JPH11330024A - 半導体基板の研磨終了時の研磨反応停止液及びこれを用いた研磨停止方法 - Google Patents
半導体基板の研磨終了時の研磨反応停止液及びこれを用いた研磨停止方法Info
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- JPH11330024A JPH11330024A JP13349898A JP13349898A JPH11330024A JP H11330024 A JPH11330024 A JP H11330024A JP 13349898 A JP13349898 A JP 13349898A JP 13349898 A JP13349898 A JP 13349898A JP H11330024 A JPH11330024 A JP H11330024A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 研磨終了時に研磨液中の砥粒を半導体基板表
面に凝集、付着させず、かつ研磨用パッドから速やかに
除去し、これにより基板表面にマイクロスクラッチ、ピ
ット、及びダメージを生じさせない。 【解決手段】 半導体基板１６の表面の研磨終了時に半
導体基板１６表面の研磨反応を停止する水溶液１９であ
る。この停止液は増粘剤を含有し、砥粒を含まないこと
を特徴とする。停止液はアルカリを更に含有し、ｐＨが
８．０以上であることが好ましく、酸化剤を更に含有
し、酸化還元電位が１０ｍＶ以上であるとより好まし
い。
面に凝集、付着させず、かつ研磨用パッドから速やかに
除去し、これにより基板表面にマイクロスクラッチ、ピ
ット、及びダメージを生じさせない。 【解決手段】 半導体基板１６の表面の研磨終了時に半
導体基板１６表面の研磨反応を停止する水溶液１９であ
る。この停止液は増粘剤を含有し、砥粒を含まないこと
を特徴とする。停止液はアルカリを更に含有し、ｐＨが
８．０以上であることが好ましく、酸化剤を更に含有
し、酸化還元電位が１０ｍＶ以上であるとより好まし
い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、研磨装置により半
導体基板の表面を研磨し、その研磨終了時にこの研磨装
置において半導体基板の表面の研磨反応を停止する研磨
反応停止液及びこれを用いた研磨反応停止方法に関する
ものである。
導体基板の表面を研磨し、その研磨終了時にこの研磨装
置において半導体基板の表面の研磨反応を停止する研磨
反応停止液及びこれを用いた研磨反応停止方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】単結晶インゴットから切出されてスライ
スされたシリコンウェーハに代表される半導体基板は、
機械研磨（ラッピング）、化学エッチング等の工程を経
た後、機械的化学的研磨（メカノケミカルポリッシン
グ）が行われる。この最終研磨の機械的化学的研磨工程
において、保持具に取付けたシリコンウェーハを回転定
盤上に貼付けたポリエステルのフェルト、ラミネート等
の柔らかい研磨用パッドに押付け、研磨液を滴下しなが
ら研磨用パッドを回転することにより、ウェーハ表面を
鏡面状に研磨する。この研磨液には、例えば約５０ｎｍ
の粒径を有するＳｉＯ2の微粉からなる砥粒を水酸化ナ
トリウム（ＮａＯＨ）水溶液に溶かした研磨液が用いら
れる。ここで砥粒を水酸化ナトリウム水溶液に溶かして
研磨液を調製する理由は、第一にＮａＯＨのＯＨ基をウ
ェーハのＳｉと反応させて酸化シリコンを生成し、これ
をＳｉＯ2の微粉により削り取ってウェーハの平坦度を
高めるためであり、第二に研磨液のｐＨを高め、ＯＨ-
イオンによりＳｉＯ2粒子同士を反発させ、粒子の凝集
を防ぐためである。これまで、研磨液による研磨が終了
