JP4663362B2 - ウエーハの平坦加工方法 - Google Patents
ウエーハの平坦加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4663362B2 JP4663362B2 JP2005079265A JP2005079265A JP4663362B2 JP 4663362 B2 JP4663362 B2 JP 4663362B2 JP 2005079265 A JP2005079265 A JP 2005079265A JP 2005079265 A JP2005079265 A JP 2005079265A JP 4663362 B2 JP4663362 B2 JP 4663362B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- grinding
- chuck table
- substrate
- axis direction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 238000003754 machining Methods 0.000 title 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 51
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 30
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 claims description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- -1 curing conditions Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005243 fluidization Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
以下、本発明を実施する際に利用する研削装置の一例を説明する。図1は、研削装置の一例を示す斜視図である。図1に示す研削装置40は、直方体状のテーブル71および壁部72を有する基台70を備えている。テーブル71の上面には凹所73が形成されており、この凹所73にチャックテーブル77が配置されている。
以下、流動性接着剤を硬化させる際に超音波振動を与える実行手段について説明する。図4は、合体ウエーハの作製時に超音波振動を与える機構を示す斜視図である。
以下、本発明を利用したシリコンウエーハの研削工程の具体例について説明する。この例においては、図4に示す超音波振動を加える手段を用いて、合体ウエーハの作製時に流動性接着剤に物理的な外的刺激を与える。
Claims (1)
- インゴットからスライスされたウエーハのスライス面を平坦に加工するウエーハの平坦加工方法であって、
ウエーハの全面を支持するサブストレートに流動性を有する流動性接着剤を介してウエーハを接触させる接触状態を得る接触工程と、
前記接触状態において、超音波振動を与えつつ前記流動性接着剤を硬化させ、前記サブストレートの表面と前記ウエーハの他方の面とを接着させると共に前記流動性接着剤が硬化する際に前記ウエーハのうねりが矯正されない状態で前記流動性接着剤を前記ウエーハのうねりに馴染ませ、合体ウエーハを得る合体工程と、
前記合体ウエーハを保持するチャックテーブルと該チャックテーブルに保持されたウエーハの表面を研削する研削手段とを備えた研削装置を用い、前記合体ウエーハの前記サブストレート側を前記チャックテーブルに保持し、前記研削手段で前記ウエーハの一方の面を研削して平坦に加工する第1の平坦加工工程と、
前記サブストレートを他方の面から除去し、研削済の前記ウエーハの一方の面を前記チャックテーブルに保持し、前記研削手段で前記ウエーハの他方の面を研削して平坦に加工する第2の平坦加工工程と
を備えることを特徴とするウエーハの平坦加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005079265A JP4663362B2 (ja) | 2005-03-18 | 2005-03-18 | ウエーハの平坦加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005079265A JP4663362B2 (ja) | 2005-03-18 | 2005-03-18 | ウエーハの平坦加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006261527A JP2006261527A (ja) | 2006-09-28 |
JP4663362B2 true JP4663362B2 (ja) | 2011-04-06 |
Family
ID=37100400
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005079265A Active JP4663362B2 (ja) | 2005-03-18 | 2005-03-18 | ウエーハの平坦加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4663362B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160022244A (ko) | 2014-08-19 | 2016-02-29 | 가부시기가이샤 디스코 | 에지 클램프 반송 기구 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011103379A (ja) * | 2009-11-11 | 2011-05-26 | Sumco Corp | ウェーハの平坦化加工方法 |
JP6960866B2 (ja) * | 2018-01-24 | 2021-11-05 | 昭和電工株式会社 | 単結晶4H−SiC成長用種結晶及びその加工方法 |
JP6878676B2 (ja) | 2018-02-21 | 2021-06-02 | 株式会社Sumco | ウェーハの製造方法 |
JP7240154B2 (ja) * | 2018-12-05 | 2023-03-15 | 株式会社ディスコ | 保護部材形成方法及び保護部材形成装置 |
CN115464484B (zh) * | 2022-10-14 | 2024-06-07 | 杭州乾晶半导体有限公司 | 一种碳化硅晶片双面加工方法以及相应的装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63180470A (ja) * | 1987-01-19 | 1988-07-25 | Mitsubishi Metal Corp | ウエ−ハの接着方法 |
JPH04201145A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-22 | Mitsubishi Materials Corp | ウェーハの接着方法およびその装置 |
JPH0866850A (ja) * | 1994-08-29 | 1996-03-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ワークの平面研削方法及び装置 |
JPH1186222A (ja) * | 1997-09-12 | 1999-03-30 | Toshiba Corp | 薄板研削方法 |
-
2005
- 2005-03-18 JP JP2005079265A patent/JP4663362B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63180470A (ja) * | 1987-01-19 | 1988-07-25 | Mitsubishi Metal Corp | ウエ−ハの接着方法 |
JPH04201145A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-22 | Mitsubishi Materials Corp | ウェーハの接着方法およびその装置 |
JPH0866850A (ja) * | 1994-08-29 | 1996-03-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ワークの平面研削方法及び装置 |
JPH1186222A (ja) * | 1997-09-12 | 1999-03-30 | Toshiba Corp | 薄板研削方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160022244A (ko) | 2014-08-19 | 2016-02-29 | 가부시기가이샤 디스코 | 에지 클램프 반송 기구 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006261527A (ja) | 2006-09-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5324212B2 (ja) | 樹脂被覆方法および樹脂被覆装置 | |
JP5320058B2 (ja) | 樹脂被覆方法および樹脂被覆装置 | |
JP5506894B2 (ja) | 整形面をもつリテーニングリング | |
JP4663362B2 (ja) | ウエーハの平坦加工方法 | |
JP5953645B2 (ja) | 半導体基板の切断方法及び半導体基板の切断装置 | |
JP2006263837A (ja) | ウエーハの平坦加工方法 | |
JP2011224680A (ja) | 研磨方法及び研磨装置 | |
JP6425505B2 (ja) | 被加工物の研削方法 | |
JP6081006B2 (ja) | ウェハ割断方法及びウェハ割断装置 | |
JP3845215B2 (ja) | 平面研削されたウェーハに対する鏡面研磨方法 | |
JP3658851B2 (ja) | 薄板ワーク平面研削方法 | |
JP2007221030A (ja) | 基板の加工方法 | |
JP6249318B2 (ja) | 抗折強度の高い薄型チップの製造システム及び製造方法 | |
JP2016046326A (ja) | モールド製造用構造体の製造方法、およびモールドの製造方法 | |
JP6327490B2 (ja) | ウェハ加工装置及びウェハ加工方法 | |
JPH10156710A (ja) | 薄板の研磨方法および研磨装置 | |
JP6593663B2 (ja) | ウェハ加工方法及びウェハ加工システム | |
JP2006269809A (ja) | ウエーハの平坦加工方法 | |
JP2011025338A (ja) | 板状物固定方法 | |
JP6081005B2 (ja) | 研削・研磨装置及び研削・研磨方法 | |
JP2019068077A (ja) | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 | |
JP7417837B2 (ja) | 亀裂進展装置及び亀裂進展方法 | |
JP6979607B2 (ja) | 研削装置及び研削方法 | |
JP6979608B2 (ja) | 研削装置及び研削方法 | |
JPH03173129A (ja) | 研磨装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080221 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100903 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100907 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101104 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101216 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110105 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4663362 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140114 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140114 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |