KR102142893B1 - 기판 이면의 연마 방법 및 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 이면의 연마 방법 및 기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102142893B1
KR102142893B1 KR1020140008156A KR20140008156A KR102142893B1 KR 102142893 B1 KR102142893 B1 KR 102142893B1 KR 1020140008156 A KR1020140008156 A KR 1020140008156A KR 20140008156 A KR20140008156 A KR 20140008156A KR 102142893 B1 KR102142893 B1 KR 102142893B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polishing
substrate
back surface
region
center
Prior art date
Application number
KR1020140008156A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140099191A (ko
Inventor
유 이시이
겐야 이토
마사유키 나카니시
데츠지 도가와
Original Assignee
가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 filed Critical 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
Publication of KR20140099191A publication Critical patent/KR20140099191A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102142893B1 publication Critical patent/KR102142893B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B21/00—Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor
    • B24B21/004—Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor using abrasive rolled strips
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B21/00—Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor
    • B24B21/04—Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor for grinding plane surfaces
    • B24B21/06—Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor for grinding plane surfaces involving members with limited contact area pressing the belt against the work, e.g. shoes sweeping across the whole area to be ground
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)

Abstract

본 발명의 과제는, 웨이퍼 등의 기판의 이면 전체에 부착된 이물질을 높은 제거율로 제거할 수 있는 방법을 제공하는 것이다. 본 연마 방법은, 기판 보유 지지부(17, 42)에서 기판(W)을 보유 지지하고, 기판(W)을 회전시키면서, 기판(W)의 이면 전체에 연마구(22, 44)를 미끄럼 접촉시킴으로써 이면 전체를 연마한다. 이면 연마 공정은, 기판(W)의 중심측 영역을 기판 보유 지지부(17)에서 보유 지지하면서, 이면의 외주측 영역을 연마하는 공정과, 기판(W)의 베벨부를 기판 보유 지지부(42)에서 보유 지지하면서, 이면의 중심측 영역을 연마하는 공정으로 구성된다.

Description

기판 이면의 연마 방법 및 기판 처리 장치{METHOD OF POLISHING BACK SURFACE OF SUBSTRATE AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 웨이퍼 등의 기판의 이면을 연마하는 연마 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 기판의 이면을 연마하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
최근 들어, 메모리 회로, 로직 회로, 이미지 센서(예를 들어, CMOS 센서) 등의 디바이스는, 보다 고집적화되고 있다. 이들 디바이스를 형성하는 공정에 있어서는, 미립자나 진애 등의 이물질이 디바이스에 부착되는 경우가 있다. 디바이스에 부착된 이물질은, 배선간의 단락이나 회로의 문제를 야기해 버린다. 따라서 디바이스의 신뢰성을 향상시키기 위해, 디바이스가 형성된 웨이퍼를 세정하여, 웨이퍼 상의 이물질을 제거하는 것이 필요해진다.
웨이퍼의 이면(베어 실리콘면)에도, 상술한 바와 같은 미립자나 분진 등의 이물질이 부착되는 경우가 있다. 이와 같은 이물질이 웨이퍼의 이면에 부착되면, 웨이퍼가 노광 장치의 스테이지 기준면으로부터 이격되거나 웨이퍼 표면이 스테이지 기준면에 대해 기울어, 결과적으로, 패터닝의 어긋남이나 초점 거리의 어긋남이 발생하게 된다. 이와 같은 문제를 방지하기 위해, 웨이퍼의 이면에 부착된 이물질을 제거하는 것이 필요해진다.
일본 특허 공개 제2001-345298호 공보 일본 특허 공개 제2010-130022호 공보
종래에는, 웨이퍼를 회전시키면서 펜형의 브러시나 롤 스펀지에 의해 웨이퍼를 스크럽 세정하는 것이 행해지고 있다. 그러나 이와 같은 세정 기술에서는, 이물질의 제거율이 나쁘고, 특히 이물질 상에 막이 퇴적된 상태의 이물질을 제거하는 것이 어려웠다. 또한, 종래의 세정 기술에서는, 웨이퍼의 이면 전체로부터 이물질을 제거하는 것이 곤란하였다.
본 발명은 상술한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 웨이퍼 등의 기판의 이면 전체에 부착된 이물질을 높은 제거율로 제거할 수 있는 방법 및 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 형태는, 기판의 이면의 중심측 영역을 보유 지지하면서, 상기 이면의 외주측 영역에 연마구를 미끄럼 접촉시키고, 상기 기판의 베벨부를 보유 지지하면서, 상기 이면의 상기 중심측 영역에 연마구를 미끄럼 접촉시킴으로써 상기 이면 전체를 연마하는 것을 특징으로 하는 연마 방법이다.
본 발명의 바람직한 형태는, 상기 외주측 영역에 상기 연마구를 미끄럼 접촉하는 공정을 행하고, 그 후 상기 중심측 영역에 상기 연마구를 미끄럼 접촉하는 공정을 행하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 형태는, 상기 기판의 이면의 중심측 영역을 보유 지지하면서, 또한 상기 기판의 이면에 순수를 공급하면서, 상기 이면의 상기 외주측 영역에 상기 연마구를 미끄럼 접촉시키고, 상기 기판의 베벨부를 보유 지지하면서, 또한 상기 기판의 이면에 순수를 공급하면서, 상기 이면의 상기 중심측 영역에 상기 연마구를 미끄럼 접촉시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 형태는, 기판의 이면의 중심측 영역을 보유 지지하면서, 상기 이면의 외주측 영역에 연마구를 미끄럼 접촉시켜 상기 외주측 영역을 연마하는 제1 이면 연마 유닛과, 상기 기판의 베벨부를 보유 지지하면서, 상기 이면의 상기 중심측 영역에 연마구를 미끄럼 접촉시켜 상기 중심측 영역을 연마하는 제2 이면 연마 유닛과, 상기 제1 이면 연마 유닛과 상기 제2 이면 연마 유닛 사이에서 상기 기판을 반송하는 반송 로봇을 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다.
본 발명의 바람직한 형태는, 상기 제1 이면 연마 유닛이 상기 외주측 영역을 연마한 후에, 상기 제2 이면 연마 유닛이 상기 중심측 영역을 연마하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 형태는, 상기 반송 로봇은, 상기 제1 이면 연마 유닛에 의해 연마된 상기 기판을 반전시켜 상기 제2 이면 연마 유닛에 반송하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 연마구를 기판의 이면에 미끄럼 접촉시킴으로써, 연마구에 의해 기판의 이면을 근소하게 깍아낸다. 따라서 이면으로부터 이물질을 높은 제거율로 제거할 수 있다. 특히, 기판의 이면 전체에 연마구를 미끄럼 접촉시킴으로써, 이면 전체로부터 이물질을 제거할 수 있다.
도 1의 (a) 및 도 1의 (b)는 웨이퍼의 주연부를 도시하는 확대 단면도이다.
도 2는 웨이퍼의 이면의 외주측 영역을 연마하기 위한 제1 이면 연마 유닛을 도시하는 모식도이다.
도 3은 연마 헤드를 웨이퍼의 반경 방향 외측으로 이동시킨 도면이다.
도 4는 웨이퍼의 이면의 중심측 영역을 연마하기 위한 제2 이면 연마 유닛을 도시하는 모식도이다.
도 5는 제2 이면 연마 유닛의 평면도이다.
도 6은 제1 이면 연마 유닛 및 제2 이면 연마 유닛을 포함하는 복수의 기판 처리 유닛을 구비한 기판 처리 장치를 도시하는 평면도이다.
도 7은 도 6에 도시하는 기판 처리 장치의 측면도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명에 관한 연마 방법은, 제1 연마 공정과 제2 연마 공정으로 구성된다. 제1 연마 공정은, 기판의 이면의 외주측 영역을 연마하는 공정이며, 제2 연마 공정은 기판의 이면의 중심측 영역을 연마하는 공정이다. 중심측 영역은 기판의 중심을 포함하는 영역이며, 외주측 영역은 중심측 영역의 반경 방향 외측에 위치하는 영역이다. 중심측 영역과 외주측 영역은 서로 인접하고, 중심측 영역과 외주측 영역을 조합한 영역은, 기판의 이면 전체에 이른다.
도 1의 (a) 및 도 1의 (b)는 기판의 일례인 웨이퍼의 주연부를 도시하는 확대 단면도이다. 보다 상세하게는, 도 1의 (a)는 소위 스트레이트형의 웨이퍼의 단면도이며, 도 1의 (b)는 소위 라운드형의 웨이퍼의 단면도이다. 본 명세서에서는, 웨이퍼(기판)의 이면이라 함은, 디바이스가 형성되어 있는 면과는 반대측의 평탄한 면을 말한다. 웨이퍼의 외주면은 베벨부라고 불린다. 웨이퍼의 이면은 베벨부의 반경 방향 내측에 있는 평탄한 면이다. 웨이퍼 이면의 외주측 영역은 베벨부에 인접한다. 일례로서, 외주측 영역의 폭은 십수 밀리미터의 원환 형상의 영역이며, 중심측 영역은 그 내측의 원형의 영역이다.
도 2는 웨이퍼(W)의 이면의 외주측 영역을 연마하기 위한 제1 이면 연마 유닛(11)을 도시하는 모식도이다. 이 제1 이면 연마 유닛(11)은 웨이퍼(기판)(W)를 보유 지지하여 회전시키는 제1 기판 보유 지지부(12)와, 제1 기판 보유 지지부(12)에 보유 지지되어 있는 웨이퍼(W)의 이면에 연마구를 압박 접촉하는 제1 연마 헤드(14)를 구비하고 있다. 제1 기판 보유 지지부(12)는 웨이퍼(W)를 진공 흡착에 의해 보유 지지하는 기판 스테이지(17)와, 기판 스테이지(17)를 회전시키는 모터(19)를 구비하고 있다.
웨이퍼(W)는 그 이면이 하향의 상태에서 기판 스테이지(17) 상에 적재된다. 기판 스테이지(17)의 상면에는 홈(17a)이 형성되어 있고, 이 홈(17a)은 진공 라인(20)에 연통하고 있다. 진공 라인(20)은 도시하지 않은 진공원(예를 들어, 진공 펌프)에 접속되어 있다. 진공 라인(20)을 통하여 기판 스테이지(17)의 홈(17a)에 진공이 형성되면, 웨이퍼(W)는 진공 흡착력에 의해 기판 스테이지(17) 상에 보유 지지된다. 이 상태에서 모터(19)는 기판 스테이지(17)를 회전시키고, 웨이퍼(W)를 그 축심 둘레로 회전시킨다. 기판 스테이지(17)는 웨이퍼(W)의 직경보다도 작고, 웨이퍼(W)의 이면의 중심측 영역은 기판 스테이지(17)에 의해 보유 지지된다. 웨이퍼(W)의 이면의 외주측 영역은, 기판 스테이지(17)로부터 외측으로 돌출되어 있다.
