JP2011216884A - 半導体ウエハの研磨方法 - Google Patents
半導体ウエハの研磨方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011216884A JP2011216884A JP2011064154A JP2011064154A JP2011216884A JP 2011216884 A JP2011216884 A JP 2011216884A JP 2011064154 A JP2011064154 A JP 2011064154A JP 2011064154 A JP2011064154 A JP 2011064154A JP 2011216884 A JP2011216884 A JP 2011216884A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- semiconductor wafer
- value
- abrasive
- pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
- B24B37/0056—Control means for lapping machines or devices taking regard of the pH-value of lapping agents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02024—Mirror polishing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】研磨パッドによる半導体ウエハの研磨方法であって、研磨パッドは、平均粒径0.1〜1.0μmを有するSiO2の固定結合砥粒を含み、アルカリ成分を含み、固体材料を含有せず、11〜13.5の可変pH値を有する研磨液が供給され、研磨液は、研磨処理中にpH値13未満を有し、研磨処理を終了する目的で、pH値を13〜13.5に上昇させる、方法。
【選択図】なし
Description
化学機械研磨(CMP)の場合、反対に、表側(部品側)のみを、いわゆるヘーズフリー(haze-free)研磨(「仕上げ」)として、より柔らかい研磨パッドを用いて仕上げ研磨することが含まれ、同様に砥粒が研磨剤スラリーの形態で供給される。
研磨処理中に、固体材料を含有しない研磨液が供給される。
研磨液は、半導体産業において慣用の純度を有する脱イオン水を含むことが好ましい。
研磨液のpH値は、最低で11で、最高で13.5である。
pH値は、炭酸カリウムおよび/または上述のその他の化合物のうち一つを含有するアルカリ成分により調整される。
本発明は、片面研磨として実施することができる。
研磨操作(polishing pass)の間、研磨液のpH値を、くさび形の差異またはウエハ端部の不均一性(たとえば端部ロールオフ)がない、出来るだけ平坦な半導体ウエハが得られるように変更することが好ましい。これは、研磨液のアルカリ成分の対応の供給により実行される。
一般に温度は、種々のパラメータに依存する。とりわけ、化学反応(pH値)の他に、研磨圧力、FAパッドそのもの(摩擦)、研磨剤の供給量等が影響する。
270hPAの研磨圧力を基準圧力とすると、温度は結果的に約28〜約37℃となる。最大除去率は、pH値11.5〜12の範囲内、温度31℃以上で得られる。
用途によっては、第3のステップにおいて、次に11.5以下のpH値を有する研磨液を添加することが有利である。SiO2砥粒を用いたFA研磨の後に、研磨剤スラリーの供給による従来の研磨を行なうことを意図する場合、このようなステップがスラリー研磨の準備に役立つ。
第1のステップにおいて、上記の組成を有し、砥粒の平均粒径が10〜30nmである研磨剤スラリーを供給し、第2のステップにおいて、上記の組成を有し、砥粒の平均粒径が35〜50nmである研磨剤スラリーを供給する。該スラリーのpH値は、11.5以下であることが好ましい。
半導体ウエハの表面形状およびナノトポロジーを向上するために、局所的に供給される研磨液のpH値の対応調整により、インサイチューで局所的に材料除去を制御することが可能となる。
Claims (10)
- 研磨パッドによる半導体ウエハの研磨方法であって、研磨パッドは、平均粒径0.1〜1.0μmを有するSiO2の固定結合砥粒を含み、アルカリ成分を含み、固体材料を含有せず、11〜13.5の可変pH値を有する研磨液が供給され、研磨液は、研磨処理中にpH値13未満を有し、研磨処理を終了する目的で、前記pH値を13〜13.5に上昇させる、方法。
- 研磨剤のアルカリ成分は、炭酸ナトリウム(Na2CO3)、炭酸カリウム(K2CO3)、水酸化ナトリウム(NaOH)、水酸化カリウム(KOH)、水酸化アンモニウム(NH4OH)、水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)からなる群からの1つ以上の化合物を含有する、請求項1に記載の方法。
- 半導体ウエハの片側のみを研磨する、請求項1または2に記載の方法。
- 半導体ウエハの両側を連続的に研磨処理に供する、請求項1または2に記載の方法。
- 半導体ウエハの両側を同時に研磨する、請求項1または2に記載の方法。
- 遊星運動の研磨機を用いる、請求項5に記載の方法。
- 軌道運動の研磨機を用いる、請求項5に記載の方法。
- 研磨液は、研磨処理中に約11.5〜約12のpH値を有し、研磨処理を終了する目的で、前記pH値を13〜13.5に上昇させる、請求項1〜7のいずれかに記載の方法。
- 研磨処理中に半導体ウエハの厚みを測定し、求めた厚みプロファイルを基に前記研磨液のpH値を調整する、請求項1〜8のいずれかに記載の方法。
- 研磨されるべき半導体ウエハの表面と研磨パッドとの間から局所的に半導体ウエハの表面の少なくとも1つの内側領域と少なくとも1つの外側領域とに供給される研磨液は、少なくとも1つの内側領域と少なくとも1つの外側領域とで異なるpH値を有する、請求項9に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102010013519A DE102010013519B4 (de) | 2010-03-31 | 2010-03-31 | Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe |
DE102010013519.4 | 2010-03-31 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011216884A true JP2011216884A (ja) | 2011-10-27 |
JP5286381B2 JP5286381B2 (ja) | 2013-09-11 |
Family
ID=44650008
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011064154A Expired - Fee Related JP5286381B2 (ja) | 2010-03-31 | 2011-03-23 | 半導体ウエハの研磨方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8882565B2 (ja) |
JP (1) | JP5286381B2 (ja) |
KR (1) | KR101255454B1 (ja) |
CN (1) | CN102205521B (ja) |
DE (1) | DE102010013519B4 (ja) |
SG (1) | SG174720A1 (ja) |
TW (1) | TWI474390B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010013520B4 (de) * | 2010-03-31 | 2013-02-07 | Siltronic Ag | Verfahren zur beidseitigen Politur einer Halbleiterscheibe |
DE102010013519B4 (de) * | 2010-03-31 | 2012-12-27 | Siltronic Ag | Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe |
CN103847032B (zh) * | 2014-03-20 | 2016-01-06 | 德清晶辉光电科技有限公司 | 一种大直径超薄石英晶片的生产工艺 |
