JP3897030B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図4の各図は、被研磨層を化学的機械研磨する従来の工程を説明する図である。まず図4(A)に示すように、キャリア130を用いてシリコン基板100を、プラテン110上に固定された発泡ポリウレタン性の研磨パッド120の表面に押し当てる。このときの押付圧力は例えば3.0psiである。また回転軸112を中心にプラテン110及び研磨パッド120を回転させると共に、回転軸138を中心にキャリア130を回転させる。そして研磨スラリー供給ノズル122から研磨スラリーを、研磨パッド120表面の回転中心付近に供給する。これによりシリコン基板100上に形成された被研磨層は化学的機械研磨される。
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、化学的機械研磨後の半導体基板の表面に残留する異物の量を少なくすることができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
研磨パッドの表面に研磨スラリーを供給し、かつ前記研磨パッドの表面を清掃するコンディショナーを前記研磨パッドの表面に接触させつつ、被研磨層を有する半導体基板を前記研磨パッドの表面に第1の押付力で接触させることにより、前記被研磨層を化学的機械研磨する工程と、
前記被研磨層を化学的機械研磨した後、前記第1の押付力より低い第2の押付力で前記半導体基板を前記研磨パッドに接触させた状態で、前記研磨パッドに洗浄液を供給しつつ前記コンディショナーを前記研磨パッドに接触させることにより前記研磨パッドを清掃する工程と、
前記第2の押付力より高い第3の押付力で前記半導体基板を清掃後の前記研磨パッドに接触させつつ、洗浄液を前記研磨パッドに供給することにより、前記半導体基板の表面を清掃する工程と、
前記第3の押付力より低い第4の押付力で前記半導体基板を清掃後の前記研磨パッドに接触させつつ、洗浄液を前記研磨パッドに供給することにより、前記半導体基板の表面を仕上げ清掃する工程と、
を具備する。
また半導体基板の清掃工程を2段階に分け、第1段階では半導体基板を研磨パッドにある程度の強さで押付けて、第2段階では半導体基板を研磨パッドから浮かない程度の力で押さえるようにしている。このため半導体基板から異物をほとんど除去することができる。
研磨パッドの表面に研磨スラリーを供給しつつ、前記研磨パッドの表面を清掃するコンディショナー及び被研磨層を有する半導体基板を前記研磨パッドの表面に接触させることにより、前記被研磨層を化学的機械研磨する工程と、
前記被研磨層を化学的機械研磨した後、前記研磨パッドに洗浄液を供給しつつ前記コンディショナーを前記研磨パッドに接触させることにより前記研磨パッドを清掃する工程と、
清掃後の前記研磨パッドに洗浄液を供給しつつ前記半導体基板を接触させることにより、前記半導体基板の表面を清掃する工程と、
前記半導体基板の表面を清掃する工程より低い押付力で、前記半導体基板を前記研磨パッドに接触させることにより、前記半導体基板の表面を仕上げ清掃する工程と、
を具備する。
研磨パッドの表面に研磨スラリーを供給し、かつ前記研磨パッドの表面を清掃するコンディショナーを前記研磨パッドの表面に接触させつつ、被研磨層を有する半導体基板を前記研磨パッドの表面に第1の押付力で接触させることにより、前記被研磨層を化学的機械研磨する工程と、
前記被研磨層を化学的機械研磨した後、前記第1の押付力より低い第2の押付力で前記半導体基板を前傾研磨パッドに接触させた状態で、前記研磨パッドに洗浄液を供給しつつ前記コンディショナーを前記研磨パッドに接触させることにより前記研磨パッドを清掃する工程と、
前記第2の押付力に略等しい押付力で前記半導体基板を清掃後の前記研磨パッドに接触させつつ、洗浄液を前記研磨パッドに供給することにより、前記半導体基板の表面を清掃する工程と、
を具備する。
