KR100243292B1 - 연마액의ph를조정하는반도체제조를위한화학적기계연마방법 - Google Patents

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Abstract

반도제 제조 공정중 연마액의 pH를 조정하여 응집된 슬러리 입자에 의하여 웨이퍼 표면에 μ-스크래치(scratch)가 발생되는 것을 방지하는 화학적 기계 연마 방법. 본 발명에서는 슬러리를 포함하는 연마액과 폴리싱 패드를 사용하여 웨이퍼에 대하여 화학적 기계 연마를 행하는 데 있어서, 상기 폴리싱 패드상에 상기 연마액의 pH와 동일한 pH를 가지도록 pH 조정된 순수(純水) 혼합액을 공급하여 폴리싱 패드를 적신다. 상기 순수 혼합액이 공급된 상기 폴리싱 패드에 웨이퍼를 로딩한다. 웨이퍼가 로딩된 상기 폴리싱 패드에 상기 연마액을 공급하면서 웨이퍼에 대하여 화학적 기계 연마를 행한다.

Description

연마액의 pH를 조정하는 반도체 제조를 위한 화학적 기계 연마 방법{Chemical mechanical polishing method for manufacturing semiconductor device by adjusting pH of polishing solution}
본 발명은 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 연마액과 혼합되는 순수의 pH를 조정하여 연마액 내에서 응집된 연마제 입자에 의하여 웨이퍼 표면에 μ-스크래치(scratch)가 발생되는 것을 방지하는 화학적 기계 연마 방법에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하는 데 있어서 평탄화 기술로서 널리 사용되고 있는 화학적 기계 연마(chemical mechanical polishing; 이하 "CMP"라 함) 방법은 다층 배선 공정의 층간막 평탄화, 다층 배선 공정의 금속 매립, 트랜지스터의 STI(shallow trench isolation) 형성, 실리콘 기판 제작, SOI(silicon on insulator) 기판 제작 등의 분야에서 적용되고 있는 기술이다.
CMP 방법에 의한 피연마물은 주로 Si, SiO2, Al, W, Cu 등이며, 피연마물의 재료에 따라서 사용되는 슬러리도 달라진다. 예를 들면, 피연마물이 질화막, 산화막 등과 같은 절연막인 경우에는 알칼리성의 슬러리를 사용하고, 금속의 경우에는 약산성의 슬러리를 사용한다.
일반적으로, CMP 공정에서는 순수(deionized water: DIW) 또는 슬러리로 일단 적셔진 폴리싱 패드는 계속 적셔진 상태를 유지하기 위하여 폴리싱 패드를 순수로 적셔준다. 폴리싱 공정 진행시에는 폴리싱 패드의 표면에 슬러리를 포함하는 연마액을 공급하면서 웨이퍼의 폴리싱을 행한다.
이 때, 피연마물에 대하여 효과적인 폴리싱 특성을 얻기 위하여 피연마물의 특성에 따라서 특정한 연마액을 사용한다. 피연마물이 산화막인 경우에는 연마제로서 실리카를 주로 사용하고 있으며, 경우에 따라서 실리카를 포함하는 슬러리 원액과 순수를 원하는 소정의 비, 예를 들면 1:1의 비로 혼합한 혼합액을 연마액으로 사용한다.
