JPH04201145A - ウェーハの接着方法およびその装置 - Google Patents

ウェーハの接着方法およびその装置

Info

Publication number
JPH04201145A
JPH04201145A JP2334104A JP33410490A JPH04201145A JP H04201145 A JPH04201145 A JP H04201145A JP 2334104 A JP2334104 A JP 2334104A JP 33410490 A JP33410490 A JP 33410490A JP H04201145 A JPH04201145 A JP H04201145A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
carrier plate
pressure
plate
chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2334104A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2648638B2 (ja
Inventor
Yukio Tsutsumi
堤　幸雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Silicon Corp
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Silicon Corp
Mitsubishi Materials Corp
Japan Silicon Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Silicon Corp, Mitsubishi Materials Corp, Japan Silicon Co Ltd filed Critical Mitsubishi Materials Silicon Corp
Priority to JP33410490A priority Critical patent/JP2648638B2/ja
Priority to EP91120357A priority patent/EP0488267B1/en
Priority to DE69119367T priority patent/DE69119367T2/de
Priority to US07/800,833 priority patent/US5254205A/en
Priority to KR1019910021848A priority patent/KR100226027B1/ko
Publication of JPH04201145A publication Critical patent/JPH04201145A/ja
Priority to US08/076,204 priority patent/US5310441A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2648638B2 publication Critical patent/JP2648638B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34—Accessories
    • B24B37/345—Feeding, loading or unloading work specially adapted to lapping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67313—Horizontal boat type carrier whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67326—Horizontal carrier comprising wall type elements whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising sidewalls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/17—Surface bonding means and/or assemblymeans with work feeding or handling means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/17—Surface bonding means and/or assemblymeans with work feeding or handling means
    • Y10T156/1702—For plural parts or plural areas of single part
    • Y10T156/1744—Means bringing discrete articles into assembled relationship

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Jigs For Machine Tools (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】
本発明はシリコンウェーハの接着装置に係り、さらに詳
しくはシリコンウェーハのポリッシング装置に使用する
キャリアプレートへシリコンウェーハを接着する装置に
関する。
【従来の技術】
単結晶のシリコンウェーハ（以下ウェーハと称す）のボ
リッンングにおいては、所定のキャリアプレートにウェ
ーハを接着固定して係るキャリアプレートをボリッノン
グ装置に投入し、ウェーハの研磨をおこなっている。 従来、上記キャリアプレートにウェーハを接着する場合
には、ウェーハの裏面には予めワックスを塗布しておき
キャリアプレートの上に複数のウェーハを配列し一次接
着後に、第８図に示すような加圧接着装置による二次接
着が用いられていた（特開昭６３−２４５３６６）。 この装置は、本体架台■０上の減圧室８１内にプレス板
８３か設けられたもので、はじめに台座８５の上にキャ
リアプレート９１を載置し、その、上方よりプレス板８
３でウェーハ９０を加圧するものである。その際、台座
上のキャリアプレート９１とプレス板８３を内包する減
圧室８１内を減圧しながらプレス板８３でウェーハ９０
を加圧してウェーハ９０とキャリアプレート９１との接
着面を脱気し、次いで、減圧室８１内を常圧に戻すこと
でウェーハとキャリアプレートとの間に気泡の存在しな
い接着をおこなうものであった。
【発明が解決しようとする課題】
シリコン単結晶ウェー／”１を用いる集積回路（ＩＣ）
の最小線幅は１μｍ以下となり、更に小さくなっている
。これに光リソグラフィーが用いいら°れる限りその焦
点深度が浅くなり、ウエーノ＼の平坦度の要求は厳しく
なる一方である。このため研磨方法の改良、キャリアプ
レートの平坦度管理の強化が行われており、また接着の
際のワックス層の厚さおよび厚み分布も問題となり、ワ
ックス層の厚さは１μｍ以下となる。これによりキャリ
アプレートとウェーハの間にごみが入ったり、気泡が残
留すれば、これが研磨後のウェー／”を表面に転写され
デインプルと呼ばれる欠陥となり、平坦度を悪化させる
という問題点を有していた。 従来の接着方法では、ウエーノ＼の口径が２００ｍｍφ
と大きくなれば、均一に加圧することが困難となり、ま
たより小ささごみが問題となるため、ワックスを付けた
ウエーノ＼を下向きにしたりする際のごみの発生が無視
しえないようになった。 本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので
、その目的は、複数のウェーハをキャリアプレート表面
に接着する際に、ワックス厚さを薄く均一にし、デイン
プルを減少させる、改良された減圧接着によるウェーハ
の接着装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明のウェーハの接着方
法では、ウェーハの上面とこれか接着されるキャリアプ
レートとを、所定間隔をおいて対向する位置に配置する
とともにこれらを減圧下におき、次いで、ウェーハをそ
の下面より持ち上げてキャリアプレートへ接着し、その
後、昇圧することを特徴とする。 そして、本発明のウェーハの接着装置では、密閉状の第
１の減圧室と、該第１の減圧室の下方に設けられた密閉
状の第２の減圧室と、これら両減圧室を上下に区画する
ダイヤフラムと、前記第１の減圧室内に設けられて前記
ダイヤフラムの上方でウェーハとこれが接着されるキャ
リアプレートとを支持するウェーハガイドと、前記両減
圧室内の圧力を制御する圧力制御手段とからなり、前記
ウェーハガイドには、前記ダイヤフラムの上面に対向す
る位置で前記ウェーハを支持するウェーハ支持部と、前
記ウェーハの上面との間に所定間隔をおいて対向する位
置で前記キャリアプレートを支持するキャリアプレート
支持部とが設けられ、前記圧力制御手段は、前記両減圧
室をともに減圧させる動作と、前記ダイヤフラムをキャ
リアプレートに接近する方向へ所定間隔以上に亙って変
位させるべく第２の減圧室を第１の減圧室に対して相対
的に増圧させる動作とを行うことを特徴とする。
【作用】
ウェーハは、ダイアフラムの上方で、ダイアフラムの上
面に対向する位置で支持され、かつ、該ウェーハの上面
との間に所定間隔をおいて対向する位置でキャリアプレ
ートが支持されている。初めに、第１の減圧室および第
２の減圧室が同時に減圧される。第１の減圧室が脱気さ
れると、つ工−ハとキャリアプレートとの空隙にも空気
が介在しなくなる。この後、第１の減圧室の減圧状態を
保持したまま、第１の減圧室に対して第２の減圧室を相
対的に増圧すると、第１の減圧室と第２の減圧室との圧
力差によりダイアフラムを第１の減圧室にあるキャリア
プレートの方向へ所定間隔に互って変位させる。これに
よりダイアフラムの上方でウェーハガイドに支持された
ウェーハがキャリアプレートの下面に押し付けられる。 ウェーハ裏面（装置内では上面）には予めワックスが塗
布されており、該ワックスにより一部キャリアプレート
の下面にウェーハが担持される。その後、第１の減圧室
および第２の減圧室とも大気開放すると、キャリアプレ
ートの下面に担持されているウェーハは、その接着面に
空気を介在していないので静水圧的な真空密着作用に□
よりウェーハがキャリアプレートに密着される。
【実施例】
以下、本発明のウェーハの接着装置の一実施例に関し添
付した第１図ないし第６図にもとづいて詳細に説明する
。 １１図において符号ｌで示されるウェーハの接着装置（
以下単に接着装置という。）は、本体架台ｌＯ上に載置
された台座４と、該台座４の上に支持されたウェーハガ
イド５と、それら上方に駆動シリンダー３１により昇降
可能に吊持されたプレス板３とから概ね構成されている
。そして、これら台座４、ウェーハガイド５、プレス板
３は、プレス板３の上下動に一部同伴して開閉するカバ
ー２１内に内包されるようになっており、カバー２１が
下降して本体架台１０の上面に密着したときには、カバ
ー２１の内側が気密状態を保持し得る第１の減圧室２と
なっている。この第１の減圧室２は、該第１の減圧室２
から圧力制御系に連なる第１の排気ラインＬｌを通じて
脱気され、真空状態に導かれる。−・方、本体架台１０
に載置された台座４には、その内部に第２の減圧室４９
が形成され、本体架台１０および台座４の一部を貫通し
前記圧力制御系に連なる第２の排気ラインＬ２が設けら
れて脱気可能とされている。 本発明では、第２図に示されるように、上記第１の減圧
室２と第２の減圧室４９とは、台座４の中間部に水平に
設けられたダイアフラム４１により各室仕切られて、各
々独立にその圧力が制御できるようになっている。そし
て、該ダイアフラム４１の上方には、複数のウェーハ６
、・・・、とこれが接着されるキャリアプレート７とを
支持するつ工−ハガイド５がその台座４上の所定位置に
載置されている。また第５図に示されるように、ウェー
ハガイド５にはダイアフラム４１の上面に対向するする
位置でこれら複数のウェーハ６を支持するウェーハ支持
部５１ｃが設けられ、さらに、つニーハロの上面と所定
間隔をおいて対向する位置でキャリアプレート７を支持
する、キャリアプレート支持面５１ｂが形成されれてい
る。このような構成において、第１の減圧室２と第２の
減圧室４９との圧力を制御する圧力制御手段が具備され
ており、該圧力制御手段によって第１の減圧室２と第２
の減圧室４９をともに減圧させ、また、第２の減圧室４
９を第１の減圧室２に対して相対的に増圧させて、ダイ
アフラム４１をキャリアプレート７に接近する方向へ所
定間隔以上に亙って変位させることを特徴としている。 以下、本実施例をさらに詳しく説明する。 本体架台１０の上に載置された台座４は、平面形状が円
形で、内部を浅い碗状にくりぬいた下部の合金と環状の
上部枠体とを合体して形成されており、上部枠体と下部
の合金との間に円形薄板状のダイアフラム４１が挟着さ
れている。ダイアフラム４１の挟着部分では、第３図に
示されるように、台座４の下部の台金内径よりも上部の
枠体内径が若干大きくとられ、この台座４に載置される
ウェーハガイド５の底面周縁を支えるよう、ダイアフラ
ム４１を挟んで段着きに形成されている。 また、ダイアフラム４１は、ゴムもしくは合成ゴムから
なる弾性を有する膜体であって、上面と下面との圧力差
により変形可能なものとなっている。 このように、台座４の中間に挟着されたダイアフラム４
１により第１の減圧室２と仕切られて、その下部の合金
の内方部分に第２の減圧室４９が形成されている。 そして、複数のウェーハ６およびキャリアプレート７を
支持するための外形が略円盤状のウェーハガイド５が、
前記台座４の上部枠体の内側に嵌め込まれ、その下面が
ダイアフラム４１の上面にほぼ当接して載置されている
。 次に、このウェーハガイド５は、複数のウェーハ６とキ
ャリアブルードアとを支持するもので、取扱いの利便を
考慮し、アルミもしくはアルミ合金で成形され、金属汚
染の防止と表面を平滑にすべくアルマイト加工されたも
のである。第４図において、ウェーハ６が配置されるウ
ェーハガイド５の上面側が示されているが、複数枚（図
面では５枚）のウェーハ６、・・、が均等に配置され得
るように、ウェーハ挿入孔５１．・・・、が開口されて
いる。そして、上面は、キャリアプレート７をダイアフ
ラム４１の上方で該ダイアフラム４１から所定の高さに
対向して支持するためのキャリアプレート支持面５２と
なっている。 ウェーハガイド５には、その上面周縁のおよそ半分にわ
たって、キャリアプレート７をキャリアブ１ノート支持
面５２に載置するとき位置決めをおこなうための立上が
り部分であるキャリアプレート案内５３か、ウェーハガ
イド５に一体に形成されている。第４図で２箇所設けら
れている案内用切欠５６は、ウェーハカイト５を台座４
への取付・取外しする場合の支持部分であり、また、キ
ャリアプレート７をこのウェーノーガイド５に取付・取
外しし易くするための切欠である。さらに、キャリアプ
レート支持面５２には、各々のウエーノ＼挿入孔５１と
ウェーハガイド５の外方空間とを結ぶ挿入孔切溝５４が
開溝され、ウエーノ＼挿入孔５１に挿入されたウェーハ
６の上面の空隙とウェーノーガイド５の外方空間とが連
通ずる状態となっている。 また、第５図、第６図に示されるように、つ工−ハガイ
ド５のキャリアプレート支持面５２に複数設けられたウ
ェーハ挿入孔５１には、開口周縁に角面取５１ｂが施さ
れてウエーノ＼６を載置し易い形状となっている。そし
て、ウェーハ挿入孔５■の内側壁には、キャリアプレー
ト支持面５２に対してウェーハ６が若干落とし込まれる
位置で支持されるように、複数のウェーハ支持部５１ｃ
が設けられている。ウェーハ支持部５１ｃは、ウェーハ
挿入孔５１の内側壁の上部を一定間隔で多数箇所、円周
に沿って欠落させた欠落部５１ｅを設けることにより、
相対的にウェーハ挿入孔５１の内側壁上部に多数の突出
部分として形成されているもので、挿入孔５１の内側壁
の下方とは同−垂壁面にある。 このように、キャリアプレート７を載置するキャリアプ
レート支持面５２とウェーハ６を支持するウェーハ支持
部５１ｃとに落差をもうけることで、ウェーハ６とウェ
ーハが接着されるキャリアプレート７との間に所定の間
隔が確保され得るのである。このウェーハ６とキャリア
プレート７との間隔は、脱気効率とダイアフラム４１の
変位量を考慮すると、互いに接触しない範囲でなるべく
少ない方がよく、例えば１ｍｍないし５ａ＋＋ａ程度と
するのが望ましい。 また、前述した挿入孔切溝５４は、ウェーハ支持部５１
ｃの上面より幾分深く開溝され、また、ウェーハ挿入孔
５１の内側壁の上部に設けられた欠落部５１ｅはウェー
ハ６の上面空隙と下面に生じる諸隙間とを連通させてい
るが、これは、第１の減圧室２の脱気操作かおこなわれ
るときにウェーハ６の上下面を同一状態とするためであ
る。 一方、キャリアプレート支持面５２に開孔されたウェー
ハ挿入孔５１には、ウェーハ押着板５５が挿入付設され
ている。この場合、ウェーハ挿入孔５１の開口周縁には
、等間隔に複数の支持爪用切溝５１ａ（図面では４箇所
）が所定の深さに設けられており、ウェーハ押着板５５
に突設された挿着板支持爪５５２Ｌが嵌め込まれるよう
になっている。 ウェーハ押着板５５は、ウェーハ６をその下面から持ち
上げてキャリアプレート７に挿着するためのものであっ
て、シリコンゴム、ふっ素糸樹脂、超高分子ポリエチレ
ン等ウェーハ６の表面に損傷を与えることなく、かつ、
摩擦抵抗の小さい材料により形成されている。そして、
その底面がダイアフラム４１の上面に当接し、かつ、ウ
ェーハ支持部５１ｃに配置されるウェーハ６の下面にこ
のウェーハ押着板５５の上面、すなわち第５図に示され
る挿着面５５ｂがほぼ接するように厚みが設定されてい
る。ただし、ウェーハ押着板５５はつ工−ハ挿入孔５１
の内筒で上下に昇降自在とすべく、前記挿着板支持爪５
５ａと支持爪用切溝５１ａとは、その平面形状において
緩い嵌め合いとなっている。 さらに、ウェーハガイド５の下面側においては、第６図
（ｂ）のＡ−Ａ断面図に示されるように、ウェーハ挿入
孔５１の下面開孔部円周に角面取５１ｄが施されいる。 これは、ウェーハガイド５を台座４の上部枠体に載置し
たときに、ダイアフラム４１の上面がウェーハガイド５
の底面およびつ工−ハ挿入孔５１に付設されたウェーハ
押着板５５の底面に接するが、ダイアフラム４１を上方
に変位させたときにその必要な変位量を確保し、十分に
ウェーハ押着板５５をキャリアプレート７側へ押し看け
るために設けられている。 各構成部材と、ウェーハならびにウェーハが接着される
キャリアプレートとの配置関係を取り纏めると、本体架
台１０の上に固定された台座４の内部にはダイアフラム
４１で仕切られて形成された第２の減圧室４９があり、
該ダイアフラム４Ｉの上方にはダイアフラム４１の上面
に当接するウェーハガイド５が載置されている。そして
、つ工−ハガイド５に開孔されたウェーハ挿入孔５１に
ウェーハ押着板５５が付設されており、その底面ばウェ
ーハガイド５の底面とほぼ同一平面をなしてダイアフラ
ム４１の上面に当接している。一方、ウェーハ６はウェ
ーハ挿入孔５１のウェーハ支持部５１ｃの上に配置され
る。また、ウェーハ支持部５１ｃはキャリアプレート支
持面５２より若干下方に位置し、配置されたウェーハ６
もまたウェーハガイド５のキャリアプレート支持面５２
に対し下方に配置される。さらに、ウェーハガイド５の
上方には、キャリアプレート７がキャリアプレート支持
面５２に当接して支持される。 すなわち、ウェーハガイド５は、ダイアフラム４１の上
方で、ダイアフラム４１の上面に対向する位置でウェー
ハ支持部５１ｃによりウェーハ６を支持し、かつ、該ウ
ェーハ６の上面との間に所定間隔をおいて対向する位置
でキャリアプレート支持面５２によりキャリアプレート
７を支持しているのである。 次にプレス板３およびカバー２１について説明すると、
上記のようにウェーハガイド５にキャリアプレート７の
載置される上方に、該キャリアプレート７の上面を支持
するプレス板３が昇降可能に取付けられている。本発明
におけるプレス板３にあっては、積極的な加圧は不要で
、プレス面３３によりキャリアプレート７の上面を支持
してウェーハ６のキャリアプレート７への挿着の際に、
その浮き上がりを防止できればよい。 第３図に示されるように、カバー２１は、上方にロッド
シース２２が設けられており、このロッドシース２２に
、プレス板３の駆動シリンダー３１に連なるシリンダー
ロッド３２が貫通している。 このロッドシース２２の内筒面とシリンダーロッド３２
の外面とは０リング２３．２３により気密にシールされ
、かつ、摺動可能に接している。−方、カバー２１の下
端にはつば２５が形成されており、カバー２１が下降し
て該つば２５の下面と本体架台ＩＯの表面とが接すると
、０リング２４によって気密を保持し得るようになって
おり、該カバー２１の内方に形成される第１の減圧室２
が密閉状態となる。ウェーハ６やキャリアプレート７の
出し入れに際しては、プレス板３の上部の、シリンダー
ロッド３２との連結に用いられるフランジ３４にロッド
シース２２の下端が支持されて、プレス板３が上方に引
き上げられるのに同伴して、カバー２１も上昇し本体架
台１０の上面が開放されるようになっている。 プレス板３の昇降にあっては、図示しないが、圧空、油
圧等の駆動手段か用いられ、動作上の位置決めをおこな
うためのセンサーやリミットスイッチ、作動工程上の時
間設定をおこなうためのタイマー等が設けられたうえ、
プログラムコントロ−ラーなどの制御装置により圧力系
とともに制御される。 続いて、本装置の圧力制御手段について、第１図にもと
づいて説明する。 第１の減圧室２に通じる第１の排気ラインＬｌは、途中
に第１の減圧室２の真空度を計測する真空計ＰＩＩが設
けられ、三方弁ＳＶ３を介して真空ポンプ１２に通じる
導管Ｌ６に接続されている。 また、第２の減圧室４９に通じる第２の排気ラインＬ２
は、調整弁ｖ６を介して中間に分岐を宵する導管Ｌ４に
接続され、該導管Ｌ４の一方は、弁ＳＶ２に仕切られて
前記第１の排気ラインＬｌに接続されている。導管Ｌ４
には第２の減圧室４９の真空度を計測する真空計ＰＩ２
が付設され、急激な圧力変化を緩和するアキュムレータ
１１が設けられたうえ、該導管Ｌ４の他方は、弁ＳＶＩ
を介して導管Ｌ３に接続されている。この導管Ｌ３は、
一端側は調整弁Ｖ５により絞られて大気開放されている
。アキュムレータ１１には弁ＳＶＩ。 ＳＶ２の開閉を制御するための圧力スイッチ１３が取り
付けられている。第１の排気ラインＬｌと導管Ｌ６とを
仕切る前記三方弁Ｓ　Ｖ　３の他方の口は、調整弁ｖ７
により絞られて大気開放された導管Ｌ５に接続されてい
る。また、真空ポンプ１２に通じる導管Ｌ６は、途中に
分岐が設けられて、該分岐から弁ＳＶ４を介して大気開
放された導管Ｌ７に通じている。 上記の配管系にあっては、各弁は電磁作動もしくは空気
作動のダイアフラム弁、バタフライ弁か利用でき、また
、調整弁ｖ６は内部漏洩を考慮するとベローズ等の流量
調整弁の使用か好ましい。 そして、このような圧力制御手段により、本装置の第１
の減圧室２と第２の減圧室４９とをともに減圧させ、ま
た、第２の減圧室４９を第１の減圧室２に対して相対的
に増圧させ得る。 次に、本実施例における接着装置１の動作を第７図に示
される工程図を併せて説明する。 最初に、プレス板の駆動系（図示せず）の操作によりプ
レス板３とカバー２１とが上方に待機した状態となって
いる。本体架台ＩＯの上面は開放されており、ウェーハ
６の配置されたウェーハガイド５が台座４に載置され、
そのウェーハガイド５の上部にキャリアプレート７が載
置される（ステップ１０１）。次に、装置の運転が開始
され、プレス板３の下降に伴ってカバー２１が降ろされ
、本体架台１０の上面に密着する（ステップ１０２）。 プレス板３はさらに下降を続け、プレス面３３がキャリ
アプレート７の上面に当接する位置で停止する（ステッ
プ１０４）。 一方、カバー２１か密着されると同時に、第１の減圧室
２および第２の減圧室４９は、真空ポンプ１２へ連なる
経路へ接続され減圧が開始される（ステップ１０３）。 このとき、真空ポンプ１２は作動状態であり、弁ＳＶＩ
・ＳＶ４、導管Ｌ５に通じるＳＶ３の経路、および、Ｓ
Ｖ４は閉て、弁ＳＶ２が開となって、第１の排気ライン
Ｌ１および第２の排気ラインＬ２から第１の減圧室２、
第２の減圧室４９が各々脱気される。そして、第１の減
圧室２、第２の減圧室４９とも１　ｍｍＨｇ以下まで減
圧される（ステップ１０５）。 次いで、弁ＳＶ２が閉、弁ＳＶＩが開にされ導管Ｌ３よ
り空気か導入され、第２の排気ラインＬ２から導管Ｌ４
・導管Ｌ３に導通した第２の減圧室４９は次第に増圧さ
れる。第２の減圧室４９の増圧によりダイアプラム４Ｉ
が上方へ持ち上げられ、ウェーハ押着板５５によりウェ
ーハ６がキャリアプレート７の下面へ押し付けられる（
ステップ１０７）。一方、第１の減圧室２は引き続き減
圧状態が保持される（ステップ１０６）。第２の減圧室
４９は、およソ３００　ｍｍ）Ｉｇないし４００　ｍｍ
Ｈｇまで増圧されると、アキュムレータ１１の圧力スイ
ッチ１３が作動して弁ｓＶｌが閉となる。そして、わず
かの間第２の減圧室４９の圧力を前記の状態に維持され
て、この間ウェーハ６が加圧保持される（ステップ１０
８）。ウェーハ６は一部キヤリアブレート７に加圧され
ると塗布されたワックスにより、キャリアプレート７の
下面に担持される。 次に、弁ＳＶ２が開にされて、導管Ｌ４が第１の排気ラ
インＬｌ・導管Ｌ６・真空ポンプ１２に接続され、第２
の減圧室４９は再び減圧されれと同時に第１の減圧室２
と同圧とされる。これにより、ダイアフラム４１はもと
の状態に復元すべく下降する（ステップ１１Ｏ）。その
後、弁ＳＶＩを開、および、導管Ｌ５に通じる弁ＳＶ３
の経路を開とされ、第１の減圧室２、第２の減圧室４９
が同時に大気圧まで昇圧される（ステップ１１１）。 第１の減圧室２が大気圧に戻されるとウェーハ６がキャ
リアプレート７に密着される。 そして、プレス板３が上昇しくステップ１１２）、また
、プレス板３に伴ってカバー２１が持ち上げられて本体
架台ｌＯの上面が開放される（ステップ１１３）。しか
る後に、ウェーハ６が接着されたキャリアプレート７を
取り出す（ステップ１１４）。 作業開始時にはステップ１０３において初めて真空ポン
プＩ２を作動させるが、引き続いて次ぎのバッチに入る
場合には、真空ポンプ１２を作動させたままで再びステ
ップ°１０１に戻ってもよい。 作業を終了するときには、弁ＳＶ４が開にされた後、真
空ポンプ１２か停止される。尚、このような動作になる
接着装置ｌの運転は、通常プレス板の駆動系とともに同
一の制御装置によって制御され、自動運転でおこなわれ
る。 次いで、本発明における作用を説明すると、複数のウェ
ーハ６は、ダイアフラム４１の上方で、ダイアフラム４
１の上面に対向する位置で支持され、かつ、該複数のウ
ェーハ６の上面との間に所定間隔をおいて対向する位置
でキャリアプレート７が支持されている。 初めに、第１の減圧室２および第２の減圧室４９が同時
に減圧される。第１の減圧室２が脱気されると、ウェー
ハ６とキャリアプレート７との空隙にも空気が介在しな
くなる。この後、第１の減圧室２の減圧状態を保持した
まま、第２の減圧室４９に通じる配管系をリークさせる
ことにより、第１の減圧室２に対して第２の減圧室４９
を相対的に増圧する。すると、第１の減圧室２と第２の
減圧室４９との圧力差が弾性を有するダイアフラム４１
を第１の減圧室２のキャリアプレート７の方向へ所定間
隔に亙って変位させる。ダイアフラム４１の上面に載置
されたウェーハガイド５のウェーハ押着板５５を介して
ウェーハ６がキャリアプレート７の下面に押し付けられ
る。ウェーハ裏面（装置内では上面）には予めワックス
が塗布されており、このワックスによりウェーハ６は−
Ｈキヤリアブレート７の下面に担持される。その後、第
１の減圧室２と第２の減圧室４９とを均圧してダイアフ
ラム４１を初期の状態とし、次いで、第１の減圧室２お
よび第２の減圧室４９とも大気開放すると、キャリアプ
レート７の下面に担持されているウェーハ６は、静水圧
的に加圧されるためワックス厚さが均一となり、かつそ
の接着面に空気を介在していないので気泡の発生による
デインプル不良を防止できる。 さらに、本発明における他の要旨は、上述したウェーハ
の接着装置に用いられているウェーハの接着方法に存す
る。 すなわち、ウェーハの上面とこれらが接着されるキャリ
アプレートとを、所定間隔をおいて対向する位置に配置
するとともにこれを減圧下におき、次いて、複数のウェ
ーハをその下面より同時に持ち上げてキャリアプレート
へ接着し、その後、昇圧することを特徴とするものであ
る。 接着装置ｌにおいて説明すると、まず、第１の減圧室２
に複数のウェーハ６とキャリアプレート７とを配置する
。ここでは、前述のウェーハガイド５が用いられている
か、ウェーハ６とキャリアプレート７とが所定の位置関
係を有するように支持する。すなわち、複数のウェーハ
６とキャリアプレート７とを、ウェーハ６の上面との間
におよそ１ｍｍないし５ｍｍはとの間隔をおいて対向す
る位置でキャリアプレート７を配置する。そして、第１
の減圧室２を約１　ｍｍ）１ｇ以下まで減圧する。次い
で、複数のウェーハ６をその下面から同時に持ち上げて
キャリアプレート７まで上昇させ、挿着して接着する。 ウェーハ６もしくはキャリアプレート７には予め、パラ
フィン系の油脂にロジンを加えたワックスを塗布してお
き、このワックスによりウェーハ６を−Ｈキヤリアブレ
ート７に担持させる。このような状態において、第１の
減圧室２を大気圧まで昇圧すると、ウェーハ６はキャリ
アプレート７に接着される。 この接着装置で接着し、研磨した直径２００ｍｍのウェ
ーハの平坦度はＬＴＶ（ＬｏｃａｌＴｈｉｃｋｎｅｓｓ
　　Ｖａｒｉａｔｉｏｎ　　）０５μｍ以下となり従来
の接着装置で同一の研磨条件で研磨した場合の平坦度は
ＬＴＶｌ、”Ｏμｍ前後であり、平坦度の向上は明らか
である。 尚、上述した本発明の接着装置ｌにおいては、ダイアフ
ラム４１を変位させることでウェーハ６をキャリアプレ
ート７へ押着するものであり、減圧手段の有効利用から
第１の減圧室２と第２の減圧室４９との圧力差によりダ
イアフラム４１をウェーハ６の上方への移行手段として
いる。しかしながら、例えば、ウェーハが予め配置され
る平面を減圧下で上方に移行可能な、駆動シリンダーで
昇降するテーブル等を用いて、ウェーハをキャリアプレ
ートに押着することも可能である。 また、本接着装置ｌにあっては、ウェーハガイド５に、
ウェーハ６の下面に対しダイアフラム４１の作用が間接
的に及ぶウェーハ押着板５５が付設されているが、該挿
着板５５はウェーハ６のより安定した上方への移行・押
し着けを考慮したものであって、ウェーハ６とキャリア
プレート７との所定間隔を保持し得る他形状の支持手段
でもよく、ダイアフラム４１上面がウェーハ下面に直接
接触するものであってもよい。
【効果】
本発明は、以上説明したように構成されるので、以下に
記載される効果を奏する。 ■　予めウェーハとキャリアプレートとに所定間隔を設
けて減圧脱気し、減圧下で接着するのでその接着面に空
気が介在することがなく、従って、接着面における気泡
の発生が防止でき、大口径ウェーハにおいてもデインプ
ル不良が減少される。 ■　前記のように接着面に空気を介在させずに減圧下で
接着して静かに常圧下に戻すので、より均一に加圧され
ワックスの厚さが均一となる。 ■　ウェーハにワックスを塗布した面を反転さすことか
ないため、よりごみの付着することが少ないためデイン
プル不良が減少される。 ■　減圧室と同一の圧力制御系を用いており、他の駆動
手段にを使用することなくウェーハを移行できるので、
装置構成が簡素化できる。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の一実施例示すものであり、第１図は接着
装置の要部断面と圧力制御系を示す図面、第２図および
第３図は要部断面図、第４図ないし第６図はウェーハガ
イドの構造を示す図面、第７図は接着装置の動作を示す
工程図、第８図は従来の接着装置を示す図面である。 １・・・・・・ウェーハの接着装置、 １０・・・・・・本体架台、 １１・・・・・・アキュムレータ、 １２・・・・・・真空ポンプ、 １３・・・・・・圧力スイッチ、 Ｌｌ・・・・・・第１の排気ライン、 Ｌ２・・・・・・第２の排気ライン、 ＳＶ　１　、ＳＶ２．ＳＶ４・・・・−弁、ＳＶ３・・
・・・三方弁、 ２・・・・・第１の減圧室、 ２１・・・・・・カバー、 ３・・・・・プレス板、 ３１・・・・・・駆動ノリンダー、 ３３・・・・・・プレス面、 ４・・・・・台座、 ４１・・・・・・ダイアフラム、 ４９・・・・・第２の減圧室、 ５・・・・ウェーハガイド、 ５１・・・ウェーハ挿入孔、 ５１ｃ・・・・・・ウェーハ支持部、 ５２・・・・・キャリアプレート支持面、５５・・・・
・ウェーハ押看板、 ６・・・・・ウェーハ、 ７・・・・・・キャリアプレート。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）ウェーハの上面とこれが接着されるキャリアプレ
    ートとを、所定間隔をおいて対向する位置に配置すると
    ともにこれらを減圧下におき、次いで、ウェーハをその
    下面より持ち上げてキャリアプレートへ接着し、 その後、昇圧することを特徴とするウェーハの接着方法
    。
  2. （２）密閉状の第１の減圧室と、該第１の減圧室の下方
    に設けられた密閉状の第２の減圧室と、これら両減圧室
    を上下に区画するダイヤフラムと、前記第１の減圧室内
    に設けられて前記ダイヤフラムの上方でウェーハとこれ
    が接着されるキャリアプレートとを支持するウェーハガ
    イドと、前記両減圧室内の圧力を制御する圧力制御手段
    とからなり、 前記ウェーハガイドには、前記ダイヤフラムの上面に対
    向する位置で前記ウェーハを支持するウェーハ支持部と
    、前記ウェーハの上面との間に所定間隔をおいて対向す
    る位置で前記キャリアプレートを支持するキャリアプレ
    ート支持部とが設けられ、 前記圧力制御手段は、前記両減圧室をともに減圧させる
    動作と、前記ダイヤフラムをキャリアプレートに接近す
    る方向へ所定間隔以上に亙って変位させるべく第２の減
    圧室を第１の減圧室に対して相対的に増圧させる動作と
    を行うことを特徴とするウェーハの接着装置。
JP33410490A 1990-11-30 1990-11-30 ウェーハの接着方法およびその装置 Expired - Lifetime JP2648638B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33410490A JP2648638B2 (ja) 1990-11-30 1990-11-30 ウェーハの接着方法およびその装置
EP91120357A EP0488267B1 (en) 1990-11-30 1991-11-28 Wafer binding method and apparatus
DE69119367T DE69119367T2 (de) 1990-11-30 1991-11-28 Befestigungsmethode und -einrichtung für Wafer
US07/800,833 US5254205A (en) 1990-11-30 1991-11-29 Wafer binding method and apparatus
KR1019910021848A KR100226027B1 (ko) 1990-11-30 1991-11-30 웨이퍼 접착장치 및 웨이퍼 접착방법
US08/076,204 US5310441A (en) 1990-11-30 1993-06-14 Wafer binding method and apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33410490A JP2648638B2 (ja) 1990-11-30 1990-11-30 ウェーハの接着方法およびその装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04201145A true JPH04201145A (ja) 1992-07-22
JP2648638B2 JP2648638B2 (ja) 1997-09-03

Family

ID=18273574

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP33410490A Expired - Lifetime JP2648638B2 (ja) 1990-11-30 1990-11-30 ウェーハの接着方法およびその装置

Country Status (5)

Country Link
US (2) US5254205A (ja)
EP (1) EP0488267B1 (ja)
JP (1) JP2648638B2 (ja)
KR (1) KR100226027B1 (ja)
DE (1) DE69119367T2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005093987A (ja) * 2003-08-08 2005-04-07 Tsubaki Seiko:Kk テープ接着装置およびテープ接着方法
WO2005117098A1 (ja) * 2004-05-25 2005-12-08 Tsubaki Seiko Inc. テープ接着装置、テープ接着方法、および電子部品製造方法
JP2006261527A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの平坦加工方法
JP2014078550A (ja) * 2012-10-09 2014-05-01 Disco Abrasive Syst Ltd 樹脂貼着装置
JP2021527963A (ja) * 2018-06-19 2021-10-14 アイクストロン、エスイー Ｃｖｄリアクタのサセプタ表面温度を計測するための装置

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4219774C1 (de) * 1992-06-17 1994-01-27 Mannesmann Kienzle Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Stapeln von Substraten, die durch Bonden miteinander zu verbinden sind
US5885138A (en) * 1993-09-21 1999-03-23 Ebara Corporation Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device
US5664824A (en) * 1994-05-18 1997-09-09 Stephens; Donald W. Flexible tarpaulin support device
US5578528A (en) * 1995-05-02 1996-11-26 Industrial Technology Research Institute Method of fabrication glass diaphragm on silicon macrostructure
US5892203A (en) * 1996-05-29 1999-04-06 International Business Machines Corporation Apparatus for making laminated integrated circuit devices
US5772835A (en) * 1996-05-29 1998-06-30 Ibm Corporation Vacuum oven chamber for making laminated integrated circuit devices
JPH105704A (ja) * 1996-06-25 1998-01-13 Speedfam Co Ltd ディスク形ワークの洗浄装置
US6039059A (en) 1996-09-30 2000-03-21 Verteq, Inc. Wafer cleaning system
JP3537688B2 (ja) * 1998-11-24 2004-06-14 富士通株式会社 磁気ヘッドの加工方法
US6383056B1 (en) 1999-12-02 2002-05-07 Yin Ming Wang Plane constructed shaft system used in precision polishing and polishing apparatuses
US6415804B1 (en) 1999-12-23 2002-07-09 Lam Research Corporation Bowl for processing semiconductor wafers
JP2002018703A (ja) * 2000-07-06 2002-01-22 Memc Japan Ltd ポリッシングブロックの加熱方法及び装置、これらに用いる加熱プレート
AUPR244801A0 (en) * 2001-01-10 2001-02-01 Silverbrook Research Pty Ltd A method and apparatus (WSM01)
US6460424B1 (en) * 2001-03-27 2002-10-08 Florida State University Research Foundation Combined vertical and rotational motion indexing mechanism
KR100438068B1 (ko) * 2001-09-25 2004-07-02 엘지전자 주식회사 디지털 중계기 및 수신기의 ｆｐｌｌ시스템
JP4510362B2 (ja) * 2001-11-30 2010-07-21 俊郎 土肥 Ｃｍｐ装置およびｃｍｐ方法
DE10232914B4 (de) * 2002-07-19 2004-11-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Wiederverwendbarer Trägerwafer und Verfahren zur Herstellung desselben
DE10242402A1 (de) * 2002-09-12 2004-04-01 Süss MicroTec Laboratory Equipment GmbH Vorrichtung und Verfahren für das Verbinden von Objekten
TWI258316B (en) * 2002-10-25 2006-07-11 Ritdisplay Corp FPD encapsulation apparatus and method for encapsulating ehereof
JP3990322B2 (ja) * 2003-06-18 2007-10-10 株式会社東芝 基板乾燥方法及び装置
JP2005051055A (ja) * 2003-07-29 2005-02-24 Tokyo Electron Ltd 貼合せ方法および貼合せ装置
JP4559122B2 (ja) * 2004-05-25 2010-10-06 有限会社都波岐精工 テープ接着装置およびテープ接着方法
TWI352628B (en) * 2006-07-21 2011-11-21 Akrion Technologies Inc Nozzle for use in the megasonic cleaning of substr
JP4773419B2 (ja) * 2007-12-20 2011-09-14 リンテック株式会社 シート貼付装置及び貼付方法
CN102105973A (zh) * 2008-05-28 2011-06-22 波利-弗洛工程有限公司 夹具干燥设备和方法
KR20100034450A (ko) * 2008-09-24 2010-04-01 삼성전자주식회사 기판접합장치
US8425687B2 (en) * 2009-02-10 2013-04-23 Tel Nexx, Inc. Wetting a workpiece surface in a fluid-processing system
DE102010048043A1 (de) 2010-10-15 2012-04-19 Ev Group Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Prozessierung von Wafern
KR101275230B1 (ko) 2012-12-06 2013-06-17 주식회사 네온포토닉스 웨이퍼에 리드 글라스를 본딩하기 위한 웨이퍼 본딩 장치
KR101719738B1 (ko) 2015-02-27 2017-04-04 (주)크렌텍 웨이퍼 접착 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 접착 방법
US11626297B2 (en) * 2016-10-25 2023-04-11 Acm Research (Shanghai), Inc. Apparatus and method for wet process on semiconductor substrate
CN108748266B (zh) * 2018-06-23 2021-09-07 安徽科创新能源科技有限责任公司 一种用于工业机器人用的储存安放装置
CN109794787B (zh) * 2019-03-07 2021-02-02 蓝思精密(东莞)有限公司 吸附设备及数控机床
CN112060263A (zh) * 2020-09-09 2020-12-11 连云港圩峰窗帘装饰有限公司 一种木质窗帘生产用压紧机构
CN113584455B (zh) * 2021-07-22 2023-01-31 深圳天成真空技术有限公司 一种连续真空镀膜装置及方法
CN114361081B (zh) * 2022-01-12 2022-08-09 杭州承扬自动化科技有限公司 一种全自动晶圆贴蜡机

