JP2003338479A - 半導体ウェーハの加工装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】共通のテーブルで半導体ウェーハを保持しなが
ら複数の加工部で加工する場合において、半導体ウェー
ハを加工しながら加工面の状態を測定することができる
半導体ウェーハ加工装置を提供する。 【解決手段】本発明の加工装置１０は主として、吸着テ
ーブル１２、研削装置１４、研磨装置１６、及び測定装
置１７で構成され、吸着テーブル１２に半導体ウェーハ
２２が保持される。研削装置１４は、半導体ウェーハ２
２の裏面２２Ｂの一部に押し付けられるカップ型砥石２
４を有し、研磨装置１６は、裏面２２Ｂの一部に押し付
けられる研磨布４２を有している。測定装置１７は、裏
面２２Ｂのうち、カップ型砥石２４、及び研磨布４２が
配置されない領域に設けられ、半導体ウェーハ２２の厚
さを測定する。

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェーハの加
工装置に係り、特に半導体ウェーハの製造最終工程で半
導体ウェーハの裏面を研削加工する加工装置に関する。 【０００２】 【従来の技術】表面に半導体装置が多数形成された半導
体ウェーハの製造最終工程では、半導体ウェーハの裏面
研削加工が行われる。裏面研削加工が終了した半導体ウ
ェーハは、ダイシング工程に送られ、個々の半導体チッ
プに分割される。 【０００３】以前の半導体ウェーハの加工方法では、半
導体ウェーハの裏面研削に起因して半導体ウェーハの裏
面に加工変質層が生成され、この加工変質層によって半
導体ウェーハが破損するおそれがあった。 【０００４】このような不具合は、半導体ウェーハの研
削加工終了後にこの半導体ウェーハを研削装置から研磨
装置に移送し、研磨装置で裏面を研磨して加工変質層を
除去することによって防止できる。しかし、この方法で
は、厚さが２００μｍ以下の極薄ウェーハの場合、移送
時に半導体ウェーハが破損したり、半導体ウェーハを研
磨装置に保持させる際に破損したりするという欠点があ
る。 【０００５】そこで、半導体ウェーハを共通のテーブル
に保持しながら、研削加工と研磨加工を行う方法が提案
されている。例えば、特開平５−２８５８５０号公報に
は、ワークを共通のテーブルに保持しながら複数の加工
を行う装置が記載されている。この加工装置は、ワーク
よりも大きい径で形成された円盤状の研磨板と、この研
磨板の外側に輪状に形成された環状砥粒層とから成る加
工部を備えている。この加工部で研削を行う際は、加工
部をテーブルの中心位置からずらして環状砥粒層をワー
クに当接させる。また、研磨を行う際は、加工部をテー
ブルの中心位置に合わせて配置し、研磨板をワークに押
し当てる。これにより、共通のテーブルにワークを保持
したまま、研削加工と研磨加工を行うことができる。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
５−２８５８５０号公報に記載の加工装置は、研磨加工
中にワークの加工面の状態（厚さ）を測定することがで
きないという問題があった。このため、加工面の状態を
確認する際は、研磨作業を一旦中断し、加工部をワーク
から退避させていた。したがって、精度の高い加工が要
求される場合、例えば半導体ウェーハの製造最終工程な
どでは、加工と測定を繰り返し行う必要があり、作業効
率が悪いという問題があった。 【０００７】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、共通のテーブルで半導体ウェーハを保持しなが