제1 연마 헤드(14)는 기판 스테이지(17)에 인접하여 배치되어 있다. 보다 구체적으로는, 제1 연마 헤드(14)는 노출되어 있는 외주측 영역에 대향하여 배치되어 있다. 제1 연마 헤드(14)는 연마구로서의 연마 테이프(22)를 보유 지지하는 복수의 롤러(23)와, 연마 테이프(22)를 웨이퍼(W)의 이면에 압박하는 압박 부재(24)와, 압박 부재(24)에 압박력을 부여하는 액추에이터로서의 에어 실린더(25)를 구비하고 있다. 에어 실린더(25)는 압박 부재(24)에 압박력을 부여하고, 이에 의해 압박 부재(24)는 연마 테이프(22)를 웨이퍼(W)의 이면에 압박한다. 또한, 연마구로서, 연마 테이프 대신에 지석을 사용해도 된다.
연마 테이프(22)의 일단부는 조출 릴(31)에 접속되고, 타단부는 권취 릴(32)에 접속되어 있다. 연마 테이프(22)는 조출 릴(31)로부터 제1 연마 헤드(14)를 경유하여 권취 릴(32)에 소정의 속도로 보내진다. 사용되는 연마 테이프(22)의 예로서는, 표면에 지립이 고정된 테이프 또는 경질의 부직포로 이루어지는 테이프 등을 들 수 있다. 제1 연마 헤드(14)는 연마 헤드 이동 기구(35)에 연결되어 있다. 이 연마 헤드 이동 기구(35)는 제1 연마 헤드(14)를 웨이퍼(W)의 반경 방향 외측으로 이동시키도록 구성되어 있다. 연마 헤드 이동 기구(35)는, 예를 들어 볼 나사와 서보 모터의 조합으로 구성된다.
기판 스테이지(17)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 상방 및 하방에는, 웨이퍼(W)에 연마액을 공급하는 액체 공급 노즐(37, 38)이 배치되어 있다. 연마액으로서는, 순수가 바람직하게 사용된다. 이것은, 에칭 작용이 있는 화학 성분을 포함하는 연마액을 사용하면, 이면에 형성되어 있는 오목부가 넓어져 버리는 경우가 있기 때문이다.
웨이퍼(W)의 이면의 외주측 영역은 다음과 같이 하여 연마된다. 기판 스테이지(17)에 보유 지지된 웨이퍼(W)를 그 중심축 둘레로 모터(19)에 의해 회전시키고, 회전하는 웨이퍼(W)의 표면 및 이면에 액체 공급 노즐(37, 38)로부터 연마액을 공급한다. 이 상태에서, 제1 연마 헤드(14)는 연마 테이프(22)를 웨이퍼(W)의 이면에 압박한다. 연마 테이프(22)는 외주측 영역과 미끄럼 접촉하고, 이에 의해 외주측 영역을 연마한다. 연마 헤드 이동 기구(35)는 제1 연마 헤드(14)가 연마 테이프(22)를 웨이퍼(W)의 이면에 압박하면서, 도 3의 화살표로 나타내는 바와 같이, 제1 연마 헤드(14)를 웨이퍼(W)의 반경 방향 외측으로 소정의 속도로 이동시킨다. 이와 같이 하여, 웨이퍼(W)의 이면의 외주측 영역 전체가 연마 테이프(22)에 의해 연마된다. 연마 중, 연마액은 웨이퍼(W)의 내측으로부터 외측으로 흐르고, 연마 부스러기는 연마액에 의해 웨이퍼(W)로부터 제거된다.
제1 연마 공정의 종료 후, 웨이퍼(W)는 도시하지 않은 반송 로봇에 의해 제1 이면 연마 유닛(11)으로부터 취출된다. 반송 로봇은 웨이퍼(W)를 반전시켜 그 이면을 상향으로 하고, 그리고 웨이퍼(W)를 이하에 설명하는 제2 이면 연마 유닛에 반송한다.
도 4는 웨이퍼(W)의 이면의 중심측 영역을 연마하기 위한 제2 이면 연마 유닛을 도시하는 모식도이며, 도 5는 제2 이면 연마 유닛의 평면도이다. 제2 이면 연마 유닛(41)은 웨이퍼(W)를 보유 지지하여 회전시키는 제2 기판 보유 지지부(42)와, 웨이퍼(W)의 이면에 연마구(44)를 압박하는 제2 연마 헤드(46)를 구비하고 있다. 제2 기판 보유 지지부(42)는 웨이퍼(W)의 베벨부를 보유 지지하는 복수의 척(48)과, 이들 척(48)을 웨이퍼(W)의 축심 둘레로 회전시키는 중공 모터(51)를 구비하고 있다. 각 척(48)은 그 상단부에 클램프(49)를 구비하고 있고, 이 클램프(49)에 의해 웨이퍼(W)의 베벨부가 파지된다. 클램프(49)가 웨이퍼(W)의 베벨부를 파지한 상태에서 중공 모터(51)에 의해 척(48)을 회전시킴으로써, 도 5의 화살표 A로 나타내는 바와 같이 웨이퍼(W)가 그 축심 둘레로 회전한다.
제2 이면 연마 유닛(41)에서는, 웨이퍼(W)는 그 이면이 상향의 상태에서 제2 기판 보유 지지부(42)에 의해 보유 지지된다. 척(48)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 하면(이면과는 반대측의 면)은 기판 지지부(52)에 의해 지지되어 있다. 이 기판 지지부(52)는 연결 부재(53)에 의해 중공 모터(51)에 연결되어 있고, 중공 모터(51)에 의해 기판 지지부(52)는 제2 기판 보유 지지부(42)와 일체로 회전하게 되어 있다. 기판 지지부(52)는 웨이퍼(W)의 하면에 접촉하는 원형의 상면을 갖고 있다. 이 기판 지지부(52)의 상면은, 부직포 또는 배킹 필름 등의 탄성재로 이루어지는 시트로 구성되어 있고, 웨이퍼(W)에 형성되어 있는 디바이스에 데미지를 미치지 않게 되어 있다. 기판 지지부(52)는 간단히 웨이퍼(W)를 하방으로부터 지지하고 있을 뿐이며, 웨이퍼(W)를 진공 흡착 등에 의해 보유 지지하고 있지는 않다. 웨이퍼(W)와 기판 지지부(52)는 일체로 회전하고, 양자의 상대 속도는 0이다.
제2 연마 헤드(46)는 웨이퍼(W)의 상방에 배치되어 있고, 연마구(44)를 웨이퍼(W)의 이면에 상방으로부터 압박한다. 사용되는 연마구(44)의 예로서는, 지립이 표면에 고정된 부직포, 경질의 부직포, 지석 또는 상술한 제1 이면 연마 유닛(11)에서 사용되는 연마 테이프 등을 들 수 있다. 예를 들어, 연마구(44)는 제2 연마 헤드(46)의 축심 둘레에 배치된 복수의 연마 테이프로 구성해도 된다.
제2 연마 헤드(46)는 헤드 아암(55)에 의해 지지되어 있다. 이 헤드 아암(55)에는 도시하지 않은 회전 기구가 내장되어 있고, 이 회전 기구에 의해 제2 연마 헤드(46)는 화살표 B로 나타내는 바와 같이 그 축심 둘레로 회전한다. 헤드 아암(55)의 단부는 요동 축(56)에 고정되어 있다. 이 요동 축(56)은 모터 등의 구동기(57)에 연결되어 있다. 구동기(57)에 의해 요동 축(56)이 소정의 각도로 회전함으로써, 제2 연마 헤드(46)는 웨이퍼(W)의 상방의 연마 위치와 웨이퍼(W)의 외측의 대기 위치 사이를 이동한다.
제2 연마 헤드(46)에 인접하여, 웨이퍼(W)의 이면에 연마액을 공급하는 액체 공급 노즐(61)이 배치되어 있다. 연마액으로서는, 순수가 바람직하게 사용된다.
웨이퍼(W)의 중심측 영역은 다음과 같이 하여 연마된다. 웨이퍼(W)의 이면이 상향의 상태에서 웨이퍼(W)의 베벨부가 척(48)에 의해 보유 지지된다. 웨이퍼(W)를 그 중심축 둘레로 중공 모터(51)에 의해 회전시키고, 회전하는 웨이퍼(W)의 이면에 액체 공급 노즐(61)로부터 연마액을 공급한다. 이 상태에서, 제2 연마 헤드(46)는 연마구(44)를 회전시키면서, 연마구(44)를 웨이퍼(W)의 이면 중심을 포함하는 중심측 영역에 압박한다. 연마구(44)는 중심측 영역과 미끄럼 접촉하고, 이에 의해 중심측 영역을 연마한다. 연마 중에는, 연마구(44)가 웨이퍼(W)의 중심에 접촉한 상태를 유지하면서, 제2 연마 헤드(46)를 웨이퍼(W)의 대략 반경 방향으로 요동시켜도 된다. 이와 같이 하여, 웨이퍼(W)의 이면의 중심측 영역이 연마구(44)에 의해 연마된다. 연마 중에, 연마액은 웨이퍼(W)의 내측으로부터 외측으로 흐르고, 연마 부스러기는 연마액에 의해 웨이퍼(W)로부터 제거된다.
상술한 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)의 이면의 외주측 영역이 먼저 연마되고, 그 후에 이면의 중심측 영역이 연마된다. 이것은, 제1 연마 공정에서 웨이퍼(W)의 이면에 부착된 기판 스테이지(17)의 흡착 자국을 제2 연마 공정에서 제거하기 위해서이다. 그러나 본 발명은 이 예로 한정되지 않고, 중심측 영역을 연마하는 공정을 행한 후에, 이면의 외주측 영역을 연마하는 공정을 행해도 된다.
제1 연마 공정에서는 웨이퍼(W)의 이면의 중심측 영역이 보유 지지되므로, 웨이퍼(W)의 중심을 연마 테이프(22)에 의해 연마할 수 없지만, 이면의 외주측 영역을 연마할 수 있다. 이에 대해, 제2 연마 공정에서는, 제2 기판 보유 지지부(42)에 의해 웨이퍼(W)의 베벨부가 보유 지지되므로, 웨이퍼(W)의 이면의 주연부를 연마구(44)에 의해 연마할 수 없지만, 이면의 중심을 포함하는 중심측 영역을 연마할 수 있다. 따라서 제1 연마 공정과 제2 연마 공정을 조합함으로써, 웨이퍼(W)의 이면 전체를 연마할 수 있다. 따라서 웨이퍼(W)의 이면 전체로부터 이물질, 돌기부 등을 제거할 수 있다.
제1 연마 공정 및 제2 연마 공정에서는, 연마구(22, 44)에 의해 웨이퍼(W)의 이면이 근소하게 깎인다. 제거되는 웨이퍼(W)의 양(두께)은 바람직하게는 100㎚ 이하, 보다 바람직하게는 10㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 1㎚ 이하이다. 연마 종점은 시간에 기초하여 결정된다. 즉, 미리 정해진 연마 시간에 도달하였을 때에 연마가 종료된다. 제2 연마 공정이 종료된 후에는 웨이퍼(W)를 세정 장치에 반송하여 웨이퍼(W)의 양면을 세정하는 것이 바람직하다.
도 6은 상술한 제1 이면 연마 유닛(11) 및 제2 이면 연마 유닛(41)을 포함하는 복수의 기판 처리 유닛을 구비한 기판 처리 장치를 도시하는 평면도이며, 도 7은 도 6에 도시하는 기판 처리 장치의 측면도이다. 이 기판 처리 장치는, 복수의 웨이퍼(W)가 수용된 웨이퍼 카세트(65)가 적재되는 로드 포트(66)와, 2대의 제1 이면 연마 유닛(11)과, 2대의 제2 이면 연마 유닛(41)과, 연마된 웨이퍼(W)를 세정하는 2대의 세정 유닛(72)과, 세정된 웨이퍼(W)를 건조시키는 2대의 건조 유닛(73)을 구비하고 있다.
2대의 세정 유닛(72)은 2대의 제2 이면 연마 유닛(41) 상에 각각 배치되어 있고, 2대의 건조 유닛(73)은 2대의 제1 이면 연마 유닛(11) 상에 각각 배치되어 있다. 로드 포트(66)와 제1 이면 연마 유닛(11) 사이에는 제1 반송 로봇(74)이 배치되어 있다. 또한, 제1 이면 연마 유닛(11)과 제2 이면 연마 유닛(41)의 사이에는, 제2 반송 로봇(75)이 배치되어 있다.
웨이퍼 카세트(65) 내의 웨이퍼(W)는 제1 반송 로봇(74)에 의해 제1 이면 연마 유닛(11)에 반송되고, 여기서 웨이퍼(W)의 이면의 외주측 영역이 연마된다. 제1 이면 연마 유닛(11)의 제1 연마 헤드(14)에 틸트 기구를 설치하여, 웨이퍼(W)의 베벨부를 더 연마해도 된다. 웨이퍼(W)는 제2 반송 로봇(75)에 의해 제1 이면 연마 유닛(11)으로부터 취출되고, 그 이면이 상향으로 되도록 반전된다. 그리고 반전된 웨이퍼(W)는 제2 이면 연마 유닛(41)에 반송되고, 여기서 웨이퍼(W)의 이면의 중심측 영역이 연마된다. 제2 이면 연마 유닛(41)에 반송하기 전에, 이면의 외주측 영역이 연마된 웨이퍼(W)를 세정 유닛(72)에 반송하여 웨이퍼(W)를 세정해도 된다.
이면의 전체가 연마된 웨이퍼(W)는 제2 반송 로봇(75)에 의해 제2 이면 연마 유닛(41)으로부터 취출되고, 그 이면이 하향으로 되도록 반전되고, 그리고 세정 유닛(72)에 반송된다. 세정 유닛(72)은 웨이퍼(W)를 사이에 끼우도록 배치된 상측 롤 스펀지 및 하측 롤 스펀지를 구비하고 있고, 세정액을 웨이퍼(W)의 양면에 공급하면서 이들 롤 스펀지에 의해 웨이퍼(W)의 양면을 스크럽 세정한다. 세정된 웨이퍼(W)는 제2 반송 로봇(75)에 의해 건조 유닛(73)에 반송된다. 건조 유닛(73)은 웨이퍼(W)를 그 축심 둘레로 고속으로 회전시킴으로써 웨이퍼(W)를 스핀 건조한다. 건조된 웨이퍼(W)는 제1 반송 로봇(74)에 의해 로드 포트(66) 상의 웨이퍼 카세트(65)에 복귀된다. 이와 같이 하여, 기판 처리 장치는, 웨이퍼(W)의 이면 연마, 세정 및 건조의 일련의 공정을 행할 수 있다.
제1 이면 연마 유닛(11), 제2 이면 연마 유닛(41), 세정 유닛(72) 및 건조 유닛(73)은 각각 모듈화된 유닛으로서 구성되어 있고, 이들의 배치를 자유롭게 바꾸는 것이 가능하게 되어 있다. 예를 들어, 도 6에 도시하는 2대의 제1 이면 연마 유닛(11) 중 한쪽 또는 양쪽 모두를 대신하여, 웨이퍼(W)의 노치부를 연마하는 노치 연마 유닛을 배치해도 된다.
상술한 실시 형태는, 본 발명이 속하는 기술 분야에 있어서의 통상의 지식을 갖는 자가 본 발명을 실시할 수 있는 것을 목적으로 하여 기재된 것이다. 상기 실시 형태의 다양한 변형예는, 당업자라면 당연히 이룰 수 있는 것이며, 본 발명의 기술적 사상은 다른 실시 형태에도 적용할 수 있는 것이다. 따라서 본 발명은 기재된 실시 형태로 한정되지 않고, 특허청구범위에 의해 정의되는 기술적 사상에 따른 가장 넓은 범위로 해석되는 것이다.
11 : 제1 이면 연마 유닛
12 : 제1 기판 보유 지지부
14 : 제1 연마 헤드
17 : 기판 스테이지
19 : 모터
20 : 진공 라인
22 : 연마 테이프(연마구)
23 : 롤러
24 : 압박 부재
25 : 에어 실린더
31 : 조출 릴
32 : 권취 릴
35 : 연마 헤드 이동 기구
37, 38 : 액체 공급 노즐
41 : 제2 이면 연마 유닛
42 : 제2 기판 보유 지지부
44 : 연마구
46 : 제2 연마 헤드
48 : 척
49 : 클램프
51 : 중공 모터
52 : 기판 지지부
53 : 연결 부재
55 : 헤드 아암
56 : 요동 축
57 : 구동기
61 : 액체 공급 노즐
65 : 웨이퍼 카세트
66 : 로드 포트
72 : 세정 유닛
73 : 건조 유닛
74 : 제1 반송 로봇
75 : 제2 반송 로봇

Claims (11)

  1. 기판의 이면의 외주측 영역에 연마구를 미끄럼 접촉시키고,
    상기 기판의 이면의 상기 외주측 영역에 연마구를 미끄럼 접촉시켜서 상기 외주측 영역을 연마한 후에 상기 기판을 반전시켜 상기 기판의 이면을 상향으로 하고,
    상기 기판의 주연부를 보유 지지하면서, 상기 이면의 중심측 영역에 연마구를 미끄럼 접촉시킴으로써 상기 이면 전체를 연마하고,
    상기 이면의 상기 외주측 영역에 상기 연마구를 미끄럼 접촉시키는 공정은, 상기 기판의 이면의 중심측 영역을 보유 지지하면서, 또한 상기 기판의 이면에 대향하여 배치된 연마 헤드를, 상기 기판의 이면과 평행하게 이동시키면서, 상기 연마 헤드가 상기 이면의 상기 외주측 영역에 상기 연마구를 미끄럼 접촉시키는 공정인 것을 특징으로 하는, 연마 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 외주측 영역에 상기 연마구를 미끄럼 접촉하는 공정을 행하고, 그 후 상기 중심측 영역에 상기 연마구를 미끄럼 접촉하는 공정을 행하는 것을 특징으로 하는, 연마 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 기판의 이면에 순수를 공급하면서, 상기 이면의 상기 외주측 영역에 상기 연마구를 미끄럼 접촉시키는 공정을 행하고,
    상기 기판의 주연부를 보유 지지하면서, 또한 상기 기판의 이면에 순수를 공급하면서, 상기 이면의 상기 중심측 영역에 상기 연마구를 미끄럼 접촉시키는 공정을 행하는 것을 특징으로 하는, 연마 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 이면의 상기 중심측 영역에 상기 연마구를 미끄럼 접촉시키는 공정은, 상기 이면의 상기 중심측 영역에, 상기 이면에 대해 수직한 회전축의 축심 주위로 회전하는 상기 연마구를 미끄럼 접촉시키는 공정인 것을 특징으로 하는, 연마 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 이면의 상기 중심측 영역에 상기 연마구를 미끄럼 접촉시키는 공정은, 상기 이면과는 반대측의 상기 기판의 표면을 지지하면서, 상기 이면의 상기 중심측 영역에 상기 연마구를 미끄럼 접촉시키는 공정인 것을 특징으로 하는, 연마 방법.
  6. 기판의 이면의 외주측 영역에 연마구를 미끄럼 접촉시키고,
    상기 기판의 주연부를 보유 지지하면서, 상기 이면의 중심측 영역에 연마구를 미끄럼 접촉시킴으로써 상기 이면 전체를 연마하고,
    상기 이면의 상기 중심측 영역에 상기 연마구를 미끄럼 접촉시키는 공정은, 상기 이면의 상기 중심측 영역에, 상기 연마구로서 구성되는 복수의 연마 테이프를 미끄럼 접촉시키는 공정인 것을 특징으로 하는, 연마 방법.
  7. 기판의 이면의 중심측 영역을 보유 지지하면서, 또한 상기 기판의 이면에 대향하여 배치된 연마 헤드를, 상기 기판의 이면과 평행하게 이동시키면서, 상기 연마 헤드가 상기 이면의 외주측 영역에 연마구를 미끄럼 접촉시켜서 상기 외주측 영역을 연마하는 외주측 연마 기구와,
    상기 기판의 베벨부를 보유 지지하면서, 상기 이면의 상기 중심측 영역에 연마구를 미끄럼 접촉시켜서 상기 중심측 영역을 연마하는 중심측 연마 기구를 구비하고,
    상기 기판의 이면의 외주측 영역에 상기 연마구를 미끄럼 접촉시켜서 상기 외주측 영역을 연마한 후에 상기 기판을 반전시켜 기판의 이면을 상향으로 하고, 상기 기판의 이면의 중심측 영역에 연마구를 미끄럼 접촉시키는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 외주측 연마 기구는, 상기 연마 헤드를 상기 기판의 반경 방향 외측으로 이동시키면서 상기 기판의 이면의 상기 외주측 영역을 연마하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 중심측 연마 기구는, 상기 기판의 이면에 대하여 수직한 회전축의 축심 둘레로 회전하고, 또한 상기 기판의 반경 방향으로 요동하는 연마구를 상기 기판의 이면의 상기 중심측 영역에 미끄럼 접촉시키는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  10. 삭제
  11. 삭제
KR1020140008156A 2013-02-01 2014-01-23 기판 이면의 연마 방법 및 기판 처리 장치 KR102142893B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2013-018476 2013-02-01
JP2013018476A JP6100002B2 (ja) 2013-02-01 2013-02-01 基板裏面の研磨方法および基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140099191A KR20140099191A (ko) 2014-08-11
KR102142893B1 true KR102142893B1 (ko) 2020-08-10

Family

ID=50031138

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140008156A KR102142893B1 (ko) 2013-02-01 2014-01-23 기판 이면의 연마 방법 및 기판 처리 장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9808903B2 (ko)
EP (2) EP3112086A3 (ko)
JP (1) JP6100002B2 (ko)
KR (1) KR102142893B1 (ko)
CN (1) CN103962941B (ko)
TW (1) TWI585838B (ko)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6100002B2 (ja) 2013-02-01 2017-03-22 株式会社荏原製作所 基板裏面の研磨方法および基板処理装置
CN105150089B (zh) * 2015-08-14 2019-06-28 深圳市中天超硬工具股份有限公司 金刚石盘表面研磨装置及研磨方法
JP6560572B2 (ja) 2015-09-14 2019-08-14 株式会社荏原製作所 反転機および基板研磨装置
JP2017108113A (ja) * 2015-11-27 2017-06-15 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法ならびに基板処理装置の制御プログラム
JP6577385B2 (ja) 2016-02-12 2019-09-18 株式会社荏原製作所 基板保持モジュール、基板処理装置、および基板処理方法
JP2017147334A (ja) * 2016-02-17 2017-08-24 株式会社荏原製作所 基板の裏面を洗浄する装置および方法
JP2017148931A (ja) * 2016-02-19 2017-08-31 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨方法
JP6625461B2 (ja) * 2016-03-23 2019-12-25 株式会社荏原製作所 研磨装置
JP6672207B2 (ja) * 2016-07-14 2020-03-25 株式会社荏原製作所 基板の表面を研磨する装置および方法
TWI821887B (zh) * 2016-11-29 2023-11-11 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體
JP6882017B2 (ja) 2017-03-06 2021-06-02 株式会社荏原製作所 研磨方法、研磨装置、および基板処理システム
JP6920849B2 (ja) * 2017-03-27 2021-08-18 株式会社荏原製作所 基板処理方法および装置
EP3396707B1 (en) 2017-04-28 2021-11-03 Ebara Corporation Apparatus and method for cleaning a back surface of a substrate
US10651057B2 (en) 2017-05-01 2020-05-12 Ebara Corporation Apparatus and method for cleaning a back surface of a substrate
KR102135060B1 (ko) 2017-05-10 2020-07-20 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판의 이면을 세정하는 장치 및 방법
JP6779173B2 (ja) 2017-05-18 2020-11-04 株式会社荏原製作所 基板処理装置、プログラムを記録した記録媒体
JP6974067B2 (ja) * 2017-08-17 2021-12-01 株式会社荏原製作所 基板を研磨する方法および装置
JP6908496B2 (ja) * 2017-10-25 2021-07-28 株式会社荏原製作所 研磨装置
JP2019091746A (ja) * 2017-11-13 2019-06-13 株式会社荏原製作所 基板の表面を処理する装置および方法
JP7020986B2 (ja) 2018-04-16 2022-02-16 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板保持装置
WO2023162714A1 (ja) * 2022-02-25 2023-08-31 株式会社荏原製作所 基板研磨装置
WO2024106248A1 (ja) * 2022-11-18 2024-05-23 株式会社荏原製作所 基板処理装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001110771A (ja) * 1999-10-08 2001-04-20 Ebara Corp 基板洗浄装置及び基板処理装置
JP2005305586A (ja) * 2004-04-20 2005-11-04 Nihon Micro Coating Co Ltd 研磨装置
JP2008042220A (ja) * 2007-09-25 2008-02-21 Ebara Corp 基板処理方法及び装置

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3114156B2 (ja) * 1994-06-28 2000-12-04 株式会社荏原製作所 洗浄方法および装置
US6245677B1 (en) * 1999-07-28 2001-06-12 Noor Haq Backside chemical etching and polishing
DE10004578C1 (de) * 2000-02-03 2001-07-26 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit polierter Kante
US6722964B2 (en) * 2000-04-04 2004-04-20 Ebara Corporation Polishing apparatus and method
JP2001345298A (ja) 2000-05-31 2001-12-14 Ebara Corp ポリッシング装置及び方法
US6609950B2 (en) 2000-07-05 2003-08-26 Ebara Corporation Method for polishing a substrate
JP2002025952A (ja) * 2000-07-07 2002-01-25 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハの処理方法
DE10058305A1 (de) * 2000-11-24 2002-06-06 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Oberflächenpolitur von Siliciumscheiben
EP1405336A2 (en) 2000-12-04 2004-04-07 Ebara Corporation Substrate processing method
JP4156200B2 (ja) * 2001-01-09 2008-09-24 株式会社荏原製作所 研磨装置及び研磨方法
KR100420205B1 (ko) * 2001-09-10 2004-03-04 주식회사 하이닉스반도체 웨이퍼 제조 방법
JP3949941B2 (ja) * 2001-11-26 2007-07-25 株式会社東芝 半導体装置の製造方法および研磨装置
JP4090247B2 (ja) * 2002-02-12 2008-05-28 株式会社荏原製作所 基板処理装置
JP4125148B2 (ja) * 2003-02-03 2008-07-30 株式会社荏原製作所 基板処理装置
US6913520B1 (en) * 2004-01-16 2005-07-05 United Microelectronics Corp. All-in-one polishing process for a semiconductor wafer
CN100351040C (zh) * 2004-03-25 2007-11-28 力晶半导体股份有限公司 晶片研磨机台
JP4815801B2 (ja) * 2004-12-28 2011-11-16 信越半導体株式会社 シリコンウエーハの研磨方法および製造方法および円板状ワークの研磨装置ならびにシリコンウエーハ
JP2007258274A (ja) * 2006-03-20 2007-10-04 Ebara Corp 基板処理方法、及び基板処理装置
JP2008036783A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Sony Corp 研磨方法および研磨装置
JP4913517B2 (ja) * 2006-09-26 2012-04-11 株式会社ディスコ ウエーハの研削加工方法
JP5274993B2 (ja) * 2007-12-03 2013-08-28 株式会社荏原製作所 研磨装置
US8192822B2 (en) * 2008-03-31 2012-06-05 Memc Electronic Materials, Inc. Edge etched silicon wafers
JP5160993B2 (ja) * 2008-07-25 2013-03-13 株式会社荏原製作所 基板処理装置
DE102008045534B4 (de) * 2008-09-03 2011-12-01 Siltronic Ag Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe
DE102008053610B4 (de) * 2008-10-29 2011-03-31 Siltronic Ag Verfahren zum beidseitigen Polieren einer Halbleiterscheibe
KR101004435B1 (ko) 2008-11-28 2010-12-28 세메스 주식회사 기판 연마 장치 및 이를 이용한 기판 연마 방법
DE102009030295B4 (de) * 2009-06-24 2014-05-08 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
JP5519256B2 (ja) * 2009-12-03 2014-06-11 株式会社荏原製作所 裏面が研削された基板を研磨する方法および装置
JP5663295B2 (ja) * 2010-01-15 2015-02-04 株式会社荏原製作所 研磨装置、研磨方法、研磨具を押圧する押圧部材
JP2011224680A (ja) * 2010-04-16 2011-11-10 Ebara Corp 研磨方法及び研磨装置
JP5460537B2 (ja) * 2010-06-17 2014-04-02 東京エレクトロン株式会社 基板裏面研磨装置、基板裏面研磨システム及び基板裏面研磨方法並びに基板裏面研磨プログラムを記録した記録媒体
JP5649417B2 (ja) * 2010-11-26 2015-01-07 株式会社荏原製作所 固定砥粒を有する研磨テープを用いた基板の研磨方法
US9457447B2 (en) * 2011-03-28 2016-10-04 Ebara Corporation Polishing apparatus and polishing method
JP5946260B2 (ja) * 2011-11-08 2016-07-06 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6113960B2 (ja) 2012-02-21 2017-04-12 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法
JP6140439B2 (ja) * 2012-12-27 2017-05-31 株式会社荏原製作所 研磨装置、及び研磨方法
JP6100002B2 (ja) 2013-02-01 2017-03-22 株式会社荏原製作所 基板裏面の研磨方法および基板処理装置
US9287127B2 (en) * 2014-02-17 2016-03-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer back-side polishing system and method for integrated circuit device manufacturing processes

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001110771A (ja) * 1999-10-08 2001-04-20 Ebara Corp 基板洗浄装置及び基板処理装置
JP2005305586A (ja) * 2004-04-20 2005-11-04 Nihon Micro Coating Co Ltd 研磨装置
JP2008042220A (ja) * 2007-09-25 2008-02-21 Ebara Corp 基板処理方法及び装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP3112086A2 (en) 2017-01-04
CN103962941B (zh) 2018-07-20
KR20140099191A (ko) 2014-08-11
TWI585838B (zh) 2017-06-01
JP6100002B2 (ja) 2017-03-22
EP2762274A3 (en) 2015-06-03
US9808903B2 (en) 2017-11-07
EP2762274B1 (en) 2016-09-21
EP2762274A2 (en) 2014-08-06
TW201436016A (zh) 2014-09-16
EP3112086A3 (en) 2017-01-18
JP2014150178A (ja) 2014-08-21
CN103962941A (zh) 2014-08-06
US20140220866A1 (en) 2014-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102142893B1 (ko) 기판 이면의 연마 방법 및 기판 처리 장치
US20090038642A1 (en) Methods and apparatus for cleaning an edge of a substrate
US10926376B2 (en) Method and apparatus for polishing a substrate, and method for processing a substrate
JP2007194244A (ja) ウェハの洗浄装置及び洗浄方法
JP2007194367A (ja) 洗浄装置及び該洗浄装置を備えるダイシング装置
US10376929B2 (en) Apparatus and method for polishing a surface of a substrate
JP2007118187A (ja) 研磨装置
TWI765125B (zh) 基板處理裝置、基板處理方法、及儲存有程式之儲存媒介
JP7148349B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US6813796B2 (en) Apparatus and methods to clean copper contamination on wafer edge
JP4963411B2 (ja) 半導体装置または半導体ウェハの製造方法
JP6625461B2 (ja) 研磨装置
JP2017147334A (ja) 基板の裏面を洗浄する装置および方法
EP3396707B1 (en) Apparatus and method for cleaning a back surface of a substrate
JP4850666B2 (ja) ウエーハの加工装置
TWI706813B (zh) 基板處理裝置
KR102135060B1 (ko) 기판의 이면을 세정하는 장치 및 방법
US10651057B2 (en) Apparatus and method for cleaning a back surface of a substrate
WO2023162714A1 (ja) 基板研磨装置
JP2023097533A (ja) 研磨装置および研磨方法
JP6719125B2 (ja) 研磨部材、及び、研磨方法
JP2023124820A (ja) 基板研磨装置

Legal Events

Date Code Title Description
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant