JP2000343440A - 研磨砥石及び研磨砥石の製造方法 - Google Patents
研磨砥石及び研磨砥石の製造方法Info
- Publication number
- JP2000343440A JP2000343440A JP11157795A JP15779599A JP2000343440A JP 2000343440 A JP2000343440 A JP 2000343440A JP 11157795 A JP11157795 A JP 11157795A JP 15779599 A JP15779599 A JP 15779599A JP 2000343440 A JP2000343440 A JP 2000343440A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- abrasive grains
- fixed
- polishing cloth
- workpiece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 108
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- 239000002966 varnish Substances 0.000 claims description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 229910021486 amorphous silicon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000012209 synthetic fiber Substances 0.000 description 1
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェーハ等の被加工物の製造工程にお
いて、経済的でかつ作業環境の悪化を招かず、更に、自
然環境の汚染をも回避することができる方法によって被
加工物の鏡面研磨を可能とする 【解決手段】 研磨布に砥粒１４を含ませ、適宜の結合
材によって結合したことを特徴とする研磨砥石を提供す
る。また、研磨布に砥粒１４を含ませて適宜の結合材に
よって結合した後、研磨布を所定の形状に加工し、所定
の基台１２に固定するようにした研磨砥石の製造方法、
及び、研磨布を所定の形状に加工した後、該所定の形状
の研磨布に砥粒を含ませて適宜の結合材によって結合
し、所定の基台１２に固定するようにした研磨砥石の製
造方法を提供する。
いて、経済的でかつ作業環境の悪化を招かず、更に、自
然環境の汚染をも回避することができる方法によって被
加工物の鏡面研磨を可能とする 【解決手段】 研磨布に砥粒１４を含ませ、適宜の結合
材によって結合したことを特徴とする研磨砥石を提供す
る。また、研磨布に砥粒１４を含ませて適宜の結合材に
よって結合した後、研磨布を所定の形状に加工し、所定
の基台１２に固定するようにした研磨砥石の製造方法、
及び、研磨布を所定の形状に加工した後、該所定の形状
の研磨布に砥粒を含ませて適宜の結合材によって結合
し、所定の基台１２に固定するようにした研磨砥石の製
造方法を提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被加工物、特に半
導体ウェーハの製造工程において表面の鏡面研磨に用い
る研磨砥石に関する。
導体ウェーハの製造工程において表面の鏡面研磨に用い
る研磨砥石に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、半導体ウェーハの製造工程にお
いては、シリカ等の遊離砥粒を供給しながら研磨布を用
いてポリッシングまたはラッピングすることにより半導
体ウェーハの表面を鏡面加工している。
いては、シリカ等の遊離砥粒を供給しながら研磨布を用
いてポリッシングまたはラッピングすることにより半導
体ウェーハの表面を鏡面加工している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな研磨方法では、多量の遊離砥粒を使用しなけらばな
らないため不経済であると共に、作業環境の悪化を招く
という問題がある。また、使用済みの遊離砥粒を大量に
排出しなければならないため、自然環境が汚染されると
いう弊害も生じている。
うな研磨方法では、多量の遊離砥粒を使用しなけらばな
らないため不経済であると共に、作業環境の悪化を招く
という問題がある。また、使用済みの遊離砥粒を大量に
排出しなければならないため、自然環境が汚染されると
いう弊害も生じている。
【０００４】従って、半導体ウェーハ等の被加工物の製
造工程においては、経済的でかつ作業環境の悪化を招か
ず、更に、自然環境の汚染をも回避することができる方
法によって鏡面研磨を可能とすることに解決すべき課題
を有している。
造工程においては、経済的でかつ作業環境の悪化を招か
ず、更に、自然環境の汚染をも回避することができる方
法によって鏡面研磨を可能とすることに解決すべき課題
を有している。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の具体的手段として本発明は、被加工物の表面を研磨す
るための研磨砥石であって、フェルト部材等の研磨布に
砥粒を含ませ、適宜の結合材によって結合したことを特
徴とする研磨砥石を提供する。
の具体的手段として本発明は、被加工物の表面を研磨す
るための研磨砥石であって、フェルト部材等の研磨布に
砥粒を含ませ、適宜の結合材によって結合したことを特
徴とする研磨砥石を提供する。
【０００６】そして、この研磨砥石は、砥粒が二酸化珪
素及び／または酸化セリウムからなること、被加工物は
半導体ウェーハであり、結合材はワニスであり、砥粒の
粒径は０．０１μｍ〜１０．０μｍであることを付加的
要件とする。
素及び／または酸化セリウムからなること、被加工物は
半導体ウェーハであり、結合材はワニスであり、砥粒の
粒径は０．０１μｍ〜１０．０μｍであることを付加的
要件とする。
【０００７】また本発明は、このような研磨砥石の製造
方法であって、研磨布に砥粒を含ませて適宜の結合材に
よって結合した後、該研磨布を所定の形状に加工し、所
定の基台に固定するようにした研磨砥石の製造方法、及
び、研磨布を所定の形状に加工した後、該所定の形状の
研磨布に砥粒を含ませて適宜の結合材によって結合し、
所定の基台に固定するようにした研磨砥石の製造方法を
提供する。
方法であって、研磨布に砥粒を含ませて適宜の結合材に
よって結合した後、該研磨布を所定の形状に加工し、所
定の基台に固定するようにした研磨砥石の製造方法、及
び、研磨布を所定の形状に加工した後、該所定の形状の
研磨布に砥粒を含ませて適宜の結合材によって結合し、
所定の基台に固定するようにした研磨砥石の製造方法を
提供する。
【０００８】そして、砥粒は二酸化珪素及び／または酸
化セリウムからなること、被加工物は半導体ウェーハで
あり、結合材はワニスであり、砥粒の粒径は０．０１μ
ｍ〜１０．０μｍであることを付加的要件とする。
化セリウムからなること、被加工物は半導体ウェーハで
あり、結合材はワニスであり、砥粒の粒径は０．０１μ
ｍ〜１０．０μｍであることを付加的要件とする。
【０００９】本発明に係る研磨砥石、本発明に係る研磨
砥石の製造方法により製造された研磨砥石を用いて被加
工物を研磨する場合においては、固定砥粒方式により研
磨を行うため、従来のポリッシング、ラッピングに比べ
て研磨効率が非常に良い。また、遊離砥粒が不要となる
ため、経済的であり、作業環境を悪化させることもな
い。更に、遊離砥粒を用いずに研磨を行うため、遊離砥
粒を排出することがない。
砥石の製造方法により製造された研磨砥石を用いて被加
工物を研磨する場合においては、固定砥粒方式により研
磨を行うため、従来のポリッシング、ラッピングに比べ
て研磨効率が非常に良い。また、遊離砥粒が不要となる
ため、経済的であり、作業環境を悪化させることもな
い。更に、遊離砥粒を用いずに研磨を行うため、遊離砥
粒を排出することがない。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態として、ま
ず、図１に示す研磨ホイール１０を構成する研磨砥石１
１について説明する。研磨ホイール１０は、円環状の基
台１２と、基台１２に貼着固定される研磨砥石１１とか
ら構成され、基台１２に形成されたネジ穴１３に螺合し
たボルトによって研磨装置のスピンドルに装着して使用
される。
ず、図１に示す研磨ホイール１０を構成する研磨砥石１
１について説明する。研磨ホイール１０は、円環状の基
台１２と、基台１２に貼着固定される研磨砥石１１とか
ら構成され、基台１２に形成されたネジ穴１３に螺合し
たボルトによって研磨装置のスピンドルに装着して使用
される。
【００１１】研磨砥石１１は、基台１２の形状に対応し
て円環状に形成されており、基台１２の下部に貼着固定
される。図２に示すように、研磨砥石１１は、研磨布の
一種である、純毛、混毛、化繊等の種々の繊維１３を圧
縮してつくられたフェルト部材に、ワニス等の結合材と
共に微細な砥粒１４を含ませて固定し、成形したもので
あり、砥粒は、粒径が０．０１μｍ〜１０．０μｍの球
形若しくは不定形の二酸化珪素、酸化セリウム等からな
る。
て円環状に形成されており、基台１２の下部に貼着固定
される。図２に示すように、研磨砥石１１は、研磨布の
一種である、純毛、混毛、化繊等の種々の繊維１３を圧
縮してつくられたフェルト部材に、ワニス等の結合材と
共に微細な砥粒１４を含ませて固定し、成形したもので
あり、砥粒は、粒径が０．０１μｍ〜１０．０μｍの球
形若しくは不定形の二酸化珪素、酸化セリウム等からな
る。
【００１２】なお、この研磨砥石１１を製造する際は、
研磨布を円環状に切り取ってから結合材と共に砥粒１４
を研磨布に含ませて固定してもよいし、切り取る前の研
磨布に結合材と共に砥粒１４を含ませて固定してから円
環状に切り取るようにしてもよい。いずれにしても、容
易に製造することができる。
研磨布を円環状に切り取ってから結合材と共に砥粒１４
を研磨布に含ませて固定してもよいし、切り取る前の研
磨布に結合材と共に砥粒１４を含ませて固定してから円
環状に切り取るようにしてもよい。いずれにしても、容
易に製造することができる。
【００１３】このような研磨砥石１１を備えた研磨ホイ
ール１０は、例えば図３に示す研磨装置２０のスピンド
ル２１に装着されて使用される。この研磨装置２０にお
いては、基台２２の端部から壁部２３が起立して設けら
れており、この壁部２３の内側の面には一対のレール２
４が垂直方向に配設され、レール２４に沿ってスライド
板２５が上下動するのに追従してスライド板２５に取り
付けられた研磨手段２６が上下動するよう構成されてい
る。また、基台２２上には、半導体ウェーハを保持する
チャックテーブル２７が配設されている。
ール１０は、例えば図３に示す研磨装置２０のスピンド
ル２１に装着されて使用される。この研磨装置２０にお
いては、基台２２の端部から壁部２３が起立して設けら
れており、この壁部２３の内側の面には一対のレール２
４が垂直方向に配設され、レール２４に沿ってスライド
板２５が上下動するのに追従してスライド板２５に取り
付けられた研磨手段２６が上下動するよう構成されてい
る。また、基台２２上には、半導体ウェーハを保持する
チャックテーブル２７が配設されている。
【００１４】研磨手段２６においては、垂直方向の軸芯
を有するスピンドル２１の先端にマウンタ２８が装着さ
れており、マウンタ２８に研磨ホイール１０が装着さ
れ、スピンドル２１の回転に伴って研磨ホイール１０が
回転する構成となっている。
を有するスピンドル２１の先端にマウンタ２８が装着さ
れており、マウンタ２８に研磨ホイール１０が装着さ
れ、スピンドル２１の回転に伴って研磨ホイール１０が
回転する構成となっている。
【００１５】研磨装置２０を用いて半導体ウェーハＷの
表面を研磨する際は、半導体ウェーハＷをチャックテー
ブル２７に保持させて研磨手段２６の直下に位置付け、
スピンドル２１を回転させると共に、研磨手段２６を下
降させていく。そして、乾式にて、スピンドル２１の高
速回転に伴って研磨ホイール１０を構成する研磨砥石１
１が半導体ウェーハＷに接触して押圧力が加えられるこ
とにより、その表面が研磨砥石１１によって研磨され
る。なお、研磨液を供給しながら湿式にて研磨を行って
もよいが、この場合は研磨布が膨張して押圧力が安定し
ないため、乾式にて研磨するのが好ましい。
表面を研磨する際は、半導体ウェーハＷをチャックテー
ブル２７に保持させて研磨手段２６の直下に位置付け、
スピンドル２１を回転させると共に、研磨手段２６を下
降させていく。そして、乾式にて、スピンドル２１の高
速回転に伴って研磨ホイール１０を構成する研磨砥石１
１が半導体ウェーハＷに接触して押圧力が加えられるこ
とにより、その表面が研磨砥石１１によって研磨され
る。なお、研磨液を供給しながら湿式にて研磨を行って
もよいが、この場合は研磨布が膨張して押圧力が安定し
ないため、乾式にて研磨するのが好ましい。
【００１６】このようにして研磨砥石１１を用いると、
従来のポリッシング、ラッピングのように遊離砥粒を用
いなくても鏡面研磨を行うことが可能になる。従って、
経済的であり、作業環境の悪化を招くという問題もな
い。また、遊離砥粒を排出することがないため、自然環
境が汚染されるという弊害も生じない。更に、固定砥粒
方式により研磨を行うため、研磨効率が非常に良い。
従来のポリッシング、ラッピングのように遊離砥粒を用
いなくても鏡面研磨を行うことが可能になる。従って、
経済的であり、作業環境の悪化を招くという問題もな
い。また、遊離砥粒を排出することがないため、自然環
境が汚染されるという弊害も生じない。更に、固定砥粒
方式により研磨を行うため、研磨効率が非常に良い。
【００１７】本発明の研磨砥石は、例えば図４、５、７
のような形状に形成することもできる。まず、図４に示
す研磨ホイール３０においては、小さな直方体状のセグ
メントタイプの研磨砥石３１が基台３２の外周に沿って
円弧状に多数貼着固定された構成となっている。この場
合、セグメントタイプの研磨砥石３１は、図４のように
一列に配置させるだけでなく、複数列配置させることも
できる。
のような形状に形成することもできる。まず、図４に示
す研磨ホイール３０においては、小さな直方体状のセグ
メントタイプの研磨砥石３１が基台３２の外周に沿って
円弧状に多数貼着固定された構成となっている。この場
合、セグメントタイプの研磨砥石３１は、図４のように
一列に配置させるだけでなく、複数列配置させることも
できる。
【００１８】また、図５に示す研磨ホイール４０におい
ては、図６に示すようなパイプ形状の研磨砥石４１が基
台４２の外周に沿って円弧状に多数貼着固定された構成
となっている。この場合も、パイプ形状の研磨砥石４１
は、図４のように一列に配置させるするだけでなく、複
数列配置させることもできる。
ては、図６に示すようなパイプ形状の研磨砥石４１が基
台４２の外周に沿って円弧状に多数貼着固定された構成
となっている。この場合も、パイプ形状の研磨砥石４１
は、図４のように一列に配置させるするだけでなく、複
数列配置させることもできる。
【００１９】更に、図７において裏返して示す研磨ホイ
ール５０においては、多数の孔５２を設けた多孔タイプ
の研磨砥石５１が基台５３に貼着固定されている。
ール５０においては、多数の孔５２を設けた多孔タイプ
の研磨砥石５１が基台５３に貼着固定されている。
【００２０】なお、図４、５、７のいずれのタイプの場
合も、製造の際は、図１の例の場合と同様に、フェルト
部材等の研磨布を所定の形状に切り取ってから結合材と
共に砥粒を研磨布に含ませて固定してもよいし、切り取
る前の研磨布に結合材と共に砥粒を含ませて固定してか
ら所定の形状に切り取るようにしてもよい。
合も、製造の際は、図１の例の場合と同様に、フェルト
部材等の研磨布を所定の形状に切り取ってから結合材と
共に砥粒を研磨布に含ませて固定してもよいし、切り取
る前の研磨布に結合材と共に砥粒を含ませて固定してか
ら所定の形状に切り取るようにしてもよい。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る研磨
砥石、本発明に係る研磨砥石の製造方法により製造され
た研磨砥石によれば、固定砥粒方式により研磨を行うた
め、研磨効率が非常に良く、生産性の向上を図ることが
できる。
砥石、本発明に係る研磨砥石の製造方法により製造され
た研磨砥石によれば、固定砥粒方式により研磨を行うた
め、研磨効率が非常に良く、生産性の向上を図ることが
できる。
【００２２】また、遊離砥粒が不要となるため、経済的
であり、作業環境を悪化させることもないため、清潔な
作業環境を維持することができる。
であり、作業環境を悪化させることもないため、清潔な
作業環境を維持することができる。
【００２３】更に、遊離砥粒を排出しないため、自然環
境を汚染することがない。
境を汚染することがない。
【図１】本発明に係る研磨砥石が貼着固定された研磨ホ
イールの一例を示す斜視図である。
イールの一例を示す斜視図である。
【図２】同研磨砥石の内部構造を示す一部拡大断面図で
ある。
ある。
【図３】同研磨砥石が貼着固定された研磨ホイールが装
着される研磨装置の一例を示す斜視図である。
着される研磨装置の一例を示す斜視図である。
【図４】同研磨砥石を直方体状にセグメント化して多数
貼着固定した研磨ホイールを示す斜視図である。
貼着固定した研磨ホイールを示す斜視図である。
【図５】同研磨砥石をパイプ状にセグメント化して多数
貼着固定した研磨ホイールを示す斜視図である。
貼着固定した研磨ホイールを示す斜視図である。
【図６】パイプ状に形成された研磨砥石を示す斜視図で
ある。
ある。
【図７】多数の孔を設けた研磨砥石が貼着固定された研
磨ホイールを示す斜視図である。
磨ホイールを示す斜視図である。
１０…研磨ホイール １１…研磨砥石 １２…基台 １３…繊維 １４…砥粒 ２０…研磨装置 ２１…スピンドル ２２…壁部 ２４…レール ２５…スライド板 ２６…研磨手段 ２７…チャックテーブル ２８…マウンタ ３０…研磨ホイール ３１…研磨砥石 ３２…基台 ４０…研磨ホイール ４１…研磨砥石 ４２…基台 ５０…研磨ホイール ５１…研磨砥石 ５２…気孔 ５３…基台
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/304 ６２２ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６２２Ｆ
Claims (7)
- 【請求項１】 被加工物の表面を研磨するための研磨砥
石であって、 研磨布に砥粒を含ませ、適宜の結合材によって結合した
ことを特徴とする研磨砥石。 - 【請求項２】 砥粒は二酸化珪素及び／または酸化セリ
ウムからなる請求項１に記載の研磨砥石。 - 【請求項３】 被加工物は半導体ウェーハであり、結合
材はワニスであり、砥粒の粒径は０．０１μｍ〜１０．
０μｍである請求項１または２に記載の研磨砥石。 - 【請求項４】 被加工物の表面を研磨するための研磨砥
石の製造方法であって、研磨布に砥粒を含ませて適宜の
結合材によって結合した後、該研磨布を所定の形状に加
工し、所定の基台に固定するようにした研磨砥石の製造
方法。 - 【請求項５】 被加工物の表面を研磨するための研磨砥
石の製造方法であって、研磨布を所定の形状に加工した
後、該所定の形状の研磨布に砥粒を含ませて適宜の結合
材によって結合し、所定の基台に固定するようにした研
磨砥石の製造方法。 - 【請求項６】 砥粒は二酸化珪素及び／または酸化セリ
ウムからなる請求項４または５に記載の研磨砥石の製造
方法。 - 【請求項７】 被加工物は半導体ウェーハであり、結合
材はワニスであり、砥粒の粒径は０．０１μｍ〜１０．
０μｍである請求項４乃至６に記載の研磨砥石の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11157795A JP2000343440A (ja) | 1999-06-04 | 1999-06-04 | 研磨砥石及び研磨砥石の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11157795A JP2000343440A (ja) | 1999-06-04 | 1999-06-04 | 研磨砥石及び研磨砥石の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000343440A true JP2000343440A (ja) | 2000-12-12 |
Family
ID=15657461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11157795A Pending JP2000343440A (ja) | 1999-06-04 | 1999-06-04 | 研磨砥石及び研磨砥石の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000343440A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002283211A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研磨装置及びこれを含んだ研削・研磨機 |
| JP2002283212A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研磨方法及び研削・研磨方法 |
| JP2002283243A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研磨工具 |
| JP2003053662A (ja) * | 2001-08-17 | 2003-02-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | 加工歪除去装置 |
| JP2003086545A (ja) * | 2001-09-14 | 2003-03-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | 加工歪除去装置 |
| JP2003229394A (ja) * | 2002-02-05 | 2003-08-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研磨装置 |
| JP2006303329A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | シリコン基板の薄板加工方法およびそれに用いられる加工装置 |
| SG131737A1 (en) * | 2001-03-28 | 2007-05-28 | Disco Corp | Polishing tool and polishing method and apparatus using same |
| JP2016159416A (ja) * | 2015-03-05 | 2016-09-05 | 株式会社ディスコ | 研磨パッド |
-
1999
- 1999-06-04 JP JP11157795A patent/JP2000343440A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4580118B2 (ja) * | 2001-03-28 | 2010-11-10 | 株式会社ディスコ | 研磨方法及び研削・研磨方法 |
| JP4594545B2 (ja) * | 2001-03-28 | 2010-12-08 | 株式会社ディスコ | 研磨装置及びこれを含んだ研削・研磨機 |
| KR100838028B1 (ko) * | 2001-03-28 | 2008-06-12 | 가부시기가이샤 디스코 | 연마공구와 이것을 사용하는 연마방법 및 장치 |
| US7713107B2 (en) | 2001-03-28 | 2010-05-11 | Disco Corporation | Polishing tool |
| DE10211342B4 (de) * | 2001-03-28 | 2017-06-29 | Disco Corp. | Polierwerkzeug und Polierverfahren und -vorrichtung unter Verwendung desselben |
| US7736215B2 (en) | 2001-03-28 | 2010-06-15 | Disco Corporation | Polishing tool and polishing method and apparatus using same |
| JP2002283243A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研磨工具 |
| JP2002283212A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研磨方法及び研削・研磨方法 |
| SG131737A1 (en) * | 2001-03-28 | 2007-05-28 | Disco Corp | Polishing tool and polishing method and apparatus using same |
| JP4546659B2 (ja) * | 2001-03-28 | 2010-09-15 | 株式会社ディスコ | 研磨工具 |
| JP2002283211A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研磨装置及びこれを含んだ研削・研磨機 |
| JP2003053662A (ja) * | 2001-08-17 | 2003-02-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | 加工歪除去装置 |
| JP4617028B2 (ja) * | 2001-08-17 | 2011-01-19 | 株式会社ディスコ | 加工歪除去装置 |
| JP2003086545A (ja) * | 2001-09-14 | 2003-03-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | 加工歪除去装置 |
| JP2003229394A (ja) * | 2002-02-05 | 2003-08-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研磨装置 |
| JP2006303329A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | シリコン基板の薄板加工方法およびそれに用いられる加工装置 |
| JP2016159416A (ja) * | 2015-03-05 | 2016-09-05 | 株式会社ディスコ | 研磨パッド |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6401319B2 (ja) | 研磨装置 | |
| WO1999055493A1 (fr) | Disque a polir et meuler et procede de polissage d'un substrat avec ce disque a meuler | |
| JP2002305168A (ja) | 研磨方法及び研磨装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP2011009736A (ja) | 半導体ウェーハのエッジを研磨する方法 | |
| JP5498857B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| JPS6312741B2 (ja) | ||
| JP2000343440A (ja) | 研磨砥石及び研磨砥石の製造方法 | |
| JP4524643B2 (ja) | ウェーハ研磨方法 | |
| JP2017159421A (ja) | 面取り加工装置 | |
| JP2009178785A (ja) | 水晶ウエハの研磨方法及び水晶ウエハの研磨装置 | |
| JPH11126755A (ja) | 半導体熱処理用ボートの製造方法 | |
| JP2007067166A (ja) | ＳｉＣ基板のケモメカニカル研磨方法 | |
| JP4594545B2 (ja) | 研磨装置及びこれを含んだ研削・研磨機 | |
| JP2003048164A (ja) | 研磨ホイール | |
| JP6508003B2 (ja) | テンプレートアセンブリの製造方法及びこのテンプレートアセンブリを用いた研磨方法並びにテンプレートアセンブリ | |
| US20090191793A1 (en) | Method of and device for abrasive machining and abrasive tool provided therefor | |
| JP2000198073A (ja) | 研磨砥石 | |
| JP7301472B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| US20230158640A1 (en) | Grinding wheel | |
| US20230142939A1 (en) | MANUFACTURING METHOD OF SiC SUBSTRATE | |
| US20240091900A1 (en) | Polishing apparatus and polishing method | |
| JP2018032833A (ja) | ウェハの表面処理装置 | |
| JPH10286757A (ja) | Ｃｍｐ用研磨布の再生仕上治具 | |
| JP2002254288A (ja) | 仕上加工装置および仕上加工方法 | |
| JPH0677188A (ja) | 半導体ウエハの面取加工装置 |