に近づくと、研磨液の供給を停止すると同時に研磨圧力
を低下させながら、ウェーハ表面から砥粒を除去するた
めにリンス液を供給していた。従来、このリンス液とし
て超純水が用いられ、リンス時にはこの定盤上の研磨用
パッドに超純水を供給していた。
スされたシリコンウェーハに代表される半導体基板は、
機械研磨（ラッピング）、化学エッチング等の工程を経
た後、機械的化学的研磨（メカノケミカルポリッシン
グ）が行われる。この最終研磨の機械的化学的研磨工程
において、保持具に取付けたシリコンウェーハを回転定
盤上に貼付けたポリエステルのフェルト、ラミネート等
の柔らかい研磨用パッドに押付け、研磨液を滴下しなが
ら研磨用パッドを回転することにより、ウェーハ表面を
鏡面状に研磨する。この研磨液には、例えば約５０ｎｍ
の粒径を有するＳｉＯ2の微粉からなる砥粒を水酸化ナ
トリウム（ＮａＯＨ）水溶液に溶かした研磨液が用いら
れる。ここで砥粒を水酸化ナトリウム水溶液に溶かして
研磨液を調製する理由は、第一にＮａＯＨのＯＨ基をウ
ェーハのＳｉと反応させて酸化シリコンを生成し、これ
をＳｉＯ2の微粉により削り取ってウェーハの平坦度を
高めるためであり、第二に研磨液のｐＨを高め、ＯＨ-
イオンによりＳｉＯ2粒子同士を反発させ、粒子の凝集
を防ぐためである。これまで、研磨液による研磨が終了
に近づくと、研磨液の供給を停止すると同時に研磨圧力
を低下させながら、ウェーハ表面から砥粒を除去するた
めにリンス液を供給していた。従来、このリンス液とし
て超純水が用いられ、リンス時にはこの定盤上の研磨用
パッドに超純水を供給していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の超純水
によるリンス法では、研磨用パッド上に残留しているス
ラリー状の研磨液が超純水によって希釈されると、研磨
液の粘性が急激に低下して、砥粒が除去しきれないリン
ス初期の段階で半導体基板と研磨用パッドの間の水膜の
厚さが減少する。その結果、半導体基板表面にマイクロ
スクラッチ、ダメージ等を生じる不都合がある。またウ
ェーハ表面に砥粒が残留した場合には、研磨装置から取
外した後の洗浄工程でウェーハ表面にピットが形成され
る。本発明の目的は、研磨終了時に研磨液中の砥粒を半
導体基板表面に凝集、付着させず、かつ研磨用パッドか
ら速やかに除去し、これにより基板表面にマイクロスク
ラッチ、ピット、及びダメージを生じさせない半導体基
板の研磨終了時の研磨反応停止液及びこれを用いた研磨
停止方法を提供することにある。
によるリンス法では、研磨用パッド上に残留しているス
ラリー状の研磨液が超純水によって希釈されると、研磨
液の粘性が急激に低下して、砥粒が除去しきれないリン
ス初期の段階で半導体基板と研磨用パッドの間の水膜の
厚さが減少する。その結果、半導体基板表面にマイクロ
スクラッチ、ダメージ等を生じる不都合がある。またウ
ェーハ表面に砥粒が残留した場合には、研磨装置から取
外した後の洗浄工程でウェーハ表面にピットが形成され
る。本発明の目的は、研磨終了時に研磨液中の砥粒を半
導体基板表面に凝集、付着させず、かつ研磨用パッドか
ら速やかに除去し、これにより基板表面にマイクロスク
ラッチ、ピット、及びダメージを生じさせない半導体基
板の研磨終了時の研磨反応停止液及びこれを用いた研磨
停止方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
図１に示すように半導体基板１６の表面の研磨終了時に
半導体基板１６表面の研磨反応を停止する水溶液１９で
あって、増粘剤を含有し、砥粒を含まないことを特徴と
する半導体基板の研磨終了時の研磨反応停止液である。
研磨反応停止液は増粘剤を含有し、砥粒を含まないた
め、研磨反応の停止時に半導体基板表面と研磨用パッド