이와 같이, 실리카를 함유하는 연마액은 pH가 약 10 ∼ 11로서 알칼리성이고, 순수는 pH가 7로서 중성이므로, 이미 폴리싱 패드상에 공급되어 있는 순수와 그 후에 폴리싱 패드상에 공급되는 연마액이 폴리싱 패드상에서 혼합될 때, 연마액과 순수의 큰 pH 차이로 인하여 연마액 내의 실리카가 원하는 크기를 유지하기 어려운 조건에 노출된다. 그 결과, 연마액 내에 포함되어 있는 실리카가 원하는 크기 이상의 입자 크기로 응집되어버리는 현상이 일어나게 된다. 그 결과, 피연마물인 산화막을 연마할 때 입자 사이즈가 큰 실리카 응집체로 이루어지는 연마제에 의하여 산화막 표면이 손상되어 μ-스크래치(scratch)와 같은 결함이 발생된다. 특히, STI(shallow trench isolation)를 위한 CMP 공정에서 μ-스크래치가 발생되는 경우에 반도체 장치의 활성 영역 및 비활성 영역에 손상을 주게 되어 게이트 산화막 또는 게이트 전극 라인에 치명적인 악영향을 주게 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 반도체 제조시 응집된 연마제 입자에 의하여 웨이퍼 표면에 μ-스크래치가 발생되는 것을 방지할 수 있는 CMP 방법을 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 CMP 방법을 설명하기 위한 플로차트이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 CMP 방법을 설명하기 위한 플로차트이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는 슬러리를 포함하는 연마액과 폴리싱 패드를 사용하여 웨이퍼에 대하여 화학적 기계 연마를 행하는 데 있어서, 상기 폴리싱 패드상에 상기 연마액의 pH와 동일한 pH를 가지도록 pH 조정된 순수(純水) 혼합액을 공급하여 폴리싱 패드를 적신다. 상기 순수 혼합액이 공급된 상기 폴리싱 패드에 웨이퍼를 로딩한다. 웨이퍼가 로딩된 상기 폴리싱 패드에 상기 연마액을 공급하면서 웨이퍼에 대하여 화학적 기계 연마를 행한다.
상기 pH 조정된 순수 혼합액을 공급하는 단계에서는 순수와 pH 조정용 시약을 혼합하여 상기 연마액과 동일한 pH를 갖는 순수 혼합액을 제조하고, 상기 순수 혼합액을 상기 폴리싱 패드상에 공급한다.
상기 연마액이 알칼리성인 경우에 상기 pH 조정용 시약은 알칼리성 물질이고, 상기 연마액이 산성인 경우에 상기 pH 조정용 시약은 산성 물질이다.
또한, 본 발명에서는 연마액이 알칼리성인 경우에 폴리싱 패드상에 상기 연마액의 pH와 동일하거나 또는 그 이상의 pH를 가지도록 pH 조정된 순수 혼합액을 공급하여 폴리싱 패드를 적신다. 상기 순수 혼합액이 공급된 상기 폴리싱 패드에 웨이퍼를 로딩한다. 웨이퍼가 로딩된 상기 폴리싱 패드에 상기 연마액을 공급하면서 웨이퍼에 대하여 화학적 기계 연마를 행한다.
알칼리성의 pH 조정용 시약으로서 KOH 및 NH4OH로 이루어지는 군에서 선택된 어느 하나를 사용한다.
또한 본 발명에서는 슬러리를 포함하는 연마액과 폴리싱 패드를 사용하여 웨이퍼에 대하여 화학적 기계 연마를 행하기 위하여 상기 폴리싱 패드상에 상기 연마액의 pH와 동일한 pH를 가지도록 pH 조정된 순수(純水) 혼합액을 공급하여 폴리싱 패드를 적신다. 상기 순수 혼합액이 공급된 상기 폴리싱 패드에 웨이퍼를 로딩한다. 웨이퍼가 로딩된 상기 폴리싱 패드에 상기 슬러리의 응집을 방지하도록 pH 조정된 연마액을 공급하면서 웨이퍼에 대하여 화학적 기계 연마를 행한다.
슬러리의 응집을 방지하도록 pH 조정된 연마액을 공급하기 위하여, 순수와 pH 조정용 시약을 혼합하여 상기 슬러리의 pH와 동일한 pH를 가지도록 pH 조정된 순수 혼합액을 제조하고, 상기 순수 혼합액과 상기 슬러리가 소정의 비로 혼합된 혼합물을 제조하고, 상기 혼합물을 상기 폴리싱 패드상에 공급한다.
또한, 본 발명에서는 슬러리를 포함하는 알칼리성 연마액과 폴리싱 패드를 사용하여 웨이퍼에 대하여 화학적 기계 연마를 행하기 위하여, 상기 폴리싱 패드상에 상기 연마액의 pH와 동일하거나 또는 그 이상의 pH를 가지도록 pH 조정된 순수 혼합액을 공급하여 폴리싱 패드를 적신다. 상기 순수 혼합액이 공급된 상기 폴리싱 패드에 웨이퍼를 로딩한다. 웨이퍼가 로딩된 상기 폴리싱 패드에 상기 슬러리의 응집을 방지하도록 pH 조정된 연마액을 공급하면서 웨이퍼에 대하여 화학적 기계 연마를 행한다.
본 발명에 의하면, CMP 공정에 사용되는 용액의 pH를 미리 조정함으로써, CMP 공정중에 슬러리의 응집으로 인하여 웨이퍼 표면에 μ-스크래치와 같은 결함이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
다음에, 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
실시예 1
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 CMP 방법을 설명하기 위한 플로차트이다.
도 1을 참조하면, 먼저 웨이퍼를 CMP 공정에 의하여 연마하여 웨이퍼 표면을 평탄화하기 위하여, 먼저 웨이퍼에 대하여 물리적 연마를 행하는 데 사용되는 폴리싱 패드에 상기 폴리싱 패드를 적실 수 있는 정도로 순수(純水) 혼합액을 공급한다(단계 10). 이 때, 폴리싱 패드상에 공급되는 순수 혼합액은 후속 단계에서 폴리싱 패드상에 공급되는 연마액의 pH와 동일하게 pH 조정된 순수이다. 본 발명에서는 폴리싱 패드에 공급되는 순수의 pH를 조정하기 위하여, 폴리싱 패드에 순수를 공급하기 전에 미리 순수에 pH 조정용 시약을 혼합하여 순수 혼합액을 제조하고, 이와 같이 제조된 순수 혼합액을 상기 폴리싱 패드에 공급한다. 여기서, 연마액으로서 알칼리성 물질을 사용하는 경우에는 pH 조정용 시약으로서 알칼리성 물질을 사용하고, 연마액으로서 산성 물질을 사용하는 경우에는 pH 조정용 시약으로서 산성 물질을 사용한다.
예를 들면, 후속 공정에서 연마액으로서 실리카를 포함하는 연마액을 사용하는 경우, 실리카를 함유하는 연마액은 pH가 약 10 ∼ 11로서 알칼리성이므로, 중성인 순수를 폴리싱 패드에 공급하기 전에 순수에 알칼리성 물질, 예를 들면 KOH 또는 NH4OH를 가하여 얻어진 순수 혼합액의 pH가 연마액의 pH와 동일하게 되도록, 즉 순수 혼합액의 pH가 약 10 ∼ 11로 되도록 조정한다. 여기서, 실리카를 함유하는 알칼리성 연마액을 사용하는 경우에는, 순수 혼합액의 pH를 연마액의 pH보다 더 크게 되도록 조정하여도 마찬가지로 우수한 효과를 얻을 수 있다.
그 후, 상기 pH 조정된 순수 혼합액이 공급된 폴리싱 패드상에 연마될 웨이퍼를 로딩하고(단계 20), 웨이퍼가 로딩된 폴리싱 패드상에 연마액을 공급하면서 웨이퍼의 CMP 공정을 진행한다(단계 30).
본 실시예에 의하면, 폴리싱 패드상에서 순수 혼합액과 연마액이 혼합될 때 pH 차이가 없으므로 연마액 내의 실리카가 응집될 염려가 없다.
실시예 2
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 CMP 방법을 설명하기 위한 플로차트이다.
도 2를 참조하면, 먼저 실시예 1에서 설명한 바와 같은 방법으로 pH 조정된 순수 혼합액을 폴리싱 패드에 공급한다(단계 40).
그 후, 상기 pH 조정된 순수 혼합액이 공급된 폴리싱 패드상에 연마될 웨이퍼를 로딩한다(단계 50).
그 후, 웨이퍼가 로딩된 폴리싱 패드상에 슬러리의 응집을 방지하도록 pH 조정된 연마액을 공급하면서 웨이퍼의 CMP 공정을 진행한다(단계 60). 여기서, 연마액이 실리카를 포함하는 용액인 경우에는 상기 pH 조정된 연마액은 다음과 같은 방법에 의하여 제조할 수 있다. 먼저, 상기 실시예 1에서 설명한 방법과 같은 방법을 사용하여 실리카를 포함하는 슬러리 원액의 pH와 동일한 pH를 가지도록 pH 조정된 순수 혼합액을 준비한다. 그리고, 이와 같이 pH 조정된 순수 혼합액과 슬러리 원액을 소정의 비, 예를 들면 1:1의 부피비로 혼합하여 pH 조정된 연마액을 제조한다.
본 실시예에 의하면, 웨이퍼의 CMP 공정 전에 pH 조정된 순수 혼합액을 폴리싱 패드에 미리 공급하고 CMP 공정이 진행되는 동안 미리 pH 조정된 연마액을 폴리싱 패드상에 공급함으로써, 연마액 자체에서 슬러리 원액과 순수 사이의 큰 pH 차이, 또는 폴리싱 패드상에서 순수와 연마액 사이의 큰 pH 차이로 인하여 연마액 내의 실리카가 원하는 크기 이상으로 응집되는 현상을 방지할 수 있다.
상기한 바와 같이 본 발명의 바람직한 실시예들에 따라서 pH 조정된 연마액 및 순수 혼합액을 사용하여 웨이퍼의 CMP 공정을 진행하면, 폴리싱 패드상에서 연마액과 순수가 혼합될 때 또는 그 폴리싱 패드로 공급되는 연마액의 구성 요소인 슬러리 원액과 순수가 혼합될 때 큰 pH 차이로 인하여 실리카가 원하는 크기 이상으로 응집되어버리는 현상을 방지할 수 있다. 따라서, 실리카 응집체에 의하여 피연마물 표면에 μ-스크래치와 같은 결함이 발생되는 현상을 현저하게 줄일 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형이 가능하다.

Claims (18)

  1. 슬러리를 포함하는 연마액과 폴리싱 패드를 사용하여 웨이퍼에 대하여 화학적 기계 연마를 행하는 방법에 있어서,
    상기 폴리싱 패드상에 상기 연마액의 pH와 동일한 pH를 가지도록 pH 조정된 순수(純水) 혼합액을 공급하여 폴리싱 패드를 적시는 단계와,
    상기 순수 혼합액이 공급된 상기 폴리싱 패드에 웨이퍼를 로딩하는 단계와,
    웨이퍼가 로딩된 상기 폴리싱 패드에 상기 연마액을 공급하면서 웨이퍼에 대하여 화학적 기계 연마를 행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조를 위한 화학적 기계 연마 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 pH 조정된 순수 혼합액을 공급하는 단계는
    순수와 pH 조정용 시약을 혼합하여 상기 연마액과 동일한 pH를 갖는 순수 혼합액을 제조하는 단계와,
    상기 순수 혼합액을 상기 폴리싱 패드상에 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조를 위한 화학적 기계 연마 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 연마액이 알칼리성인 경우에 상기 pH 조정용 시약은 알칼리성 물질이고, 상기 연마액이 산성인 경우에 상기 pH 조정용 시약은 산성 물질인 것을 특징으로 하는 반도체 제조를 위한 화학적 기계 연마 방법.