研磨パッドの表面に研磨スラリーを供給しつつ、前記研磨パッドの表面を清掃するコンディショナー及び被研磨層を有する半導体基板を前記研磨パッドの表面に接触させることにより、前記被研磨層を化学的機械研磨する工程と、
前記被研磨層を化学的機械研磨した後、前記研磨パッドに洗浄液を供給しつつ前記コンディショナーを前記研磨パッドに接触させることにより前記研磨パッドを清掃する工程と、
前記半導体基板を清掃後の前記研磨パッドに接触させつつ洗浄液を前記研磨パッドに供給することにより、前記半導体基板の表面を清掃する工程と、
を具備する。
複数の化学的機械研磨手段を用いて半導体基板上の被研磨層を段階的に研磨する工程を具備する半導体装置の製造方法であって、
前記複数の化学的機械研磨手段それぞれは、研磨パッド及び該研磨パッドの表面を清掃するコンディショナーを備え、
前記複数の化学的研磨手段それぞれを用いて前記被研磨層を研磨する工程それぞれは、
研磨パッドの表面に研磨スラリーを供給し、かつ前記研磨パッドの表面を清掃するコンディショナーを前記研磨パッドの表面に接触させつつ、被研磨層を有する半導体基板を前記研磨パッドの表面に第1の押付力で接触させることにより、前記被研磨層を化学的機械研磨する工程と、
前記被研磨層を化学的機械研磨した後、前記第1の押付力より低い第2の押付力で前記半導体基板を前記研磨パッドに接触させた状態で、前記研磨パッドに洗浄液を供給しつつ前記コンディショナーを前記研磨パッドに接触させることにより前記研磨パッドを清掃する工程と、
前記第2の押付力より高い第3の押付力で前記半導体基板を清掃後の前記研磨パッドに接触させつつ、洗浄液を前記研磨パッドに供給することにより、前記半導体基板の表面を清掃する工程と、
前記第3の押付力より低い第4の押付力で前記半導体基板を清掃後の前記研磨パッドに接触させつつ、洗浄液を前記研磨パッドに供給することにより、前記半導体基板の表面を仕上げ清掃する工程と、
を具備する。
また複数の化学的機械研磨手段を用いて被研磨層を段階的に研磨するため、複数の化学的機械研磨手段それぞれにおける研磨ぐせが平均化され、研磨面をシリコンウェハ1の表面に対して平行に近づけることができる。
またシリコンウェハ1を研磨パッド20に押し付けるとき、キャリア30は空間32aを加圧する。するとメンブレン32がシリコンウェハ1を下方すなわち研磨パッド20に押し付ける。
図1(A)の状態において、メンブレン32による押付力は3.0psiであり、リテーナーリング36の研磨パッド20に対する押付力は4.9psiである。またインナーチューブ35の内部は排気している状態である。
図1(B)に示した処理は、例えば10秒間ほど行われる。これにより、研磨パッド20の表面から研磨スラリーや研磨くず等の異物が除去される。またシリコンウェハ1表面の異物も少し除去される。
図1(C)に示した処理は例えば10秒間ほど行われる。これによりシリコンウェハ1の表面に付着している研磨スラリーや研磨くず等の異物の多くが除去され、かつ残留する異物も除去されやすい状態になる。また図1(B)に示した処理により研磨パッド20が清掃されているため、シリコンウェハ1の表面は効率よく清掃される。
図1(D)に示した処理は例えば10秒間ほど行われる。これによりシリコンウェハ1の表面に仕上げ清掃が行われ、表面に残留していた研磨スラリーや研磨くず等の異物がほとんど除去される。
またシリコンウェハ1の清掃工程を2段階に分け、第1段階ではシリコンウェハ1を研磨パッド20にある程度の強さで押付けて、第2段階ではシリコンウェハ1を研磨パッド20から浮かない程度の力で押さえるようにしている。このためシリコンウェハ1から異物をほとんど除去することができる。
本実施形態においても第1の実施形態と同一の効果を得ることができる。
化学的機械研磨される被研磨層は層間絶縁膜に限定されるものではない。例えば層間絶縁膜上に形成された配線と、この層間絶縁膜の下に形成された配線とを接続するタングステンプラグを形成する場合に用いられてもよい。この場合の工程は以下の通りである。まず層間絶縁膜に接続孔を形成し、その後タングステン膜を層間絶縁膜上に形成する。このときタングステン膜の一部が接続孔に埋め込まれる。次いでタングステン膜を化学的機械研磨して層間絶縁膜上から除去する。これによりタングステンプラグが接続孔中に形成される。ここでタングステン膜を化学的機械研磨する工程に本発明が適用される。
またトレンチアイソレーション法においてトレンチに絶縁物を埋め込む際に研磨除去される絶縁膜(例えば酸化シリコン膜)であってもよい。この場合の工程は以下の通りである。まず半導体基板にトレンチを形成し、その後半導体基板上に絶縁膜を形成する。このとき絶縁膜の一部がトレンチに埋め込まれる。次いで絶縁膜を化学的機械研磨して半導体基板上から絶縁膜を除去する。これによりトレンチに絶縁膜が埋め込まれる。ここで絶縁膜を化学的機械研磨する工程に本発明が適用される。
また第2の実施形態において化学的機械研磨手段の数は3つに限定されず、2つであってもよいし、4つ以上であってもよい。
Claims (3)
- 研磨パッドの表面に研磨スラリーを供給し、かつ前記研磨パッドの表面を清掃するコンディショナーを前記研磨パッドの表面に接触させつつ、被研磨層を有する半導体基板を前記研磨パッドの表面に第1の押付力で接触させることにより、前記被研磨層を化学的機械研磨する工程と、
前記被研磨層を化学的機械研磨した後、前記第1の押付力より低い第2の押付力で前記半導体基板を前記研磨パッドに接触させた状態で、前記研磨パッドに洗浄液を供給しつつ前記コンディショナーを前記研磨パッドに接触させることにより前記研磨パッドを清掃する工程と、
前記第2の押付力より高い第3の押付力で前記半導体基板を清掃後の前記研磨パッドに接触させつつ、洗浄液を前記研磨パッドに供給することにより、前記半導体基板の表面を清掃する工程と、
前記第3の押付力より低い第4の押付力で前記半導体基板を清掃後の前記研磨パッドに接触させつつ、洗浄液を前記研磨パッドに供給することにより、前記半導体基板の表面を仕上げ清掃する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。 - 研磨パッドの表面に研磨スラリーを供給しつつ、前記研磨パッドの表面を清掃するコンディショナー及び被研磨層を有する半導体基板を前記研磨パッドの表面に接触させることにより、前記被研磨層を化学的機械研磨する工程と、
前記被研磨層を化学的機械研磨した後、前記研磨パッドに洗浄液を供給しつつ前記コンディショナーを前記研磨パッドに接触させることにより前記研磨パッドを清掃する工程と、
清掃後の前記研磨パッドに洗浄液を供給しつつ前記半導体基板を接触させることにより、前記半導体基板の表面を清掃する工程と、
前記半導体基板の表面を清掃する工程より低い押付力で、前記半導体基板を前記研磨パッドに接触させることにより、前記半導体基板の表面を仕上げ清掃する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。 - 研磨パッドの表面に研磨スラリーを供給し、かつ前記研磨パッドの表面を清掃するコンディショナーを前記研磨パッドの表面に接触させつつ、被研磨層を有する半導体基板を前記研磨パッドの表面に第1の押付力で接触させることにより、前記被研磨層を化学的機械研磨する工程と、
前記被研磨層を化学的機械研磨した後、前記第1の押付力より低い第2の押付力で前記半導体基板を前傾研磨パッドに接触させた状態で、前記研磨パッドに洗浄液を供給しつつ前記コンディショナーを前記研磨パッドに接触させることにより前記研磨パッドを清掃する工程と、
前記第2の押付力に略等しい押付力で前記半導体基板を清掃後の前記研磨パッドに接触させつつ、洗浄液を前記研磨パッドに供給することにより、前記半導体基板の表面を清掃する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。
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