の間の水膜の厚さが一定値以上に保たれ、半導体基板表
面にマイクロスクラッチ、ダメージを残さずに研磨スラ
リー中に含まれていた砥粒を速やかに除去する。
図１に示すように半導体基板１６の表面の研磨終了時に
半導体基板１６表面の研磨反応を停止する水溶液１９で
あって、増粘剤を含有し、砥粒を含まないことを特徴と
する半導体基板の研磨終了時の研磨反応停止液である。
研磨反応停止液は増粘剤を含有し、砥粒を含まないた
め、研磨反応の停止時に半導体基板表面と研磨用パッド
の間の水膜の厚さが一定値以上に保たれ、半導体基板表
面にマイクロスクラッチ、ダメージを残さずに研磨スラ
リー中に含まれていた砥粒を速やかに除去する。
【０００５】請求項２に係る発明は、請求項１に係る発
明であって、アルカリを更に含有し、ｐＨが８．０以上
である研磨反応停止液である。停止液の供給によっても
これまでの高いｐＨを低下させずに維持し、研磨液中の
砥粒の凝集を抑制する。請求項３に係る発明は、請求項
１又は２に係る発明であって、酸化剤を更に含有し、酸
化還元電位が１０ｍＶ以上である研磨反応停止液であ
る。研磨反応が停止した後、速やかに半導体基板の表面
に酸化膜が形成され、この酸化膜は砥粒や環境からのパ
ーティクルが研磨後の基板の活性な表面に付着すること
を防止する。
明であって、アルカリを更に含有し、ｐＨが８．０以上
である研磨反応停止液である。停止液の供給によっても
これまでの高いｐＨを低下させずに維持し、研磨液中の
砥粒の凝集を抑制する。請求項３に係る発明は、請求項
１又は２に係る発明であって、酸化剤を更に含有し、酸
化還元電位が１０ｍＶ以上である研磨反応停止液であ
る。研磨反応が停止した後、速やかに半導体基板の表面
に酸化膜が形成され、この酸化膜は砥粒や環境からのパ
ーティクルが研磨後の基板の活性な表面に付着すること
を防止する。
【０００６】請求項４に係る発明は、図１に示すように
研磨装置１０により半導体基板１６の表面を研磨し、そ
の研磨終了時に研磨装置１０において半導体基板１６の
表面の研磨反応を停止する方法において、研磨圧力が高
い状態で、請求項１ないし３いずれか記載の研磨反応停
止液１９により半導体基板１６の研磨反応を停止するこ
とを特徴とする半導体基板の研磨反応停止方法である。
研磨圧力が高い状態で、増粘剤を含有し、砥粒を含まな
い停止液を半導体基板表面に供給することにより、研磨
装置による研磨に引続いて、研磨効率は低いものの一種
の無砥粒研磨が行われ、半導体基板表面上に残留したダ
メージ層を除去する。
研磨装置１０により半導体基板１６の表面を研磨し、そ
の研磨終了時に研磨装置１０において半導体基板１６の
表面の研磨反応を停止する方法において、研磨圧力が高
い状態で、請求項１ないし３いずれか記載の研磨反応停
止液１９により半導体基板１６の研磨反応を停止するこ
とを特徴とする半導体基板の研磨反応停止方法である。
研磨圧力が高い状態で、増粘剤を含有し、砥粒を含まな
い停止液を半導体基板表面に供給することにより、研磨
装置による研磨に引続いて、研磨効率は低いものの一種
の無砥粒研磨が行われ、半導体基板表面上に残留したダ
メージ層を除去する。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の研磨反応停止液が適用さ
れる半導体基板は、主としてシリコンウェーハである。
その他の基板としてＧａＡｓ、ＩｎＰなどのウェーハが
挙げられる。この停止液は増粘剤の水溶液であって、こ
の停止液に含まれる増粘剤としてはポリビニルアルコー
ル、ヒドロキシエチルセルロース等の水溶性高分子、及
びリン酸、ホウ酸、ケイ酸等の増粘作用を持つ水溶性酸
化物及びその塩類、タンパク質、酵素等の生体高分子等
が挙げられる。増粘剤の好ましい含有量は０．０１〜５
重量％である。含有量が０．０１重量％未満の場合に
