JPH0866850A - ワークの平面研削方法及び装置 - Google Patents
ワークの平面研削方法及び装置Info
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- JPH0866850A JPH0866850A JP6227291A JP22729194A JPH0866850A JP H0866850 A JPH0866850 A JP H0866850A JP 6227291 A JP6227291 A JP 6227291A JP 22729194 A JP22729194 A JP 22729194A JP H0866850 A JPH0866850 A JP H0866850A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
- B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
- B24B41/068—Table-like supports for panels, sheets or the like
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ワーク、例えば半導体ウェーハの平面研削加
工において、うねり、そりの修正又は改善が可能で、か
つ厚さバラツキのない半導体ウェーハを得ることがで
き、さらに従来よりも高精度のウェーハ加工を行なうこ
とができる上、加工工程の簡略化を図ることができ、加
工コストの低減を実現する。 【構成】 ワークの一方の面を平面研削装置の支持固定
手段に支持固定して該ワークの他方の面を平面研削する
方法であって、該ワークの一方の面を接着材料を介し
て、ベースプレートの上面に固定し、該ベースプレート
の下面を該支持固定手段に支持固定する。
工において、うねり、そりの修正又は改善が可能で、か
つ厚さバラツキのない半導体ウェーハを得ることがで
き、さらに従来よりも高精度のウェーハ加工を行なうこ
とができる上、加工工程の簡略化を図ることができ、加
工コストの低減を実現する。 【構成】 ワークの一方の面を平面研削装置の支持固定
手段に支持固定して該ワークの他方の面を平面研削する
方法であって、該ワークの一方の面を接着材料を介し
て、ベースプレートの上面に固定し、該ベースプレート
の下面を該支持固定手段に支持固定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ワーク、例えばセラミ
ックウェーハ、石英ウェーハ及び半導体ウェーハ（以下
単にウェーハということがある）等の平面研削方法及び
装置の改良に関する。
ックウェーハ、石英ウェーハ及び半導体ウェーハ（以下
単にウェーハということがある）等の平面研削方法及び
装置の改良に関する。
【０００２】
【関連技術】従来のワーク、例えばウェーハの加工方法
は、図６に示したごとく、円筒状の半導体インゴットを
ワイヤーソー、円形状内周刃等で薄板状に切断（スライ
シング）してウェーハとするスライシング工程Ａと、ス
ライシングによって得られたウェーハの周辺部のカケを
防止するために周辺部の角部を除去する面取り工程Ｂ
と、面取り加工されたウェーハの厚さ、平坦度を整える
ために両面を研磨するラッピング工程Ｃと、ラッピング
処理されたウェーハの加工歪を除去するためにウェーハ
をエッチング液に浸漬して全面をエッチングするエッチ
ング工程Ｄと、エッチング処理されたウェーハの表面粗
さ及び平坦度を向上させるために片面又は両面を鏡面研
磨するポリッシング工程Ｅと、からなるものである。図
６に示した従来方法によって加工したウェーハの断面形
状を加工工程にしたがって図９に示した。同図におい
て、ＳＷはスライシング工程終了直後のスライスウェー
ハ、ＬＷはラッピング工程終了直後のラップウェーハ、
ＥＷはエッチング工程終了直後のエッチングウェーハ及
びＰＷはポリッシング工程終了直後のポリッシュウェー
ハをそれぞれ示している。なお、図９におけるウェーハ
の凹凸はうねりを、ウェーハの弯曲はそりをそれぞれ強
調して示している。
は、図６に示したごとく、円筒状の半導体インゴットを
ワイヤーソー、円形状内周刃等で薄板状に切断（スライ
シング）してウェーハとするスライシング工程Ａと、ス
ライシングによって得られたウェーハの周辺部のカケを
防止するために周辺部の角部を除去する面取り工程Ｂ
と、面取り加工されたウェーハの厚さ、平坦度を整える
ために両面を研磨するラッピング工程Ｃと、ラッピング
処理されたウェーハの加工歪を除去するためにウェーハ
をエッチング液に浸漬して全面をエッチングするエッチ
ング工程Ｄと、エッチング処理されたウェーハの表面粗
さ及び平坦度を向上させるために片面又は両面を鏡面研
磨するポリッシング工程Ｅと、からなるものである。図
６に示した従来方法によって加工したウェーハの断面形
状を加工工程にしたがって図９に示した。同図におい
て、ＳＷはスライシング工程終了直後のスライスウェー
ハ、ＬＷはラッピング工程終了直後のラップウェーハ、
ＥＷはエッチング工程終了直後のエッチングウェーハ及
びＰＷはポリッシング工程終了直後のポリッシュウェー
ハをそれぞれ示している。なお、図９におけるウェーハ
の凹凸はうねりを、ウェーハの弯曲はそりをそれぞれ強
調して示している。
【０００３】スライシング工程終了直後のウェーハＳＷ
はうねり、そりを含んだ形状をしている。これは、スラ
イシング時の切れ刃における切断抵抗の左右の微妙なア
ンバランスなどにより、必ずしも切れ刃が直進しないこ
とにより発生し、ウェーハ全体がおわん形あるいはＳ字
形になるような比較的周期の大きなものをそりと呼び、
数ミリ程度の小さい周期で凹凸が繰り返すものをうねり
と呼ぶ。スライシングにワイヤーソー及び円形状内周刃
を用いた場合、うねり及びそりがいずれも発生するが、
特にワイヤーソーを用いた場合うねりが発生しやすく問
題となる。また、スライシング直後のウェーハは加工歪
によるそりを持つ場合があり、このときはウェーハ表面
の軽微なエッチングが必要である。図６に示した現行の
一般的なウェーハ加工工程においては、ラッピング工程
Ｃがうねりを改善する働きをしている。しかし、そりに
関してはウェーハが容易に弾性変形してしまい修正は困
難であった（図９）。
はうねり、そりを含んだ形状をしている。これは、スラ
イシング時の切れ刃における切断抵抗の左右の微妙なア
ンバランスなどにより、必ずしも切れ刃が直進しないこ
とにより発生し、ウェーハ全体がおわん形あるいはＳ字
形になるような比較的周期の大きなものをそりと呼び、
数ミリ程度の小さい周期で凹凸が繰り返すものをうねり
と呼ぶ。スライシングにワイヤーソー及び円形状内周刃
を用いた場合、うねり及びそりがいずれも発生するが、
特にワイヤーソーを用いた場合うねりが発生しやすく問
題となる。また、スライシング直後のウェーハは加工歪
によるそりを持つ場合があり、このときはウェーハ表面
の軽微なエッチングが必要である。図６に示した現行の
一般的なウェーハ加工工程においては、ラッピング工程
Ｃがうねりを改善する働きをしている。しかし、そりに
関してはウェーハが容易に弾性変形してしまい修正は困
難であった（図９）。
【０００４】また、近年半導体デバイスの集積度が上が
るにつれ、その基板となる半導体ウェーハにもより高い
レベルの平坦度が求められてきている。この平坦度レベ
ルの高い高精度の形状のウェーハを得るためには、平面
研削加工を取り入れる必要がある。この平面研削加工を
取り入れる場合には、図７（スライシング工程Ａ−平面
研削工程Ｈ−面取り工程Ｂ−ポリッシング工程Ｅ）又は
図８（スライシング工程Ａ−面取り工程Ｂ−ラッピング
工程Ｃ−エッチング工程Ｄ−平面研削工程Ｈ−面取り工
程Ｂ２−ポリッシング工程Ｅ）に示した加工方法が適用
される。ここで、平面研削工程Ｈは、図１２に示すよう
な公知の平面研削装置２０を用いて行なわれる工程であ
る。図１２において、２２は研削砥石、２４は支持固定
手段、Ｗはウェーハ等のワークを示す。
るにつれ、その基板となる半導体ウェーハにもより高い
レベルの平坦度が求められてきている。この平坦度レベ
ルの高い高精度の形状のウェーハを得るためには、平面
研削加工を取り入れる必要がある。この平面研削加工を
取り入れる場合には、図７（スライシング工程Ａ−平面
研削工程Ｈ−面取り工程Ｂ−ポリッシング工程Ｅ）又は
図８（スライシング工程Ａ−面取り工程Ｂ−ラッピング
工程Ｃ−エッチング工程Ｄ−平面研削工程Ｈ−面取り工
程Ｂ２−ポリッシング工程Ｅ）に示した加工方法が適用
される。ここで、平面研削工程Ｈは、図１２に示すよう
な公知の平面研削装置２０を用いて行なわれる工程であ
る。図１２において、２２は研削砥石、２４は支持固定
手段、Ｗはウェーハ等のワークを示す。
【０００５】図７に示した加工方法においては、ラッピ
ング工程が省かれ、加工手順が簡略化されて工程的には
好適であるが、従来のウェーハ支持固定方式（例えば、
多孔質セラミックプレート等の硬質チャックテーブルに
ウェーハを真空吸着する方式）の平面研削装置を用いて
平面研削加工を行なうと、吸着時にウェーハが弾性変形
するため、うねり、そりがほとんど改善されないという
難点があった。
ング工程が省かれ、加工手順が簡略化されて工程的には
好適であるが、従来のウェーハ支持固定方式（例えば、
多孔質セラミックプレート等の硬質チャックテーブルに
ウェーハを真空吸着する方式）の平面研削装置を用いて
平面研削加工を行なうと、吸着時にウェーハが弾性変形
するため、うねり、そりがほとんど改善されないという
難点があった。
【０００６】図７の加工方法に適用される従来の平面研
削加工は、例えば、図１０に示すごとく、（イ）スライ
シング工程終了直後のウェーハＳＷ〔図１０（１）〕の
下面を真空チャック手段１２にチャッキング固定するス
テップ〔図１０（２）〕、（ロ）該固定されたウェーハ
ＳＷの上面を平面研削するステップ〔図１０（３）〕、
（ハ）該上面を平面研削されたウェーハを該真空チャッ
ク手段１２から取り外すステップ（上面を平面研削され
たウェーハＨＷ１のうねり、そりは解消されないままの
状態となっている）〔図１０（４）〕、（ニ）該上面を
平面研削されたウェーハＨＷ１の上下面を反転するステ
ップ〔図１０（５）〕、（ホ）該反転されたウェーハＨ
Ｗ１の上面を真空チャッキング手段１２にチャッキング
固定するステップ、〔図１０（６）〕（ヘ）該固定され
たウェーハＨＷ１の下面を平面研削するステップ〔図１
０（７）〕、（ト）該両面を平面研削されたウェーハＨ
Ｗ２を真空チャッキング手段１２から取り外すステップ
（両面を平面研削されたウェーハＨＷ２のうねり、そり
は解消されないままの状態となっている）〔図１０
（８）〕、とから構成される。図１０において、ＨＷ１
は片面平面研削ウェーハ、ＨＷ２は両面平面研削ウェー
ハを示す。その後、この両面を平面研削されたウェーハ
ＨＷ２はポリッシングされるが、図示したごとく、この
ポリッシングされたウェーハＰＷにもうねり、そりは残
存する〔図１０（９）〕。このように、ウェーハのうね
り、そりは、従来の平面研削加工を単純に導入しても、
ポリッシング加工後においても残り、ウェーハの品質を
著しく損うので、図７及び図１０に示した加工工程は実
用されるものではなかった。
削加工は、例えば、図１０に示すごとく、（イ）スライ
シング工程終了直後のウェーハＳＷ〔図１０（１）〕の
下面を真空チャック手段１２にチャッキング固定するス
テップ〔図１０（２）〕、（ロ）該固定されたウェーハ
ＳＷの上面を平面研削するステップ〔図１０（３）〕、
（ハ）該上面を平面研削されたウェーハを該真空チャッ
ク手段１２から取り外すステップ（上面を平面研削され
たウェーハＨＷ１のうねり、そりは解消されないままの
状態となっている）〔図１０（４）〕、（ニ）該上面を
平面研削されたウェーハＨＷ１の上下面を反転するステ
ップ〔図１０（５）〕、（ホ）該反転されたウェーハＨ
Ｗ１の上面を真空チャッキング手段１２にチャッキング
固定するステップ、〔図１０（６）〕（ヘ）該固定され
たウェーハＨＷ１の下面を平面研削するステップ〔図１
０（７）〕、（ト）該両面を平面研削されたウェーハＨ
Ｗ２を真空チャッキング手段１２から取り外すステップ
（両面を平面研削されたウェーハＨＷ２のうねり、そり
は解消されないままの状態となっている）〔図１０
（８）〕、とから構成される。図１０において、ＨＷ１
は片面平面研削ウェーハ、ＨＷ２は両面平面研削ウェー
ハを示す。その後、この両面を平面研削されたウェーハ
ＨＷ２はポリッシングされるが、図示したごとく、この
ポリッシングされたウェーハＰＷにもうねり、そりは残
存する〔図１０（９）〕。このように、ウェーハのうね
り、そりは、従来の平面研削加工を単純に導入しても、
ポリッシング加工後においても残り、ウェーハの品質を
著しく損うので、図７及び図１０に示した加工工程は実
用されるものではなかった。
【０００７】前述したごとく、平面研削加工を含む加工
方法として、図７及び図１０以外に、図８に示したよう
なウェーハ加工方法が提案されている。この図８の加工
方法は、図６の従来方法において、エッチング工程Ｄ後
に平面研削工程Ｈと第２の面取り工程Ｂ２を追加したも
のである。図８の加工方法に従来の平面研削加工を適用
した場合を図１１に示した。図１１において、図１０と
同一部材には同一符号を付けた。この図８及び図１１に
示す加工方法は、ウェーハのうねりが解消される利点が
あるものの、工程数が増大し、加工コストの上昇を招く
不利があった。それ故、現在のウェーハの平面加工は、
ラッピング処理によって行なうのが通常であり、平面研
削盤を用いる平面研削加工は、厚さバラツキの少ないウ
ェーハを得ることができる利点を有するにもかかわら
ず、実際のウェーハ製造工程に導入することは難しかっ
た。
方法として、図７及び図１０以外に、図８に示したよう
なウェーハ加工方法が提案されている。この図８の加工
方法は、図６の従来方法において、エッチング工程Ｄ後
に平面研削工程Ｈと第２の面取り工程Ｂ２を追加したも
のである。図８の加工方法に従来の平面研削加工を適用
した場合を図１１に示した。図１１において、図１０と
同一部材には同一符号を付けた。この図８及び図１１に
示す加工方法は、ウェーハのうねりが解消される利点が
あるものの、工程数が増大し、加工コストの上昇を招く
不利があった。それ故、現在のウェーハの平面加工は、
ラッピング処理によって行なうのが通常であり、平面研
削盤を用いる平面研削加工は、厚さバラツキの少ないウ
ェーハを得ることができる利点を有するにもかかわら
ず、実際のウェーハ製造工程に導入することは難しかっ
た。
【０００８】一方、図６及び図８の加工方法に用いられ
ているラッピング工程により、図９及び図１１に示すご
とく、うねりは改善されるものの、そりの改善効果はあ
まり期待できず、そりに対する効果的な除去方法は従来
存在しなかった。
ているラッピング工程により、図９及び図１１に示すご
とく、うねりは改善されるものの、そりの改善効果はあ
まり期待できず、そりに対する効果的な除去方法は従来
存在しなかった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記した問
題点に鑑みなされたもので、うねり、そりの修正又は改
善が可能で、かつ厚さバラツキのないワークを得ること
ができ、さらに従来よりも高精度のワーク加工を行なう
ことができる上、加工工程の簡略化を図ることができ、
加工コストの低減を実現することのできるようにしたワ
ークの平面研削方法及び装置を提供することを目的とす
る。
題点に鑑みなされたもので、うねり、そりの修正又は改
善が可能で、かつ厚さバラツキのないワークを得ること
ができ、さらに従来よりも高精度のワーク加工を行なう
ことができる上、加工工程の簡略化を図ることができ、
加工コストの低減を実現することのできるようにしたワ
ークの平面研削方法及び装置を提供することを目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、ワークの一方の面を平面研削装置の支持
固定手段に支持固定して該ワークの他方の面を平面研削
する方法であって、該ワークの一方の面を接着材料を介
して、ベースプレートの上面に固定し、該ベースプレー
トの下面を該支持固定手段に支持固定するようにしたも
のである。
に、本発明は、ワークの一方の面を平面研削装置の支持
固定手段に支持固定して該ワークの他方の面を平面研削
する方法であって、該ワークの一方の面を接着材料を介
して、ベースプレートの上面に固定し、該ベースプレー
トの下面を該支持固定手段に支持固定するようにしたも
のである。
【００１１】また、本発明のワークの平面研削方法をさ
らに具体的に言えば、（ａ）ワークの一方の面を接着材
料を介して、ベースプレートの上面に固定するステッ
プ、（ｂ）該ベースプレートの下面を支持固定手段に支
持固定するステップ、（ｃ）該支持固定されたワークの
他方の面を平面研削するステップ、（ｄ）該ベースプレ
ートと該他方の面を平面研削されたワークを該支持固定
手段から取り外すステップ、（ｅ）該他方の面を平面研
削されたワークを該ベースプレートから離脱するステッ
プ、（ｆ）該他方の面を平面研削されたワークの上下を
反転させるステップ、（ｇ）該他方の面を平面研削され
たワークの他方の面を該支持固定手段に支持固定するス
テップ、（ｈ）該支持固定されたワークの一方の面を平
面研削するステップ、（ｉ）該両面を平面研削されたワ
ークを該支持固定手段から取り外すステップ、から構成
されている。
らに具体的に言えば、（ａ）ワークの一方の面を接着材
料を介して、ベースプレートの上面に固定するステッ
プ、（ｂ）該ベースプレートの下面を支持固定手段に支
持固定するステップ、（ｃ）該支持固定されたワークの
他方の面を平面研削するステップ、（ｄ）該ベースプレ
ートと該他方の面を平面研削されたワークを該支持固定
手段から取り外すステップ、（ｅ）該他方の面を平面研
削されたワークを該ベースプレートから離脱するステッ
プ、（ｆ）該他方の面を平面研削されたワークの上下を
反転させるステップ、（ｇ）該他方の面を平面研削され
たワークの他方の面を該支持固定手段に支持固定するス
テップ、（ｈ）該支持固定されたワークの一方の面を平
面研削するステップ、（ｉ）該両面を平面研削されたワ
ークを該支持固定手段から取り外すステップ、から構成
されている。
【００１２】上記接着材料としては、ワックス、接着
剤、石膏又は氷等を用いることができる。ワークをベー
スプレートから離脱させた状態では、ワークの下面にこ
れらの接着材料が付着している。これらの接着材料は、
平面研削作業の邪魔となる場合には、それぞれの除去剤
によって除去すればよいし、氷であれば加熱溶解すれば
よいが、例えば石膏のような付着物の場合には、ワーク
の下面に付着したまま平面研削を行なうことも可能であ
る。上記ワークの支持固定手段としては真空チャック手
段を用いるのが好適であるが、機械的チャック手段、電
磁的チャック手段も用いることができる。
剤、石膏又は氷等を用いることができる。ワークをベー
スプレートから離脱させた状態では、ワークの下面にこ
れらの接着材料が付着している。これらの接着材料は、
平面研削作業の邪魔となる場合には、それぞれの除去剤
によって除去すればよいし、氷であれば加熱溶解すれば
よいが、例えば石膏のような付着物の場合には、ワーク
の下面に付着したまま平面研削を行なうことも可能であ
る。上記ワークの支持固定手段としては真空チャック手
段を用いるのが好適であるが、機械的チャック手段、電
磁的チャック手段も用いることができる。
【００１３】一方、本発明装置は、平面研削手段と支持
固定手段とを有する平面研削装置であり、平面研削すべ
きワークの一方の面をベースプレートの上面に接着材料
を介して固定し、該ワークと該ベースプレートとの接着
体を該ベースプレートの下面を介して該支持固定手段に
支持固定し、この状態で該ワークの他方の面を平面研削
するようにしたものである。
固定手段とを有する平面研削装置であり、平面研削すべ
きワークの一方の面をベースプレートの上面に接着材料
を介して固定し、該ワークと該ベースプレートとの接着
体を該ベースプレートの下面を介して該支持固定手段に
支持固定し、この状態で該ワークの他方の面を平面研削
するようにしたものである。
【００１４】さらに、原料インゴットをワークに切断す
るスライシング工程と、スライシングされたワークを平
面研削する工程と、平面研削されたワークの面取りを行
なう工程と、面取りされたワークをポリッシングする工
程とからなるワークの平面加工方法において、平面研削
工程として上記した本発明の平面研削方法を適用するこ
とによって、ワークの平面加工を効率的に行なうことが
可能となる。特にスライシング工程にうねりの発生しや
すいワイヤーソーを用いた場合、本発明の平面研削方法
は好適であるが、円形状内周刃、バンドソーなどあらゆ
る切断手段を用いた場合にも適用できる。また、スライ
シング工程直後のワークに加工歪によるそりがある場合
は、平面研削工程の前にワーク表面のエッチングを行う
ことが好ましい。
るスライシング工程と、スライシングされたワークを平
面研削する工程と、平面研削されたワークの面取りを行
なう工程と、面取りされたワークをポリッシングする工
程とからなるワークの平面加工方法において、平面研削
工程として上記した本発明の平面研削方法を適用するこ
とによって、ワークの平面加工を効率的に行なうことが
可能となる。特にスライシング工程にうねりの発生しや
すいワイヤーソーを用いた場合、本発明の平面研削方法
は好適であるが、円形状内周刃、バンドソーなどあらゆ
る切断手段を用いた場合にも適用できる。また、スライ
シング工程直後のワークに加工歪によるそりがある場合
は、平面研削工程の前にワーク表面のエッチングを行う
ことが好ましい。
【００１５】また、ベースプレートとワークとの間隙に
溶融接着材料、例えば溶融ワックス、ホットメルト接着
剤等を供給する手段として、内部に溶融接着材料を貯蔵
する貯蔵タンクと、該貯蔵タンクに内圧を加える加圧手
段と、該貯蔵タンクから溶融接着材料を加圧輸送する配
管手段と、相対向して設けられた一対の上側加熱手段及
び下側加熱手段とを有する構成とし、ベースプレートを
該下側加熱手段上に載置し、ワークを該ベースプレート
上に載置するとともに該下側加熱手段及び上側加熱手段
により該ベースプレート及びワークを加熱した状態と
し、該加圧手段によって該貯蔵タンクに内圧を加えて溶
融接着材料を該配管手段を介して該ベースプレートとワ
ークとの間隙に供給するようにすれば、ベースプレート
とワークとの間に気泡を入れることなく、溶融接着材料
を供給し、接着することができる。なお、本発明でいう
ワークとしては、半導体ウェーハ等を例示することがで
きる。
溶融接着材料、例えば溶融ワックス、ホットメルト接着
剤等を供給する手段として、内部に溶融接着材料を貯蔵
する貯蔵タンクと、該貯蔵タンクに内圧を加える加圧手
段と、該貯蔵タンクから溶融接着材料を加圧輸送する配
管手段と、相対向して設けられた一対の上側加熱手段及
び下側加熱手段とを有する構成とし、ベースプレートを
該下側加熱手段上に載置し、ワークを該ベースプレート
上に載置するとともに該下側加熱手段及び上側加熱手段
により該ベースプレート及びワークを加熱した状態と
し、該加圧手段によって該貯蔵タンクに内圧を加えて溶
融接着材料を該配管手段を介して該ベースプレートとワ
ークとの間隙に供給するようにすれば、ベースプレート
とワークとの間に気泡を入れることなく、溶融接着材料
を供給し、接着することができる。なお、本発明でいう
ワークとしては、半導体ウェーハ等を例示することがで
きる。
【００１６】
【作用】本発明は、うねり、そりのあるワーク、例えば
ウェーハをうねり、そりのあるがままの状態で、即ち変
形させずに平面研削盤等の平面研削装置の加工台に固定
することを実現し、平坦性に優れたウェーハの平面研削
を行なうことを可能とした。具体的には、厚手で剛性の
あるベースプレートにワックス等の接着材料を介してウ
ェーハを固定し、それを平面研削盤に真空チャック手段
によりチャッキングする。うねり、そりのあるウェーハ
面とベースプレート面との隙間を接着材料の層が埋める
ため、ウェーハを変形させずに保持でき、平坦性に優れ
たウェーハ面を研削できる。次にこのウェーハの平坦面
を真空チャック手段によりチャッキングし、反対面を研
削すると、うねり及びそりがなく、厚さバラツキのない
ウェーハを製造することができる。
ウェーハをうねり、そりのあるがままの状態で、即ち変
形させずに平面研削盤等の平面研削装置の加工台に固定
することを実現し、平坦性に優れたウェーハの平面研削
を行なうことを可能とした。具体的には、厚手で剛性の
あるベースプレートにワックス等の接着材料を介してウ
ェーハを固定し、それを平面研削盤に真空チャック手段
によりチャッキングする。うねり、そりのあるウェーハ
面とベースプレート面との隙間を接着材料の層が埋める
ため、ウェーハを変形させずに保持でき、平坦性に優れ
たウェーハ面を研削できる。次にこのウェーハの平坦面
を真空チャック手段によりチャッキングし、反対面を研
削すると、うねり及びそりがなく、厚さバラツキのない
ウェーハを製造することができる。
【００１７】
【実施例】以下に、本発明の実施例を添付図面中、図１
〜図５に基づいて説明する。図１〜図５において、図６
〜図１２と同一又は類似部材は同一符号で示す。なお、
以下の実施例においては、ワークの好ましい例としてウ
ェーハについて記述する。
〜図５に基づいて説明する。図１〜図５において、図６
〜図１２と同一又は類似部材は同一符号で示す。なお、
以下の実施例においては、ワークの好ましい例としてウ
ェーハについて記述する。
【００１８】図１において、ＳＷは不図示のワイヤーソ
ーを用いてスライシング処理された原料ウェーハであ
る。該ウェーハＳＷ〔図１（１）〕の上下面に示された
凹凸はうねりを強調して図示したものであり、また該ウ
ェーハＳＷの全体の弯曲形状はそりを強調して示したも
のである。該スライシング処理された原料ウェーハＳＷ
の表面写真を図４に示す。
ーを用いてスライシング処理された原料ウェーハであ
る。該ウェーハＳＷ〔図１（１）〕の上下面に示された
凹凸はうねりを強調して図示したものであり、また該ウ
ェーハＳＷの全体の弯曲形状はそりを強調して示したも
のである。該スライシング処理された原料ウェーハＳＷ
の表面写真を図４に示す。
【００１９】該原料ウェーハＳＷは、その下面をワック
ス等の接着材料Ｙを介して、平坦なベースプレート１４