ら複数の加工部で加工する場合において、半導体ウェー
ハを加工しながら加工面の状態を測定することができる
半導体ウェーハ加工装置を提供することを目的とする。 【０００８】 【課題を解決する為の手段】本発明は前記目的を達成す
るために、半導体ウェーハを保持して回転するテーブル
と、前記テーブルに保持された前記半導体ウェーハの片
面の一部分に押し付けられ、該片面を加工する複数の加
工部と、前記半導体ウェーハの片面のうち、前記加工部
が加工中に配置される領域同士の隙間に配置され、前記
片面の状態を測定する測定手段と、を備えたことを特徴
としている。 【０００９】本発明によれば、半導体ウェーハを共通の
テーブルに保持した状態で、複数の加工部を半導体ウェ
ーハの片面に押し付けて加工を行うので、半導体ウェー
ハを脱着することなく複数の加工を行うことができ、作
業時間を短縮できるとともに加工精度を向上させること
ができる。特に、本発明によれば、半導体ウェーハの裏
面を研削加工した後に研磨を行うことによって、半導体
ウェーハを破損することなく加工変質層を除去すること
ができる。 【００１０】また、本発明によれば、複数の加工部を半
導体ウェーハの片面の一部分にのみ押し付けて加工を行
うとともに、その加工部が加工中に配置される領域同士
の隙間に測定手段を設けて半導体ウェーハの片面の状態
を測定したので、加工部で加工を行いながら、測定手段
で加工面の状態を測定することができる。したがって、
半導体ウェーハの加工面の状態に応じて加工速度を変え
たり、加工を停止することができ、精度の良い加工を迅
速に行うことができる。なお、本発明において「加工部
が加工中に配置される領域同士の隙間」とは、半導体ウ
ェーハの片面上で、複数の加工部が加工中に配置される
領域を除いた領域であり、複数の加工部が干渉しない領
域を意味している。 【００１１】さらに、本発明によれば、加工部が加工中
に配置される領域同士の隙間に測定手段を配置したの
で、装置全体を小型化することができる。 【００１２】 【発明の実施の形態】以下添付図面に従って本発明に係
る半導体ウェーハの加工装置の好ましい実施の形態につ
いて詳説する。図１は、本実施の形態の半導体ウェーハ
の加工装置を示す全体構造図である。 【００１３】同図に示すように、加工装置１０は主とし
て、吸着テーブル１２、研削装置１４、研磨装置１６、
及び測定装置１７から構成される。 【００１４】吸着テーブル１２は円盤状に形成され、そ
の下面にはモータ１８の出力軸２０が吸着テーブル１２
の中心軸と同軸上に取り付けられる。この吸着テーブル
１２は、モータ１８の駆動力によって図中矢印Ａ方向に
回転される。 【００１５】半導体ウェーハ２２の表面２２Ａには、表
面２２Ａ側に形成された半導体装置を保護するための保
護シート（不図示）が貼着され、この保護シートを介し
て半導体ウェーハ２２の表面２２Ａが吸着テーブル１２
に吸着される。これにより、半導体ウェーハ２２は、吸
着テーブル１２上に保持され、吸着テーブル１２と共に
回転される。 【００１６】研削装置１４は、カップ型砥石２４、モー
タ２６、及びエアシリンダ２８等から構成される。カッ
プ型砥石２４は、吸着テーブル１２で吸着保持された半
導体ウェーハ２２の裏面２２Ｂを研削加工する砥石であ
り、砥石部分２５を下向きにして設けられている。ま
た、カップ型砥石２４は、上面にモータ２６の出力軸３
０がカップ型砥石２４の中心軸と同軸上に取り付けら
れ、このモータ２６の駆動力によって図中矢印Ｂ方向
（すなわち、吸着テーブル１２の回転方向と同方向）に
回転される。なお、カップ型砥石２４を吸着テーブル１
２の回転方向と反対方向に回転させてもよい。 【００１７】モータ２６の上部には、エアシリンダ２８