は、所望の増粘効果が得られず、５重量％を超えると溶
解が困難となる上、研磨中にウェーハが剥離する等の問
題を生じ好ましくない。また停止液に含まれるアルカリ
としてはアンモニア、水酸化アルカリ、炭酸アルカリ、
ヒドラジン、有機アミン類等が挙げられる。停止液中の
アルカリの含有量は、停止液のｐＨが８．０以上になる
ように決められる。このアルカリにより停止液のｐＨが
８．０に満たない場合には、停止時に希釈される研磨液
のｐＨが中性に近づき、砥粒の凝集を生じるようにな
る。好ましいｐＨは９．０〜１１．０である。この停止
液に含まれる酸化剤としては過酸化水素水、オゾン水等
が挙げられる。停止液中の酸化剤の含有量は、停止液の
酸化還元電位が１０ｍＶ以上になるように決められる。
この酸化剤により停止液の酸化還元電位が１０ｍＶに満
たない場合には、酸化剤の酸化力が不十分となる。好ま
しい酸化還元電位は３０〜１５０ｍＶである。
れる半導体基板は、主としてシリコンウェーハである。
その他の基板としてＧａＡｓ、ＩｎＰなどのウェーハが
挙げられる。この停止液は増粘剤の水溶液であって、こ
の停止液に含まれる増粘剤としてはポリビニルアルコー
ル、ヒドロキシエチルセルロース等の水溶性高分子、及
びリン酸、ホウ酸、ケイ酸等の増粘作用を持つ水溶性酸
化物及びその塩類、タンパク質、酵素等の生体高分子等
が挙げられる。増粘剤の好ましい含有量は０．０１〜５
重量％である。含有量が０．０１重量％未満の場合に
は、所望の増粘効果が得られず、５重量％を超えると溶
解が困難となる上、研磨中にウェーハが剥離する等の問
題を生じ好ましくない。また停止液に含まれるアルカリ
としてはアンモニア、水酸化アルカリ、炭酸アルカリ、
ヒドラジン、有機アミン類等が挙げられる。停止液中の
アルカリの含有量は、停止液のｐＨが８．０以上になる
ように決められる。このアルカリにより停止液のｐＨが
８．０に満たない場合には、停止時に希釈される研磨液
のｐＨが中性に近づき、砥粒の凝集を生じるようにな
る。好ましいｐＨは９．０〜１１．０である。この停止
液に含まれる酸化剤としては過酸化水素水、オゾン水等
が挙げられる。停止液中の酸化剤の含有量は、停止液の
酸化還元電位が１０ｍＶ以上になるように決められる。
この酸化剤により停止液の酸化還元電位が１０ｍＶに満
たない場合には、酸化剤の酸化力が不十分となる。好ま
しい酸化還元電位は３０〜１５０ｍＶである。
【０００８】本発明の研磨反応停止液を用いて半導体基
板表面の研磨反応を停止するときの研磨方法には、片面
研磨方法と両面研磨方法がある。図１に片面研磨装置１
０を示す。この研磨装置１０は回転定盤１１と基板保持
具１２を備える。回転定盤１１は大きな円板であり、そ
の底面中心に接続されたシャフト１５によって回転す
る。回転定盤１１の上面には研磨用パッド１３が貼付け
られる。基板保持具１２は加圧ヘッド１２ａとこれに接
続して加圧ヘッド１２ａを回転させるシャフト１２ｂか
らなる。加圧ヘッド１２ａの下面には研磨プレート１４
が取付けられる。研磨プレート１４の下面には複数枚の
半導体基板１６が貼付けられる。回転定盤１１の上部に
はスラリー状の研磨液１７を供給するための配管１８
と、停止液１９を供給するための配管２０が設けられ
る。
板表面の研磨反応を停止するときの研磨方法には、片面
研磨方法と両面研磨方法がある。図１に片面研磨装置１
０を示す。この研磨装置１０は回転定盤１１と基板保持
具１２を備える。回転定盤１１は大きな円板であり、そ
の底面中心に接続されたシャフト１５によって回転す
る。回転定盤１１の上面には研磨用パッド１３が貼付け
られる。基板保持具１２は加圧ヘッド１２ａとこれに接
続して加圧ヘッド１２ａを回転させるシャフト１２ｂか
らなる。加圧ヘッド１２ａの下面には研磨プレート１４
が取付けられる。研磨プレート１４の下面には複数枚の
半導体基板１６が貼付けられる。回転定盤１１の上部に
はスラリー状の研磨液１７を供給するための配管１８
と、停止液１９を供給するための配管２０が設けられ
る。
【０００９】この研磨装置１０により半導体基板１６を
研磨する場合には、加圧ヘッド１２ａを下降して半導体
基板１６に所定の圧力を加えて基板１６を押える。配管
１８から研磨液１７を研磨用パッド１３に供給しなが
ら、加圧ヘッド１２ａと回転定盤１１とを同一方向に回
転させて、基板１６の表面を鏡面状に研磨する。所定の
研磨が行われた後、半導体基板１６の表面の研磨反応を
停止する場合、研磨液の供給を停止すると同時に配管２
０から停止液１９を研磨用パッド１３に供給し始める。
停止液を供給しながら、加圧ヘッド１２ａと回転定盤１
１を回転させる。このときしばらくの間、加圧ヘッド１
２ａの加圧力を８０〜５００ｇｆ／ｃｍ2の高い状態に
維持することが好ましい。研磨用パッド１３上に供給さ
れた停止液は増粘剤を含むため、半導体基板１６の表面
と研磨用パッド１３の間に十分に行渡り、研磨用パッド
１３と半導体基板１６表面との間の停止液の膜厚を一定
値以上に保持する。
研磨する場合には、加圧ヘッド１２ａを下降して半導体
基板１６に所定の圧力を加えて基板１６を押える。配管
１８から研磨液１７を研磨用パッド１３に供給しなが
ら、加圧ヘッド１２ａと回転定盤１１とを同一方向に回
転させて、基板１６の表面を鏡面状に研磨する。所定の
研磨が行われた後、半導体基板１６の表面の研磨反応を
停止する場合、研磨液の供給を停止すると同時に配管２
０から停止液１９を研磨用パッド１３に供給し始める。
停止液を供給しながら、加圧ヘッド１２ａと回転定盤１
１を回転させる。このときしばらくの間、加圧ヘッド１
２ａの加圧力を８０〜５００ｇｆ／ｃｍ2の高い状態に
維持することが好ましい。研磨用パッド１３上に供給さ
れた停止液は増粘剤を含むため、半導体基板１６の表面
と研磨用パッド１３の間に十分に行渡り、研磨用パッド
１３と半導体基板１６表面との間の停止液の膜厚を一定
値以上に保持する。
【００１０】
【実施例】次に本発明の具体的態様を示すために、本発
明の実施例を比較例とともに説明する。 ＜実施例１＞図１に示した研磨装置１０において、シリ
コンウェーハ１６をＳｉＯ2の砥粒をＮａＯＨ水溶液に
溶かした研磨液１７で研磨し、研磨液の供給を停止する
と同時に配管２０からポリビニルアルコール（ＰＶＡ）
（分子量９０００〜１００００）を０．０５重量％含
み、砥粒を含まない水溶液からなる研磨反応停止液１９
を研磨用パッド１３に滴下しながらシリコンウエーハ１
６に加わる研磨圧力を基板保持具１２の自重のみの３０
ｇｆ／ｃｍ2に減圧して１分間無砥粒の研磨を続行し、
研磨反応を停止させた。
明の実施例を比較例とともに説明する。 ＜実施例１＞図１に示した研磨装置１０において、シリ
コンウェーハ１６をＳｉＯ2の砥粒をＮａＯＨ水溶液に
溶かした研磨液１７で研磨し、研磨液の供給を停止する
と同時に配管２０からポリビニルアルコール（ＰＶＡ）
（分子量９０００〜１００００）を０．０５重量％含
み、砥粒を含まない水溶液からなる研磨反応停止液１９
を研磨用パッド１３に滴下しながらシリコンウエーハ１
６に加わる研磨圧力を基板保持具１２の自重のみの３０
ｇｆ／ｃｍ2に減圧して１分間無砥粒の研磨を続行し、
研磨反応を停止させた。
【００１１】＜実施例２＞研磨反応停止液として実施例
１の研磨反応停止液にアンモニアを更に添加して停止液
のｐＨが１０．５になるように調製した停止液を用いた
以外、実施例１と同様にしてシリコンウェーハの表面の
研磨反応を停止させた。
１の研磨反応停止液にアンモニアを更に添加して停止液
のｐＨが１０．５になるように調製した停止液を用いた
以外、実施例１と同様にしてシリコンウェーハの表面の
研磨反応を停止させた。
【００１２】＜実施例３＞研磨反応停止液として実施例
１の研磨反応停止液に更に過酸化水素水を１重量％添加
して停止液の酸化還元電位が５０ｍＶになるように調製
した停止液を用いた以外、実施例１と同様にしてシリコ
ンウェーハの表面の研磨反応を停止した。
１の研磨反応停止液に更に過酸化水素水を１重量％添加
して停止液の酸化還元電位が５０ｍＶになるように調製
した停止液を用いた以外、実施例１と同様にしてシリコ
ンウェーハの表面の研磨反応を停止した。
【００１３】＜実施例４＞研磨反応停止液として実施例
２の研磨反応停止液に更に過酸化水素水を１重量％添加
して停止液の酸化還元電位が７０ｍＶになるように調製
した停止液を用いた以外、実施例１と同様にしてシリコ
ンウェーハの表面の研磨反応を停止した。
２の研磨反応停止液に更に過酸化水素水を１重量％添加
して停止液の酸化還元電位が７０ｍＶになるように調製
した停止液を用いた以外、実施例１と同様にしてシリコ
ンウェーハの表面の研磨反応を停止した。
【００１４】＜実施例５＞研磨反応停止液として実施例
４の研磨反応停止液を使用した。この研磨反応停止液１
９を研磨用パッド１３に滴下しながらシリコンウエーハ
１６に加わる研磨圧力を１２０ｇｆ／ｃｍ2にして２分
間無砥粒の研磨を実施した。その後、シリコンウエーハ
１６に加わる研磨圧力を基板保持具１２の自重のみの３
０ｇｆ／ｃｍ2に減圧して１分間無砥粒の研磨を続行
し、研磨反応を停止させた。
４の研磨反応停止液を使用した。この研磨反応停止液１
９を研磨用パッド１３に滴下しながらシリコンウエーハ
１６に加わる研磨圧力を１２０ｇｆ／ｃｍ2にして２分
間無砥粒の研磨を実施した。その後、シリコンウエーハ
１６に加わる研磨圧力を基板保持具１２の自重のみの３
０ｇｆ／ｃｍ2に減圧して１分間無砥粒の研磨を続行
し、研磨反応を停止させた。
【００１５】＜比較例＞研磨反応停止液として純水を用
いた以外、実施例１と同様にしてシリコンウェーハの表
面の研磨反応を停止させた。
いた以外、実施例１と同様にしてシリコンウェーハの表
面の研磨反応を停止させた。
【００１６】＜比較評価＞実施例１〜５及び比較例の研
磨反応停止液の停止効果を確かめるために、停止直後の
シリコンウェーハを図示しないアンロードステーション
に移動した後、直ちにウェーハ表面のマイクロスクラッ
チは原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）にて、ピット、パーティ
クルはパーティクルカウンタにてそれぞれ計測した。マ
イクロスクラッチはウェーハ表面の線状キズ、ピットは
表面欠陥、パーティクルはウェーハ表面に付着した直径
が０．１２μｍ以上の微小の異物をいう。また研磨終了
時に残留する砥粒によって生じたウェーハ表面の微小な
凹凸であるヘイズを測定した。このヘイズは、ウェーハ
表面の微小な凹凸（表面粗さ）などに起因する微小な散
乱光の入射光に対する百万分率（ｐｐｍ）で表され、レ
ーザの散乱を利用した表面検査装置により測定した。こ
れらの結果を表１に示す。
磨反応停止液の停止効果を確かめるために、停止直後の
シリコンウェーハを図示しないアンロードステーション
に移動した後、直ちにウェーハ表面のマイクロスクラッ
チは原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）にて、ピット、パーティ
クルはパーティクルカウンタにてそれぞれ計測した。マ
イクロスクラッチはウェーハ表面の線状キズ、ピットは
表面欠陥、パーティクルはウェーハ表面に付着した直径
が０．１２μｍ以上の微小の異物をいう。また研磨終了
時に残留する砥粒によって生じたウェーハ表面の微小な
凹凸であるヘイズを測定した。このヘイズは、ウェーハ
表面の微小な凹凸（表面粗さ）などに起因する微小な散
乱光の入射光に対する百万分率（ｐｐｍ）で表され、レ