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS571656A (en) * 1980-03-03 1982-01-06 Monsanto Co Method and device for mounting wax in order to polish thin wafer

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3475867A (en) * 1966-12-20 1969-11-04 Monsanto Co Processing of semiconductor wafers
DE1652170B2 (de) * 1967-03-03 1975-05-22 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zum gleichzeitigen stirnseitigen Abarbeiten gleichdicker Werkstoffschichten an mehreren unterschiedlich dicken Halbleiterscheiben
US3492763A (en) * 1967-09-18 1970-02-03 Monsanto Co Method and apparatus for mounting semiconductor slices
DE2712521C2 (de) * 1977-03-22 1987-03-05 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Verfahren zum Aufkitten von Scheiben
US4736758A (en) * 1985-04-15 1988-04-12 Wacom Co., Ltd. Vapor drying apparatus
JPH07115298B2 (ja) * 1987-03-28 1995-12-13 三菱マテリアル株式会社 ウエ−ハの加圧接着装置
JPS63251165A (ja) * 1987-04-01 1988-10-18 Nec Corp 半導体ウエ−ハの保持方法
US5108532A (en) * 1988-02-02 1992-04-28 Northrop Corporation Method and apparatus for shaping, forming, consolidating and co-consolidating thermoplastic or thermosetting composite products
US5095661A (en) * 1988-06-20 1992-03-17 Westech Systems, Inc. Apparatus for transporting wafer to and from polishing head
JPH0247046U (ja) * 1988-09-28 1990-03-30
JPH079896B2 (ja) * 1988-10-06 1995-02-01 信越半導体株式会社 研磨装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS571656A (en) * 1980-03-03 1982-01-06 Monsanto Co Method and device for mounting wax in order to polish thin wafer

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005093987A (ja) * 2003-08-08 2005-04-07 Tsubaki Seiko:Kk テープ接着装置およびテープ接着方法
WO2005117098A1 (ja) * 2004-05-25 2005-12-08 Tsubaki Seiko Inc. テープ接着装置、テープ接着方法、および電子部品製造方法
US7594977B2 (en) 2004-05-25 2009-09-29 Tsubaki Seiko, Inc Tape bonder, tape bonding method, and process for manufacturing electronic component
JP2006261527A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの平坦加工方法
JP4663362B2 (ja) * 2005-03-18 2011-04-06 株式会社ディスコ ウエーハの平坦加工方法
JP2014078550A (ja) * 2012-10-09 2014-05-01 Disco Abrasive Syst Ltd 樹脂貼着装置
JP2021527963A (ja) * 2018-06-19 2021-10-14 アイクストロン、エスイー Ｃｖｄリアクタのサセプタ表面温度を計測するための装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE69119367D1 (de) 1996-06-13
EP0488267A3 (en) 1992-07-29
KR100226027B1 (ko) 1999-10-15
JP2648638B2 (ja) 1997-09-03
KR920010784A (ko) 1992-06-27
EP0488267A2 (en) 1992-06-03
DE69119367T2 (de) 1996-10-17
US5310441A (en) 1994-05-10
US5254205A (en) 1993-10-19
EP0488267B1 (en) 1996-05-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH04201145A (ja) ウェーハの接着方法およびその装置
JP4022306B2 (ja) ウェーハの接着方法及び接着装置
US4283242A (en) Process for cementing semiconductor discs onto a carrier plate
KR100385373B1 (ko) 가변 연마력 웨이퍼 캐리어 헤드를 구비하는 반도체웨이퍼 연마 장치
JP4217400B2 (ja) ウェーハ研磨装置及びウェーハ研磨方法
TW201108344A (en) Vacuum adhering method and device
US9947637B2 (en) System and method for clamping wafers together in alignment using pressure
KR101543630B1 (ko) 시트 첩부 장치 및 첩부 방법
US5300175A (en) Method for mounting a wafer to a submount
JP2004153159A (ja) 半導体ウェハの保護部材貼着方法及びその装置
CN115401587B (zh) 一种抛光头及半导体晶圆平坦化设备
JP2005135931A (ja) テープ貼付装置及び貼付方法
JP2006310338A (ja) ウェハー用真空テープ貼付装置
US20070235130A1 (en) Apparatus and method for manufacturing laminated substrate
JP2009071145A (ja) 半導体ウエハ等の板状部材のダイシングテープ貼付け方法及び装置
JP5691364B2 (ja) テープ貼付装置およびテープ貼付方法
JP7108467B2 (ja) 基板吸着装置
JP2001358098A (ja) 化学的機械的研磨装置の研磨ヘッド
JP3862065B2 (ja) ウェーハ研磨ヘッド
US20230014530A1 (en) Affixing method and affixing apparatus
JP4087385B2 (ja) 貼合せ基板製造装置
US20040109124A1 (en) Substrate bonding apparatus and liquid crystal display panel
TWI416752B (zh) Tape machine
JP2009141173A (ja) 貼り合わせ装置
JPH11219872A (ja) ウェーハ減圧接着装置

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090509

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100509

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100509

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110509

Year of fee payment: 14

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110509

Year of fee payment: 14