  4. 슬러리를 포함하는 알칼리성 연마액과 폴리싱 패드를 사용하여 웨이퍼에 대하여 화학적 기계 연마를 행하는 방법에 있어서,
    상기 폴리싱 패드상에 상기 연마액의 pH와 동일하거나 또는 그 이상의 pH를 가지도록 pH 조정된 순수 혼합액을 공급하여 폴리싱 패드를 적시는 단계와,
    상기 순수 혼합액이 공급된 상기 폴리싱 패드에 웨이퍼를 로딩하는 단계와,
    웨이퍼가 로딩된 상기 폴리싱 패드에 상기 연마액을 공급하면서 웨이퍼에 대하여 화학적 기계 연마를 행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조를 위한 화학적 기계 연마 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 pH 조정된 순수 혼합액을 공급하는 단계는
    순수와 알칼리성의 pH 조정용 시약을 혼합하여 상기 연마액과 동일하거나 또는 그 이상의 pH를 가지도록 pH 조정된 순수 혼합액을 제조하는 단계와,
    상기 순수 혼합액을 상기 폴리싱 패드상에 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조를 위한 화학적 기계 연마 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 알칼리성의 pH 조정용 시약은 KOH 및 NH4OH로 이루어지는 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 제조를 위한 화학적 기계 연마 방법.
  7. 슬러리를 포함하는 연마액과 폴리싱 패드를 사용하여 웨이퍼에 대하여 화학적 기계 연마를 행하는 방법에 있어서,
    상기 폴리싱 패드상에 상기 연마액의 pH와 동일한 pH를 가지도록 pH 조정된 순수(純水) 혼합액을 공급하여 폴리싱 패드를 적시는 단계와,
    상기 순수 혼합액이 공급된 상기 폴리싱 패드에 웨이퍼를 로딩하는 단계와,
    웨이퍼가 로딩된 상기 폴리싱 패드에 상기 슬러리의 응집을 방지하도록 pH 조정된 연마액을 공급하면서 웨이퍼에 대하여 화학적 기계 연마를 행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조를 위한 화학적 기계 연마 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 pH 조정된 순수 혼합액을 공급하는 단계는
    순수와 pH 조정용 시약을 혼합하여 상기 연마액과 동일한 pH를 갖는 순수 혼합액을 제조하는 단계와,
    상기 순수 혼합액을 상기 폴리싱 패드상에 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조를 위한 화학적 기계 연마 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 연마액이 알칼리성인 경우에 상기 pH 조정용 시약은 알칼리성 물질이고, 상기 연마액이 산성인 경우에 상기 pH 조정용 시약은 산성 물질인 것을 특징으로 하는 반도체 제조를 위한 화학적 기계 연마 방법.
  10. 제7항에 있어서, 상기 슬러리의 응집을 방지하도록 pH 조정된 연마액을 공급하는 단계는
    순수와 pH 조정용 시약을 혼합하여 상기 슬러리의 pH와 동일한 pH를 가지도록 pH 조정된 순수 혼합액을 제조하는 단계와,
    상기 순수 혼합액과 상기 슬러리가 소정의 비로 혼합된 혼합물을 제조하는 단계와,
    상기 혼합물을 상기 폴리싱 패드상에 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조를 위한 화학적 기계 연마 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 연마액이 알칼리성인 경우에 상기 pH 조정용 시약은 알칼리성 물질이고, 상기 연마액이 산성인 경우에 상기 pH 조정용 시약은 산성 물질인 것을 특징으로 하는 반도체 제조를 위한 화학적 기계 연마 방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 혼합물을 제조하는 단계는 상기 pH 조정된 순수 혼합액과 상기 슬러리를 1:1의 부피비로 혼합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조를 위한 화학적 기계 연마 방법.
  13. 슬러리를 포함하는 알칼리성 연마액과 폴리싱 패드를 사용하여 웨이퍼에 대하여 화학적 기계 연마를 행하는 방법에 있어서,
    상기 폴리싱 패드상에 상기 연마액의 pH와 동일하거나 또는 그 이상의 pH를 가지도록 pH 조정된 순수 혼합액을 공급하여 폴리싱 패드를 적시는 단계와,
    상기 순수 혼합액이 공급된 상기 폴리싱 패드에 웨이퍼를 로딩하는 단계와,
    웨이퍼가 로딩된 상기 폴리싱 패드에 상기 슬러리의 응집을 방지하도록 pH 조정된 연마액을 공급하면서 웨이퍼에 대하여 화학적 기계 연마를 행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조를 위한 화학적 기계 연마 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 pH 조정된 순수 혼합액을 공급하는 단계는
    순수와 알칼리성의 pH 조정용 시약을 혼합하여 상기 연마액과 동일하거나 또는 그 이상의 pH를 가지도록 pH 조정된 순수 혼합액을 제조하는 단계와,
    상기 순수 혼합액을 상기 폴리싱 패드상에 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조를 위한 화학적 기계 연마 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 알칼리성의 pH 조정용 시약은 KOH 및 NH4OH로 이루어지는 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 제조를 위한 화학적 기계 연마 방법.
  16. 제13항에 있어서, 상기 슬러리의 응집을 방지하도록 pH 조정된 연마액을 공급하는 단계는
    순수와 알칼리성의 pH 조정용 시약을 혼합하여 상기 슬러리의 pH와 동일하거나 또는 그 이상의 pH를 가지도록 pH 조정된 순수 혼합액을 제조하는 단계와,
    상기 순수 혼합액과 상기 슬러리가 소정의 비로 혼합된 혼합물을 제조하는 단계와,
    상기 혼합물을 상기 폴리싱 패드상에 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조를 위한 화학적 기계 연마 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 알칼리성의 pH 조정용 시약은 KOH 및 NH4OH로 이루어지는 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 제조를 위한 화학적 기계 연마 방법.
  18. 제16항에 있어서, 상기 혼합물을 제조하는 단계는 상기 pH 조정된 순수 혼합액과 상기 슬러리를 1:1의 부피비로 혼합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조를 위한 화학적 기계 연마 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6558570B2 (en) * 1998-07-01 2003-05-06 Micron Technology, Inc. Polishing slurry and method for chemical-mechanical polishing
US6383934B1 (en) 1999-09-02 2002-05-07 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates with selected planarizing liquids
US6709981B2 (en) * 2000-08-16 2004-03-23 Memc Electronic Materials, Inc. Method and apparatus for processing a semiconductor wafer using novel final polishing method
JP2002319556A (ja) * 2001-04-19 2002-10-31 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
US6585567B1 (en) 2001-08-31 2003-07-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Short CMP polish method
US6638145B2 (en) 2001-08-31 2003-10-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. Constant pH polish and scrub
DE102008053610B4 (de) * 2008-10-29 2011-03-31 Siltronic Ag Verfahren zum beidseitigen Polieren einer Halbleiterscheibe
DE102010013519B4 (de) * 2010-03-31 2012-12-27 Siltronic Ag Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5320706A (en) * 1991-10-15 1994-06-14 Texas Instruments Incorporated Removing slurry residue from semiconductor wafer planarization
US5407526A (en) * 1993-06-30 1995-04-18 Intel Corporation Chemical mechanical polishing slurry delivery and mixing system
US5597443A (en) * 1994-08-31 1997-01-28 Texas Instruments Incorporated Method and system for chemical mechanical polishing of semiconductor wafer
JPH08107094A (ja) * 1994-10-05 1996-04-23 Toshiba Corp 基板の洗浄方法
JP3311203B2 (ja) * 1995-06-13 2002-08-05 株式会社東芝 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置、半導体ウェーハの化学的機械的ポリッシング方法
US5769689A (en) * 1996-02-28 1998-06-23 Rodel, Inc. Compositions and methods for polishing silica, silicates, and silicon nitride

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