のピストン３２が取り付けられている。したがって、エ
アシリンダ２８を駆動してピストン３２を伸縮動作させ
ると、カップ型砥石２４を半導体ウェーハ２２に対して
進退移動させることができる。よって、カップ型砥石２
４を半導体ウェーハ２２の裏面２２Ｂに押圧当接させて
送り動作させることにより、半導体ウェーハ２２の裏面
２２Ｂをカップ型砥石２４で研削することができる。 【００１８】エアシリンダ２８は、Ｌ字状に形成された
支柱３４上に固定されている。この支柱３４は、加工装
置本体１１上に形成されたガイド溝３６に摺動自在に支
持され、吸着テーブル１２に対してその径方向に進退移
動自在に設けられている。したがって、研削装置１４全
体が半導体ウェーハ２２の研削位置に対して進退移動す
るように構成されている。また、支柱３４は、エアシリ
ンダ３８のピストン４０に接続されている。よって、こ
のピストン４０を伸長（図１の状態）させると、研削装
置１４全体が半導体ウェーハ２２の研削位置に進出移動
し、ピストン４０を収縮（図２の状態）させると、研削
装置１４全体が半導体ウェーハ２２の研削位置から退避
移動する。 【００１９】研磨装置１６は、研磨布４２、モータ４
４、及びエアシリンダ４６等から構成される。研磨布４
２は、吸着テーブル１２で吸着保持された半導体ウェー
ハ２２の裏面２２Ｂを研磨加工する研磨体であり、不図
示のノズルから半導体ウェーハ２２の裏面２２Ｂに純水
を供給して研磨する。なお、本実施の形態では、研磨体
として研磨布４２を適用したが、これに限られるもので
はなく、研磨体として研磨砥石を適用しても良い。この
場合には、スラリーを供給しながら半導体ウェーハ２２
の裏面２２Ｂを研磨する。 【００２０】研磨布４２は定盤４８の下面に設けられ、
この定盤４８の上面にはモータ４４の出力軸５０が定盤
４８の中心軸と同軸上に取り付けられている。したがっ
て、研磨布４２は、モータ４４の駆動力によって図中矢
印Ｃ方向（吸着テーブル１２の回転方向と同方向）に回
転される。なお、研磨布４２を吸着テーブル１２の回転
方向と反対方向に回転させてもよい。 【００２１】モータ４４の上部には、エアシリンダ４６
のピストン５２が取り付けられている。したがって、エ
アシリンダ４６を駆動してピストン５２を伸縮動作させ
ると、研磨布４２を半導体ウェーハ２２に対して進退移
動させることができる。よって、研磨布４２を半導体ウ
ェーハ２２の裏面２２Ｂに押圧当接させることにより、
半導体ウェーハ２２の裏面２２Ｂを研磨布４２で研磨す
ることができる。 【００２２】エアシリンダ４６は、Ｌ字状に形成された
支柱５４上に固定されている。支柱５４は、加工装置本
体１１上に形成されたガイド溝５６に摺動自在に支持さ
れ、吸着テーブル１２に対してその径方向に進退移動自
在に設けられている。したがって、研磨装置１６全体が
半導体ウェーハ２２の研磨位置に対して進退移動するよ
うに構成されている。また、支柱５４には、エアシリン
ダ５８のピストン６０が接続されている。よって、ピス
トン６０を収縮（図１の状態）させると、研磨装置１６
全体が半導体ウェーハ２２の研磨位置から退避移動し、
ピストン６０を伸長（図２の状態）させると、研磨装置
１６全体が半導体ウェーハ２２の研磨位置に進出移動す
る。 【００２３】ところで、前述した研削装置１４や研磨装
置１６で加工を行う際、カップ型砥石２４や研磨布４２
は、半導体ウェーハ２２の裏面２２Ｂの全体に当接され
るのではなく、裏面２２Ｂの一部分にのみ当接される。
すなわち、図３に示すように、カップ型砥石２４は研削
加工中に図３の二点鎖線で示す位置に配置されて、裏面