の上面に固定される〔ステップ（ａ）、図１（２）〕。
該ベースプレート１４は、厚手で剛性のある平坦なプレ
ートであることが必要である。なお、接着材料Ｙとして
は、ウェーハの接着機能を果すものであればいかなる材
質のものも使用でき、ワックスの他に、接着剤、石膏、
氷等をあげることができる。
ス等の接着材料Ｙを介して、平坦なベースプレート１４
の上面に固定される〔ステップ（ａ）、図１（２）〕。
該ベースプレート１４は、厚手で剛性のある平坦なプレ
ートであることが必要である。なお、接着材料Ｙとして
は、ウェーハの接着機能を果すものであればいかなる材
質のものも使用でき、ワックスの他に、接着剤、石膏、
氷等をあげることができる。
【００２０】ついで、該ウェーハＳＷが固定されたベー
スプレート１４の下面を真空チャック手段１２に支持固
定（チャッキング）する〔ステップ（ｂ）、図１
（２）〕。この真空チャック手段１２としては、例え
ば、図２に示した従来装置と同様の平面研削盤２０の真
空チャック手段１２をそのまま用いればよい。該ベース
プレート１４を支持固定する手段としては真空チャック
手段１２を例示したが 、その他の公知の支持固定手段
が適用可能なことは勿論である。
スプレート１４の下面を真空チャック手段１２に支持固
定（チャッキング）する〔ステップ（ｂ）、図１
（２）〕。この真空チャック手段１２としては、例え
ば、図２に示した従来装置と同様の平面研削盤２０の真
空チャック手段１２をそのまま用いればよい。該ベース
プレート１４を支持固定する手段としては真空チャック
手段１２を例示したが 、その他の公知の支持固定手段
が適用可能なことは勿論である。
【００２１】該真空チャック手段１２によってチャッキ
ングされたベースプレート１４の上面に固定されたウェ
ーハＳＷの上面は、平面研削される〔ステップ（ｃ）、
図１（３）〕。この平面研削は、例えば、図２に示した
平面研削盤２０の平面研削手段、即ち研削砥石２２を用
いて行なえばよい。上面を平面研削されたウェーハＨＷ
１はベースプレート１４とともに該真空チャック手段１
２から取り外される〔ステップ（ｄ）、図１（３）〕。
ングされたベースプレート１４の上面に固定されたウェ
ーハＳＷの上面は、平面研削される〔ステップ（ｃ）、
図１（３）〕。この平面研削は、例えば、図２に示した
平面研削盤２０の平面研削手段、即ち研削砥石２２を用
いて行なえばよい。上面を平面研削されたウェーハＨＷ
１はベースプレート１４とともに該真空チャック手段１
２から取り外される〔ステップ（ｄ）、図１（３）〕。
【００２２】該上面を研削されたウェーハＨＷ１は該ベ
ースプレート１４から離脱される〔ステップ（ｅ）、図
１（４）〕。このとき、該ウェーハＨＷ１の下面には接
着材料Ｙが付着されたままであるから、この接着材料Ｙ
を除去剤により除去する。氷であれば加熱溶解する。な
お、ウェーハＨＷ１の下面の平面研削の際に邪魔になら
ない接着材料Ｙ（例えば、石膏）であれば、平面研削時
に同時に研削除去されるので、その除去処理は不要であ
る。
ースプレート１４から離脱される〔ステップ（ｅ）、図
１（４）〕。このとき、該ウェーハＨＷ１の下面には接
着材料Ｙが付着されたままであるから、この接着材料Ｙ
を除去剤により除去する。氷であれば加熱溶解する。な
お、ウェーハＨＷ１の下面の平面研削の際に邪魔になら
ない接着材料Ｙ（例えば、石膏）であれば、平面研削時
に同時に研削除去されるので、その除去処理は不要であ
る。
【００２３】該上面を平面研削されたウェーハＨＷ１の
上下面が反転せしめられる〔ステップ（ｆ）、図１
（５）〕。
上下面が反転せしめられる〔ステップ（ｆ）、図１
（５）〕。
【００２４】該上面を平面研削されたウェーハＨＷ１の
上面は真空チャック手段１２にチャッキングされる〔ス
テップ（ｇ）、図１（６）〕。
上面は真空チャック手段１２にチャッキングされる〔ス
テップ（ｇ）、図１（６）〕。
【００２５】該チャッキング固定されたウェーハＨＷ１
の下面は平面研削される〔ステップ（ｈ）、図１
（７）〕。
の下面は平面研削される〔ステップ（ｈ）、図１
（７）〕。
【００２６】この両面を平面研削されたウェーハＨＷ２
は、該真空チャック手段１２から取り外される〔ステッ
プ（ｉ）、図１（８）〕。この両面を平面研削されたウ
ェーハＨＷ２は、図１０に示した従来の平面研削加工と
異なり、その両面のうねりは完全に修正され、厚さバラ
ツキもなく、さらにそりも修正した良好な形状となって
いる。該平面研削したウェーハＨＷ２の表面写真を図５
に示す。うねり、そりが完全に除去されていることが確
認できる。この平面研削されたウェーハＨＷ２は、さら
に面取り加工及びポリッシング加工される〔図１
（９）〕。
は、該真空チャック手段１２から取り外される〔ステッ
プ（ｉ）、図１（８）〕。この両面を平面研削されたウ
ェーハＨＷ２は、図１０に示した従来の平面研削加工と
異なり、その両面のうねりは完全に修正され、厚さバラ
ツキもなく、さらにそりも修正した良好な形状となって
いる。該平面研削したウェーハＨＷ２の表面写真を図５
に示す。うねり、そりが完全に除去されていることが確
認できる。この平面研削されたウェーハＨＷ２は、さら
に面取り加工及びポリッシング加工される〔図１
（９）〕。
【００２７】本発明の平面研削方法の採用により、うね
り及びそりがなく、厚さバラツキのないウェーハを平面
研削装置を用いて平面研削加工することができる。その
ため、従来のウェーハ加工工程において、ラッピング工
程を省略することが可能なことは勿論、場合によりエッ
チング工程の省略も可能となる。
り及びそりがなく、厚さバラツキのないウェーハを平面
研削装置を用いて平面研削加工することができる。その
ため、従来のウェーハ加工工程において、ラッピング工
程を省略することが可能なことは勿論、場合によりエッ
チング工程の省略も可能となる。
【００２８】なお、ベースプレート１４とウェーハＷの
接着にあたって、両者の接着を緊密にするためには、接
着材料中に気泡を含まないことが肝要である。気泡を伴
うことなく溶融接着材料、例えば溶融ワックス、ホット
メルト接着剤等を供給する装置の一例を図３に示して説
明する。
接着にあたって、両者の接着を緊密にするためには、接
着材料中に気泡を含まないことが肝要である。気泡を伴
うことなく溶融接着材料、例えば溶融ワックス、ホット
メルト接着剤等を供給する装置の一例を図３に示して説
明する。
【００２９】図３において、符号３０は、溶融接着材料
供給装置である。該装置３０は、内部に溶融接着材料、
例えば溶融ワックス、ホットメルト接着剤等Ｙを貯蔵す
る貯蔵タンク３４と、該貯蔵タンク３４に内圧を加える
加圧手段、例えば加圧ライン３６と、該貯蔵タンク３４
から溶融接着材料Ｙを加圧輸送する配管手段３８と、相
対向して設けられた一対の上側加熱手段、例えば上側ホ
ットプレート４０及び下側加熱手段、例えば下側ホット
プレート４２とを有している。該上側加熱手段４０は、
支持部材４４を介して開閉自在に回動可能とされてい
る。該下側加熱手段４２上にベースプレート１４及びウ
ェーハＷを載置し、又取り除く場合には、開放し、溶融
接着材料Ｙの供給時には、図示したごとく閉じた状態と
する。４６、４６は該下側加熱４２を支持する支持脚で
ある。
供給装置である。該装置３０は、内部に溶融接着材料、
例えば溶融ワックス、ホットメルト接着剤等Ｙを貯蔵す
る貯蔵タンク３４と、該貯蔵タンク３４に内圧を加える
加圧手段、例えば加圧ライン３６と、該貯蔵タンク３４
から溶融接着材料Ｙを加圧輸送する配管手段３８と、相
対向して設けられた一対の上側加熱手段、例えば上側ホ
ットプレート４０及び下側加熱手段、例えば下側ホット
プレート４２とを有している。該上側加熱手段４０は、
支持部材４４を介して開閉自在に回動可能とされてい
る。該下側加熱手段４２上にベースプレート１４及びウ
ェーハＷを載置し、又取り除く場合には、開放し、溶融
接着材料Ｙの供給時には、図示したごとく閉じた状態と
する。４６、４６は該下側加熱４２を支持する支持脚で
ある。
【００３０】この装置３０により溶融接着材料Ｙの供給
は次のように行う。まず、上側加熱手段４０を開放して
ベースプレート１４を下側加熱手段４２上に載置し、つ
いでウェーハＷを該ベースプレート１４上に載置する。
そこで、該上側加熱手段４０を閉じて、該ベースプレー
ト１４を下側加熱手段４２により、また該ウェーハＷを
上側加熱手段４０により、それぞれ加熱する。この状態
で、該加圧手段３６によって該貯蔵タンク３４に内圧を
加えて溶融接着材料Ｙを配管手段３８を介して該ベース
プレート１４とウェーハＷとの間隙４８に供給する。該
配管手段３８の配管態様は、該間隙４８に溶融接着材料
Ｙが供給されればよいもので特別の限定はないが、図示
の例では、該下側加熱手段４２及びベースプレート１４
の内部に配管手段３８を挿通した場合を示した。この場
合、ベースプレート１４には配管用の挿通孔５０が開穿
されている。溶融接着材料Ｙの供給作業が終了したら、
該上側加熱手段４０を開放して、該ベースプレート１４
とウェーハＷの接着した一体物を取り出せばよい。この
溶融接着材料供給装置３０の使用により、ベースプレー
ト１４とウェーハＷとの間隙４８に気泡を入れることな
く溶融接着材料Ｙを供給し、両者を緊密に接着すること
ができる。
は次のように行う。まず、上側加熱手段４０を開放して
ベースプレート１４を下側加熱手段４２上に載置し、つ
いでウェーハＷを該ベースプレート１４上に載置する。
そこで、該上側加熱手段４０を閉じて、該ベースプレー
ト１４を下側加熱手段４２により、また該ウェーハＷを
上側加熱手段４０により、それぞれ加熱する。この状態
で、該加圧手段３６によって該貯蔵タンク３４に内圧を
加えて溶融接着材料Ｙを配管手段３８を介して該ベース
プレート１４とウェーハＷとの間隙４８に供給する。該
配管手段３８の配管態様は、該間隙４８に溶融接着材料
Ｙが供給されればよいもので特別の限定はないが、図示
の例では、該下側加熱手段４２及びベースプレート１４
の内部に配管手段３８を挿通した場合を示した。この場
合、ベースプレート１４には配管用の挿通孔５０が開穿
されている。溶融接着材料Ｙの供給作業が終了したら、
該上側加熱手段４０を開放して、該ベースプレート１４
とウェーハＷの接着した一体物を取り出せばよい。この
溶融接着材料供給装置３０の使用により、ベースプレー
ト１４とウェーハＷとの間隙４８に気泡を入れることな
く溶融接着材料Ｙを供給し、両者を緊密に接着すること
ができる。
【００３１】上記実施例では、図７に示した従来の加工
方法の平面研削加工に本発明の平面研削加工を適用した
例について説明したが、本発明方法の特徴は、ウェーハ
等のワークの一方の面を接着材料を介してベースプレー
トの上面に固定し、このベースプレートの下面を支持固
定した状態でウェーハ等のワークの他方の面を平面研削
する点に存するものであり、この発明的特徴を包含する
いかなるワーク加工方法も本発明の技術的範囲に含まれ
ることはいうまでもない。
方法の平面研削加工に本発明の平面研削加工を適用した
例について説明したが、本発明方法の特徴は、ウェーハ
等のワークの一方の面を接着材料を介してベースプレー
トの上面に固定し、このベースプレートの下面を支持固
定した状態でウェーハ等のワークの他方の面を平面研削
する点に存するものであり、この発明的特徴を包含する
いかなるワーク加工方法も本発明の技術的範囲に含まれ
ることはいうまでもない。
【００３２】
【発明の効果】以上のべたごとく、本発明によれば、う
ねり、そりのあるウェーハ等のワークでも、そのうね
り、そりを修正でき、かつ厚さバラツキのない良好なワ
ークの平面研削を行なうことが可能となる。これによ
り、従来のラッピング工程に代わって平面研削工程を導
入することが可能となり、従来よりも高精度のワーク加
工を行なうことができる上、加工工程の簡略化を図るこ
とができ、加工コストの低減を実現できる利点がある。
ねり、そりのあるウェーハ等のワークでも、そのうね
り、そりを修正でき、かつ厚さバラツキのない良好なワ
ークの平面研削を行なうことが可能となる。これによ
り、従来のラッピング工程に代わって平面研削工程を導
入することが可能となり、従来よりも高精度のワーク加
工を行なうことができる上、加工工程の簡略化を図るこ
とができ、加工コストの低減を実現できる利点がある。
【図１】本発明の平面研削方法における工程の一例を示
す説明図である。
す説明図である。
【図２】本発明における平面研削装置の一例を示す概略
説明図である。
説明図である。
【図３】本発明における溶融接着材料供給装置の一例を
示す概略説明図である。
示す概略説明図である。
【図４】ワイヤーソーによってスライシングしたウェー
ハの表面を示す写真である。
ハの表面を示す写真である。
【図５】本発明による平面研削を行なったウェーハの表
面を示す写真である。
面を示す写真である。
【図６】従来のウェーハ加工の１例を示す工程図であ
る。
る。
【図７】平面研削工程を導入した場合のウェーハ加工の
１例を示す工程図である。
１例を示す工程図である。
【図８】平面研削工程を導入した場合のウェーハ加工の
他の例を示す工程図である。
他の例を示す工程図である。
【図９】図６に示した工程により加工したウェーハの断
面形状の変化を工程順に示した説明図である。
面形状の変化を工程順に示した説明図である。
【図１０】図７に示した工程により加工したウェーハの
断面形状の変化を工程具体図とともに示した説明図であ
る。
断面形状の変化を工程具体図とともに示した説明図であ
る。
【図１１】図８に示した工程により加工したウェーハの
断面形状の変化を工程具体図とともに示した説明図であ
る。
断面形状の変化を工程具体図とともに示した説明図であ
る。
【図１２】公知の平面研削装置を示す概略説明図であ
る。
る。
１２ 真空チャック手段 １４ ベースプレート Ｙ 接着材料 ＳＷ スライスウェーハ ＬＷ ラップウェーハ ＥＷ エッチングウェーハ ＰＷ ポリッシュウェーハ ＨＷ１ 片面平面研削ウェーハ ＨＷ２ 両面平面研削ウェーハ ３０ 溶融接着材料供給装置
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年１２月２２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】 ワイヤーソーによってスライシングしたウェ
ーハの表面上に形成された微細なパターンを示す写真で
ある。
ーハの表面上に形成された微細なパターンを示す写真で
ある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正内容】
【図５】 本発明による平面研削を行なったウェーハの
表面上に形成された微細なパターンを示す写真である。
表面上に形成された微細なパターンを示す写真である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 工藤 秀雄 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150 信越半導体株式会社半導体白河研究 所内
Claims (12)
- 【請求項１】 ワークの一方の面を平面研削装置の支持
固定手段に支持固定して該ワークの他方の面を平面研削
する方法であって、該ワークの一方の面を接着材料を介
して、ベースプレートの上面に固定し、該ベースプレー
トの下面を該支持固定手段に支持固定することを特徴と
するワークの平面研削方法。 - 【請求項２】 （ａ）ワークの一方の面を接着材料を介
して、ベースプレートの上面に固定するステップ、
（ｂ）該ベースプレートの下面を支持固定手段に支持固
定するステップ、（ｃ）該支持固定されたワークの他方
の面を平面研削するステップ、（ｄ）該ベースプレート
と該他方の面を平面研削されたワークを該支持固定手段
から取り外すステップ、（ｅ）該他方の面を平面研削さ
れたワークを該ベースプレートから離脱するステップ、
（ｆ）該他方の面を平面研削されたワークの上下を反転
させるステップ、（ｇ）該他方の面を平面研削されたワ
ークの他方の面を該支持固定手段に支持固定するステッ
プ、（ｈ）該支持固定されたワークの一方の面を平面研
削するステップ、（ｉ）該両面を平面研削されたワーク
を該支持固定手段から取り外すステップ、からなるワー
クの平面研削方法。 - 【請求項３】 上記接着材料がワックス、接着剤、石膏
又は氷であることを特徴とする請求項１又は２記載のワ
ークの平面研削方法。 - 【請求項４】 上記支持固定手段が真空チャック手段で
あることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載
のワークの平面研削方法。 - 【請求項５】 原料インゴットをワークに切断するスラ
イシング工程と、スライシングされたワークを平面研削
する工程と、平面研削されたワークの面取りを行なう工
程と、面取りされたワークをポリッシングする工程とを
有し、上記平面研削工程として請求項１〜４のいずれか
１項に記載の方法を適用することを特徴とするワークの
加工方法。 - 【請求項６】 上記スライシング工程にワイヤーソーを
用いることを特徴とする請求項５記載の加工方法。 - 【請求項７】 上記スライシング工程と上記平面研削工
程の間に上記ワークをエッチングする工程を行うことを
特徴とする請求項５又は６記載の加工方法。 - 【請求項８】 上記ワークが半導体ウェーハであること
を特徴とする請求項１〜７のいずれか１項記載の方法。 - 【請求項９】 平面研削手段と支持固定手段とを有する
平面研削装置であり、平面研削すべきワークの一方の面
をベースプレートの上面に接着材料を介して固定し、該
ワークと該ベースプレートとの接着体を該ベースプレー