ーザの散乱を利用した表面検査装置により測定した。こ
れらの結果を表１に示す。
【００１７】
【表１】
【００１８】表１から明らかなように、マイクロスクラ
ッチ、ピット、パーティクル及びヘイズの全ての項目に
ついて、比較例と比べて実施例１〜５は優れていた。実
施例１〜５の中で研磨圧力が高い状態で、増粘剤の他に
アルカリ及び酸化剤を更に含有する研磨反応停止液を用
いて半導体基板の研磨反応を停止する実施例５の結果が
特に優れていた。
ッチ、ピット、パーティクル及びヘイズの全ての項目に
ついて、比較例と比べて実施例１〜５は優れていた。実
施例１〜５の中で研磨圧力が高い状態で、増粘剤の他に
アルカリ及び酸化剤を更に含有する研磨反応停止液を用
いて半導体基板の研磨反応を停止する実施例５の結果が
特に優れていた。
【００１９】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の研磨反応停
止液を用いた研磨停止方法によれば、研磨終了時に研磨
液中の砥粒を半導体基板表面に凝集、付着させず、かつ
研磨用パッドから速やかに除去し、これにより基板表面
にマイクロスクラッチ、ピット及びダメージを生じさせ
ない優れた効果がある。特に研磨圧力が高い状態で、増
粘剤の他にアルカリ及び酸化剤を更に含有する研磨反応
停止液を用いて研磨終了時の半導体基板の研磨反応を停
止すると、その効果はより優れたものとなる。
止液を用いた研磨停止方法によれば、研磨終了時に研磨
液中の砥粒を半導体基板表面に凝集、付着させず、かつ
研磨用パッドから速やかに除去し、これにより基板表面
にマイクロスクラッチ、ピット及びダメージを生じさせ
ない優れた効果がある。特に研磨圧力が高い状態で、増
粘剤の他にアルカリ及び酸化剤を更に含有する研磨反応
停止液を用いて研磨終了時の半導体基板の研磨反応を停
止すると、その効果はより優れたものとなる。
【図１】本発明の研磨反応停止液を用いて研磨反応を停
止する研磨装置の構成図。
止する研磨装置の構成図。
１０ 研磨装置 １１ 回転定盤 １３ 研磨用パッド １６ シリコンウェーハ（半導体基板） １７ 研磨液 １９ 研磨反応停止液
フロントページの続き (72)発明者 冨永 正秋 東京都千代田区大手町１丁目５番１号 三 菱マテリアル株式会社内 (72)発明者 高石 和成 東京都千代田区大手町１丁目５番１号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板(16)の表面の研磨終了時に前
記半導体基板(16)表面の研磨反応を停止する水溶液(19)
であって、 増粘剤を含有し、砥粒を含まないことを特徴とする半導
体基板の研磨終了時の研磨反応停止液。 - 【請求項２】 アルカリを更に含有し、ｐＨが８．０以
上である請求項１記載の研磨反応停止液。 - 【請求項３】 酸化剤を更に含有し、酸化還元電位が１
０ｍＶ以上である請求項１又は２記載の研磨反応停止
液。 - 【請求項４】 研磨装置(10)により半導体基板(16)の表
面を研磨し、その研磨終了時に前記研磨装置(10)におい
て前記半導体基板(16)の表面の研磨反応を停止する方法
において、 研磨圧力が高い状態で、請求項１ないし３いずれか記載
の研磨反応停止液(19)により前記半導体基板(16)の研磨
反応を停止することを特徴とする半導体基板の研磨反応
停止方法。
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1998
- 1998-05-15 JP JP13349898A patent/JP3551229B2/ja not_active Expired - Fee Related
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