TW201936315A - 晶圓的製造方法 - Google Patents
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Abstract
晶圓的製造方法，包括第1樹脂黏貼研磨步驟、第2樹脂黏貼研磨步驟、第3樹脂平面研磨步驟；第1樹脂黏貼研磨步驟，包括在晶圓的第二面全體形成第1塗布層之第1塗布層形成步驟；使第1塗布層接觸工作台的基準面，裝載晶圓，並平面研磨晶圓的第一面之第1平面研磨步驟；以及除去第1塗布層之第1塗布層除去步驟；第2樹脂黏貼研磨步驟，包括在第一面全體形成第2塗布層之第2塗布層形成步驟；使第2塗布層接觸工作台的基準面，裝載晶圓，並平面研磨第二面的第2平面研磨步驟；以及除去第2塗布層的第2塗布層除去步驟；第3平面研磨步驟，使最後實行平面研磨的面接觸工作台的基準面，裝載晶圓，並平面研磨晶圓中接觸基準面的面的相反側的面。
Description
本發明係關於晶圓的製造方法。
以往，晶圓，為了以微影成像製成細微的圖案，要求晶圓表面平坦化。特別是稱作「NANOTOPOGRAPHY(奈米形貌)」的表面起伏，具有波長λ＝0.2mm(毫米)～20mm的成分，PV值(峰谷差值)在0.1μm(微米)～0.2μm以下的起伏，最近，提出藉由降低此NANOTOPOGRAPHY(奈米形貌)使晶圓的平坦度提高的技術(例如，參照文件1：專利公開平成8年第066850號公報，文件2：專利公開第2015-08247號公報)。
文件1的製造方法，包含以樹脂覆蓋從鑄錠切片的晶圓的第一面全面之樹脂塗布步驟；以及保持晶圓的第一面，研磨晶圓的第二面後，保持晶圓的第二面，研磨晶圓的第一面之步驟。
文件2的製造方法，在晶圓的第二面塗布硬化性樹脂，平坦加工此硬化性樹脂使硬化後，保持硬化性樹脂的平坦面，研磨晶圓的第一面，之後，除去硬化性樹脂。又，以下，上述技術有時稱作「樹脂黏貼研磨」。其次，保持樹脂黏貼研磨的晶圓的第一面，研磨第二面。之後，反覆實行樹脂黏貼研磨以及未以上述樹脂黏貼研磨的面的平面研磨。
另一方面，作為將單結晶鑄錠切片的方法，為了確實供給單結晶鑄錠的圓筒中心附近研磨粒，不是利用供給包含研磨粒的切削液給鋼絲的遊離研磨粒方式，而是利用以固定研磨粒至鋼絲外周面的固定研磨粒鋼絲鋸切片的方式(例如，文件3：專利公開2010-074056號公報)。
根據上述文件1所示的樹脂塗布處理的研磨步驟，因為維持著晶圓有起伏、彎曲的狀態下進行樹脂塗布處理，由於樹脂厚度差異引起的樹脂部的彈性變形量大小，有起伏殘留的課題。
又，上述文件2中，將樹脂黏貼研磨與平面研磨依此順序重複，雖然除去起伏，但因為重複晶圓的兩面研磨，最低需要4次研磨步驟，有生產性低的問題。
又，以往即使晶圓表面殘留起伏，因為樹脂塗布步驟利用晶圓表面上塗布的樹脂以製造入平坦的基準面的狀態除去起伏，進行研磨處理，關於切片時的晶圓表面狀態，也不視為問題。但是，根據本發明者們的實驗，理解即使進行如文件1記載的樹脂塗布處理，鏡面研磨處理後的晶圓表面的NANOTOPOGRAPHY(奈米形貌)品質也不足
又，如文件3所示，切片步驟中，使用固定研磨粒鋼絲時，對晶圓的加工損傷很大，因為切斷後的晶圓表面上發生的起伏也變得非常大，理解NANOTOPOGRAPHY(奈米形貌)有更惡化的問題。
本發明的目的，在於提供可以製造生產性不降低且NANOTOPOGRAPHY(奈米形貌)特性優異的晶圓之晶圓製造方法。
本發明者們為了達成上述目的專心研討的結果，晶圓的表面上塗布硬化性材料進行平面研磨時，相較於進行只塗布單面第1次硬化性材料的平面研磨，由於關於相反面也進行塗布硬化性材料第2次的平面研磨，更進行對於第1次的研磨面的第3次平面研磨，理解生產性高且最終得到的晶圓NANOTOPOGRAPHY(奈米形貌)品質變佳，完成本發明。
具體而言，切片後以硬化性材料塗布晶圓的第二面，平面研磨第一面，除去第二面的硬化性材料後，以硬化性材料塗布第一面，平面研磨第二面。又，除去第一面的硬化性材料後，平面研磨第一面。根據如此的步驟，生產性不降低且可以改善NANOTOPOGRAPHY(奈米形貌)品質。
本發明的第1觀點，係研磨使用鋼絲鋸裝置將單結晶鑄錠切片得到的晶圓之晶圓的製造方法，包括第1樹脂黏貼研磨步驟、第2樹脂黏貼研磨步驟、第3樹脂平面研磨步驟，上述第1樹脂黏貼研磨步驟，包括在上述晶圓的第二面全體塗布硬化性材料形成平坦的第1塗布層之第1塗布層形成步驟；使上述第1塗布層接觸研磨裝置的工作台的基準面，裝載上述晶圓至上述工作台上，接著以上述研磨裝置平面研磨上述晶圓的第一面之第1平面研磨步驟；以及從上述晶圓的第2面除去上述第1平面研磨步驟後的上述第1塗布層之第1塗布層除去步驟；上述第2樹脂黏貼研磨步驟，包括在上述晶圓的第一面全體塗布硬化性材料形成平坦的第2塗布層之第2塗布層形成步驟；使上述第2塗布層接觸研磨裝置的工作台的基準面，裝載上述晶圓至上述工作台上，接著以上述研磨裝置平面研磨上述晶圓的第二面之第2平面研磨步驟；以及從上述晶圓的第一面除去上述第2平面研磨步驟後的上述第2塗布層之第2塗布層除去步驟；上述第3平面研磨步驟，使最後實行平面研磨的面接觸研磨裝置的工作台的基準面，裝載上述晶圓至上述工作台上，接著以上述研磨裝置平面研磨上述晶圓中接觸上述基準面的面的相反側的面之晶圓的製造方法。
根據本發明的第1觀點，生產性不降低且可以製造NANOTOPOGRAPHY(奈米形貌)品質優異的晶圓。
本發明的第2觀點，係根據第1觀點的發明，在上述第2樹脂黏貼研磨步驟與上述第3平面研磨步驟之間，更只實行上述第1樹脂黏貼研磨步驟，或是更將上述第1樹脂黏貼研磨步驟以及上述第2樹脂黏貼研磨步驟以上述順序至少重複1次實行，或是更將上述第1樹脂黏貼研磨步驟以及上述第2樹脂黏貼研磨步驟以上述順序至少重複1次實行，最後實行上述第1樹脂黏貼研磨步驟之晶圓的製造方法。
根據本發明的第2觀點，藉由複數進行第1樹脂黏貼研磨步驟、第2樹脂黏貼研磨步驟，可以製造NANOTOPOGRAPHY(奈米形貌)品質更優異的晶圓。
本發明的第3觀點，係上述第1樹脂黏貼研磨步驟的研磨量在上述第3平面研磨步驟的研磨量以上之晶圓的製造方法。
本發明的第3觀點，由於上述第1樹脂黏貼研磨步驟的研磨量在上述第3平面研磨步驟的研磨量以上，總研磨的取代至少可以製造NANOTOPOGRAPHY(奈米形貌)品質優異的晶圓。
本發明的第4觀點，係根據第1到第3的觀點的發明，上述鋼絲鋸裝置是使用固定研磨粒綱絲的切片方式之晶圓的製造方法。
根據本發明的第4觀點，特別在即使利用使用固定研磨粒方式的綱絲鋸裝置切斷的起伏大的晶圓的情況下，以本製造方法也可以盡量降低起伏，可以製造NANOTOPOGRAPHY(奈米形貌)品質優異的晶圓。
本發明的第5觀點，係根據第1到第4的觀點的發明，上述晶圓的直徑在300mm(毫米)以上，特別是450mm以上的晶圓的製造方法。
根據本發明的第5觀點，在晶圓的直徑300mm(毫米)以上，特別是450mm以上，也根據本發明的晶圓的製造方法，總研磨的取代至少可以製造NANOTOPOGRAPHY(奈米形貌)品質優異的晶圓。
其次根據圖面說明用以實施本發明的形態。
晶圓的製造方法，如第1圖所示，包括利用鋼絲鋸裝置將單結晶鑄錠切片得到薄圓板狀的晶圓之切片步驟S1、第1樹脂黏貼研磨步驟S2、第2樹脂黏貼研磨步驟S3以及第3平面研磨步驟S4。第1樹脂黏貼研磨步驟S2，包括在晶圓的第二面全體塗布硬化性材料形成平坦的第1塗布層之第1塗布層形成步驟S21；使第1塗布層接觸研磨裝置的工作台的基準面，裝載晶圓至工作台上，接著以研磨裝置平面研磨晶圓的第一面之第1平面研磨步驟S22；以及從晶圓的第2面除去第1平面研磨步驟S22後的上述第1塗布層之第1塗布層除去步驟S23。第2樹脂黏貼研磨步驟S3，包括在晶圓的第一面全體塗布硬化性材料形成平坦的第2塗布層之第2塗布層形成步驟S31；使第2塗布層接觸研磨裝置的工作台的基準面，裝載晶圓至工作台上，接著以研磨裝置平面研磨晶圓的第二面之第2平面研磨步驟S32；以及從晶圓的第一面除去第2平面研磨步驟S32後的上述第2塗布層之第2塗布層除去步驟S33。上述第3平面研磨步驟S4，使最後實行平面研磨的面接觸研磨裝置的工作台的基準面，裝載晶圓至工作台上，接著以研磨裝置平面研磨晶圓中接觸上述基準面的面的相反側的面。
又，切片步驟S1與第1樹脂黏貼研磨步驟S2之間，有可能實行研磨步驟。又，晶圓的外緣上不特別顯示去角的步驟，但去角的步驟，在切片步驟S1後實行一次去角，第3平面研磨步驟S4後以一次去角實行去角量大的2次去角等，從切片步驟S1後到第3平面研磨步驟S4後之間在任何步驟間實行還有實行複數次都可以。
又，本實施形態的晶圓的製造方法中，第1樹脂黏貼研磨步驟S2與第2樹脂黏貼研磨步驟S3至少各實行1次即可。例如，第2樹脂黏貼研磨步驟S3與第3平面研磨步驟S4之間，更只實行第1樹脂黏貼研磨步驟S2也可以，更將第1樹脂黏貼研磨步驟S2及第2樹脂黏貼研磨步驟S3以上述順序至少1次重複實行也可以，更將第1樹脂黏貼研磨步驟S2及第2樹脂黏貼研磨步驟S3以上述順序至少1次重複實行，最後實行第1樹脂黏貼研磨步驟S2也可以。又，第3平面研磨步驟S4，平面研磨在緊接上述第3平面研磨步驟S4之前實行的第1樹脂黏貼研磨步驟S2或第2樹脂黏貼研磨步驟S3中未平面研磨的面。
由於複數次分開樹脂黏貼研磨步驟成晶圓的表面、背面，滿足晶圓表面的奈米形貌特性。即，為了以1次樹脂黏貼研磨改善奈米形貌，雖然全部除去晶圓內存在的起伏成分很困難，藉由重複樹脂黏貼研磨，理解每次重複改善奈米形貌特性。像這樣，藉由重複施行樹脂黏貼研磨，減輕晶圓表面的起伏，可以提高晶圓表面的奈米形貌特性。
其次，參照第2圖，詳細說明晶圓的製造方法。
第2(A)圖，顯示以固定研磨粒鋼絲鋸切片的晶圓W的狀態。
切片係使用未圖示的眾所周知的多鋼絲鋸(multi wire saw)裝置，可以用鑄錠一次製造複數枚的晶圓W。多鋼絲鋸(multi wire saw)裝置，係跨上用以旋轉設置複數引導鋼絲的溝的導輪(guide roller)與鋼絲的滾輪，纏繞複數極細綱線的鋼絲。使滾輪高速旋轉，把被切斷物推到導輪與滾輪之間露出的複數的鋼絲上，切斷被切斷物為複數枚的裝置。
多鋼絲鋸(multi wire saw)裝置，根據用以切斷的研磨粒的使用方法，有固定研磨粒方式與遊離研磨粒方式。固定研磨粒方式，把藉由氣相沉積等附著鑽石研磨粒的鋼線使用於鋼絲。遊離研磨粒方式，邊把混合研磨粒與油劑的漿劑灑在鋼絲上邊使用。固定研磨粒方式，因為固定研磨粒的鋼絲本身切斷被切斷物，切斷時間短而生產性優異。又，由於不使用漿劑，因為不必廢棄切斷後混合切屑的漿劑，環保且經濟。
本實施形態中，使用哪個方式都有可能，但在環境面、經濟面最好是有利的固定研磨粒方式。又，使用固定研磨粒鋼絲鋸的話，對晶圓表面施加的加工損傷很大，因為切斷後的晶圓表面發生的起伏也變大，有奈米形貌更惡化的問題，但藉由使用本發明的加工方法，可以製造奈米形貌特性佳即奈米形貌值小的晶圓。
以固定研磨粒鋼絲鋸切片，研磨(lapping)後的晶圓W的第一面W1以及第二面W2中，如第2(A)圖所示，產生像周期性波動的起伏W11、W12。
第2(B)圖顯示第1塗布層形成步驟S21使用的保持按壓裝置10的一例。首先，在保持按壓裝置10的高平坦化的平板11上滴下成為塗布層的硬化性材料R。另一方面，晶圓W，被吸引保持第一面W1至保持手段12的保持面121，移動保持面121至下方，按壓晶圓W的第二面W2至硬化性材料R。之後，解除保持面121的壓力，晶圓W上殘留的起伏W11、W21沒受到彈性變形的狀態下，在晶圓W的第二面W2上使硬化性材料R硬化，形成第1塗布層RH1。根據此步驟，與平板11接觸的第1塗布層RH1的面成為高平坦化的面，可以形成研削晶圓W的第一面W1時的基準面RH11。
在晶圓W上塗布硬化性材料R的方法，以晶圓W的第二面W2作為上面，在第二面W2上滴下硬化性材料R，旋轉晶圓W，在第二面W2全面擴大硬化性材料R的旋塗法，或在第二面W2上設置漿劑膜，在漿劑膜上載置硬化性材料R，以刮板壓入的網板印刷的方法，還有以電噴塗沉積(electric spray deposition)法噴塗第二面W2全面的方法等塗布後，在高平坦化的平板11上接觸、按壓塗布面的方法之外，不限於上述方法，可以應用以硬化性材料R高平坦化晶圓W的一面之方法。硬化性材料R中，關於熱硬化性樹脂、熱可逆性樹脂、感光性樹脂等的硬化性材料R在加工後容易剝離方面很理想。特別是，感光性樹脂在熱引起的壓力不增大方面也很適合。本實施例中，作為硬化性材料R，使用UV硬化的樹脂。又，作為其他具體的硬化性材料R的材質，舉出合成橡膠、黏接劑(蠟等)等。
第2(C)圖顯示第1平面研磨步驟S22使用的平面研磨裝置20的一例。首先，把第1塗布層形成步驟S21中做成的第1塗布層RH1的基準面RH11設置在平面研磨裝置20的真空工作盤(chuck table)21的高平坦化基準面211上吸引保持。其次，設置的晶圓W上面，設置全面設置研磨石22的砂輪(grinding wheel)23。其次，研磨石22與晶圓W的第一面W1接觸的狀態下，藉由旋轉研磨砂輪23與真空工作盤21，研磨晶圓W的第一面W1。
第3(D)圖顯示第1塗布層除去步驟S23。從第1平面研磨步驟S22中平面研磨第一面W1的晶圓W，剝下第1塗布層RH1。第1塗布層RH1的除去利用溶劑化學除去也可以。
此時，平面研磨的晶圓W的第一面W1，雖然以平面研磨改善，但依然殘留起伏W11。這是因為第1塗布層RH1的厚度根據起伏W21的大小在晶圓面內部分不同，由於平面研磨的加工壓力引起的彈性變形量也不同，推斷為其每一部分的變形量差成為起伏W11而殘留。
之後，實行第2塗布層形成步驟S31，使用與第2(B)圖所示的第1塗布層形成步驟S21相同的裝置，在第一面W1形成第2塗布層；第2平面研磨步驟S32，使用第2(C)圖所示的第1平面研磨步驟S22相同的裝置，平面研磨第二面W2；以及第2塗布層除去步驟S33，與第3(A)圖所示的第1塗布層除去步驟S23相同，剝下第一面W1的第2塗布層。即，實行第2樹脂黏貼研磨步驟S3。
第3(E)圖顯示第3平面研磨步驟S4的一例。平面研磨的裝置係與第1平面研磨步驟S22中使用的平面研磨裝置20相同的裝置。例如，即將第3平面研磨步驟S4之前實行第2樹脂黏貼研磨步驟S3時，直接設置第2平面研磨步驟S32平面研磨的晶圓W的第二面W2在真空工作盤(chuck table)21的基準面211上吸引保持，研磨晶圓W的第一面W1。藉此，如第3(F)圖所示，可以得到兩面都高平坦化的晶圓W。
又，第2樹脂黏貼研磨步驟S3與第3平面研磨步驟S4之間，更實行第1樹脂黏貼研磨步驟S2、第2樹脂黏貼研磨步驟S3也可以。
例如，將第1樹脂黏貼研磨步驟S2與第2樹脂黏貼研磨步驟S3以此順序重複3次後，實行第3平面研磨步驟S4時，各個研磨中取代為分別研磨第1次的第1平面研磨步驟S22中15～30μm(微米)、第1次的第2平面研磨步驟S32中20～40μm、第2次的第1平面研磨步驟S22中5～10μm、第2次以及第3次的第2平面研磨步驟S32、第3次的第1平面研磨步驟S22中5～10μm即可。經過第3平面研磨步驟S4的晶圓W兩面都平坦化，每重複次數都改善奈米形貌特性。樹脂黏貼研磨的次數，3次(2次第1樹脂黏貼研磨步驟S2、1次第2樹脂黏貼研磨步驟S3)以上，只要根據有需要的奈米形貌特性決定即可。
[實施例]
[實施例]
其次隨同比較例，詳細說明本發明的實施例。又，實施例1、比較例1、2中使用的晶圓W，係使用從單晶矽鑄錠利用固定研磨粒方式鋼絲鋸裝置以相同條件切片的直徑300mm的晶圓W。
＜實施例1＞
＜實施例1＞
第4圖顯示本發明的實施例1的各步驟中的晶圓狀態。根據第4圖說明實施例1的加工步驟。
如第4(A)圖所示，切片步驟S1後的晶圓W的第二面W2上，如第4(B)圖所示，塗布UV硬化性樹脂使硬化，形成具有平坦基準面RH11的第1塗布層RH1(第1塗布層形成步驟S21)。又，在第二面W2形成第1塗布層RH1，最初在第一面W1形成也沒關係。在第一面W1形成第1塗布層RH1時，以下的說明中，替換第二面W2與第一面W1。
其次，第1塗布層RH1的基準面RH11以真空工作盤21吸引保持的晶圓W的第一面W1，作為第1次的取代，平面研磨至15μm(虛線P1的面)(第1平面研磨步驟S22)後，如第4(C)圖所示，剝下第1塗布層RH1(第1塗布層除去步驟S23)。
其次，如第4(D)圖所示，反轉實行第1樹脂黏貼研磨步驟S2的晶圓W(第1反轉步驟)，如第4(E)圖所示，在晶圓W的第一面W1塗布UV硬化性樹脂使硬化，形成具有平坦基準面RH21的第2塗布層RH2(第2塗布層形成步驟S31)。於是，基準面RH21以真空工作盤(chuck table)21吸引保持的晶圓W的第二面W2，作為第2次的取代，平面研磨至20μm(虛線P2的面)(第2平面研磨步驟S32)後，如第4(F)圖所示，剝下第2塗布層RH2(第2塗布層除去步驟S33)。
其次，如第4(G)圖所示，反轉實行第2樹脂黏貼研磨步驟S3的晶圓W(第2反轉步驟)，將實行第2樹脂黏貼研磨步驟S3的第二面W2以真空工作盤(chuck table)21吸引保持的晶圓W的第一面W1，作為第3次的取代，平面研磨至5μm(虛線P3的面)(第3平面研磨步驟S4)。
以上。結束全部步驟，如第4(H)圖所示，得到兩面都高平坦化的實施例1的晶圓W。
＜比較例1＞
＜比較例1＞
第5圖顯示比較例1的各步驟中的晶圓狀態。比較例1在實施例1中實行的第1樹脂黏貼研磨步驟S2、第2樹脂黏貼研磨步驟S3以及第3平面研磨步驟S4中，實行除去第2塗布層形成步驟S31、第2塗布層除去步驟S33及第3平面研磨步驟S4的步驟。
第5(A)～5(D)圖，在第2樹脂黏貼研磨步驟S3中，不實行第2塗布層形成步驟S31以外，對應第4(A)～4(D)圖。第5(A)～5(D)圖的步驟後，如第5(D)圖所示，將以真空工作盤(chuck table)21吸引保持實行第1平面研磨步驟S22的第一面W1的晶圓W的第二面W2，平面研磨直到虛線P2的面為止(第2平面研磨步驟S32)，得到如第5(E)圖所示的比較例1的晶圓W。取代為研磨第1平面研磨步驟S22中20μm、第2平面研磨步驟S32中20μm。
＜比較例2＞
＜比較例2＞
第6圖顯示比較例2的各步驟中的晶圓狀態。比較例2是重複2次比較例1的情況，更加重複也可以。
首先，實行第5(A)～5(E)圖所示的比較例1的步驟。又，比較例2，使第1平面研磨步驟S22以及第2平面研磨步驟S32中的取代為15μm。
之後，如第6(F)圖所示，反轉晶圓W(反轉步驟)，如第6(G)圖所示，晶圓W的第二面W2以UV硬化性樹脂形成第2塗布層RH2(第2塗布層形成步驟)。於是，將第2塗布層RH2的基準面RH21以真空工作盤(chuck table)21吸引保持的晶圓W的第一面W1，作為第3次的取代，平面研磨至5μm(虛線P3的面)(第3平面研磨步驟)後，如第6(H)圖所示，剝下第2塗布層RH2(第2塗布層除去步驟)。之後，如第6(I)圖所示，將實行第3平面研磨的第一面W1以真空工作盤(chuck table)21吸引保持的晶圓W的第二面W2，作為第4次的取代，平面研磨至5μm(虛線P4的面)(第4平面研磨步驟)，得到如第6(J)圖所示的比較例2的晶圓W。
＜評估試驗1＞
＜評估試驗1＞
調查實施例1與比較例1、2得到的各晶圓W的表面形狀對於之後實行的鏡面研磨處理後的晶圓表面中的奈米形貌給予怎樣的影響。
具體而言，首先，分別對於實施例1與比較例1、2得到的各晶圓W，作為共同的鏡面研磨處理，使用兩面研磨裝置對各晶圓的表背面施行相同條件的粗研磨處理後，使用單面研磨裝置對各晶圓表面施行相同條件的最後研磨處理，製成鏡面研磨各晶圓W表面的晶圓。第7圖係使用光學干涉式的平坦度測量裝置(KLA Tencor公司：Wafersight2)對鏡面研磨的各晶圓表面測量各晶圓表面的高度分布(高低差)之奈米形貌圖，濾波處理鏡面研磨處理後的各晶圓的測量結果，除去長波長成分後，奈米形貌的測量結果以濃淡色圖示化。第7圖記載的高低差圖，係表示奈米形貌的高低差圖，顏色越濃高度越低，最濃的部分離中心高度-20nm(毫微米)，顏色越淡高度越高，最淡的部分離中心高度+20nm(毫微米)。最低高度到最高高度的高低差為40nm。又，奈米形貌的測量，係固定晶圓外緣的任意3點測量。因此，奈米形貌，表示非吸附晶圓的狀態中的表面高低差。
如第7圖所示，明白實施例1是大致均勻的濃度，且全面高低差少。這理由，係雖然沒有在第1樹脂黏貼研磨步驟完全研磨彎曲、起伏，但晶圓表面的奈米形貌特性改善，在第2樹脂黏貼研磨步驟中，充分減輕晶圓表面的彎曲、起伏，在第3平面研磨步驟中，因為充分減輕彎曲、起伏的晶圓表面作為基準面平面研磨，考慮以很少的取代，改善奈米形貌特性，可以得到高平坦化的表面。
比較例1，可以確認晶圓全體濃淡的條紋花樣的高低差。據此，明白全體留下起伏引起的高低差大。
比較例2，是大致均勻的濃度，與實施例相同，明白全面高低差很少。根據比較例2，也可以得到如實施例1的高平坦化表面。但是對於實施例1中的平面研磨步驟是3次，施行比較例2時，平面研磨步驟是4次，比較例2有生產性變低的問題。
＜評估試驗2＞
＜評估試驗2＞
與評估試驗1相同，調查各晶圓W的表面形狀對於鏡面研磨處理後的晶圓表面的奈米形貌給予怎樣的影響。
本試驗中，分別製造複數枚與實施例1、比較例1、2相同條件的晶圓W，分別關於其複數的晶圓W，施行與評估試驗1相同條件的鏡面研磨處理(使用兩面研磨裝置的粗研磨處理+使用單面研磨裝置的最後研磨處理)，製成鏡面處理各晶圓W表面之晶圓W。第8圖，使用光學干涉式的平坦度測量裝置(KLA Tencor公司：Wafersight2)對鏡面研磨的各晶圓W表面測量各晶圓表面的視窗尺寸10mm之奈米形貌，在各個圖表中顯示。
根據第8圖，明白實例例1中高低差為9～11nm，比較例1中為17～28nm、比較例2中為9～11nm的範圍。實施例1、比較例2的晶圓W可以得到表面全體的奈米形貌在11nm以下的高平坦化表面。
10‧‧‧保持按壓裝置
11‧‧‧平板
12‧‧‧保持手段
121‧‧‧保持面
20‧‧‧平面研磨裝置
21‧‧‧真空工作盤(chuck table)
211‧‧‧基準面
22‧‧‧研磨石
23‧‧‧砂輪
P1‧‧‧虛線
P2‧‧‧虛線
R‧‧‧硬化性材料
RH1‧‧‧第1塗布層
RH11‧‧‧基準面
RH2‧‧‧第2塗布層
RH21‧‧‧基準面
W‧‧‧晶圓
W11‧‧‧起伏
W21‧‧‧起伏
W1‧‧‧第一面
W2‧‧‧第二面
W11、W12‧‧‧起伏
W1‧‧‧第1面
W2‧‧‧第2面
[第1圖]係顯示本發明的一實施形態的晶圓的製造方法之概略步驟流程圖；
[第2圖]係上述晶圓的製造方法說明圖；
[第3圖]係上述晶圓的製造方法說明圖，顯示接續第2圖的狀態；
[第4圖]係顯示本發明的第一實施例的晶圓的製造方法說明圖；
[第5圖]係本發明的比較例1及比較例2的晶圓的製造方法說明圖；
[第6圖]係上述比較例2中的晶圓的製造方法說明圖，顯示接續第5圖的狀態；
[第7圖]係第1實施例以及比較例1、2的鏡面研磨後的NANOTOPOGRAPHY(奈米形貌)圖；以及
[第8圖]係顯示第1實施例以及比較例1、2的NANOTOPOGRAPHY(奈米形貌)結果圖。
Claims (5)
- 一種晶圓的製造方法，研磨使用鋼絲鋸裝置將單結晶鑄錠切片得到的晶圓，包括： 第1樹脂黏貼研磨步驟、第2樹脂黏貼研磨步驟以及第3樹脂平面研磨步驟； 其中，上述第1樹脂黏貼研磨步驟，包括： 第1塗布層形成步驟，在上述晶圓的第二面全體塗布硬化性材料形成平坦的第1塗布層； 第1平面研磨步驟，使上述第1塗布層接觸研磨裝置的工作台的基準面，裝載上述晶圓至上述工作台上，接著以上述研磨裝置平面研磨上述晶圓的第一面；以及 第1塗布層除去步驟，從上述晶圓的第二面除去上述第1平面研磨步驟後的上述第1塗布層； 上述第2樹脂黏貼研磨步驟，包括： 第2塗布層形成步驟，在上述晶圓的第一面全體塗布硬化性材料，形成平坦的第2塗布層； 第2平面研磨步驟，使上述第2塗布層接觸研磨裝置的工作台的基準面，裝載上述晶圓至上述工作台上，接著以上述研磨裝置平面研磨上述晶圓的第二面；以及 第2塗布層除去步驟，從上述晶圓的第一面除去上述第2平面研磨步驟後的上述第2塗布層； 上述第3平面研磨步驟， 使最後實行平面研磨的面接觸研磨裝置的工作台的基準面，裝載上述晶圓至上述工作台上，接著以上述研磨裝置平面研磨上述晶圓中接觸上述基準面的面的相反側的面。
- 如申請專利範圍第1項所述的晶圓的製造方法，其中， 上述第2樹脂黏貼研磨步驟與上述第3平面研磨步驟之間， 更只實行上述第1樹脂黏貼研磨步驟，或 更將上述第1樹脂黏貼研磨步驟及上述第2樹脂黏貼研磨步驟以上述順序至少重複1次實行，或 更將上述第1樹脂黏貼研磨步驟及上述第2樹脂黏貼研磨步驟以上述順序至少重複1次實行，最後實行上述第1樹脂黏貼研磨步驟。
- 如申請專利範圍第1項所述的晶圓的製造方法，其中， 上述第1樹脂黏貼研磨步驟中的研磨量在上述第3平面研磨步驟的研磨量以上。
- 如申請專利範圍第1～3項中任一項所述的晶圓的製造方法，其中， 上述鋼絲鋸裝置是使用固定研磨粒鋼絲的切片方式。
- 如申請專利範圍第1～3項中任一項所述的晶圓的製造方法，其中， 上述晶圓的直徑在300mm以上。
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