トの下面を介して該支持固定手段に支持固定し、この状
態で該ワークの他方の面を平面研削するようにしたこと
を特徴とする平面研削装置。 - 【請求項１０】 上記支持固定手段が真空チャック手段
であることを特徴とする請求項８記載の平面研削装置。 - 【請求項１１】 内部に溶融接着材料を貯蔵する貯蔵タ
ンクと、該貯蔵タンクに内圧を加える加圧手段と、該貯
蔵タンクから溶融接着材料を加圧輸送する配管手段と、
相対向して設けられた一対の上側加熱手段及び下側加熱
手段とを有し、ベースプレートを該下側加熱手段上に載
置し、ワークを該ベースプレート上に載置するとともに
該下側加熱手段及び上側加熱手段により該ベースプレー
ト及びワークを加熱した状態とし、該加圧手段によって
該貯蔵タンクに内圧を加えて溶融接着材料を該配管手段
を介して該ベースプレートとワークとの間隙に供給する
ことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項記載の方
法に用いられる溶融接着材料供給装置。 - 【請求項１２】 上記ワークが半導体ウェーハであるこ
とを特徴とする請求項９〜１１のいずれか１項記載の装
置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6227291A JP3055401B2 (ja) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | ワークの平面研削方法及び装置 |
| DE69518202T DE69518202T2 (de) | 1994-08-29 | 1995-08-18 | Verfahren und Vorrichtung zum Oberflächenschleifen eines Werkstücks |
| MYPI95002433A MY132081A (en) | 1994-08-29 | 1995-08-18 | Method and apparatus for surface-grinding of workpiece |
| EP95305777A EP0699504B1 (en) | 1994-08-29 | 1995-08-18 | Method and apparatus for surface-grinding of workpiece |
| US08/953,515 US6077149A (en) | 1994-08-29 | 1997-10-17 | Method and apparatus for surface-grinding of workpiece |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6227291A JP3055401B2 (ja) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | ワークの平面研削方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0866850A true JPH0866850A (ja) | 1996-03-12 |
| JP3055401B2 JP3055401B2 (ja) | 2000-06-26 |
Family
ID=16858516
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6227291A Expired - Fee Related JP3055401B2 (ja) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | ワークの平面研削方法及び装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6077149A (ja) |
| EP (1) | EP0699504B1 (ja) |
| JP (1) | JP3055401B2 (ja) |
| DE (1) | DE69518202T2 (ja) |
| MY (1) | MY132081A (ja) |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6284658B1 (en) | 1998-07-08 | 2001-09-04 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Manufacturing process for semiconductor wafer |
| US6387466B1 (en) | 1998-10-29 | 2002-05-14 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Single-crystal silicon wafer |
| US6987054B2 (en) | 1998-02-27 | 2006-01-17 | Fujitsu Limited | Method of fabricating a semiconductor device having a groove formed in a resin layer |
| JP2006261527A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの平坦加工方法 |
| JP2006269761A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェハの製造方法 |
| JP2006269809A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの平坦加工方法 |
| JP2007049008A (ja) * | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの両面研削方法 |
| JP2009035481A (ja) * | 2008-09-24 | 2009-02-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶ウエーハ |
| JP2009148866A (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | 樹脂被覆方法および装置 |
| JP2009176848A (ja) * | 2008-01-23 | 2009-08-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの研削方法 |
| JP2009272557A (ja) * | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの製造方法及び製造装置、並びに硬化性樹脂組成物 |
| JP2010016038A (ja) * | 2008-07-01 | 2010-01-21 | Technical Research & Development Institute Ministry Of Defence | 冷凍チャック装置 |
| JP2010155298A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | 樹脂被覆方法および樹脂被覆装置 |
| JP2015213120A (ja) * | 2014-05-02 | 2015-11-26 | 信越半導体株式会社 | ウェーハの加工方法 |
| US9324558B2 (en) | 2013-06-26 | 2016-04-26 | Sumco Corporation | Machining process for semiconductor wafer |
| JP2019127415A (ja) * | 2018-01-24 | 2019-08-01 | 昭和電工株式会社 | 単結晶４Ｈ−ＳｉＣ成長用種結晶及びその加工方法 |
| TWI693124B (zh) * | 2018-02-21 | 2020-05-11 | 日商Ｓｕｍｃｏ股份有限公司 | 晶圓的製造方法 |
| JP2022010932A (ja) * | 2020-06-29 | 2022-01-17 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| WO2023228787A1 (ja) * | 2022-05-23 | 2023-11-30 | 信越半導体株式会社 | 研削ウェーハの製造方法及びウェーハの製造方法 |
| WO2024018854A1 (ja) * | 2022-07-20 | 2024-01-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置および研削装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3348429B2 (ja) * | 1996-12-26 | 2002-11-20 | 信越半導体株式会社 | 薄板ワーク平面研削方法 |
| DE19722679A1 (de) * | 1997-05-30 | 1998-12-03 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Scheibenhalter und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
| JP2001516145A (ja) * | 1997-08-21 | 2001-09-25 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | 半導体ウエハの加工方法 |
| US6214704B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-04-10 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of processing semiconductor wafers to build in back surface damage |
| US6294469B1 (en) | 1999-05-21 | 2001-09-25 | Plasmasil, Llc | Silicon wafering process flow |
| WO2002026441A1 (en) * | 2000-09-27 | 2002-04-04 | Strasbaugh, Inc. | Tool for applying resilient tape to chuck used for grinding or polishing wafers |
| US7059942B2 (en) * | 2000-09-27 | 2006-06-13 | Strasbaugh | Method of backgrinding wafers while leaving backgrinding tape on a chuck |
| US6672943B2 (en) | 2001-01-26 | 2004-01-06 | Wafer Solutions, Inc. | Eccentric abrasive wheel for wafer processing |
| US6632012B2 (en) | 2001-03-30 | 2003-10-14 | Wafer Solutions, Inc. | Mixing manifold for multiple inlet chemistry fluids |
| US20050221722A1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-06 | Cheong Yew W | Wafer grinding using an adhesive gel material |
| US20050236358A1 (en) * | 2004-04-26 | 2005-10-27 | Shen Buswell | Micromachining methods and systems |
| US7541264B2 (en) * | 2005-03-01 | 2009-06-02 | Dow Corning Corporation | Temporary wafer bonding method for semiconductor processing |
| JP5320058B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2013-10-23 | 株式会社ディスコ | 樹脂被覆方法および樹脂被覆装置 |
| DE112014000276B4 (de) * | 2013-02-19 | 2022-03-31 | Sumco Corporation | Verfahren zum Prozessieren von Halbleiterwafern |
| TWI594291B (zh) * | 2016-08-17 | 2017-08-01 | 鴻創應用科技有限公司 | 陶瓷晶圓片及其製造方法 |
| CN110465846A (zh) * | 2019-07-25 | 2019-11-19 | 江苏吉星新材料有限公司 | 一种大尺寸蓝宝石衬底晶圆片的面型修复方法 |
| CN110722692B (zh) * | 2019-10-12 | 2021-09-07 | 江苏澳洋顺昌集成电路股份有限公司 | 一种控制研磨产品bow值加工的方法 |
| CN110783178B (zh) * | 2019-11-01 | 2022-08-12 | 广东先导先进材料股份有限公司 | 一种半导体晶片及其加工方法 |
| CN114670347B (zh) * | 2022-03-30 | 2024-07-30 | 亚新半导体科技(无锡)有限公司 | 用于硅盘的加工方法和硅盘加工设备 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3872626A (en) * | 1973-05-02 | 1975-03-25 | Cone Blanchard Machine Co | Grinding machine with tilting table |
| US4009539A (en) * | 1975-06-16 | 1977-03-01 | Spitfire Tool & Machine Co., Inc. | Lapping machine with vacuum workholder |
| US4316757A (en) * | 1980-03-03 | 1982-02-23 | Monsanto Company | Method and apparatus for wax mounting of thin wafers for polishing |
| JPS5996912A (ja) * | 1982-11-26 | 1984-06-04 | 株式会社東芝 | セラミツク製品の製造法 |
| JPS60103651U (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-15 | シチズン時計株式会社 | 真空吸着台 |
| JPS60109859U (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-25 | 株式会社 デイスコ | 半導体ウエ−ハ表面研削装置 |
| EP0272531B1 (en) * | 1986-12-08 | 1991-07-31 | Sumitomo Electric Industries Limited | Surface grinding machine |
| FR2613263B1 (fr) * | 1987-03-30 | 1991-01-18 | Essilor Int | Procede et appareil pour fixer un bloc metallique sur une face d'une lentille ophtalmique, par surmoulage de metal en fusion |
| JPS63272461A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-09 | Hitachi Cable Ltd | 半導体ウエハの研磨方法 |
| DE3804873A1 (de) * | 1988-02-17 | 1989-08-31 | Mueller Georg Nuernberg | Verfahren und vorrichtung zum zerteilen von halbleiter-barren in halbleiter-ronden mit zumindest einer planen oberflaeche |
| JPH02124243A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-05-11 | Nippon Alum Mfg Co Ltd | ワークの加工方法と凍結保持装置 |
| US5004512A (en) * | 1989-08-21 | 1991-04-02 | Frank Fodera | Method of making a stone veneer panel |
| JPH03108332A (ja) * | 1989-09-21 | 1991-05-08 | Naoetsu Denshi Kogyo Kk | 半導体ウエハの鏡面加工方法 |
| JPH05305561A (ja) * | 1992-05-01 | 1993-11-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化ケイ素系セラミックスの研削加工方法及びその加工製品 |
| US5256599A (en) * | 1992-06-01 | 1993-10-26 | Motorola, Inc. | Semiconductor wafer wax mounting and thinning process |
| JP2839801B2 (ja) * | 1992-09-18 | 1998-12-16 | 三菱マテリアル株式会社 | ウェーハの製造方法 |
| JP2513426B2 (ja) * | 1993-09-20 | 1996-07-03 | 日本電気株式会社 | ウェ―ハ研磨装置 |
-
1994
- 1994-08-29 JP JP6227291A patent/JP3055401B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-08-18 EP EP95305777A patent/EP0699504B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-08-18 DE DE69518202T patent/DE69518202T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-08-18 MY MYPI95002433A patent/MY132081A/en unknown
-
1997
- 1997-10-17 US US08/953,515 patent/US6077149A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6987054B2 (en) | 1998-02-27 | 2006-01-17 | Fujitsu Limited | Method of fabricating a semiconductor device having a groove formed in a resin layer |
| US7064047B2 (en) | 1998-02-27 | 2006-06-20 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having a ball grid array and a fabrication process thereof |
| US7556985B2 (en) | 1998-02-27 | 2009-07-07 | Fujitsu Microelectronics Limited | Method of fabricating semiconductor device |
| US6284658B1 (en) | 1998-07-08 | 2001-09-04 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Manufacturing process for semiconductor wafer |
| US6387466B1 (en) | 1998-10-29 | 2002-05-14 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Single-crystal silicon wafer |
| JP2006261527A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの平坦加工方法 |
| JP4663362B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2011-04-06 | 株式会社ディスコ | ウエーハの平坦加工方法 |
| JP2006269761A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェハの製造方法 |
| JP2006269809A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの平坦加工方法 |
| JP2007049008A (ja) * | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの両面研削方法 |
| JP2009148866A (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | 樹脂被覆方法および装置 |
| JP2009176848A (ja) * | 2008-01-23 | 2009-08-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの研削方法 |
| JP2009272557A (ja) * | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの製造方法及び製造装置、並びに硬化性樹脂組成物 |
| JP2010016038A (ja) * | 2008-07-01 | 2010-01-21 | Technical Research & Development Institute Ministry Of Defence | 冷凍チャック装置 |
| JP4665179B2 (ja) * | 2008-07-01 | 2011-04-06 | 防衛省技術研究本部長 | 冷凍チャック装置 |
| JP2009035481A (ja) * | 2008-09-24 | 2009-02-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶ウエーハ |
| JP2010155298A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | 樹脂被覆方法および樹脂被覆装置 |
| US9324558B2 (en) | 2013-06-26 | 2016-04-26 | Sumco Corporation | Machining process for semiconductor wafer |
| JP2015213120A (ja) * | 2014-05-02 | 2015-11-26 | 信越半導体株式会社 | ウェーハの加工方法 |
| JP2019127415A (ja) * | 2018-01-24 | 2019-08-01 | 昭和電工株式会社 | 単結晶４Ｈ−ＳｉＣ成長用種結晶及びその加工方法 |
| US11781244B2 (en) | 2018-01-24 | 2023-10-10 | Resonac Corporation | Seed crystal for single crystal 4H—SiC growth and method for processing the same |
| TWI693124B (zh) * | 2018-02-21 | 2020-05-11 | 日商Ｓｕｍｃｏ股份有限公司 | 晶圓的製造方法 |
| CN111758152A (zh) * | 2018-02-21 | 2020-10-09 | 胜高股份有限公司 | 晶片的制造方法 |
| CN111758152B (zh) * | 2018-02-21 | 2023-10-31 | 胜高股份有限公司 | 晶片的制造方法 |
| US11948789B2 (en) | 2018-02-21 | 2024-04-02 | Sumco Corporation | Wafer production method |
| JP2022010932A (ja) * | 2020-06-29 | 2022-01-17 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| WO2023228787A1 (ja) * | 2022-05-23 | 2023-11-30 | 信越半導体株式会社 | 研削ウェーハの製造方法及びウェーハの製造方法 |
| WO2024018854A1 (ja) * | 2022-07-20 | 2024-01-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置および研削装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0699504A1 (en) | 1996-03-06 |
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| DE69518202T2 (de) | 2001-02-08 |
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