２２Ｂの一部分に当接される。また、研磨布４２は図３
の二点鎖線で示す位置に配置されて、裏面２２Ｂの一部
分に当接される。したがって、半導体ウェーハ２２の裏
面２２Ｂには、カップ型砥石２４が配置される領域と、
研磨布４２が配置される領域との隙間２３、２３があ
り、この隙間２３に測定装置１７が配置されている。 【００２４】測定装置１７は、半導体ウェーハ２２の厚
さを測定する装置であり、例えば、差動変圧器を用いた
電気マイクロメータが使用される。電気マイクロメータ
は、測定ヘッド６２の接触子６４を半導体ウェーハ２２
に接触させることによって半導体ウェーハ２２の厚さを
測定する。この測定装置１７の測定値に基づいて、前述
した研削装置１４や研磨装置１６が制御される。例え
ば、測定装置１７の測定値が、予め入力された設定値に
なった際に研削加工や研磨加工が終了するように制御が
行われる。或いは、測定装置１７の測定値に応じてモー
タ２６、４４の回転速度が調節される。なお、半導体ウ
ェーハ２２の厚さの測定方法は、上記に限定されるもの
ではなく、例えば吸着テーブル１２の上面と半導体ウェ
ーハ２２の上面とをそれぞれ電気マイクロメータで測定
し、その差によって半導体ウェーハ２２の厚さを求めて
もよい。また、測定装置１７は、電気マイクロメータな
どの接触式の他、光センサを用いた非接触式など、公知
の手段を使用することができる。 【００２５】次に、上記の如く構成された半導体ウェー
ハの加工装置１０の作用について説明する。 【００２６】図１に示すように、まず、表面２２Ａ側の
保護シート（不図示）が吸着された半導体ウェーハ２２
をその表面２２Ａが下向きになるようにして吸着テーブ
ル１２の上面に吸着保持させる。 【００２７】次に、半導体ウェーハ２２をモータ１８で
回転させるとともに、カップ型砥石２４をモータ２６で
回転させる。次いで、カップ型砥石２４を、エアシリン
ダ２８のピストン３２を伸長させることにより下降移動
させて、カップ型砥石２４の砥石部分２５を半導体ウェ
ーハ２２の裏面２２Ｂに押圧当接させる。これにより、
カップ型砥石２４による裏面研削が開始される。この裏
面研削が行われている間、測定装置１７によって半導体
ウェーハ２２の厚さが測定される。 【００２８】測定装置１７の測定値が予め入力された設
定値になると、まず、ピストン３２を収縮させてカップ
型砥石２４を半導体ウェーハ２２から退避移動させる。
次に、モータ２６を停止し、カップ型砥石２４の回転を
停止させる。次いで、エアシリンダ３８のピストン４０
を収縮させてカップ型砥石２４を研削位置から図中右方
向に所定量退避移動させる。これにより、研削装置１４
による研削工程が終了する。 【００２９】次に、研磨装置１６による研磨加工を行う
場合には、半導体ウェーハ２２を吸着テーブル１２で吸
着した状態で、まず、図示しない洗浄ノズルから半導体
ウェーハ２２の裏面２２Ｂに洗浄液を噴射して、裏面２
２Ｂ上の研削屑等のごみを洗い流す。この洗浄作業の
際、測定装置１７の測定ヘッド６２は、上方に退避させ
ておくとよい。 【００３０】裏面２２Ｂの洗浄が終了すると、まず、エ
アシリンダ５８のピストン５２を伸長させて研磨布４２
を退避位置から図中右方向に所定量進出移動させて、研
磨布４２を半導体ウェーハ２２の研磨位置の上方に位置
させる。次に、モータ４４を駆動して研磨布４２を回転
させるとともに、エアシリンダ４６のピストン５２を伸
長させて研磨布４２を、回転中の半導体ウェーハ２２の
裏面２２Ａに押圧当接させる。この状態が図２に示され
ている。これにより、研磨布４２による研磨が開始され
る。この研磨加工が行われている間、測定装置１７によ
って半導体ウェーハ２２の厚さが測定される。 【００３１】測定装置１７の測定値が予め入力された設
定値になると、ピストン５２を収縮させて研磨布４２を
半導体ウェーハ２２の上方に退避移動させ、モータ４４
を停止して研磨布４２の回転を停止させ、エアシリンダ
５８のピストン６０を収縮させて研磨布４２を研磨位置
から図中左右方向に退避移動させる。これにより、研磨
装置１６による研磨工程が終了する。 【００３２】研磨工程が終了した半導体ウェーハ２２
は、吸着テーブル１２から取り外されて、次のダイシン
グ工程に移送される。この移送時において、半導体ウェ
ーハ２２は、研削時に生成された裏面２２Ｂの加工変質
層が研磨布４２によって除去されているので破損しな
い。 【００３３】このように本実施の形態の加工装置１０に
よれば、研削加工が終了した半導体ウェーハ２２を研磨
装置に移送することなく、共通の吸着テーブル１２で保
持した状態で研磨布４２により研磨するようにしたの
で、半導体ウェーハ２２を破損させることなく加工変質
層を除去することができる。 【００３４】また、加工装置１０によれば、測定装置１
７を設けたので、半導体ウェーハ２２の裏面２２Ｂをカ
ップ型砥石２４や研磨布４２で加工しながら、測定装置
１７で半導体ウェーハ２２の厚さを測定することができ
る。したがって、半導体ウェーハ２２を高精度で迅速に
所定の厚さまで加工することができる。 【００３５】さらに、加工装置１０によれば、半導体ウ
ェーハ２２の裏面２２Ｂのうち、カップ型砥石２４が加
工中に配置される領域と研磨布４２が加工中に配置され
る領域との隙間２３に測定装置１７を配置したので、加
工装置１０を小型化することができる。 【００３６】なお、上述した実施の形態は、研削装置１
４と研磨装置１６を組み合わせているが、加工部の組み
合わせはこれに限定するものではない。例えば、粗研を
行う研削装置と、精研を行う研削装置とを組み合わせた
り、一次研磨を行う研磨装置と、二次研磨を行う研磨装
置とを組み合わせてもよい。 【００３７】また、加工部は、研削装置１４や研磨装置
１６に限定されるものではなく、半導体ウェーハ２２の
洗浄手段（例えば、洗浄用ブラシ）などであってもよ
い。加工部を洗浄手段にすることによって、共通の吸着
テーブル１２に半導体ウェーハ２２を保持しながら、半
導体ウェーハ２２を洗浄することができる。 【００３８】さらに、上述した実施の形態は、二つの加
工部を組み合わせたが、三つ以上の加工部を組み合わせ
てもよい。 【００３９】また、上述した実施の形態は、研削装置１
４と研磨装置１６をエアシリンダ３８、５８によって別
々に移動させるようにしたが、同期させて移動させるよ
うにしてもよい。また、上述した実施の形態は、研削加
工中や研磨加工中にエアシリンダ３８、５８によるカッ
プ型砥石２４、研磨布４２の移動を停止していたが、エ
アシリンダ３８、５８を駆動してカップ型砥石２４、研
磨布４２を往復移動しながら加工してもよい。さらに研
削装置１４と研磨装置１６の移動方式は直動式に限定さ
れるものではなく、鉛直な揺動軸を中心に揺動させる揺
動式としてもよい。 【００４０】また、上述した実施の形態は、半導体ウェ
ーハ２２の裏面２２Ｂを加工する加工装置１０の例で説
明したが、本発明は、複数の加工を行う装置に適用する
ことができ、例えば、ＣＭＰ装置としても適用すること
ができる。 【００４１】また、研削装置１４や研磨装置１６などの
加工部の構成は上述した実施の形態に限定されるもので
はない。例えば、図４は、エアバッグ式の加工部を備え
た加工装置の側面図を示している。同図に示す加工装置
は主として、吸着テーブル６６、粗研用の研削装置６
８、精研用の研削装置７０、及び測定装置７２で構成さ
れている。 【００４２】吸着テーブル６６は、上方に向けて設置さ
れたカップ型フレーム７４の上に取り付けられる。カッ
プ型フレーム７４と吸着テーブル６６は、複数の板バネ
（不図示）によって取り付けられ、カップ型フレーム７
４と吸着テーブル６６との間には、エアバッグ７６が設
けられる。このエアバッグ７６にエアを供給してエアバ
ッグ７６を膨張させると、吸着テーブル６６が上昇し、
逆にエアバッグ７６からエアを排出させると、板バネに
よって吸着テーブル６６が下降する。 【００４３】研削装置６８は、スピンドル７８にカップ
型フレーム８０が下向きに取り付けられ、このカップ型
フレーム８０の下端に粗研用のカップ型砥石８２がカッ
プ型フレーム８０と同軸上に取り付けられる。カップ型
砥石８２とカップ型フレーム８０は、複数の板バネ（不
図示）を介して取り付けられ、カップ型砥石８２とカッ
プ型フレーム８０の間にはエアバッグ８４が設けられ
る。このエアバッグ８４にエアを供給してエアバッグ８
４を膨張させると、カップ型砥石８２が下降して半導体
ウェーハ２２の裏面２２Ｂの一部分に当接して押圧さ
れ、粗研が行われる。その際、カップ型砥石８２の押圧
力はエアバッグ８４によって調節される。また、エアバ
ッグ８４からエアを排出すると、板バネによってカップ
型砥石８２が上方に退避する。カップ型砥石８２の内側
には、不図示のノズルが設けられ、このノズルから研削
液が供給される。 【００４４】研削装置６８は、鉛直な揺動軸（不図示）
を中心として揺動自在に支持され、カップ型砥石８２が
図４に示す如く半導体ウェーハ２２の上方に進出した
り、半導体ウェーハ２２の上方から退避できるようにな
っている。 【００４５】研削装置７０は研削装置６８と同様に構成
され、スピンドル８６にカップ型フレーム８８が取り付
けられ、このカップ型フレーム８８に精研用のカップ型
砥石９０が取り付けられる。カップ型砥石９０とカップ
型フレーム８８は、板バネ（不図示）を介して取り付け
られ、カップ型砥石９０とカップ型フレーム８８の間に
はエアバッグ９２が設けられる。このエアバッグ９２を
膨張させると、カップ型砥石９０が下降して半導体ウェ
ーハ２２の裏面２２Ｂの一部に当接して押圧され、精研
が行われる。また、エアバッグ９２からエアを排出する
と、板バネによってカップ型砥石９０が上方に退避す
る。カップ型砥石９０の内側には、不図示のノズルが設
けられ、このノズルから研削液が供給される。 【００４６】研削装置７０も、鉛直な揺動軸（不図示）
を中心として揺動自在に支持され、カップ型砥石９０が
半導体ウェーハ２２の上方に進出したり、図４に示す如
く半導体ウェーハ２２の上方から退避できるようになっ
ている。 【００４７】測定装置７２は、半導体ウェーハ２２の裏
面２２Ｂのうち、カップ型砥石８２が加工中に配置され
る領域と、カップ型砥石９０が加工中に配置される領域
との隙間に設置される。測定装置７２としては、電気マ
イクロメータや光センサなどが使用され、この測定装置
７２によって半導体ウェーハ２２の裏面２２Ｂの加工状
態（厚さ）が測定される。 【００４８】上記の如く構成された加工装置は、まず、
エアバッグ８４を膨張させてカップ型砥石８２を半導体
ウェーハ２２の裏面２２Ｂに当接させ、粗研加工を行
う。そして、測定装置７２の測定値が所定の設定値にな
った際に、エアバッグ８４からエアを排出してカップ型
砥石８２を上方に退避させるとともに、研削装置６８を
揺動させてカップ型砥石８２を裏面２２Ｂの上方から退
避させる。次いで、研削装置７０を揺動させてカップ型
砥石８２を裏面２２Ｂの上方に進出させるとともに、エ
アバッグ９２にエアを供給してカップ型砥石９０を裏面
２２Ｂに当接させ、精研加工を行う。そして、測定装置
７２の測定値が所定の設定値になった際に、エアバッグ
９２からエアを排出し、カップ型砥石９０を上方に退避
させる。これにより、共通の吸着テーブル６６に半導体
ウェーハ２２を保持しながら粗研と精研を行うことがで
きる。 【００４９】また、上述した加工装置はエアバッグ７
６、８４、９２に供給するエア圧によって、カップ型砥
石８２、９０が裏面２２Ｂを押圧する圧力（加工圧）を
調節することができる。 【００５０】なお、上述した加工装置は、研削装置６８
と研削装置７０の組み合わせであるが、加工部の組み合
わせはこれに限定するものではなく、前述したように研
削装置と研磨装置の組み合わせや、研磨装置同士の組み
合わせであってもよい。 【００５１】 【発明の効果】以上説明したように本発明に係る半導体
ウェーハの加工装置によれば、半導体ウェーハを共通の
テーブルに保持した状態で、複数の加工部を半導体ウェ
ーハの片面に押し付けて加工を行うので、半導体ウェー
ハを脱着することなく複数の加工を行うことができ、作
業時間を短縮できるとともに加工精度を向上させること
ができる。また、本発明によれば、半導体ウェーハの片
面のうち加工部が加工中に配置される領域同士の隙間に
測定手段を設けて、半導体ウェーハの片面の状態を測定
するようにしたので、加工部で加工を行いながら測定手
段で片面の状態を測定することができ、精度の良い加工
を迅速に行うことができる。さらに、本発明によれば、
加工部が加工中に配置される領域同士の隙間に測定手段
を配置したので、装置全体を小型化することができる。

【図面の簡単な説明】 【図１】本発明の半導体ウェーハの加工装置で研削加工
の実施状態を示す全体図 【図２】図１の加工装置で研磨加工の実施状態を示す全
体図 【図３】加工時のカップ型砥石、研磨布と半導体ウェー
ハとの位置関係を示す平面図 【図４】図１と異なる構成の加工装置を示す側面図 【符号の説明】 １０…加工装置、１１…加工装置本体、１２…吸着テー
ブル、１４…研削装置、１６…研磨装置、１７…測定装
置、１８…モータ、２０…出力軸、２２…半導体ウェー
ハ、２２Ａ…表面、２２Ｂ…裏面、２３…隙間、２４…
カップ型砥石（研削用砥石）、２５…砥石部分、２６…
モータ、２８…エアシリンダ、３０…出力軸、３２…ピ
ストン、３４…支柱、３６…ガイド溝、３８…エアシリ
ンダ、４０…ピストン、４２…研磨布（研磨体）、４４
…モータ、４６…エアシリンダ、４８…定盤、５０…出
力軸、５２…ピストン、５４…支柱、５６…ガイド溝、
５８…エアシリンダ、６０…ピストン、６２…測定ヘッ
ド、６４…接触子、６６…吸着テーブル、６８…研削装
置、７０…研削装置、７２…測定装置、７４…カップ型
フレーム、７６…エアバッグ、７８…スピンドル、８０
…カップ型フレーム、８２…カップ型砥石、８４…エア
バッグ、８６…スピンドル、８８…カップ型フレーム、
９０…カップ型砥石、９２…エアバッグ

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ２４Ｂ 49/04 Ｂ２４Ｂ 49/04 Ｚ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】半導体ウェーハを保持して回転するテーブ
   ルと、 前記テーブルに保持された前記半導体ウェーハの片面の
   一部分に押し付けられ、該片面を加工する複数の加工部
   と、 前記半導体ウェーハの片面のうち、前記加工部が加工中
   に配置される領域同士の隙間に配置され、前記片面の状
   態を測定する測定手段と、 を備えたことを特徴とする半導体ウェーハの加工装置。