JP7159861B2 (ja) * | 2018-12-27 | 2022-10-25 | 株式会社Sumco | 両頭研削方法 |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11111653A (ja) * | 1997-10-07 | 1999-04-23 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体ウェーハの製造方法 |
JPH11330024A (ja) * | 1998-05-15 | 1999-11-30 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 半導体基板の研磨終了時の研磨反応停止液及びこれを用いた研磨停止方法 |
JP2001303027A (ja) * | 2000-04-26 | 2001-10-31 | Seimi Chem Co Ltd | 研磨用組成物及び研磨方法 |
JP2002231662A (ja) * | 2001-01-22 | 2002-08-16 | Promos Technol Inc | 化学機械平坦化方法 |
JP2003257905A (ja) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | 被研磨物の研磨方法 |
JP2004071833A (ja) * | 2002-08-06 | 2004-03-04 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 半導体ウェーハの両面研磨方法 |
JP2005534170A (ja) * | 2002-07-23 | 2005-11-10 | エス.オー.アイ.テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズ | ウエハに施される化学機械研磨平坦化プロセス後のリンス処理 |
JP2007021680A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハの両面研磨方法 |
JP2007512966A (ja) * | 2003-11-12 | 2007-05-24 | ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド | 低圧力化学機械平坦化のための材料及び方法 |
JP2007220974A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Sumco Corp | ウェーハおよびその製造方法 |
JP2008036783A (ja) * | 2006-08-08 | 2008-02-21 | Sony Corp | 研磨方法および研磨装置 |
JP2009125873A (ja) * | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Nikon Corp | 両面研磨装置 |
JP2009285768A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Sumco Corp | 半導体ウェーハの研削方法および研削装置 |
JP2010034479A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウェーハの研磨方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5152917B1 (en) | 1991-02-06 | 1998-01-13 | Minnesota Mining & Mfg | Structured abrasive article |
US6069080A (en) * | 1992-08-19 | 2000-05-30 | Rodel Holdings, Inc. | Fixed abrasive polishing system for the manufacture of semiconductor devices, memory disks and the like |
KR100243292B1 (ko) | 1997-05-07 | 2000-02-01 | 윤종용 | 연마액의ph를조정하는반도체제조를위한화학적기계연마방법 |
US6019806A (en) * | 1998-01-08 | 2000-02-01 | Sees; Jennifer A. | High selectivity slurry for shallow trench isolation processing |
US6114248A (en) | 1998-01-15 | 2000-09-05 | International Business Machines Corporation | Process to reduce localized polish stop erosion |
US6299514B1 (en) | 1999-03-13 | 2001-10-09 | Peter Wolters Werkzeugmachinen Gmbh | Double-disk polishing machine, particularly for tooling semiconductor wafers |
DE10007390B4 (de) | 1999-03-13 | 2008-11-13 | Peter Wolters Gmbh | Zweischeiben-Poliermaschine, insbesondere zur Bearbeitung von Halbleiterwafern |
DE10018338C1 (de) * | 2000-04-13 | 2001-08-02 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
CN1203530C (zh) * | 2000-04-24 | 2005-05-25 | 三菱住友硅晶株式会社 | 半导体晶片的制造方法 |
DE10122283A1 (de) * | 2001-05-08 | 2002-08-01 | Infineon Technologies Ag | Chemisch-mechanisches Polierverfahren |
JP2005007520A (ja) | 2003-06-19 | 2005-01-13 | Nihon Micro Coating Co Ltd | 研磨パッド及びその製造方法並びに研磨方法 |
US20050227590A1 (en) | 2004-04-09 | 2005-10-13 | Chien-Min Sung | Fixed abrasive tools and associated methods |
JP4708148B2 (ja) * | 2005-10-07 | 2011-06-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US7776627B2 (en) * | 2007-07-03 | 2010-08-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Flexible structures for interconnect reliability test |
DE102007035266B4 (de) | 2007-07-27 | 2010-03-25 | Siltronic Ag | Verfahren zum Polieren eines Substrates aus Silicium oder einer Legierung aus Silicium und Germanium |
JP5365522B2 (ja) * | 2008-07-03 | 2013-12-11 | 旭硝子株式会社 | ガラス基板の研磨方法及び製造方法 |
US9548211B2 (en) * | 2008-12-04 | 2017-01-17 | Cabot Microelectronics Corporation | Method to selectively polish silicon carbide films |
DE102010005904B4 (de) * | 2010-01-27 | 2012-11-22 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
DE102010013520B4 (de) * | 2010-03-31 | 2013-02-07 | Siltronic Ag | Verfahren zur beidseitigen Politur einer Halbleiterscheibe |
DE102010013519B4 (de) * | 2010-03-31 | 2012-12-27 | Siltronic Ag | Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe |
-
2010
- 2010-03-31 DE DE102010013519A patent/DE102010013519B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-03-08 US US13/042,587 patent/US8882565B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-03-17 KR KR1020110023908A patent/KR101255454B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2011-03-17 TW TW100109098A patent/TWI474390B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-03-23 JP JP2011064154A patent/JP5286381B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-03-29 CN CN201110084889.2A patent/CN102205521B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-03-30 SG SG2011022472A patent/SG174720A1/en unknown
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11111653A (ja) * | 1997-10-07 | 1999-04-23 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体ウェーハの製造方法 |
JPH11330024A (ja) * | 1998-05-15 | 1999-11-30 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 半導体基板の研磨終了時の研磨反応停止液及びこれを用いた研磨停止方法 |
JP2001303027A (ja) * | 2000-04-26 | 2001-10-31 | Seimi Chem Co Ltd | 研磨用組成物及び研磨方法 |
JP2002231662A (ja) * | 2001-01-22 | 2002-08-16 | Promos Technol Inc | 化学機械平坦化方法 |
JP2003257905A (ja) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | 被研磨物の研磨方法 |
JP2005534170A (ja) * | 2002-07-23 | 2005-11-10 | エス.オー.アイ.テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズ | ウエハに施される化学機械研磨平坦化プロセス後のリンス処理 |
JP2004071833A (ja) * | 2002-08-06 | 2004-03-04 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 半導体ウェーハの両面研磨方法 |
JP2007512966A (ja) * | 2003-11-12 | 2007-05-24 | ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド | 低圧力化学機械平坦化のための材料及び方法 |
JP2007021680A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハの両面研磨方法 |
JP2007220974A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Sumco Corp | ウェーハおよびその製造方法 |
JP2008036783A (ja) * | 2006-08-08 | 2008-02-21 | Sony Corp | 研磨方法および研磨装置 |
JP2009125873A (ja) * | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Nikon Corp | 両面研磨装置 |
JP2009285768A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Sumco Corp | 半導体ウェーハの研削方法および研削装置 |
JP2010034479A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウェーハの研磨方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5286381B2 (ja) | 2013-09-11 |
TWI474390B (zh) | 2015-02-21 |
CN102205521A (zh) | 2011-10-05 |
SG174720A1 (en) | 2011-10-28 |
TW201137962A (en) | 2011-11-01 |
DE102010013519B4 (de) | 2012-12-27 |
US8882565B2 (en) | 2014-11-11 |
US20110244760A1 (en) | 2011-10-06 |
DE102010013519A1 (de) | 2011-10-06 |
KR101255454B1 (ko) | 2013-04-17 |
KR20110109865A (ko) | 2011-10-06 |
CN102205521B (zh) | 2014-04-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5839783B2 (ja) | 半導体ウェーハのエッジを研磨する方法 | |
JP5538253B2 (ja) | 半導体ウェハの製造方法 | |
US8376811B2 (en) | Method for the double sided polishing of a semiconductor wafer | |
US8721390B2 (en) | Method for the double-side polishing of a semiconductor wafer | |
TWI398336B (zh) | 製造半導體晶圓的方法 | |
JP5853041B2 (ja) | 半導体材料ウェハを研磨するための方法 | |
WO2006046403A1 (ja) | 半導体ウエーハの製造方法及び半導体ウエーハ | |
TWI417956B (zh) | 拋光半導體晶圓的方法 | |
JP5286381B2 (ja) | 半導体ウエハの研磨方法 | |
TWI416611B (zh) | 拋光墊及拋光半導體晶圓的方法 | |
JP2011003902A (ja) | 両面で半導体ウェハを化学的に研削する方法 | |
KR101133355B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 연마 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130108 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130405 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130507 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130603 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5286381 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |