方法及び塗工剤
CN102263023A (zh) * 2010-05-28 2011-11-30 株式会社迪思科 晶片的平坦加工方法
JP2014011378A (ja) * 2012-07-02 2014-01-20 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ吸着装置およびウェーハ吸着方法
JP2015008247A (ja) * 2013-06-26 2015-01-15 株式会社Sumco 半導体ウェーハの加工プロセス
JP2015038919A (ja) * 2013-08-19 2015-02-26 株式会社ディスコ ウェーハの製造方法
CN104769704A (zh) * 2013-02-19 2015-07-08 胜高股份有限公司 半导体晶片的加工方法
TW201724240A (zh) * 2015-10-20 2017-07-01 Ｓｕｍｃｏ股份有限公司 半導體晶圓之加工方法
WO2017134925A1 (ja) * 2016-02-03 2017-08-10 株式会社Sumco ウェーハの製造方法およびウェーハ

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3924641B2 (ja) 1997-10-07 2007-06-06 東芝セラミックス株式会社 半導体ウェーハの製造方法
JP4663362B2 (ja) 2005-03-18 2011-04-06 株式会社ディスコ ウエーハの平坦加工方法
JP5504412B2 (ja) 2008-05-09 2014-05-28 株式会社ディスコ ウェーハの製造方法及び製造装置、並びに硬化性樹脂組成物
JP2010074056A (ja) 2008-09-22 2010-04-02 Sumco Corp 半導体ウェーハおよびその製造方法
JP2011003379A (ja) 2009-06-18 2011-01-06 Seiko Epson Corp 光源装置およびプロジェクター
JP2014192307A (ja) 2013-03-27 2014-10-06 Disco Abrasive Syst Ltd サファイア基板の平坦加工方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0866850A (ja) * 1994-08-29 1996-03-12 Shin Etsu Handotai Co Ltd ワークの平面研削方法及び装置
JPH10286750A (ja) * 1997-04-14 1998-10-27 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの研磨方法
JP2006269761A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Disco Abrasive Syst Ltd ウェハの製造方法
JP2011098414A (ja) * 2009-11-06 2011-05-19 Dainippon Printing Co Ltd 研磨フィルム、その製造方法及び塗工剤
CN102263023A (zh) * 2010-05-28 2011-11-30 株式会社迪思科 晶片的平坦加工方法
JP2014011378A (ja) * 2012-07-02 2014-01-20 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ吸着装置およびウェーハ吸着方法
CN104769704A (zh) * 2013-02-19 2015-07-08 胜高股份有限公司 半导体晶片的加工方法
JP2015008247A (ja) * 2013-06-26 2015-01-15 株式会社Sumco 半導体ウェーハの加工プロセス
JP2015038919A (ja) * 2013-08-19 2015-02-26 株式会社ディスコ ウェーハの製造方法
TW201724240A (zh) * 2015-10-20 2017-07-01 Ｓｕｍｃｏ股份有限公司 半導體晶圓之加工方法
WO2017134925A1 (ja) * 2016-02-03 2017-08-10 株式会社Sumco ウェーハの製造方法およびウェーハ

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